Ga-Nとは 意味・読み方・使い方

Both the (Ga, Mn)N thin film 11 and the (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 are a p-type semiconductor exhibiting ferromagnetism.例文帳に追加

(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。 - 特許庁

In the magnetoresistive element 10, a tunnel barrier thin film 13 composed of Ga_2O_3 is arranged between a (Ga, Mn)N thin film 11 where a part of Ga in GaN is replaced by Mn and a (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 where part of Ga in Ga_2O_3 is replaced by Mn.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、GaNにおいてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)N薄膜１１と、Ga_2O_3においてGaの一部がMnに置換された(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２の間に、Ga_2O_3から成るトンネル障壁薄膜１３を配置したものである。 - 特許庁

In input of "cancerous peritonitis", "GA", "N", "SE" and "I", "GA", "N", "FU" and "KU", etc. are inputted.例文帳に追加

“癌性腹膜炎”と入力したい場合、“が”、“ん”、“せ”、“い”あるいは“が”、“ん”、“ふ”、“く”等と入力する様に設定する。 - 特許庁

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.例文帳に追加

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁

It was found that Mg doping inverts growth of GaN on Ga-face to N-face in some situations.発音を聞く 例文帳に追加

Mgの注入が、いくつかの状況でGa面のGaNの成長をN面の成長に転化させることがわかった。 - 科学技術論文動詞集

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。 - 特許庁