Si dopingとは 意味・読み方・使い方

The high resistance layer 10 is formed as, for example, a thin CrNi layer, a doping Si layer, an a-C : H layer, or a Ti implantation part.例文帳に追加

高抵抗層は、例えば、薄ＣｒＮｉ層、ドーピングＳｉ層、ａ−Ｃ：Ｈ層又はＴｉインプランテーション部である。 - 特許庁

The Si substrate can be used as a bottom electrode, when the electric conductivity is improved by doping the metal sulfide with tin.例文帳に追加

金属硫化物に錫をドープして導電性を向上させれば、Ｓｉ基板を下部電極とすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent HSG-Si (hemispherical grained silicon nuclei) from being depleted by the doping of an impurity and, at the same time, can suppress the scale-down of the HSG-Si.例文帳に追加

不純物ドーピングによりＨＳＧ−Ｓｉの空乏化を防ぐとともに、ＨＳＧ−Ｓｉの縮小化を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of crystallizing the amorphous Si film 22 includes doping the amorphous Si film 22 formed on a substrate 20 with predetermined metal ions, and annealing the amorphous Si film 22 doped with the metal ions, to crystallize the amorphous Si film 22.例文帳に追加

基板２０上に形成された非晶質シリコン層２２に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層２２をアニーリングして非晶質シリコン層２２を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層２２の結晶化方法である。 - 特許庁

To realize an ideal impurity concentration profile by a method using a laser irradiation at the time of the treatment of a doping of an Si wafer with Si chips and activation and to provide a technique to form electrodes on the rear of the Si chip.例文帳に追加

Ｓｉチップが形成されたＳｉウエハへの不純物のドーピングと活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイルを実現し、Ｓｉチップの裏面に電極を形成する技術を提供すること。 - 特許庁

The occurrence of particles caused by electric field concentration during sputtering is suppressed by raising the electric conductivity of an Si target used at the time of forming the EUV-ray reflecting multilayer film by sputtering by doping the film with doping elements by appropriately controlling the kinds and amounts of the doping elements.例文帳に追加

ＥＵＶ光反射多層膜のスパッタリングによる成膜に用いられるＳｉターゲットへ、ドープ元素の種類とドープ量を適宜に制御したドープ元素をドープし、ターゲットの導電率を上げることにより、スパッタ中の電界集中に起因するパーティクルの発生を抑制した。 - 特許庁

Electron concentration that is supplied from the electron supply layer 23 is Si doping concentration and layer thickness where a sheet concentration of 1×1012 cm-2 is achieved.例文帳に追加

電子供給層２３から供給する電子濃度はシート濃度にして１×１０^12ｃｍ^-2になるようなＳｉドーピング濃度と層厚である。 - 特許庁

The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an Si cap layer 23 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 23 with phosphorous.例文帳に追加

エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、Ｓｉキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。 - 特許庁