晶帯軸の英語

そして、この２軸性複屈折結晶１４により、レーザ光を輪帯状のビーム形状とし、対物レンズ１７によって半導体ウエハ３０に集光する。例文帳に追加

The laser beam is formed to the beam shape of the ring band form by this biaxial double refracting crystal 14 and is condensed to a semiconductor wafer 30 by an objective lens 17. - 特許庁

針状、又は帯状の結晶であって、該結晶の短軸方向の長さが２０ｎｍ以下である、新規な結晶形状の銅フタロシアニン顔料、及び銅フタロシアニン顔料を超臨界水で晶析することを特徴とする該銅フタロシアニン顔料の製造方法、並びにそれを含む顔料組成物。例文帳に追加

The new crystal form copper phthalocyanine pigment whose crystal is needle or zonal shape and whose short axis direction length of the crystal is 20 nm or less, the manufacturing method for the copper phthalocyanine pigment by crystallizing the phthalocyanine pigment with supercritical water and the pigment composition including it are provided. - 特許庁

絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、連続発振レーザ光を走査して帯状多結晶領域を形成するに際の対物レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形（短軸幅）の変化による結晶状態の変動を防止する。例文帳に追加

To prevent a variation of a crystal state due to a change of a collecting beam shape (width of minor axis) of radiating laser beam caused from a heat lens effect of an objective lens produced when forming a belt polycrystal, by scanning a continually oscillating laser beam onto a desired area of an amorphous or granular polycrystal silicon film formed on an insulating substrate. - 特許庁

基板１０１上のa‐Ｓｉ膜あるいは微結晶シリコン膜１０４を帯状結晶シリコン膜（ＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜）１０５に改質するための結晶化レーザの幅方向（短軸方向）形状を、４本の連続発振レーザを光学系で結合して左右対称のガウシアン形状から非対称に傾きを持ったプロファイルとする。例文帳に追加

The shape of a crystallization laser in the width direction (minor axis direction) for reforming an a-Si film or a microcrystalline silicon film 104 on a substrate 101 into a band-shaped crystalline silicon film (SELAX crystalline silicon film) 105 is changed to have a profile asymmetrically tilted from a symmetrical Gaussian shape by combining four continuous oscillation lasers with an optical system. - 特許庁

非線形光学結晶から出射される異なる波長の変換レーザー光を同軸に重ねることができるようにした広帯域高速波長変換方法およびその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for wide-band high-speed wavelength conversion which can superpose converted laser light beams of different wavelength emitted by nonlinear optical crystal coaxially on one over the other. - 特許庁

液晶層１０の厚さ方向（ｚ軸方向）に直交する電極方向（ｙ軸方向）で互いに平行に、かつ、厚さ方向及び電極方向に直交する離間方向（ｘ軸方向）で互いに所定間隔をおいて形成された帯状の電極部７ａを画素電極７に複数設ける。例文帳に追加

Electrode strips 7a are formed on the pixel electrode 7 at a predetermined spacing from each other in parallel in the electrode direction (y-axis direction), orthogonally crossing the thickness direction (z-axis direction) of a liquid crystal layer 10 and in the parting direction (x-axis direction) orthogonally crossing the thickness direction and the electrode direction. - 特許庁

基板１１の主面の面方位は（０００１）面から晶帯軸の＜１−１００＞方向にオフ角を有し、素子層１２は、該オフ角の方向に対してほぼ平行に延びる縞状の表面形態を有している。例文帳に追加

The plane orientation of the main surface of the substrate 11 has the off-angle in the direction <1-100> from the (0001) surface, and the device layer 12 has the surface form of stripes, extending nearly in parallel to the off-angle direction. - 特許庁

画素電極３１が、液晶分子の初期配向状態を規制する配向膜４５で被覆されると共に、間隔をあけて配置された複数の帯状電極３１ｂを有し、帯状電極３１ｂが、配向膜４５の配向容易軸に沿って延在すると共に、帯状電極３１ｂ上における配向膜４５よりも厚膜である。例文帳に追加

The device is characterized in that: a pixel electrode 31 is covered with an alignment layer 45 that regulates the initial alignment state of liquid crystal molecules, and has a plurality of strip electrodes 31b disposed at a given interval; and the strip electrodes 31b are extended along the easy axis of alignment of the alignment layer 45 and have a thickness larger than the alignment layer 45 on the strip electrodes 31b. - 特許庁