Ge surfaceとは 意味・読み方・使い方

A second reflection surface pair 16, a third reflection surface pair 22, and a fourth reflection surface pair 28 are used for diffracting the X-ray by Ge {400} plane, Ge {422} plane, and Ge {511}plane, respectively.例文帳に追加

第２の反射面ペア１６はＧｅ｛４００｝面、第３の反射面ペア２２はＧｅ｛４２２｝面、第４の反射面ペア２８はＧｅ｛５１１｝面でそれぞれＸ線を回折させるためのものである。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 1, a semiconductor region which is formed on a substrate surface is mainly formed of Ge, a non-metal Ge compound layer 2 formed on the semiconductor region, an insulation film 3 formed on the non-metal Ge compound layer, an electrode 4 formed on the insulation film, and a source-drain region formed on the substrate surface with the electrode between.例文帳に追加

第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

An epitaxial layer, including a plurality of p-n junctions, is formed on the surface of a Ge substrate.例文帳に追加

Ｇｅ基板の表面に、複数のｐｎ接合を含むエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁

A Ge film is epitaxially grown on the main surface of an Si substrate 10 by a CVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の主面上にＧｅの膜をＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

The whole other than a surface layer is composed of an alloy having an Au-Ge eutectic composition or an alloy having a composition near the eutectic composition, and the surface layer is composed of an Au solid solution in which Au and Ge are solid-soluted.例文帳に追加

表面層を除く全体が、ＡｕとＧｅの共晶もしくは共晶近傍の合金からなり、表面層は、ＡｕがＧｅを固溶しているＡｕ固溶体からなる。 - 特許庁

In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.例文帳に追加

Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁