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SIC orとは 意味・読み方・使い方

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Wiktionary英語版での「SIC or」の意味

sicor

出典:『Wiktionary』 (2025/04/13 16:29 UTC )


別の表記

  • sicer

語源

From Proto-West Germanic *sikur (secure, sure), from Latin sēcūrus (carefree).

発音

  • IPA: /ˈsi.kor/

語形変化

同意語

派生語

  • sicorlīċe
  • sicornes

派生した語


「SIC or」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 462



例文

METHOD FOR COATING SiC OR C FIBER WITH C OR SiC例文帳に追加

SiC又はC繊維のC又はSiC被覆方法 - 特許庁

A hexagonal single crystal material comprises AlN, SiC, GaN or ZnO.例文帳に追加

六方晶系単結晶材料は、AlN、SiC、GaN又はZnOからなる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SiC OR C FIBER/SiC COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

SiC又はC繊維/SiC複合材料の製造方法 - 特許庁

SiC OR C FIBER/SiC COMPOSITE MATERIAL AND PRODUCTION METHOD TEHREFOR例文帳に追加

SiC又はC繊維/SiC複合材料及びその製造方法 - 特許庁

The GaN layer 16 to the upper surface of the SiC substrate 11 or a part of the substrate is removed.例文帳に追加

GaN層16をSiC基板11の上面まであるいは基板の一部を除去する。 - 特許庁

A carbon substrate or an amorphous SiC substrate is used for the carbon atom supply substrate 17.例文帳に追加

前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 - 特許庁

例文

Further the structure 4 is preferably composed of SiC, Si-impregnated SiC or recrystallized SiC.例文帳に追加

また、前構造物4が、SiC、Si含浸SiC、または再結晶SiCで形成されているものとすることが好ましい。 - 特許庁

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「SIC or」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 462



例文

MANUFACTURE OF SIC/SIC COMPOSITE MATERIAL OF HIGH THERMAL CONDUCTIVITY USING CARBON NANOTUBE OR NANOFIBER例文帳に追加

カーボンナノチューブ又はナノファイバーを用いたSiC/SiC複合材料の高熱伝導化 - 特許庁

The SiC monocrystalline ingot is sliced into the substrates, both surfaces of the sliced substrate is polished, and then the SiC substrate is subjected to annealing heat treatment at a temperature of 1,300°C or higher and 2,000°C or lower.例文帳に追加

SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板に両面ラップ研磨を施し、得られたSiC単結晶基板に、1300℃以上2000℃以下の温度で焼鈍熱処理を施す。 - 特許庁

You sic your dogs on him, or did you rip him up yourself?例文帳に追加

犬に襲わせたのか それとも 自分で殺ったのか? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Where, it is preferable that an SiC sintered body having a Young's modulus of 200 GPa or more or an SiC-Si composite material is used as the SiC material.例文帳に追加

ここで、前記SiC系材料が、ヤング率200GPa以上のSiC焼結体、または、SiC−Si複合材料であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC-containing sheet having suitable strength from a composite sheet comprising silicon and a carbon component required for producing SiC from crutch scrap or the like.例文帳に追加

クラッチ廃材等のSiC生成に必要な珪素と炭素成分を含む複合体シートから、適当な強度を有するSiC含有シートを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

An n^- type SiC layer 2 or a p^- type SiC layer 4 is insulated separated in an insulation separating layer 3.例文帳に追加

絶縁分離層3にてn^-型SiC層2やp^-型SiC層4を絶縁分離する。 - 特許庁

A 4H-SiC epitaxial layer 104 is formed to a thickness of 10 or more μm on an SiC wafer 102 by epitaxially growing SiC.例文帳に追加

SiCウェハ102上に、SiCをエピタキシャル成長させて、4H−SiCエピタキシャル層104を層厚十数μm形成する。 - 特許庁

例文

To provide a low nitrogen concentration graphite material suppressing the invasion of nitrogen into SiC when being used for a fixture for manufacturing SiC epitaxial growth film or a fixture for manufacturing SiC single crystal.例文帳に追加

SiCエピタキシャル成長膜製造用治具又はSiC単結晶製造用治具に用いる場合に、SiCへの窒素の侵入を抑制する。 - 特許庁

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