GL-Lとは 意味・読み方・使い方

The width of a scanning line lower electrode GL-L is increased by forming an electron source EM on the scanning line lower electrode GL-L, or the resistance of the scanning line lower electrode GL-L is decreased by increasing the thickness by coating and baking of conductive particle kneaded paste, such as silver paste.例文帳に追加

走査線下部電極ＧＬ−Ｌの上に電子源ＥＭを形成することで走査線下部電極ＧＬ−Ｌの幅を広くし、あるいは銀ペースト等の導電性粒子を混錬したペーストの塗布と焼成で厚膜化することにより、走査線下部電極ＧＬ−Ｌを低抵抗化する。 - 特許庁

An image generating section 156 generates a reference luminance signal G(x, y) by applying combination or selection processing based on signal values of pixels of the signal L(x, y) to signal values of pixels of the signal GH(x, y) and GL(x, y).例文帳に追加

画像生成部１５６は、信号GH(x,y)、GL(x,y)のそれぞれの各画素の信号値に対し、信号L(x,y)の各画素の信号値に基づいた合成又は選択処理を施し、基準輝度信号G(x,y)を生成する。 - 特許庁

The air purifier for purifying air by removing fine particles in the air is constituted so that the air made to flow in a casing 3 is made to collide against the liquid L stored in a liquid storage vessel to generate the fluid GL and the liquid L is separated from the generated fluid GL by the demister 2.例文帳に追加

空気中の微粒子を除去して空気を清浄にする空気清浄機は、ケーシング３内に流入させた空気を、液溜め器に溜められた液体Ｌに衝突させて気液流体ＧＬを発生させ、デミスタ２で気液分離する。 - 特許庁

A vertical driver 20 receives the supply of VDD, VSS and GND to set the H level and L level of a gate line GL.例文帳に追加

垂直ドライバ２０は、ＶＤＤ、ＶＳＳ、ＧＮＤの供給を受け、ゲートラインＧＬのＨレベルおよびＬレベルを設定する。 - 特許庁

A scanning line lower electrode GL-L is formed on the main surface of a first insulating substrate SUB1 and a signal line electrode DL is arranged thereon.例文帳に追加

第１の絶縁基板ＳＵＢ１の主面に先ず走査線下部電極ＧＬ−Ｌを形成し、その上に信号線電極ＤＬを配置する。 - 特許庁

The image display deice has stacking structure of a scanning line lower electrode GL-L embedded in a groove MZ formed by working the main surface of an insulating substrate SUB1 which is a first substrate, a first insulating layer INS1, a signal line electrode DL, a second insulating layer INS2, a third insulating layer INS3, and a scanning line upper electrode GL-H.例文帳に追加

第１の基板となる絶縁基板ＳＵＢ１の主面を加工した溝ＭＺに埋設した走査線下部電極ＧＬ−Ｌ、第１絶縁層ＩＮＳ１、信号線電極ＤＬ、第２の絶縁層ＩＮＳ２、第３の絶縁層ＩＮＳ３、および走査線上部電極ＧＬ−Ｈの積層構造とする。 - 特許庁

Or, of a complex compound GL composed of not less than two different compound, used for the discharge electrode material, the compound G is MgO, and the compound L is expressed by MgZ, where, Z is at least a kind selected from Si, O, F, and P.例文帳に追加

または、異なる２種類以上の化合物で構成される複合化合物ＧＬにおいて、化合物ＧがＭｇＯであり、化合物ＬがＭｇＺで表され、ＺがＳｉ、Ｏ、Ｆ、およびＰから選ばれた少なくとも１種からなる放電電極材料を用いる。 - 特許庁