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LO-phononとは 意味・読み方・使い方
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該当件数 : 4件
To provide a method for evaluating the crystallinity of a compound semiconductor layer epitaxial-grown, in a simple manner, on a substrate by the value of LO-phonon band wave number of an infrared light.例文帳に追加
基板上にエピタキシャル成長させた化合物半導体層の結晶性を、赤外光のLOフォノンバンド波数の値によって簡易に評価する方法を提供する。 - 特許庁
Further, electrons transited among the subbands are relaxed from the lower level L_low to the miniband MB by LO phonon scattering and injected into the subsequent light-emitting layer through the miniband MB.例文帳に追加
また、発光遷移を経た電子は、LOフォノン散乱によって下準位L_lowからミニバンドMBへと緩和され、ミニバンドMBを介して後段の発光層へと注入される。 - 特許庁
Energy spacing between the injection level and the upper level is set larger than 10 meV and smaller than energy of an LO phonon, and light emission intensity from the injection level to the lower level is set smaller than the light emission intensity from the upper level to the lower level.例文帳に追加
また、注入準位と上準位とのエネルギー間隔は10meVよりも大きくLOフォノンのエネルギーよりも小さく設定され、注入準位から下準位への発光強度は上準位から下準位への発光強度よりも小さい強度に設定される。 - 特許庁
Each of the active layers 15, 25 includes a light emission upper level, a light emission lower level and a relaxation mini-band in its level structure; and is structured such that electrons having passed through light emission transition from the upper level to the lower level are relaxed from the lower level to the mini-band by LO phonon scattering.例文帳に追加
活性層15、25のそれぞれは、その準位構造において、発光上準位と、発光下準位と、緩和ミニバンドとを有し、上準位から下準位への発光遷移を経た電子が、LOフォノン散乱によって下準位からミニバンドへと緩和されるように構成される。 - 特許庁
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