As-implanted Si substrateとは 意味・読み方・使い方

Using the SiO2 film 2 and the side walls 18 as a mask, the silicon substrate 1 is implanted with Si ions to form a gettering layer in only the bottoms of the trenches 5.例文帳に追加

SiO_2膜２およびサイドウォール１８をマスクとして、Si等の欠陥形成用イオンをシリコン基板１に注入することにより、トレンチ５の底部にのみゲッタリング層１を形成する。 - 特許庁

Continuously, a second resist pattern 20 is formed over the Si substrate 10, and with the first and second resist patterns 16 and 20 as masks, impurity ions 22 are implanted in the Si substrate 10 with efficiently high energy for forming an impurity-ion- implanted layer 24 at a specified depth D in the Si substrate 10.例文帳に追加

続いて、Ｓｉ基板１０上に第２のレジストパターン２０を形成し、第１及び第２のレジストパターン１６、２０をマスクとして十分に高いエネルギーでＳｉ基板１０に不純物イオン２２を注入して、Ｓｉ基板１０中の所定の深さＤに不純物イオン注入層２４を形成する。 - 特許庁

As with Si (100) surface, for example, ion is implanted in the direction of (100) axis which is the normal direction against the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

例えばＳｉ（１００）面の場合に、半導体基板１の主面に立てた法線方向である（１００）軸方向にイオン注入する。 - 特許庁

During this crystal growth process, the Si substrate 10 gradually fractures with the ion implanted layer as the boundary, and, finally, the Si substrate 10 separates into a thin film part 11 having a thickness of about 100 nm and a main part of the substrate 10.例文帳に追加

この結晶成長過程において、上記のＳｉ基板１０は、イオン注入層を境に徐々に破断し、最終的には膜厚約１００ｎｍの薄膜部１１とＳｉ基板１０の主要部とに分離される。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁