CZ法の英語

To provide a method and device for directly producing semiconductor wafers including silicon wafers without depending on conventional ingot (CZ method).例文帳に追加

従来のインゴット（CZ法等）によらず、シリコンウエハを含む半導体ウエハを直接製造する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a growing apparatus and method, by which a larger-diameter silicon single crystal ingot larger than 200 mm as well as a middle or small diameter silicon single crystal ingot having a uniform oxygen concentration in a longitudinal direction can be produced based on a Czochralski method and the flower phenomenon generated on the growth of a single crystal can be completely controlled; and to provide wafers produced from the ingot.例文帳に追加

チョコラルスキCZ法において、中、小口径だけでなく、200mm以上の大口径のシリコン単結晶インゴットの長手方向に酸素濃度が均一で、また単結晶の成長時に発生するフラワ現象を完全に制御することができる成長装置、成長方法及びそのインゴットから製造されたウエハを提供する。 - 特許庁

The silicon wafer that is cut out of the silicon single crystal pulled up by the CZ method is mirror-polished to provide a silicon single crystal wafer that has ≤120 particles detected on the main surface with ≥0.083 μm particle size and/or ≤80 particles with ≥0.090 μm and has a diameter of ≥300 mm, when it is washed with ammonia washing solution.例文帳に追加

本発明は、CZ法により引き上げられたシリコン単結晶より切り出したシリコンウエーハを鏡面加工し、アンモニア系の洗浄液で洗浄した際、主表面上に検出される０．０８３μｍ以上のパーティクルが１２０個以下、及び／又は０．０９０μｍ以上のパーティクルが８０個未満である、直径が３００ｍｍ以上のシリコン単結晶ウエーハの提案する。 - 特許庁