| 意味 | 例文 (163件) |
Al-Xとは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「Al-X」の意味 |
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ALX
| human | 遺伝子名 | ALX |
| 同義語(エイリアス) | HSH2; FLJ14886; Adaptor in lymphocytes of unknown function X; HSH2D; Hematopoietic SH2 protein; hematopoietic SH2 domain containing; Hematopoietic SH2 domain-containing protein | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q96JZ2 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:84941 | |
| その他のDBのID | HGNC:24920 |
| mouse | 遺伝子名 | Alx |
| 同義語(エイリアス) | Hsh2d; Adaptor in lymphocytes of unknown function X; hematopoietic SH2 domain containing; Hsh2; Hematopoietic SH2 protein; ALX; Hematopoietic SH2 domain-containing protein | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q6VYH9 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:209488 | |
| その他のDBのID | MGI:2676364 |
| zfish | 遺伝子名 | alx |
| 同義語(エイリアス) | chx10; Homeobox protein ALX; vsx2; Transcription factor VSX2; Visual system homeobox 2; Vsx-2; ceh-10 homeodomain containing homolog (C.elegans) | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:O42477 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:64606 | |
| その他のDBのID | ZFIN:ZDB-GENE-001222-1 |
本文中に表示されているデータベースの説明
- SWISS-PROT

- スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
- EntrezGene

- NCBIによって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
- HGNC

- HUGO遺伝子命名法委員会により運営される、ヒト遺伝子に関するデータベース。
- MGI

- 様々なプロジェクトによる、研究用マウスの遺伝的・生物学的なデータを提供するデータベース。
- ZFIN

- ゼブラフィッシュ遺伝子命名法委員会により運営されている、研究用の淡水魚ゼブラフィッシュの遺伝子・ゲノム情報のデータベース。
「Al-X」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 163件
Into Nb matrix, Al-X alloy of eutectic series (X is a metallic element capable of forming eutectic with Al) or its powder, or mixed powder of Al and metallic element X capable of forming the eutectic with Al is added as the core, and after having worked this composite into a linear form, rapid heating and quenching are applied and a minute Al-X eutectic texture is formed.例文帳に追加
Nbマトリックス中に共晶系のAl-X合金(Xは、Alと共晶化可能な金属元素)若しくはその粉末又はAlと、Alと共晶化可能な金属元素Xとの混合粉末を芯として入れ、この複合体を線状に加工した後、急熱急冷処理し、微細なAl-X共晶組織を形成させる。 - 特許庁
At least a part of a top surface 8a of the semiconductor base layer 10 which is exposed in the trench 42 is an Al-doped nitride represented by In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0.00001≤y≤0.01, and 0<1-x-y≤1).例文帳に追加
トレンチ42に露出する半導体下地層10の表面8aの少なくとも一部が、In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≦x≦1,0.00001≦y≦0.01,0<1-x-y≦1)で示されるAlドープ窒化物である。 - 特許庁
In the Al_xGa_(1-x)As layer, an Al composition ratio x in the main surface 11a is lower than an Al composition ratio x in the rear face 11b.例文帳に追加
Al_xGa_(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。 - 特許庁
In the Al_xGa_(1-x)As layer, a composition ratio x of Al in the main face 11a is lower than a composition ration x of Al in the rear face 11b.例文帳に追加
Al_xGa_(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。 - 特許庁
The wrought magnesium alloy material has: a composition consisting of, by mass, 0.01 to 5.0% Ca, 0.1 to 12% Al and the balance Mg with impurities; a yield strength YP satisfying YP≥(95×x-5x^2)/3+180 when (x) represents Al content; and an elongation of ≥10%.例文帳に追加
質量%で、Ca:0.01〜5.0%、Al:0.1〜12%を含有し、残部がMg及び不純物からなり降伏強さYPが、Alの含有量をxとしたとき、YP≧(95×x−5x^2)/3+180を満たし、伸びが10%以上であるマグネシウム合金展伸材である。 - 特許庁
To realize an Nb/Al-X composite wire rich in ductility to enable to form an extra-thin multiple-core having an extra-thin core diameter of 1 μm or less.例文帳に追加
極細芯径1μm以下の極細多芯化を可能とする、延性に富むNb/Al-X複合線材を実現する。 - 特許庁
There is disclosed agglomerates of faujasite X with an Si/Al ratio of 1.例文帳に追加
本発明はSi/Al比が1であるフォージャサイトXの凝集塊に関するものである。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「Al-X」の意味 |
alx
出典:『Wiktionary』 (2025/10/17 17:29 UTC 版)
発音
- (Classical Latin) IPA: [ˈaɫks]
- (modern Italianate Ecclesiastical) IPA: [ˈalks]
名詞
alx f (genitive alcis); third declension
- Medieval Latin form of alcēs and alcē (“elk; moose”)
語形変化
Third-declension noun (i-stem).
| singular | plural | |
|---|---|---|
| nominative | alx | alcēs |
| genitive | alcis | alcium |
| dative | alcī | alcibus |
| accusative | alcem | alcēs alcīs |
| ablative | alce | alcibus |
| vocative | alx | alcēs |
参照
- "alx", in Charles du Fresne du Cange’s Glossarium Mediæ et Infimæ Latinitatis (augmented edition with additions by D. P. Carpenterius, Adelungius and others, edited by Léopold Favre, 1883–1887)
- Niermeyer, Jan Frederik (1976), “alx (genet. alcis) (germ.)”, in Mediae Latinitatis Lexicon Minus, Leiden, Boston: E. J. Brill, page 39/1
アナグラム
「Al-X」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 163件
“Heat-resisting Fe・Cr・Al alloy for electric-heating composed of Fe, Cr, Al within the scope circumscribed by points A( ), B( ), C( ), and D( ) shown in the Figure 1 and impurities less than X%.”発音を聞く 例文帳に追加
「図1に示す点A( )、点B( )、点C( )、点D( )で囲まれる範囲内のFe・Cr・Al及びx%以下の不純物よりなるFe・Cr・Al耐熱電熱用合金。」 - 特許庁
“Heat-resisting Fe・Cr・Al alloy for electric-heating composed of Fe, Cr, Al within the scope circumscribed by points A( ), B( ), C( ), and D( ) shown in the Figure 1 and impurities less than X%.”発音を聞く 例文帳に追加
図1に示す点A( )、点B( )、点C( )、点D( )で囲まれる範囲内のFe・Cr・Al及びx%以下の不純物よりなるFe・Cr・Al耐熱電熱用合金。 - 特許庁
The magnetic thin film includes a substrate 2 and a CO_2 Fe_x Cr_1-x Al thin film 3, and the CO_2 Fe_x Cr_1-x Al thin film 3 has one structure from an L2_1, B2, and A2 structures, where 0≤x≤1.例文帳に追加
基板2と基板上に形成されるCo_2 Fe_x Cr_1-x Al薄膜3とを備え、Co_2 Fe_x Cr_1-x Al薄膜3はL2_1 ,B2,A2構造の何れか一つの構造を有し、かつ0≦x≦1である。 - 特許庁
At this point, a following formula, (Al composition of GaN crystal layers)≤(Al composition x of Al_xGa_1-xN crystal), is satisfied.例文帳に追加
このとき、(GaN系結晶層のAl組成)≦(前記Al_xGa_1-xN結晶のAl組成x)とする。 - 特許庁
In this case, (Al composition of the GaN system crystal layer)≤(Al composition x of the Al_xGa_1-xN crystal) is established.例文帳に追加
このとき、(GaN系結晶層のAl組成)≦(前記Al_xGa_1-xN結晶のAl組成x)とする。 - 特許庁
A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1).例文帳に追加
半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層2上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層3から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。 - 特許庁
As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加
軟磁性薄帯は、組成式:Fe_100-x-yCu_xX_y(但し、XはB,Si,S,C,P,Al,Ge,Ga,Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素)で表され、原子%で、0≦x≦5、10≦y≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁
A buffer layer 4 can be disposed between the substrate 2 and the CO_2 Fe_x Cr_1-x Al thin film 3.例文帳に追加
基板2とCo_2 Fe_x Cr_1-x Al薄膜3の間にはバッファー層4が挿入されてもよい。 - 特許庁
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