ARF-1とは 意味・読み方・使い方

Lenses 12, 13, 14 and 22 for forming the stepper 1 are formed from a synthetic quartz glass member having a characteristic which is a dissipation factor of ≤0.0050 cm-1 at 193.4 nm, measured after irradiated with 1×104 pulses ArF excimer laser at an energy density of 0.1 μJ/cm2.p to 200 mJ/cm2.p.例文帳に追加

そして、ステッパー１を構成するレンズ類１２，１３，１４，２２を、ＡｒＦエキシマレーザを０．１μＪ／ｃｍ^2・ｐ以上２００ｍＪ／ｃｍ^2・ｐ以下のエネルギー密度で１×１０^4パルス照射したとき、照射後に測定される１９３．４ｎｍにおける損失係数が０．００５０ｃｍ^-1以下となる特性を有する合成石英ガラス部材により構成する。 - 特許庁

An excimer laser light 6 generated horizontally from an ArF excimer laser oscillator 5 is reflected downward by a mirror 8 after passing a condenser lens 7, and shed onto the surface of the sample 1 through a lens 9, a shutter 10 and the window 3.例文帳に追加

ＡrＦエキシマレーザー発振機５から水平方向に発生されたエキシマレーザー光６は、集光レンズ７を通過した後、ミラー８により下方に反射され、レンズ９、シャッター１０、窓３を介して試料１の表面に照射される。 - 特許庁

At the time of an exposure of the pattern of a reticle R, the reticle R is illuminated with exposure light IL1 consisting of pulsed light of a wavelength of 193 nm from an ArF excimer laser beam source 1 and the pattern of the reticle R is transferred on a wafer W via a projection optical system PL.例文帳に追加

露光時にはＡｒＦエキシマレーザ光源１からの波長１９３ｎｍのパルス光よりなる露光光ＩＬ１でレチクルＲを照明し、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に転写する。 - 特許庁

A synthesized quartz glass of high purity for a high power ArF excimer laser manufactured with a VAD method includes OH group of 500-1,500 ppm and H2 of 1×1017-1019 molecule/cm3 in itself.例文帳に追加

ＶＡＤ法で製造された高純度合成石英ガラスであって、合成石英ガラス中のＯＨ基濃度が５００〜１５００ｐｐｍ、Ｈ_２ 濃度が１×１０^１７〜１０^１９molecule／ｃｍ^３ である高出力ＡｒＦエキシマレーザー用合成石英ガラス。 - 特許庁

Laser light L output from an ArF excimer laser light source 1 passes through a beam reshaping optical system 2 with its energy adjusted by an ND filter 3, and further, is applied via an aperture 4 to a sample S, with its energy density measured by an energy monitor 5.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー光源１から出射されたレーザー光Ｌは、ビーム整形光学系２を通過し、ＮＤフィルタ３によりエネルギが調整され、更にアパーチャ４を介してサンプルＳに照射され、エネルギモニタ５によってエネルギ密度が測定される。 - 特許庁

In this way, since the first insulating film 2 can be etched with patterning accuracy of the resist 5 for KrF/ArF, the first insulating film 2 and the second insulating film having different film thicknesses can be separately formed on the substrate 1 while keeping high accuracy.例文帳に追加

これにより、ＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５のパターニング精度で第１の絶縁膜２をエッチングすることができるため、膜厚の異なる第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜を基板１上に精度良く作り分けることが可能になる。 - 特許庁

To provide a resist composition which is a chemically amplifying positive resist composition suitable for excimer laser lithography using ArF, KrF or the like and which has excellent solubility even when a resin having a 3-hydroxy-1-adamantyl (meth)acrylate polymer unit or a 3,5-dihydroxy-1- adamantyl (meth)acrylate polymer unit is used.例文帳に追加

ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル重合単位又は（メタ）アクリル酸３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル重合単位を有する樹脂を用いても溶解性に優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A mask blank 10 is used to make a transfer mask applied with ArF exposure light and has a light-shielding film 2 on a translucent substrate 1, where the light-shielding film 2 has, as a main component, a material containing at least one or more elements selected from a transition metal, silicon, oxygen and nitrogen.例文帳に追加

ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属及びケイ素に更に酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする。 - 特許庁