MMNとは 意味・読み方・使い方

This aqueous water and oil repellent composition is characterized in that dynamic surface tension measured under the following conditions is ≥55 mmN/m in maximum foaming pressure method.例文帳に追加

最大泡圧法において、下記条件で測定した動的表面張力が５５ミリＮ／ｍ以上である水系撥水撥油剤組成物。 - 特許庁

An address control part 21 selects a first word line 8-1 from among the word lines 8-1 to 8-m connected to memory cells 24;M11-Mmn, in accordance with a first address.例文帳に追加

アドレス制御部２１は、第１アドレスに従って、メモリセル２４；Ｍ１１〜Ｍｍｎに接続されたワード線８−１〜８−ｍのうちの第１ワード線８−１を選択する。 - 特許庁

For memory cell transistors M11-Mmn, the neighboring memory cell transistors are connected in common to the drain lines D1, D2, etc., and the other neighboring memory cell transistors are connected in common to the source lines S1, S2, etc.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭ11〜Ｍmnは、隣接メモリセルトランジスタどうしがドレイン線Ｄ1 ，Ｄ2 ，・・・に共通接続され、他方の隣接メモリセルトランジスタどうしがソース線Ｓ1 ，Ｓ2 ，・・・に共通接続される。 - 特許庁

This storage device is provided with word lines WL1-WLm, plate lines PL1-PLm/2, bit lines BL1-BLn, memory cells M11-Mmn, a sense amplifier 11, and bit line capacity variable sections 120-1 to 120-n.例文帳に追加

この発明は、ワード線ＷＬ_1 〜ＷＬ_m 、プレート線ＰＬ_1 〜ＰＬ__m/2 、ビット線ＢＬ_1 〜ＢＬ_n 、メモリセルＭ_11〜Ｍ_mn、センスアンプ１１１およびビット線容量可変部１２０−１〜１２０−ｎとを備える。 - 特許庁

The address control part 21 selects a first redundant word line 8-1' from among the redundant word lines 8-1' to 8-m' connected to redundant memory cells 25;M11'-Mmn', in place of the first word line 8-1, in accordance with the first address and the first address change instruction.例文帳に追加

アドレス制御部２１は、第１アドレスと第１アドレス変更指示とに従って、第１ワード線８−１に代えて、冗長メモリセル２５；Ｍ１１’〜Ｍｍｎ’に接続された冗長ワード線８−１’〜８−ｍ’のうちの第１冗長ワード線８−１’を選択する。 - 特許庁

The photoresist composition for the circuit of the liquid crystal display can solves a problem of unevenness appeared in the MMN coater being applicable to a large-sized substrate glass, can improve coating characteristic, can be easily applied to a real industrial site and has large effect in improvement of productivity and yield.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置回路用フォトレジスト組成物は、大型基板のガラスに対応可能なＭＭＮコーターで発生するむらの問題を改善し、塗布特性を向上させ、実際産業現場に容易に適用することができ、生産性及び収率向上に大きな効果がある。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 10 includes a constant current circuit 500 to which write or erase is performed by a current which is subjected to constant current control in writing or erasure in electric processing to the memory cell Mmn in a memory cell array section 100.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置１０は、メモリセルアレイ部１００におけるメモリセルＭｍｎに対しての電気的処理による書き込みあるいは消去において、定電流制御された電流によって書き込みあるいは消去が行われる定電流回路５００を備える。 - 特許庁