歪層の英語

歪みによって磁気的な状態が変化する歪み敏感磁性層２と、この歪み敏感磁性層２に対して歪みを付与する歪み付与層３とを備える。例文帳に追加

A magnetic functional device 1 is equipped with a distortion sensitive magnetic layer 2, which varies in a magnetic state by distortion and a distortion giving layer 3 distorting the distortion sensitive magnetic layer 2. - 特許庁

圧縮歪半導体層１２の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層１３に伸張歪を印加する。例文帳に追加

By relaxing the compression strain of the compression-strained semiconductor layer 12, tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13. - 特許庁

埋め込み層２は、歪抑制層Ｉ２よりも格子定数が大きいため、歪抑制層Ｉ２から「圧縮歪」を受ける。例文帳に追加

A buried layer 2 has a larger lattice constant than the strain suppression layer I2, so it undergoes "compressive strain" from the strain suppression layer I2. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing substrate, having a strain layer/strain-applied crystal layer structure which reduces the crystallinity deterioration that occurs in the strain layer, due to crystal defects caused by the strain-applied crystal layer structure, and which is formed of a thin film on an insulating layer. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer. - 特許庁

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the strain-applied crystal layer structure is reduced, and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer. - 特許庁

歪層５はＩｎＧａＡｓ層３およびＧａＡｓ層４を含む。例文帳に追加

The strain layer 5 includes an InGaAs layer 3 and a GaAs layer 4. - 特許庁

歪層４０下の犠牲層３を選択的にエッチングする。例文帳に追加

The sacrifice layer 3 under the strain layer 40 is selectively etched. - 特許庁