Ni dopedとは 意味・読み方・使い方

An active layer is formed on a semiconductor substrate where non-doped GaAs and InGaAs layers 2 and 3, and n-type AlGaAs and GaAs layers 4 and 5 are subjected to epitaxial growth on a semi-insulating GaAs substrate 1, and source and drain electrodes 6 and 7 are formed by AuGe/Ni/Au alloy.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、ノンドープＧａＡｓ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４，ｎ型ＧａＡｓ層５をエピタキシャル成長した半導体基板に活性層を形成し、ソース電極６及びドレイン電極７をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成している。 - 特許庁

A sulfide-doped fluorescent material produced by attaching a sulfide of at least one kind of element selected from among Ag, Fe, Co, Ni, Cr, Mo, Mn, Al, Ru, V, Nb, Ti, Zr and Sn to the surface of a fluorescent material is used in the front panel of a display tube.例文帳に追加

Ａｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、ＺｒおよびＳｎから成る群から選択される少なくとも１種類の元素の硫化物が蛍光体の表面に付着していることを特徴とする硫化物付着蛍光体を表示管の前面パネルに使用する。 - 特許庁

In the semiconductor device having CMISFETs, a gate electrode 31a of an n-channel MISFET 30a is composed of a nickel silicide film formed by reacting a silicon film obtained by doping P, As or Sb to an Ni film, and a gate electrode 31b of a p-channel MISFET 30b is composed of a nickel silicon germanium film formed by reacting a non-doped silicon germanium film to the Ni film.例文帳に追加

ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ａのゲート電極３１ａは、Ｐ、ＡｓまたはＳｂをドープしたシリコン膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリサイド膜からなり、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ｂのゲート電極３１ｂは、ノンドープのシリコンゲルマニウム膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリコンゲルマニウム膜からなる。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

A catalyst for oxidative decomposition of ammonia or amines and a catalyst for selective reduction of nitrogen oxides containing a manganate doped with at least one kind of metal or metal ion selected from a group consisting of Pt, Pd, Rh, Ir, Au, Ag, Ti, Zr, Al, V, Mo, W, Cr, Co, Ni, Zn, In and La are used for removing nitrogen oxide.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属イオンがドープされたマンガン酸塩を含むアンモニアないしアミンの酸化分解触媒、窒素酸化物の選択還元触媒。 - 特許庁

To provide a wide band optical amplifying medium which has dramatically wide wavelength range showing laser oscillation or optical amplification action, with its central wavelength in the band of 1.1-1.7 μm important for optical communication wavelength band, and comprises optical characteristics which can be used for a laser and an optical amplifier, using an Ni doped glass, and to provide an optical amplifier.例文帳に追加

Ｎｉドープガラスを用いて、レーザ発振あるいは光増幅作用を示す波長範囲が格段に広く、その中心波長が光通信波長域にとって重要な１．１〜１．７μｍ帯にあるようなレーザあるいは光増幅器に使用できる光学特性を備えた広帯域光増幅媒体および光増幅器を提供する。 - 特許庁