Nb filmsとは 意味・読み方・使い方

The above sputtering target can be suitably used for the formation of Nb films 6 as liner material for Al wirings 3, 7.例文帳に追加

これらスパッタターゲットは、Ａｌ配線のライナー材としてのＮｂ膜の形成に好適である。 - 特許庁

Further, a single-layer soft magnetic backing layer made of a Ni-Fe film, Co-Zr-Nb film or Fe-Ta-C film, or an alternately laminated soft magnetic backing layer composed of Fe-Ta-C films and C films is formed between the nonmagnetic medium and the base layer.例文帳に追加

さらに、非磁性媒体と下地層の間にＮｉ−Ｆｅ膜、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ膜、またはＦｅ−Ｔａ−Ｃ膜の単層軟磁性裏打ち層またはＦｅ−Ｔａ−Ｃ膜とＣ膜とからなる交互積層の軟磁性裏打ち層等を設ける。 - 特許庁

The ND filter of thin-film constitution which controls the quantity of transmitted light is constituted by laminating at least a metal film 3 made of Al or Al alloy and Nb films 5 and 7 on a light-transmissive base material 1 across dielectric films 4, 6, and 8.例文帳に追加

透過光量を制御する薄膜型構成のＮＤフィルターにあって、光透過性の基材１の上に、少なくともＡｌもしくはＡｌ合金より成る金属膜３とＮｂ膜５及び７とを、誘電体膜４、６及び８を介して積層形成して構成する。 - 特許庁

An input side optical deflecting element 8 and an output side optical deflecting element 9 are joined in the sides of Nb-STO substrates 8a, 9a, respectively, to a common substrate 7 having via electrodes 7a, 7b formed therein, and electrodes 12, 13 are simultaneously formed together on the elements 8, 9 in the sides of PLZT films 8b, 9b, respectively.例文帳に追加

ビア電極７ａ，７ｂを形成した共通基板７に入力側光偏向素子８および出力側光偏向素子９をＮｂ−ＳＴＯ基板８ａ，９ａ側で接合し、ＰＬＺＴ膜８ｂ，９ｂ側に同時に電極１２，１３を一括形成する。 - 特許庁

The cased capacitor comprises a dielectric composition containing a polymer and a ceramic dispersed in the polymer, and the ceramic has a perovskite structure shown by ABO_3(e.g. BaTiO_3) and contains a dopant metal oxide (e.g. Nb oxide), and a dielectric layer of a ceramic surface is provided between the 1st and the 2nd electrode films.例文帳に追加

内蔵型キャパシタは、ポリマーと上記ポリマーに分散されるセラミックから成る誘電体組成物であって、上記セラミックはＡＢＯ_3（例えばＢａＴｉＯ３）で表されるペロブスカイト構造を有し、ドーパント金属酸化物（例えばＮｂ酸化物）を含み、セラミックの表面は電荷を有するものからなる誘電体層を第１および第２電極膜の間に設ける。 - 特許庁

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。 - 特許庁