Quantum groupとは 意味・読み方・使い方

The quantum dot-block copolymer hybrid is produced by forming quantum dots, mixing the quantum dots and a block copolymer together after forming the block copolymer having a functional group including sulfur, and applying energy to the mixture to chemically bond the functional group to the quantum dots.例文帳に追加

量子ドット−ブロック共重合体ハイブリッドは、量子ドットを形成し、イオウを含む官能基を有するブロック共重合体を形成した後、量子ドットとブロック共重合体を混合し、混合物にエネルギーを加えて量子ドットに官能基を化学結合させて製造する。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH CAPPING STRUCTURE CONTAINING INDIUM例文帳に追加

インジウムを含むキャッピング構造を有する第ＩＩＩ属窒化物ベースの量子井戸発光デバイス構造 - 特許庁

This quantum dot laser includes at least one quantum dot layer consisting of a quantum dot group optically coupled to the optical waveguide with at least two nonuniformly expanding optical transition energy sequences, and at least one quantum well for actualizing the carrier confinement of a current injected into the quantum dot layer.例文帳に追加

少なくとも２つの不均一に広がった光学遷移エネルギのシーケンスをもって、光導波路に対して光学的に結合された量子ドットの集団、からなる少なくとも1つの量子ドット層と、前記量子ドット層に対する注入電流のキャリア閉じ込めを実現する少なくとも1つの量子井戸とを具備する。 - 特許庁

To provide a group III light-emitting diode having a quantum well structure capable of emitting a polarized light.例文帳に追加

偏光した光を発光できる量子井戸構造を有するIII族窒化物発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

A quantum memory 109 outputs output values Out(x-1, y), Out(x, y-1) in two pixels in a periphery of a noticed pixel as a quantum group q(x, y).例文帳に追加

量子メモリ１０９は、注目画素周辺の２画素における出力値Ｏｕｔ（ｘ−１，ｙ）、Ｏｕｔ（ｘ，ｙ−１）を量子群ｑ（ｘ，ｙ）として出力する。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR GROUP III-V SEMICONDUCTOR LAYER, PRODUCTION METHOD FOR QUANTUM-WELL STRUCTURE, AND NITROGEN SOURCE DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を作製する方法、量子井戸構造を作製する方法、及び、窒素源装置 - 特許庁

The group III-V quantum dots are grown and formed on the group III-V compound semiconductor having the lattice constant in the lattice mismatching rate of 3% or less to the lattice constant of the group III-V quantum dots, by irradiating molecular beams of group V elements forming the group III-V dots under the condition of 10^-7Torr in terms of the number of digits.例文帳に追加

ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットの格子定数に対して３％以下の格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体上に、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを構成するＶ族元素の分子線を桁数にして１０^-7Ｔｏｒｒの条件において照射することによって、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁

The strain amount as an entire of the multiple quantum well layers is reduced by allowing part of a group of the quantum well layers and barrier layers to be formed by average strain which is a small value or whose code is inverse even if the group of the quantum well layers and barrier layers having the average large strain value is formed in the other part.例文帳に追加

量子井戸層と障壁層の組の一部が、小さい値もしくは符号が逆となっている平均歪で形成されることにより、他方に、大きな値の平均歪を有する量子井戸層と障壁層の組が形成されていても、多重量子井戸層全体としての歪量を低下させる。 - 特許庁