SIN-10とは 意味・読み方・使い方

A SiN film 11 is formed on the LTO film 10, and a part is left in the recessed part 10a.例文帳に追加

ＬＴＯ膜１０上にＳｉＮ膜１１を形成した後、その一部を凹部１０ａ内に残す。 - 特許庁

All the displacement sections 5, 6, 9, and 10 are made of a double film of a lower SiN film and an upper Al film.例文帳に追加

変位部５，６，９，１０は全て、下側のＳｉＮ膜と上側のＡｌ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

The video signal Sb is obtained by adding to a lowest bit of the high order 10 bits of the video signal Sin 1 when lower 2 bits of the video signal Sin are "10" or more and 0 when they are lower than "10", and state information is superimposed on the video signal Sb.例文帳に追加

映像信号Ｓｂは、映像信号Ｓinの上位１０ビットの最下位ビットに、映像信号Ｓinの下位２ビットが「１０」以上のとき１を加算し、「１０」より小さいとき０を加算したものであり、状態情報が重畳されている。 - 特許庁

An image projection device 20 comprises a laser light source unit 4, a digital micro mirror device (DMD) 10 and a projection optical system, and satisfies the following conditional expression: FP≤1/(2*sin[sin^-1{1/(2*FI)}+Δ]).例文帳に追加

画像投影装置２０は、レーザ光源ユニット４、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）１０、投影光学系を備え、条件式：ＦＰ≦１／〔２・ｓｉｎ［ｓｉｎ^-1｛１／（２・ＦＩ）｝＋Δ］〕を満たす。 - 特許庁

The surface layer of an SiO2 film is modified into an SiN film 3 by exposing it to a nitrogen plasma so that a gate insulating film 10 in the two layer structure of the SiO2 film 2 and the SiN film 3 can be formed.例文帳に追加

窒素プラズマ中に晒して、ＳｉＯ_2 膜の表面層をＳｉＮ膜３に改質して、ＳｉＯ_2 膜２とＳｉＮ膜３の二層構造のゲート絶縁膜１０とする。 - 特許庁

A tungsten film 3 is etched anisotropically by an RIE method, while using the patterns 10 of the SiN films as protective masks.例文帳に追加

このＳｉＮ膜のパターン１０を保護マスクとしてＲＩＥ法によってタングステン膜３を異方性エッチングする。 - 特許庁

Next, a side wall 11 is formed by simultaneously etching back the entire portion of the SiO_2 film 9 and SiN film 10.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_２膜９，ＳｉＮ膜１０を同時に全面エッチバックすることにより、サイドウォール１１を形成する。 - 特許庁

Next, the SiO_2 film 9 and SiN film 10 are formed on the substrate 1, gate electrode 4 and offset spacer 7.例文帳に追加

次に、基板１、ゲート電極４及びオフセットスペーサ７の上に、ＳｉＯ_２膜９，ＳｉＮ膜１０を形成する。 - 特許庁