Extreme ultraviolet lithographyとは 意味・読み方・使い方

This optical device is used preferably as a reflector for lithography mask in extreme ultraviolet rays (EUV).例文帳に追加

本光学デバイスは、好ましくは極紫外線（ＥＵＶ）中における平版マスク用のリフレクターとして使用する。 - 特許庁

To provide a system for correcting an aberration in an extreme ultraviolet lithography and to provide a reticle chuck or the like.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィーにおいて、収差を補正するためのシステム、レチクルチャック等を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a material whose coefficient of thermal expansion is made as constant as possible so as to be particularly advantageously used in micro-lithography, in particular EUV(extreme-ultraviolet)-lithography.例文帳に追加

マイクロリソグラフィー、特にEUVリソグラフィーにおいて特に有利に利用できるように、熱膨張係数ができる限り一定となる材料を提供する。 - 特許庁

OPTICAL DEVICE WITH ENHANCED MECHANICAL STABILITY THAT OPERATES IN EXTREME ULTRAVIOLET AND LITHOGRAPHY MASK INCORPORATING THE DEVICE例文帳に追加

極紫外線中で操作する機械的安定性を強化した光学デバイスおよびその様なデバイスを含んでなる平版マスク - 特許庁

To provide a radiation source capable of short wavelength emission like extreme ultraviolet emission for use by lithography.例文帳に追加

リソグラフィで使用するために、極端紫外放射などの短い波長の放射を発生させる放射ソースを提供する。 - 特許庁

The cleaning method of an optics system for an extreme ultraviolet lithography is characterized by supplying HCl/Cl_2 mixture gas to the optics system in cleaning the optics system for the extreme ultraviolet lithography using Sn as a plasma source.例文帳に追加

プラズマ源としてＳｎを用いる極端紫外線リソグラフィーのための光学系をクリーニングするにあたり、ＨＣｌ／Ｃｌ_2混合ガスを前記光学系に供給することを特徴とする極端紫外線リソグラフィー用光学系のクリーニング方法。 - 特許庁

To suppress as little as possible reduction of throughput caused by contamination on an optical surface in a projection exposure apparatus for EUVL (Extreme UltraViolet Lithography).例文帳に追加

本発明は、ＥＵＶＬ用の投影露光装置における光学面の汚染によるスループットの低下をなるべく抑える。 - 特許庁

To provide an optical device with enhanced mechanical stability which operates in extreme ultraviolet and a lithography mask including such a device.例文帳に追加

極紫外線中で操作する機械的安定性を強化した光学デバイスおよびその様なデバイスを含んでなる平版マスクの提供。 - 特許庁