IMPURITY DOPINGとは 意味・読み方・使い方

DUAL-GATE IMPURITY DOPING METHOD AND DUAL GATE FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

デュアルゲート不純物ドーピング方法及びこれを用いたデュアルゲート形成方法 - 特許庁

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

To provide a method of doping an impurity into a semiconductor which allows an easy doping of an impurity into a semiconductor, and to provide a semiconductor substrate manufactured thereby.例文帳に追加

不純物を半導体へ容易にドーピングすることができる半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板を提供する。 - 特許庁

The plasma doping is performed using a plasma made of a gas containing an impurity which will serve as a dopant.例文帳に追加

ドーパントとなる不純物を含むガスからなるプラズマを用いてプラズマドーピングを行う。 - 特許庁

The GaN layer 2 is transparent to visible light and has no pn junction made by impurity doping.例文帳に追加

ＧａＮは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。 - 特許庁

METHOD OF DOPING IMPURITY INTO SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板 - 特許庁

An upper impurity region formed between the substrate surface and the first impurity doping region may be further contained.例文帳に追加

また、基板表面と第１不純物ドーピング領域との間に形成される上部不純物領域をさらに含んでもよい。 - 特許庁

In this case, the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108b is conducted in the same process as the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108c of a p-type MOS transistor 109c.例文帳に追加

その際、Ｐ型不純物のゲート電極１０８ｂへの導入は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０９ｃのゲート電極１０８ｃへの導入と同一の工程において行う。 - 特許庁