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P-gateとは 意味・読み方・使い方
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「P-gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1596件
P-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
p−チャンネル絶縁ゲートバイポーラートランジスタ - 特許庁
A gate electrode 30 has an N-type gate portion 30N and a P-type gate portion 30P.例文帳に追加
ゲート電極30は、N型ゲート部分30NとP型ゲート部分30Pとを有している。 - 特許庁
The gate electrode GE is formed on the p-type gack gate region BG.例文帳に追加
ゲート電極GEは、p型バックゲート領域BG上に形成されている。 - 特許庁
The maximum P/N ratio or the minimum P/N ratio is selected and a noise signal at the input of the gate can be simulated.例文帳に追加
最大のP/N比又は最小のP/N比を選択して、ゲートの入力におけるノイズ信号をシミュレートすることができる。 - 特許庁
A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加
ソース領域7およびドレイン領域9は、n型エピタキシャル層4に接続されている。 - 特許庁
To obtain a P type gate electrode of an NMOSFET which can function surely as a P^+ type gate electrode (metal-like gate electrode) by maintaining high concentration of P type impurities.例文帳に追加
NMOSFETのP型ゲート電極のP型不純物濃度を高濃度に保って確実にP^+型ゲート電極(メタルライクなゲート電極)として機能できるようにする。 - 特許庁
A first p type polycrystal silicon film, a tunnel oxide film and a second p type polycrystalline silicon film are sequentially laminated on a gate region.例文帳に追加
ゲート領域には第一のp型多結晶シリコン膜/トンネル酸化膜/第二のp型多結晶シリコン膜の順に積層されている。 - 特許庁
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「P-gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1596件
An n-type gate electrode and a p-type gate electrode are composed of the same metal, and its N concentration is made different between the n-type gate electrode and the p-type gate electrode.例文帳に追加
n型ゲート電極及びp型ゲート電極を同一のメタルで構成し、且つ、そのN濃度をn型ゲート電極とp型ゲート電極とで異ならせる。 - 特許庁
A gate processing part 57 P generates a gate-processed baseband signal Sδ_B by gate-processing a baseband signal S_B.例文帳に追加
ゲート処理部57Pは、ベースバンド信号S_Bをゲート処理し、ゲート処理後ベースバンド信号Sδ_Bを生成する。 - 特許庁
The other branch that is branched by the branch node N1 is connected to a gate of the P-channel MOS transistor MP1.例文帳に追加
分岐ノードN1で分岐された他方は、PチャネルMOSトランジスタMP1のゲートに接続されている。 - 特許庁
The gate electrodes 15 and 25 are constituted of p-type SiGe or p-type Ge.例文帳に追加
ゲート電極15,25はp型SiGeまたはp型Geにより構成されている。 - 特許庁
An n^+ region is used for a contact region between a p gate region and a gate electrode.例文帳に追加
pゲート領域とゲート電極との間のコンタクト領域にn^+領域を用いる。 - 特許庁
At the stagnation of the paper sheet P in the gate part 41, after sending the paper sheet P to a return direction reverse to the delivery direction to return the paper sheet P to an upstream area of the gate part 41, the paper sheet P is newly delivered to the gate part 41.例文帳に追加
ゲート部41での紙葉類Pの停滞時、紙葉類Pを繰出方向に対して逆の戻し方向に送って紙葉類Pをゲート部41より上流域へ戻した後、紙葉類Pをゲート部41に再度繰り出す。 - 特許庁
First, gate structures 2 and 3 are formed on a p-type substrate 1.例文帳に追加
まず、p型基板1上に、ゲート構造2,3を形成する。 - 特許庁
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