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A/C gasとは 意味・読み方・使い方
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「A/C gas」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
When the SiGeC semiconductor film is formed by CVD method, a cyril methane gas including Si-C-Si joint is used as a C source gas.例文帳に追加
CVD法でSiGeC半導体膜を形成するにあたり、C源ガスとしてSi−CーSi結合を含むシリルメタン系ガスを使用する。 - 特許庁
The valve for a liquefied gas container comprises a valve housing 31, a valve element unit 50, and a C-shaped stop ring 80.例文帳に追加
液化ガス容器用バルブは、バルブハウジング31と、弁体ユニット50と、C字形状のストップリング80とを備える。 - 特許庁
In operation by M gas combustion, air is replenished to a predetermined combustion chamber 2 located in the central part in the oven length direction by using a C gas supply system for air replenishment.例文帳に追加
Mガス燃焼で操業する際には、炉長方向の中央に位置する所定の燃焼室2に対して、Cガス供給系統を転用して空気を補給する。 - 特許庁
Etching is performed by using a C* gas and an F* gas containing CF+ ions from the top surface of the resist pattern film 14 to form an etching hole 112A in the oxide film 112.例文帳に追加
レジストパターン膜114の上面から、CF+系イオンを含むC*、F*のガスを用いてエッチングを行い、酸化膜112にエッチング孔112Aを形成していく。 - 特許庁
When raw material gas containing an Si-containing gas and a C-containing gas is fed into the reactor 8, a silicon carbide single crystal 21 is grown from the silicon carbide single crystal substrate 9 as the seed crystal.例文帳に追加
反応容器8内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む原料ガスが導入され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板9から炭化珪素単結晶21が成長する。 - 特許庁
Further, a CxFy gas exhibiting a C/F ratio lower than the main etching condition is used for the given length of a time from the start of etching or the flow rate of the CxFy gas is made lower.例文帳に追加
さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低C/F比のCxFyガスを用いる、若しくはCxFyガス流量を低流量化する。 - 特許庁
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「A/C gas」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
To provide a C-GIS (Cubicle-type Gas Insulated Switchgear) which has excellent insulation performance and in which electromagnetic force generated at the time of energization is minimized.例文帳に追加
優れた絶縁性能を有すると共に、通電時に発生する電磁力を最小限に抑えたC−GISを提供する。 - 特許庁
Thus, since thermal decomposition of the material gas can be promoted on the upstream side, a C/Si ratio in the reaction chamber 25 can be made uniform.例文帳に追加
これにより、上流側において、材料ガスの熱分解を促進できるので、反応室25におけるC/Si比を均一にできる。 - 特許庁
To provide an apparatus for continuous hot-dip metal plating for a strip, which can adequately correct a C-camber of the strip generating in a gas wiping part.例文帳に追加
ガスワイピング部でのストリップのC反りを適切に矯正することのできるストリップの連続溶融金属めっき設備を提供する。 - 特許庁
In this separator 11 for the fuel cell, a water-repellent fluorine containing carbon layer 13 having a C-F bond is arranged on a gas flow passage face 12 formed on the surface.例文帳に追加
表面に形成されたガス流路面12にC−F結合を有する撥水性のフッ素含有カーボン層13を有する燃料電池用セパレータ11。 - 特許庁
To provide an apparatus for plating, which can reliably correct a C-camber generating in a gas wiping nozzle part, even for a thick or soft metal strip.例文帳に追加
板厚が厚い金属帯または軟質な金属帯についても、ガスワイピングノズル部での金属帯のC反りを確実に矯正できるめっき装置を提供する。 - 特許庁
It is found that a temperature range of the high-temperature gas and oxygen concentration in the high-temperature gas capable of simultaneously reducing NOx and CO generated when blowing the high-temperature gas into a combustion chamber in the waste incinerator is limited in an area surrounded by an A line, a B line and a C line in Fig. 1.例文帳に追加
廃棄物焼却炉において、燃焼室内に高温ガスを吹き込む際に発生するCO、NOxを同時に低減できる高温ガス中の酸素濃度、高温ガスの温度の範囲は、図においてA線、B線、及びC線で囲まれた領域に限られることを見いだした。 - 特許庁
A first SiC crystal is formed as a buffer layer, and further a SiC crystal is layered thereon by using a source gas having a C/Si ratio adjusted to be higher than that when forming the buffer layer.例文帳に追加
更にSiC結晶をバッファー層とし、さらに、C/Si比をバッファー層を形成するときのC/Si比よりも増加方向に調整された原料ガスを用いた。 - 特許庁
A c-axis oriented crystal niobium oxide is used as a capacity insulating film, and the oxygen content especially during deposition is controlled by, for example, adjusting the oxygen gas ratio in the sputtering gas, thus forming a film where the a-axis orientation peak is not shown but the c-axis orientation peak is preferred.例文帳に追加
容量絶縁膜として、c軸配向した結晶酸化ニオブを用い、特に成膜時の酸素含有量を、例えば、スパッタガスにおける酸素ガス比を調整することで制御して、a軸配向ピークを示さず、c軸配向ピークが優先した膜を形成する。 - 特許庁
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