INPとは 意味・読み方・使い方

A crystalline body of InP having an atomic composition ratio In/InP of In and P of ≥0.490 to <0.500 is used as raw material.例文帳に追加

InとPの原子組成比In／InPが０．４９０以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料として用いるようにした。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING InP SINGLE CRYSTAL AND InP SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶の製造方法及びＩｎＰ単結晶 - 特許庁

By this structure, the n-type InP current blocking layer 10 can be prevented from contacting with n-type InP clad layers 7, 12.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｎ型InP電流ブロック層１０がｎ型InPクラッド層７、ｎ型InPクラッド層１２と接触することを防ぐことができる。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

The p-InP cover layer 108 is etched with the SiO2 film 109 as a mask (Fig.3 (b)).例文帳に追加

SiO_2膜109をマスクとして、p-InPカバー層108をエッチングする（図３（b））。 - 特許庁

When A and B are defined as an integer and INP is defined as an impulse noise protection value, the number of times of repeating the DMT symbols is calculated as N=A*INP+B.例文帳に追加

AとBを整数とし、INPをインパルス雑音保護値とした場合、DMT記号が繰り返される回数がN=A*INP+Bとして計算する。 - 特許庁

There are provided along each mesa side surface 8a of a ridge A a current blocking structure B wherein a p-type InP buried layer 9, an n-type InP current blocking layer 10, a p-type InP current blocking layer 11 are laminated.例文帳に追加

リッジ部Ａのメサ側面８ａに沿って、ｐ型InP埋め込み層９、ｎ型InP電流ブロック層１０、ｐ型InP電流ブロック層１１を積層した電流ブロック構造Ｂが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing an InP thin film at low temperature.例文帳に追加

InP薄膜を低温度で結晶成長させる方を提供する。 - 特許庁