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Weblio専門用語対訳辞書での「H films」の意味

H films

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「H films」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 27



例文

In the circuit board S1 wherein a laminated solder H constituted of an alternate multilayer film 4 of Au thin films and Su thin films is formed on a board 1, the uppermost layer 5 and the lowermost layer 3 of the laminated solder H are made of Au thin films, and the total film thickness of the Sn thin films is greater than that of the Au thin films.例文帳に追加

基板1上に、Au薄膜とSn薄膜の交互多層膜4から成る積層はんだHを形成した回路基板S1において、積層はんだ4の最上層5及び最下層3をAu薄膜にするとともに、Au薄膜の合計膜厚よりSn薄膜の合計膜厚が大であることを特徴とする。 - 特許庁

The respective bonding films 31 and 32 are made of amorphous silicon including Si-H joint respectively.例文帳に追加

各接合膜31、32は、それぞれSi−H結合を含むアモルファスシリコンで構成されている。 - 特許庁

Solder films H are formed on the upper surfaces of the p-side pad electrodes 13 and 14, respectively.例文帳に追加

p側パッド電極13,14の上面側に、それぞれはんだ膜Hが形成されている。 - 特許庁

A film structure comprises the low k dielectric films 18 and 42; a barrier layer film 6; and N-H base source films such as an etching stopping film 30 and a hard mask film 54.例文帳に追加

膜構造は、低k誘電体膜18,42および、バリア層膜6、エッチング停止膜30およびハードマスク膜54のようなN−H塩基源膜を含む。 - 特許庁

Low refractive index dielectric films L and high refractive index dielectric films H are alternately layered on a substrate 1, and a third dielectric film 4 is deposited in the layers.例文帳に追加

基板1上に低屈折誘電体膜Lと高屈折誘電体膜Hとを交互に積層し、その間に第3の誘電体膜4を積層する。 - 特許庁

The film by the invention is a diamond like carbon (DLC) multilayer film, and is obtained by alternatively stacking soft DLC films (S) and hard DLC films (H).例文帳に追加

本発明による被膜は、ダイアモンドライクカーボン(DLC)多層膜であり、柔らかいDLC膜(S)と硬いDLC膜(H)が交互に積層されたものである。 - 特許庁

例文

Then a support body hole (h) is formed penetrating the Si_3N_4 films 9 and 13, Si layer 5, and SiGe layer.例文帳に追加

次に、Si_3N_4膜9、13と、Si層5及びSiGe層を貫く支持体穴hを形成する。 - 特許庁

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「H films」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 27



例文

The dielectric multi-layer film 2 has a high-refractive-index film H and a low- refractive-index films L laminated by turns.例文帳に追加

誘電体多層膜2は高屈折率膜H及び低屈折率膜Lを交互に積層する。 - 特許庁

Two solder films H are formed at a prescribed interval L on the upper surface of the p-electrode 12.例文帳に追加

p電極12の上面においては、2つのはんだ膜Hが所定の間隔Lをおいて形成されている。 - 特許庁

On the upper face of the p-electrode 12, the two solder films H are formed by leaving a prescribed interval L.例文帳に追加

p電極12の上面においては、2つのはんだ膜Hが所定の間隔Lをおいて形成されている。 - 特許庁

Solder films H are formed on a portion of the upper surface of the p-electrode 12 in the blue-violet semiconductor element 1.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子1のp電極12の上面の一部にはんだ膜Hが形成されている。 - 特許庁

Solder films H are formed on a part of the upper face of the p-electrode 12 of the blue-violet semiconductor laser element 1.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子1のp電極12の上面の一部にはんだ膜Hが形成されている。 - 特許庁

A TEOS film is held between the low k dielectric film and a close N-H base film, and the TEOS films 12, 24, 36 and 48 suppress the diffusion of N-H bases such as amine and the like from the N-H base source film to the low k dielectric film.例文帳に追加

この低k誘電体膜と近接N−H塩基膜の間にTEOS膜が挟まれ、このTEOS膜12,24,36,48が、N−H塩基源膜から低k誘電体膜へのアミンまたは他のN−H塩基の拡散を抑制する。 - 特許庁

The optical multilayer films 2, 3 are made by alternately laminating at least two kinds of thin films H, L having different refractive indexes, exhibits high transmission characteristic on visible light region and exhibits low transmission characteristic on near-infrared ray region.例文帳に追加

光学多層膜2,3は、屈折率の異なる2種以上の薄膜H,Lを交互に積層してなり、可視光線領域で高透過特性を示すとともに近赤外線領域で低透過特性を示す。 - 特許庁

例文

The electrode films 35 and 36 are provided on the magnetic domain control films 311 and 312, and include the parts extending outside within the area keeping the same width as the magnetoresistive effect film 300 in the depth direction H of the magnetic domain control films 311, 312.例文帳に追加

電極膜35、36のそれぞれは、磁区制御膜311、312の上にそれぞれ備えられ、磁区制御膜311、312が磁気抵抗効果膜300とほぼ同幅を保つ領域において、磁区制御膜311、312の奥行き方向Hの外部にはみ出す延長部分351、361を含む。 - 特許庁

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