GE isとは 意味・読み方・使い方

This metal complex dendrimer is expressed by the general formula (wherein, M is a metal selected from Al, Zn, Be, Ge and Mg; R_1, R_2 are each H or a 1-8C alkyl, and may be the same or different; and X is a halogen).例文帳に追加

一般式(Mは、Al,Zn,Be,Ge,Ge,Mgから選ばれる金属、R_1及びR_2はH又はC1〜8のアルキル基、R_1及びR_2は同じでも異なっても良く、Xはハロゲン。)で示される。 - 特許庁

This lead-free solder alloy is composed of, by weight, 0.10% Ni, 0.08% Al, 0.06% Ge, 0.2% Bi, 0.2% Ag and the balance Sn.例文帳に追加

Ni:0.10wt％;Al：0.08wt％；Ge:0.06wt％;Bi:0.2wt％;Ag:0.2wt％;残部Snからなる鉛フリー半田合金である。 - 特許庁

The pulsed laser beam 16 is delivered to the Ge material after going through the second Si lump from the top of the drawing.例文帳に追加

パルスレーザ光16は、図の上方から第2のSi塊を透過してGe材に照射されている。 - 特許庁

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31.例文帳に追加

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加

高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

The Ge semiconductor region is a Ge substrate (11), and the insulating film region is a gate insulating film (12).例文帳に追加

前記Ｇｅ半導体領域はＧｅ基板（１１）であり、前記絶縁膜領域はゲート絶縁膜（１２）である。 - 特許庁

An Sb-Te-Ge alloy is used for a recording layer.例文帳に追加

記録層にＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を用いる。 - 特許庁

Then, the substrate is heated to form an (Ni_1-xPt_x)Ge thin film made of three elements, e.g. Ni, Pt and Ge on the Ge substrate.例文帳に追加

その後、熱処理を加えることによって、Ｇｅ基板上にＮｉ、Ｐｔ、Ｇｅの三元素からなる（Ｎｉ_1-xＰｔ_x）Ｇｅ薄膜が形成された。 - 特許庁