LVPとは 意味・読み方・使い方

The pit level LVP is obtained after the variation part of the write RF signal WRF is smoothed by the LPF 203, so the pit level LVP can stably be obtained without being affected by the multi-pulse train and the write power can stably be controlled.例文帳に追加

書き込みＲＦ信号ＷＲＦの変動部分をＬＰＦ２０３で平滑化した後にピットレベルＬＶＰを得る構成としたことで、ピットレベルＬＶＰをマルチパルス列の影響を受けることなく安定して得ることができ、ライトパワーの制御を安定して行うことが可能となる。 - 特許庁

The probing circuit (PB) has no connection with the predetermined logic functions, and the diffusion layer of the probing circuit is used by an LVP (Laser Voltage Probing) method.例文帳に追加

前記プロービング回路は、前記所定の論理機能とは関係が無く、前記プロービング回路の拡散層は、ＬＶＰ（Ｌａｓｅｒ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｐｒｏｂｉｎｇ）法で使用される。 - 特許庁

A bi-directional diode of which the threshold value is approximately Vdd is inserted between a gate and a drain using the LVP (low voltage P type transistor) instead of HVP (high voltage P type transistor) of a transfer circuit.例文帳に追加

転送回路のＨＶＰ（ハイボルテージＰ型トランジスタ）の代わりにＬＶＰ（ロウボルテージＰ型トランジスタ）を使用して、ゲートとドレインとの間に閾値がＶｄｄ程度となる双方向のダイオードを挿入する。 - 特許庁

A controller 124 corrects the level of a target level signal STA supplied to an APC circuit 202 so that the pit level LVP becomes equal to an optimum pit level LVPr found before the writing.例文帳に追加

コントローラ１２４は、ピットレベルＬＶＰが、書き込み前に求められた最適なピットレベルＬＶＰｒと等しくなるように、ＡＰＣ回路２０２に供給する目標レベル信号Ｓ_TAのレベルを修正する。 - 特許庁

After writing starts, S/H 204 samples the output signal WRF' of an LPF 203 at specific time intervals corresponding to a specific pulse width part of recording data RD to find the pit level LVP.例文帳に追加

Ｓ／Ｈ２０４では、書き込み開始後、所定の時間間隔をもって、ＬＰＦ２０３の出力信号ＷＲＦ′を、記録データＲＤの所定のパルス幅部分に対応してサンプリングして、ピットレベルＬＶＰを求める。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with an HVN transistor 10 formed on a semiconductor substrate 2, an HVP transistor 20, an LVN transistor 30, an LVP transistor 40 and a resistance element 50.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置１は、半導体基板２上に形成されたＨＶＮトランジスタ１０と、ＨＶＰトランジスタ２０と、ＬＶＮトランジスタ３０と、ＬＶＰトランジスタ４０と、抵抗素子５０を有する。 - 特許庁

The LVP transistor 40 has a gate insulating film 41 consisting of an insulator layer 41a, an Al_2O_3 layer 41b and a high dielectric ratio insulator layer 41c, and a gate electrode 42 composed of a metal layer 42a and a semiconductor layer 42b.例文帳に追加

ＬＶＰトランジスタ４０は、絶縁体層４１ａ、Ａｌ_２Ｏ_３層４１ｂおよび高誘電率絶縁体層４１ｃからなるゲート絶縁膜４１と、金属層４２ａおよび半導体層４２ｂからなるゲート電極４１を有する。 - 特許庁