Electron affinityとは 意味・読み方・使い方

Oxygen atoms having a positive electron affinity are attached to the opening.例文帳に追加

この開口部には正の電子親和力を有する酸素原子が付着している。 - 特許庁

To provide a new organic compound which has high affinity for electron and which becomes a material for an electron receptor, an electron transporting agent, an n-type semiconductor, an oxidant or the like.例文帳に追加

電子受容体、電子輸送剤、ｎ−型半導体、酸化剤等の材料となる高い電子親和性を有する新規有機化合物を提供すること。 - 特許庁

INJECTING COLD CATHODE HAVING NEGATIVE ELECTRON AFFINITY BASED ON WIDE GAP SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加

ワイドギャップの半導体構造に基づく負の電子親和力を備えた注入冷陰極 - 特許庁

On the upper side electron travel layer, an upper side electron supply layer (7) is arranged which comprises an n-type compounds semiconductor material whose electron affinity is smaller than the upper side electron travel layer.例文帳に追加

上側電子走行層の上に、該上側電子走行層よりも電子親和力の小さなｎ型化合物半導体材料からなる上側電子供給層(7)が配置されている。 - 特許庁

In addition, if the semiconductor material has almost the same level of electron affinity as electron affinity of the adjacent organic layer 24, an energy spike of the cathode 22 on the boundary surface between the cathode and the organic layer 24 can be made small.例文帳に追加

また、隣接する有機層２４の電子親和力と同程度の電子親和力とすることで、該陰極２２の有機層２４との界面におけるエネルギのスパイクを小さくできる。 - 特許庁

A semiconductor having lower electron affinity than a channel region is formed in a body contact region in case of electron conductivity type and a semiconductor having higher electron affinity and band gap than the channel region is formed in case of hole conductivity type.例文帳に追加

電子電動型であればチャネル領域よりも電子親和力の小さい半導体、正孔伝導型であればチャネル領域よりも電子親和力とバンドギャップの和が大きい半導体をボディ・コンタクト領域に形成する。 - 特許庁

On a buffer layer 23, an n-type InGaAs channel layer 24 having a large electron affinity and high impurity concentration, an InGaAs channel layer 25 having a large electron affinity and low impurity concentration, an n-type AlGaAs barrier layer (electron feeding layer) 26 having a small electron affinity and high impurity concentration, and an n+-type GaAs contact layer 27, are stacked.例文帳に追加

バッファ層２３の上に、電子親和力が大きくて高不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓチャネル層２４、電子親和力が大きくて低不純物濃度のＩｎＧａＡｓチャネル層２５、電子親和力が小さくて高不純物濃度のｎ型ＡｌＧａＡｓ障壁層（電子供給層）２６、ｎ^＋型ＧａＡｓコンタクト層２７を積層する。 - 特許庁

To provide an electron source that works at a room temperature, by using only an injection of current into an n-type diamond semiconductor having a negative electron affinity.例文帳に追加

負の電子親和力を持つｎ型ダイヤモンド半導体への電流注入のみを用いて、室温動作する電子源を提供する。 - 特許庁