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Master Solid State Phys Compressed

Das Dokument beschreibt die Vorlesung zur Halbleiter- und Festkörperphysik im Masterstudiengang Elektronik & Informationstechnik an der Johannes Kepler Universität Linz. Es umfasst Themen wie kristalline Festkörper, das Bändermodell, Ladungstransport in Halbleitern sowie deren optische Eigenschaften und enthält eine detaillierte Gliederung der Inhalte sowie empfohlene Literatur. Der Kurs zielt darauf ab, ein tiefes Verständnis der physikalischen Grundlagen von Halbleitern und deren Anwendungen zu vermitteln.

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Halbleiterphysik und Festkörperphysik

(Masterstudiengang Elektronik & Informationstechnik)

LVA 322.004, WS2021/22

Thomas Fromherz

Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik, Johannes Kepler Universität Linz

tel: 0732 2468 9602

email:[email protected]
Vorlesungsgliederung
1. Kristalline Festkörper
1.1. Kristallbindung
1.2. Kristallstruktur
1.3. Reziprokes Gitter
2. Bändermodell
2.1. Bandstruktur im Tight-Binding-Modell
300 mm Silicium Ingot (Wacker Siltronic)
2.2. Bandlücke im fast-freien Elektronenmodell
2.3. Bandstruktur der wichtigsten Halbleiter
2.4. Effektive Masse
2.5. Wasserstoffähnliche (flache) Störstellen
2.6. Trägerstatistik
2.6.1. Zustandsdichte
2.6.2. intrinsische Halbleiter
2.6.3. extrinsische Halbleiter
3. Ladungstransport in Halbleitern Quarz-Einkristall

3.1. Drift (Drude-Modell)

3.2. Diffusion
3.3. Trägerinjektion
3.4. Kontinuitätsgleichung

Zustandsdichte und Bandstruktur von Ge

TFH WS 2021/22 2
Literatur

1. Charles Kittel, Einführung in die Festkörperphysik, Oldenbourg Verlag

2005
2. Rudolf Gross, Achim Marx, Festkörperphysik, Oldenbourg Verlag 2012
3. S. M. Sze, M. K. Lee, Semiconductor Devices: Physics and
Technology, 3 rd Edition, John Wiley and Sons 2012
4. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3 rd Edition,
Wiley Interscience 2007
5. H. Ibach, H.Lüth, Festkörperphysik: Einführung in die Grundlagen,
Springer Verlag 2008
6. Vorlesungsskriptum Prof. Dr. Friedrich Schäffler, JKU, WS2018/19,
zu finden auf den Kusss Seiten zur Vorlesung download

TFH WS 2021/22 3
Inhaltsverzeichnis I
Kristalline Festkörper
Ausflug Quantenmechanik
Die Schrödingergleichnung (SG)
Interpretation
Wellenpakete
Lösungsmethoden für SG
Unendlich tiefer Potentialtopf
Das Wasserstoffatom
Periodensystem der Elemente
Kristallbindungen
Van-der-Waals-Bindung
Kovalente Bindung
Ionenbindung
Metallische Bindung
Kristallstrukturen
Bravaisgitter
Kristallstruktur = Bravaisgitter + Basis
Kristallrichtungen und -ebenen
Reziprokes Gitter (RG)
Vermessung des RG mittels Röntgenstrahlen
Streurichtungen und Ewald-Konstruktion
Die Brillouinzone als Einheitszelle des RG
Basis der Kristallstuktur und Auslöschung von Röntgenreflexen: Der Stukturfaktor
Bändermodell
Bandstruktur im Tight-Binding-Modell
Bandlücke fast-freien Elektronenmodell
Formulierung im Fourier-Raum
Das Bloch Theorem als Konsequenz der Gitterperiodizität

TFH WS 2021/22 4
Inhaltsverzeichnis II
Ausbildung von Bandlücken an den Rändern und im Zentrum der BZ
Bandstruktur wichtiger Halbleiter
Effektive Masse (EM)
EM als träge Masse
Das Löcherkonzept
Isolatoren, Halbleiter, Metalle
Dotierung von Halbleitern zur Einstellung der Leitfähigkeit
Trägerstatistik
Zustandsdichte
Intrinsische Halbleiter
Extrinsische Halbleiter
Ladungsträgertransport
Drift (Drudemodell)
Diffusion
Trägerinjektion
Kontinuitätsgleichung
Der pn-Übergang
Der pn-Übergang im thermisches Gleichgewicht
pn Übergang mit angelegter Spannung
Die ideale Strom-Spannungskennlinie
Rekombination über tiefe Störstellen
Reale Strom-Spannungskennlinie: Generation/Rekombination in RLZ
Magneto-Transport
Bewegungsgleichung für Ladungsträger im Halbleiter im Magnetfeld
Magnetowiderstand und Halleffekt
Optische Eigenschaften
Lichtabsorption und -emission durch Übergänge von Elektonen zwischen VB und LB
TFH WS 2021/22 5
Inhaltsverzeichnis III
Direkte Halbleiter
Indirekte Halbleiter

TFH WS 2021/22 6
Quarz (SiO2 )

VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 2

F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

1. Kristalline Festkörper Kupfer (Cu)

1.1. Kristallbindung Makroskopische Ordnung als Folge von Ord-
1.1.1 Atomare Orbitale nung auf atomarer Skala
Atome und Moleküle sind in der klassischen Physik nicht beschreibbar, weil stabile Gebilde
aus Protonen und Elektronen nicht mit den Maxwell-Gleichungen kompatible sind:
Elektronen auf definierten Bahnen um ein Proton führen eine beschleunigte Bewegung aus
und strahlen daher elektromagnetische Wellen ab. Diese entziehen den Elektronen kinetische
Energie, so daß der Bahndurchmesser immer kleiner wird, bis das Elektron in den Kern stürzt.
Die ad hoc Postulate von Bohr, daß es quantisierte "Bahnen" geben muß, auf denen keine
elektromagnetische Abstrahlung erfolgt, bringen das Dilemma der klassischen Physik im
atomaren Bereich erstmals richtig zum Ausdruck.
Erst die Quantenmechanik kann das Problem stabiler Atome auf der Basis der
Schrödingergleichung widerspruchsfrei beschreiben. Die Elektronen werden dabei durch
Wellenfunktionen (r) beschrieben. Das Quadrat der Wellenfunktion (r)*(r) gibt die
Wahrscheinlichkeit an, das Elektron am Ort r zu finden.
Will man alle Elektronen in einem Atom durch ihre Wahrscheinlichkeitsverteilung
beschreiben, so benötigt man insgesamt vier Quantenzahlen sowie das Pauli-Prinzip, das
besagt, daß Elektronen (allgemein: Fermionen, also Teilchen mit Spin ½) nicht in allen
TFH Quantenzahlen übereinstimmen dürfen. Die Quantenzahlen
WS 2021/22 beschreiben die atomaren Schalen 7
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
▶ Elektronen haben nicht nur Teilchen-, sondern auch Welleneigenschaften
▶ Wir betrachten zunächst ein Teilchen mit Masse m, dass sich nur in
x -Richtung bewegen kann
▶ Die Gleichung, die die Ausbreitung der Teilchenwelle Ψ(x , t) beschreibt ist
die zeitabhängige Schrödingergleichung
−ℏ2 ∂ 2

∂
iℏ Ψ(x , t) = + V (x ) Ψ(x , t)
∂t 2m ∂x 2
| {z }
≡H
ℏ = 1.0545718 × 10−34 Js ist das Planck’sch Wirkungsquantum h geteilt
h
durch 2π (ℏ = 2π ) und V (x ) ein externes Potential, in dem sich das
Teilchen bewegt. H definiert den Hamiltonoperator.
▶ Will man ein freies Teilchen beschreiben, setzt man V (x ) = 0.
▶ Wir überprüfen durch Einsetzen in die Schrödingergleichung, dass man für
ein freies Teilchen mit Impuls p und Engerie E als Lösung eine komplexe,
i
ebene Welle Ψ(x , t) = Ae ℏ (px −Et) mit Wellenvektor ℏp und Kreisfrequenz
E
ℏ
erhält:
−iE ? −ℏ2 ∂ 2 −ℏ2 ℏi (px −Et)
2
∂ i i i ip
iℏ Ae ℏ (px −Et) = iℏAe ℏ (px −Et) = 2
Ae ℏ (px −Et) = Ae
∂t ℏ 2m ∂x 2m ℏ

TFH WS 2021/22 8
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
▶ Elektronen haben nicht nur Teilchen-, sondern auch Welleneigenschaften
▶ Wir betrachten zunächst ein Teilchen mit Masse m, dass sich nur in
x -Richtung bewegen kann
▶ Die Gleichung, die die Ausbreitung der Teilchenwelle Ψ(x , t) beschreibt ist
die zeitabhängige Schrödingergleichung
−ℏ2 ∂ 2

∂
iℏ Ψ(x , t) = + V (x ) Ψ(x , t)
∂t 2m ∂x 2
| {z }
≡H
ℏ = 1.0545718 × 10−34 Js ist das Planck’sch Wirkungsquantum h geteilt
h
durch 2π (ℏ = 2π ) und V (x ) ein externes Potential, in dem sich das
Teilchen bewegt. H definiert den Hamiltonoperator.
▶ Will man ein freies Teilchen beschreiben, setzt man V (x ) = 0.
▶ Wir überprüfen durch Einsetzen in die Schrödingergleichung, dass man für
ein freies Teilchen mit Impuls p und Engerie E als Lösung eine komplexe,
i
ebene Welle Ψ(x , t) = Ae ℏ (px −Et) mit Wellenvektor ℏp und Kreisfrequenz
E
ℏ
erhält:
−iE ? −ℏ2 ∂ 2 −ℏ2 ℏi (px −Et)
2
∂ i i i ip
iℏ Ae ℏ (px −Et) = iℏAe ℏ (px −Et) = 2
Ae ℏ (px −Et) = Ae
∂t ℏ 2m ∂x 2m ℏ

▶ Schrödingergleichung hat komplexe Koeffizienten. Anders als wir das aus

der klassischen Physik gewohnt sind, sind Re(Ψ) und Im(Ψ) einzeln nicht
Lösung der Schrödingergleichung.
▶ Man kann zeigen:
Z ∞
Ψ∗ (x , t)Ψ(x , t)dx
−∞

ist unabhängig von der Zeit, wenn Ψ(x , t) Lösung der

Schrödingergleichung ist.
▶ Interpretation: Ψ∗ (x , t)Ψ(x , t) ist eine Wahrscheinlichkeitsdichte. Die
Wahrscheinlichkeit dW , das durch die Wellenfunktion Ψ(x , t) beschriebene
Teilchen zur Zeit t in der Umgebung dx um x zu finden ist dann

dW = Ψ∗ (x , t)Ψ(x , t)dx
▶ Das obige Integral ist dann die Wahrscheinlichkeit, das Teilchen irgendwo
entlang der x -Achse gefunden wird. Der Wert des Integrals wird daher
sinnvoller Weise auf 1 gesetzt, wodurch wiederum die Konstante A
(Amplitude) im Ansatz der ebenen Welle bestimmt wird. Die
Zeitunabhängigkeit bedeutet, dass das Teilchen nicht verschwinden kann.

TFH WS 2021/22 9
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Wellenpakete
▶ Die ebene Welle ist eine “langweilige” Lösung der Schrödingergleichung da
i i
Ψ∗ (x , t)Ψ(x , t) = Ae ℏ (px −Et) · A∗ e− ℏ (px −Et) = AA∗ = |A|2
unabhängig vom Ort konstant ist. Das Teilchen kann also überall mit
gleicher Wahrscheinlichkeit aufgefunden werden.
▶ Wir wissen: durch Überlagerung von ebenen Wellen kann ein beliebig
geformtes Wellenpaket synthetisiert werden (Fouriesynthese), z.B:

i p2
1
A(p)e ℏ (px − 2m t) dp
R
Ψ(x , t) = 2π
x [arb.u.]

A(p) beschreibt die Amplitude der zu p gehörigen ebenen Welle in der

(p−p0 )2
Fouriersynthese. Im Bsp. oben wurde A(p) = √ 1 2 e 2σ2 also
−
2πσ
Gauss-förmig, angenommen.
▶ Heisenberg’sche Unschärfe-Relation:
Einschränkung im Ortsraum ⇔ Verteilung im Impulsraum
TFH WS 2021/22 10
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Systematisches Auffinden der Lösungen der Schrödingergleichung

Wiederholung mathematischer Methoden:

▶ Die Schrödingergleichung ist eine partielle Differentialgleichung, wenn das
Potential V nicht von der Zeit abhängt, kommen in den Faktoren vor Ψ in
der Schrödingergleichung die Variablen t und x und die Ableitungen nach
diesen nur in Summanden vor, nicht in Produkten.
▶ In diesem Fall lässt sich die Lösung über einen Produktansatz

Ψ(x , t) = T (t)ψ(x )

vereinfachen: durch Einsetzen in die Schrödingergleichung erhält man

−ℏ2 ∂ 2

∂
iℏψ(x ) T (t) = T (t) + V (x ) ψ(x )
∂t 2m ∂x 2

da ja für die Ableitung nach t die Funktion ψ(x ) und für die Ableitung
nach x die Funktion T(t) Konstanten sind.
▶ Division der Gleichung durch T (t)ψ(x ) führt zur Trennung der Variablen t
und x auf je eine Seite der Gleichung:

−ℏ2 ∂ 2

iℏ ∂ 1
T (t) = + V (x ) ψ(x )
T (t) ∂t ψ(x ) 2m ∂x 2
TFH WS 2021/22 11
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Systematisches Auffinden der Lösungen der Schrödingergleichung

Folgerungen aus der Trennung der Variablen

▶ Die Gleichheit beider Seiten für alle möglichen Wertepaare von t, x kann
nur dann gegeben sein wenn beide Seiten konstant sind und den gleichen
Wert haben,1 der im Folgenden mit E bezeichnet wird.
iℏ ∂ ∂
T (t) = E ⇒ iℏ T (t) = ET (t) (1)
T (t) ∂t ∂t
−ℏ2 ∂ 2 −ℏ2 ∂ 2

1
+ V (x ) ψ(x ) = E ⇒ + V (x ) ψ(x ) = E ψ(x )
ψ(x ) 2m ∂x 2 2m ∂x 2
▶ Aus der partiellen Dgl. erhält man die zwei gewöhnliche Dgln 1 u. 2, (2)
wovon Dgl. 1 sehr einfach zu lösen ist (die Ableitung der gesuchten
Funktion ist proportional zur Funktion):
i
T (t) ∝ e− ℏ Et .

Dgl. 2 hat die Form einer Eigenwertgleichung. Wir erwarten für

verschieden Werte von E verschieden zu E gehörende Lösungen ψE (x )
▶ Dgl. 2 (Hψ = E ψ) wird zeitunabhängige Schrödingergleichung genannt.
▶ Für diese Lösungen ist Ψ(x , t)∗ Ψ(x , t) = ψ(x )∗ ψ(x ) zeitunabhängig.
1
Besonders klar ist diese Schlussfolgerung für die Fälle t = t0 für all x und x = x0 für alle t.
TFH WS 2021/22 12
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Gebundene Zustände: Teilchen im unendlich tiefen Potentialtopf
Wir suchen physikalisch sinnvolle Lösungen der
zeitungabhängige Schrödingergleichung

−ℏ2 ∂ 2

+ V (x ) ψ(x ) = E ψ(x )
2m ∂x 2

mit dem rechts skizzierten Potential:

0 für 0 ≤ x ≤ L
V (x ) =
∞ für x < 0 oder x > L
Bereich 0 ≤ x ≤ L
▶ Wir suchen Lösungen von −ℏ2 ∂ 2
ψ(x )
= E ψ(x ), also Funktionen deren
2m ∂x 2
zweite Ableitung proportional zur Funktion selbst ist. Alle in Frage
kommenden Funktionen können durch eikx mit k ∈ C dargestellt werden2 .
p2
√
z}|{
−ℏ2 ∂ 2 ikx −ℏ2 2 ikx ℏ2 k 2 ikx ! ikx ℏ2 k 2 2mE
e = (ik) e = e = E e ⇒ E = ⇒ k = ±
2m ∂x 2 2m 2m 2m ℏ
Die allgemeinste, zu E gehörende Lösungen sind also
ψE (x ) = αeik(E )x + βe−ik(E )x
2
cos(kx ) = (eikx + e−ikx )/2, sin(kx ) = (eikx − e−ikx )/2i mit k ∈ R
TFH WS 2021/22 13
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Physikalische Lösungen für Teilchen im unendlich tiefen Potentialtopf

Bereiche x < 0 und x > L

Hier ist V (x ) = ∞, ein Teilchen mit endlicher Aufenthaltswahrscheinlichkeit
ψ ∗ (x )ψ(x ) in diesen Bereichen hätte eine (phyikalisch sinnlose) unendlich
hohe Energie. Daher ist
ψ=0
in diesem Bereichen die einzige physikalisch sinnvolle Lösung.

Randbedingungen
Da ψ ∗ ψ eine beobachtbare Größe (Wahrscheinlichkeitsdichte) ist, muss an
jedem Ort der Wert eindeutig definiert sein. Wir suchen also Lösungen, die
keine Sprünge in ψE (x ) aufweisen, d.h

0 =ψE (0 − dx ) = ψE (0 + dx )
für dx → 0
ψE (L − dx ) = ψE (L + dx ) = 0

Einsetzen in ψE (x ) = αeik(E )x + βe−ik(E )x ergibt

!
ψE (0) = α + β = 0 ⇒ β = −α
! π
ψE (L) = αeikL − αe−ikL = 2iα sin(kL) = 0 ⇒ k(E ) = n mit n ∈ N
L
TFH WS 2021/22 14
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Teilchen im unendlich tiefen Potentialtopf: erlaubte Energien

▶ Die physikalisch motivierten Randbedingungen legen also die erlaubten

Werte für k(E ) und damit für E fest.
▶ Für den unendlich tiefen Potentialtopf erhält man die diskreten Energien
2 2
En = n2 2mL
ℏ π
2 mit n ∈ N (=
ˆ Atomenergieniveaus in 3D)
▶ n = 0 ist nicht erlaubt, weil dann ψn=0 (x ) = 0 überall, also kein Teilchen
vorhanden ist.
▶ Ein Teilchen im Topf hat also mindestens die Energie E1 = ℏ2 π 2
2mL2
1
(Grundzustandsenergie>0, ∼ L2
)
▶ Die klassische Mechanik ergibt für das selbe Problem keinerlei
Einschränkungen für den Impuls p ↔ ℏk und die kinetische Energie p 2 /2m
▶ Das ist ganz allgemein so: Durch Randbedingungen wird der erlaubte
Wertebereich von Erhaltungsgrößen der klassischen Physik eingeschränkt
(quantisiert).
▶ Solche Randbedingungen können sein: ψ ∗ ψ(x → 0) → 0, ψ ∗ ψ ist stetig,
ψ ∗ ψ ist stetig differenzierbar wenn V stetig ist, eine Symmetrieoperation,
die V in sich selbst abbildet muss auch ψ ∗ ψ in sich selbst abbilden.

TFH WS 2021/22 15
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Teilchen im unendlich tiefen Potentialtopf: Energien und Wellenfunktionen

Es fehlt noch die Bestimmung von α: Für die Konsistenz

R∞ mit der
Wahrscheinlichkeitsinterpretation von ψ ∗ ψ muss −∞ ψ ∗ ψdx eins ergeben:
Z ∞
r
2 2 π 1 2 π
4α sin (n x )dx = 1 ⇒ α = √ ⇒ ψ(x ) = sin(n x )
∞
L 2L L L

TFH WS 2021/22 16
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
3
Teilchen im unendlich tiefen Potentialtopf: Energien und Wellenfunktionen

ψ(x ) En ψ∗ ψ

n=1

n=2

n = 20

▶ Zustände mit niedriger Energie: signifikant Unterschiede zur klassischen

Aufenthaltswahrscheinlichkeit (WS) (z.B. n=2: verschwindende WS, das
Teilchen in der Mitte zu finden ( =
ˆ Atombahnen in 3D)
▶ Hohe Quantenzahlen (Energien): Variation der WS wird experimentell
unauflösbar → klassisch WS-dichte
3
Verwendung der Abbildungen unter Lizenz CC BY-NC-SA 3.0, die Originalabbildungen können
hier gefunden werden.
TFH WS 2021/22 17
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Das Wasserstoffatom

▶ H-Atom: ein Elektron (Ladung −e) im Coulombpotential eines viel

schwereren, einfach positiv geladenen (+e) Kerns
▶ zeitunabhängigen Schrödingergleichung in 3D:
" #
ℏ2 ∂2 ∂2 ∂2 e2

1
− + + − ψ(x , y , z) = E ψ(x , y , z)
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2
p
2m 4πε0 x 2 + y 2 + z 2

▶ analytisch aufwändig lösbar, siehe z.B. Internet

▶ Insgesamt gibt es 4 Quantenzahlen, die den Zustand des Elektrons
vollständig charakterisieren:
Quantenzahl Wertebereich Zuordnung
Hauptquantenzahl n 1,2,3,. . . K-, L-, M-,. . . Schale
Drehimpulsquantenzahl ℓ 0,1,2,. . . n-1 s-, p-, d-, f- . . . Orbital
Magnetquantenzahl m -ℓ, -ℓ+1. . . 0. . . ℓ-1, ℓ
Spinquantenzahl s -1/2, +1/2
(Die grau gedruckten Quantenzahlen reichen für 1D)

TFH WS 2021/22 18
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Eigenenergien und Eigenfunktionen des Wasserstoffatoms
Die Eigenengerien sind

e 4 me 1 1 e2 1
En = − 2 2
· 2 = −Ry · 2 = − ·
2(4πε0 ) ℏ n n 4πε0 2a0 · n2
mit dem Rydberg Ry = 13.6 eV und dem Bohr’schen Atomradius
a0 ≈ 0.53 × 10−10 m = 0.53 Å.
Die Eigenfunktionen ψnlm (r , ϑ, ϕ) zu den ersten Eigenengergien sind:

r r
4 −r /a0 1
ψ100 = e ·
a03 4π
r r
1 r 1

ψ200 = − + 2 e −r /2a0 ·
8a03 a0 4π
r r
1 r 3

ψ210 = e −r /2a0 · cos ϑ
24a03 a0 4π
r r
1 r 3

−r /2a0
ψ2,1,±1 = ∓ e · sin ϑe ±iφ
24a03 a0 8π

Probability densities ψ ∗ ψ
TFH WS 2021/22 19
Kurzer Ausflug in die Quantenmechanik
Eigenfunktionen des Wasserstoffatoms: Polardiagramme

TFH WS 2021/22 20
Wellenfunktionen (r) beschrieben. Das Quadrat der Wellenfunktion (r)*(r) gibt die
Periodensystem
Wahrscheinlichkeit der
an, dasElemente
Elektron am Ort r zu finden.
Will man alle Elektronen in einem Atom durch ihre Wahrscheinlichkeitsverteilung
beschreiben, so benötigt man insgesamt vier Quantenzahlen sowie das Pauli-Prinzip, das
besagt, daß Elektronen (allgemein: Fermionen, also Teilchen mit Spin ½) nicht in allen
Quantenzahlen übereinstimmen dürfen. Die Quantenzahlen beschreiben die atomaren Schalen
und Orbitale sowie bei letzteren deren Orientierung im Raum. Die Quantenzahlen und ihre
Zusammenhänge lassen sich wie folgt darstellen:

Quantenzahl Wertebereich Zuordnung

Hauptquantenzahl n 1, 2, 3, ... K-, L-, M-, ... Schale
Drehimpulsquantenzahl  0, 1, 2, ... n-1 s-, p-, d-, f- .. Orbital

Magnetquantenzahl m -, -+1,... 0 ... -1, 

Spinquantenzahl s +1/2; -1/2

Tab. 1.0A Quantenzahlen, ihre möglichen Werte und Zuordnung zu den Schalen und Orbitalen

Wegen des Pauli-Prinzips und der Einschränkung der möglichen Werte von  und m bei
gegebener Hauptquantenzahl n (Tab. 1.0A) können die Orbitale nur jeweils eine maximale 2n2
Zahl von Elektronen aufnehmen, die in Tab. 1.0B aufgeführt ist.
 Orbital mögliche Werte von m jeweils maximale Zahl von
mögliche Elektronen im
Werte von s jeweiligen Orbital
0 s m = 0; s =  1/2 2
1 p m = -1, 0, 1 s =  1/2 6
2 d m = -2, -1, 0, 1, 2 s =  1/2 10
3 f m = -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3 s =  1/2 14

Tab. 1.0B Zuordnung der Magnetquantenzahlbereiche zu jedem Orbital sowie maximal mögliche Zahl von
TFH
Elektronen, die jedes Orbital aufnehmen kann WS 2021/22 21
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 3
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018
Periodensystem
Für die Hauptquantenzahl n = 1 und die jeweils möglichen Magnetquantenzahlen m, die die
Orientierung der Orbitale im Raum definiert, sind die s-, p-, und d-Orbitale schematisch in
Abb. 1.1 dargestellt. In höheren Schalen (n > 1) kommen zusätzliche radiale Knoten dazu, die
generellen Symmetrien und Orientierung im Raum bleibt dagegen weitgehend erhalten.

Abb. 1.1 s-, p- und d-Orbitale für n=1. Die Magnetquantenzahl m, die die räumliche Ausrichtung der
Orbitale beschreibt, ist als Index zu den jeweiligen Orbitalen angegeben. Das s-Orbital ist kugelsymmetrisch
und hat damit nur eine mögliche Ausrichtung (m = 0). In höheren Schalen (n > 1) weisen die Orbitale
zusätzlich radiale Knoten auf, behalten aber weitgehend ihre axiale Symmetrie.

TFH WS 2021/22 22
zusätzlich radiale Knoten auf, behalten aber weitgehend ihre axiale Symmetrie.
Periodensystem der Elemente
1.1.2 Periodensystems der Elemente
Das Periodensystem der Elemente, das ursprünglich entwickelt wurde, um die Elemente nach
ihrer chemischen Ähnlichkeit zu tabellieren, läßt sich auf der Basis der atomaren
Quantenzahlen außerordentlich einfach verstehen: Jedes Element entsteht aus dem im
Periodensystem vorangehenden, indem man ein Elektron und ein Proton dazugibt (plus bei
Bedarf Neutronen zur Stabilisierung des Kerns). Das zugegebene Elektron besetzt dabei unter
Berücksichtigung des Pauli-Prinzip den energetisch günstigsten der jeweils noch freien
Orbitalzustände. Das allgemeine Füllschema ist in Tabelle 1.0C dargestellt, wobei in der
Nomenklatur zuerst die Hauptquantenzahl n angegeben ist, gefolgt von der
Drehimpulsquantenzahl  in ihrer Orbitalbezeichnung (s, p, d, f). In Klammer ist die
maximale Zahl der Elektronen im Orbital gemäß Tab. 1.0.B aufgeführt, gefolgt von den
Elementen bzw. Elementbereichen. Das vollständige Periodensystem mit der jeweiligen
Valenzbandkonfiguration ist in Tab. 1.1 dargestellt.

Tab. 1.0C Füllschema des Periodensystems beginnend mit n = 1, 2, 3 ...und den jeweils energetisch
günstigsten Orbitalen.

TFH WS 2021/22 23
⊡ Tabelle 17.1 Periodensystem der Elemente

Periodensystem der Periodensystem

Elemente der Elemente
H1
1,008
Fe 26
55,85
Element und Ordnungszahl
Atommasse in AME ; für einige instabile Elemente in Klammern:
He 2
4,0026
Vollständiges Periodensystem
3d 6 Massenzahl des stabilsten Isotops

4s 2 Elektronenkonfiguration; die vollen Schalen der vorhergehenden der Elemente mit der
4p – Perioden sind mitzurechnen, z.B. vollständige Elektronenkonfiguration 2
1s 1 1s

Li 3 Be 4
des Fe: 1s2 2s2 2p6 3s 2 3p6 3d 6 4s 2

Ku wurde zu Rf = Rutherfordium (IUPAC 1997) B5 C6 N7 O8 F9 Ne 10

jeweiligen Valenz-
6,941 9,012 Ha wurde zu Db = Dubnium (IUPAC 1997)
Sg = Seaborgium nach Glenn T. Seaborg *1912
Bh = Bohrium (IUPAC 1997)
10,81 12,01 14,01 16,00 19,00 20,18
Elektronenkonfiguration
2s 1 2 (Niels Bohr, dänischer Physiker 1885–1962) 2 2 2 2 2 2 2s
2p – – Hs = Hassium 1 2 3 4 5 6 2p
(lat. Hassia = Hessen, deutsches Bundesland)
Mt = Meitnerium (Lise Meitner,
Na 11 Mg 12 Al 13 Si 14 P 15 S 16 Cl 17 Ar 18
österreichische Physikerin, 1878 –1968)
23,00 24,31 Ds = Darmstadtium (Sitz der Gesellschaft für Schwerionen-
forschung, GSI, an der die Elemente 107 – 112
26,98 28,09 30,97 32,06 35,45 39,95
Unregelmäßigkeiten“ in der
3s 1 2
synthetisiert wurden)
2 2 2 2 2 2 3s ”
3p – –
Rg = Roentgenium (Wilhelm Conrad Röntgen,
deutscher Physiker, 1845 – 1923) 1 2 3 4 5 6 3p Auffüllsystematik wegen
K 19
39,10
Ca 20 Sc 21
40,08 44,96
Ti 22
47,87
V 23
50,94
Cr 24 Mn 25 Fe 26 Co 27 Ni 28 Cu 29 Zn 30 Ga 31 Ge 32 As 33 Se 34 Br 35 Kr 36
52,00 54,94 55,85 58,93 58,69 63,55 65,39 69,72 72,64 74,92 78,96 79,90 83,80
Wechselwirkung zwischen
3d
4s
–
1
–
2
1
2
2
2
3
2
5
1
5
2
6
2
7
2
8
2
10
1
10
2
10
2
10
2
10
2
10
2
10
2
10
2
3d
4s
Elektronen, wichtig v.a. bei
4p – – – – – – – – – – – – 1 2 3 4 5 6 4p

Rb 37 Sr 38 Y 39 Zr 40 Nb 41 Mo 42 Tc 43 Ru 44 Rh 45 Pd 46 Ag 47 Cd 48 In 49 Sn 50 Sb 51 Te 52 J 53 Xe 54
schweren Atomen.
85,47 87,62 88,91 91,22 92,91 95,94 (98) 101,07 102,9 106,4 107,9 112,4 114,8 118,7 121,8 127,6 126,9 131,3
4d – – 1 2 4 5 6 7 8 10 10 10 10 10 10 10 10 10 4d
5s 1 2 2 2 1 1 1 1 1 – 1 2 2 2 2 2 2 2 5s
5p – – – – – – – – – – – – 1 2 3 4 5 6 5p

Cs 55 Ba 56 La 57 Hf 72 Ta 73 W 74 Re 75 Os 76 Ir 77 Pt 78 Au 79 Hg 80 Tl 81 Pb 82 Bi 83 Po 84 At 85 Rn 86
132,9 137,3 138,9 178,5 181,0 183,8 186,2 190,2 192,2 195,1 197,0 200,6 204,4 207,2 209,0 (209,0) (210,0) (222,0)
5d – – 1 2 3 4 5 6 7 9 10 10 10 10 10 10 10 10 5d
6s 1 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 2 2 2 2 2 2 2 6s
6p – – – – – – – – – – – – 1 2 3 4 5 6 6p

Fr 87 Ra 88 Ac 89 Rf 104 Db 105 Sg 106 Bh 107 Hs 108 Mt 109 Ds 110 Rg 111 112 114 116 118
(223,0) (226,0) (227) 261,1 (262,1) (263,1) (262,1) (265,1) (266,1) (269,3) (272) (277) (289) (292) (293)
6d – – 1 2? 3?
7s 1 2 2 2? 2 ? Ce 58 Pr 59 Nd 60 Pm 61 Sm 62 Eu 63 Gd 64 Tb 65 Dy 66 Ho 67 Er 68 Tm 69 Yb 70 Lu 71
7p – – – – –
4f
140,1 140,9 144,2 (145) 150,4 152,0 157,3 158,9 162,5
2 3 4 5 6 7 7 8 10
164,9 167,3 168,9
11 12 13
173,0 175,0
14 14 4f
Meschede D. (2015) Die Elemente
5d – – – – – – 1 1 – – – – – 1 5d und die Chemie. In: Gerthsen
6s 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 6s
Physik. Springer-Lehrbuch. Springer
Th 90 Pa 91 U 92 Np 93 Pu 94 Am 95 Cm 96 Bk 97 Cf 98 Es 99 Fm 100 Md 101 No 102 Lr 103
232,0 231,0 238,0 (237,0) (244,1) (243,1) (247,1) (247,1) (251,1) (252,1) (257,1) (258,1) (259,1) (262,1)
Spektrum, Berlin, Heidelberg
5f – 2 3 5 6 7 7 9 10 11 12 13 14 14 5f doi:10.1007/978-3-662-45977-5 18,
Seite 820
6d 2 1 1 – – – 1 – – – – – – 1 6d
7s 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 7s

TFH WS 2021/22 24
Systematik des Atombaus 820/821

⊡ Tabelle 17.1 Periodensystem der Elemente

TFH
Periodensystem der Elemente
H1 Fe 26 Element und Ordnungszahl He 2
1,008 55,85 Atommasse in AME ; für einige instabile Elemente in Klammern: 4,0026
3d 6 Massenzahl des stabilsten Isotops

4s 2 Elektronenkonfiguration; die vollen Schalen der vorhergehenden

4p – Perioden sind mitzurechnen, z.B. vollständige Elektronenkonfiguration 2
1s 1 1s
des Fe: 1s2 2s2 2p6 3s 2 3p6 3d 6 4s 2

Li 3 Be 4 Ku wurde zu Rf = Rutherfordium (IUPAC 1997) B5 C6 N7 O8 F9 Ne 10

6,941 9,012 Ha wurde zu Db = Dubnium (IUPAC 1997) 10,81 12,01 14,01 16,00 19,00 20,18
Sg = Seaborgium nach Glenn T. Seaborg *1912
Bh = Bohrium (IUPAC 1997)
2s 1 2 (Niels Bohr, dänischer Physiker 1885–1962) 2 2 2 2 2 2 2s
2p – – Hs = Hassium 1 2 3 4 5 6 2p
(lat. Hassia = Hessen, deutsches Bundesland)
Mt = Meitnerium (Lise Meitner,
Na 11 Mg 12 Al 13 Si 14 P 15 S 16 Cl 17 Ar 18
österreichische Physikerin, 1878 –1968)
23,00 24,31 Ds = Darmstadtium (Sitz der Gesellschaft für Schwerionen- 26,98 28,09 30,97 32,06 35,45 39,95
forschung, GSI, an der die Elemente 107 – 112
synthetisiert wurden)
3s 1 2 2 2 2 2 2 2 3s
Rg = Roentgenium (Wilhelm Conrad Röntgen,
3p – – deutscher Physiker, 1845 – 1923) 1 2 3 4 5 6 3p

K 19 Ca 20 Sc 21 Ti 22 V 23 Cr 24 Mn 25 Fe 26 Co 27 Ni 28 Cu 29 Zn 30 Ga 31 Ge 32 As 33 Se 34 Br 35 Kr 36
39,10 40,08 44,96 47,87 50,94 52,00 54,94 55,85 58,93 58,69 63,55 65,39 69,72 72,64 74,92 78,96 79,90 83,80
Periodensystem der Elemente

3d – – 1 2 3 5 5 6 7 8 10 10 10 10 10 10 10 10 3d
4s 1 2 2 2 2 1 2 2 2 2 1 2 2 2 2 2 2 2 4s
4p – – – – – – – – – – – – 1 2 3 4 5 6 4p

Rb 37 Sr 38 Y 39 Zr 40 Nb 41 Mo 42 Tc 43 Ru 44 Rh 45 Pd 46 Ag 47 Cd 48 In 49 Sn 50 Sb 51 Te 52 J 53 Xe 54
85,47 87,62 88,91 91,22 92,91 95,94 (98) 101,07 102,9 106,4 107,9 112,4 114,8 118,7 121,8 127,6 126,9 131,3
4d – – 1 2 4 5 6 7 8 10 10 10 10 10 10 10 10 10 4d
5s 1 2 2 2 1 1 1 1 1 – 1 2 2 2 2 2 2 2 5s
5p – – – – – – – – – – – – 1 2 3 4 5 6 5p

WS 2021/22
Cs 55 Ba 56 La 57 Hf 72 Ta 73 W 74 Re 75 Os 76 Ir 77 Pt 78 Au 79 Hg 80 Tl 81 Pb 82 Bi 83 Po 84 At 85 Rn 86
132,9 137,3 138,9 178,5 181,0 183,8 186,2 190,2 192,2 195,1 197,0 200,6 204,4 207,2 209,0 (209,0) (210,0) (222,0)
5d – – 1 2 3 4 5 6 7 9 10 10 10 10 10 10 10 10 5d
6s 1 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 2 2 2 2 2 2 2 6s
6p – – – – – – – – – – – – 1 2 3 4 5 6 6p

Th 90 Pa 91 U 92 Np 93 Pu 94 Am 95 Cm 96 Bk 97 Cf 98 Es 99 Fm 100 Md 101 No 102 Lr 103

232,0 231,0 238,0 (237,0) (244,1) (243,1) (247,1) (247,1) (251,1) (252,1) (257,1) (258,1) (259,1) (262,1)
5f – 2 3 5 6 7 7 9 10 11 12 13 14 14 5f
6d 2 1 1 – – – 1 – – – – – – 1 6d
7s 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 7s
25
Kristallbindungen
Tab. 1.1 Vollständiges Periodensystem der Elemente mit der jeweiligen Valenz-Elektronenkonfiguration
Bindungstypen
(Quelle: Gerthsen Physik, Springer 2010, Kap. 17; JKU Onlinekatalog)

1.1.3 Bindungstypen
Zwischen benachbarten Atomen wirken elektrostatische Bindungskräfte, die zur
VO 322.130 Halbleiter-
Molekülbildung bzw. inund Festkörperphysik
dichten (Master Elektronik
Atomanordnungen & Informationstechnik)
bei hinreichend tiefen Temperaturen zur 5
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018
Kondensation in einen geordneten Festkörper führen. Man unterscheidet vier Bindungstypen.
(i) Van-der-Waals-Bindung
Schwächster Bindungstyp, der immer auftritt, auch wenn kein Elektronenaustausch zwischen
benachbarten Atomen stattfindet. Die Van-der-Waals-Bindung beruht auf einer Dipol-Dipol-
Wechselwirkung zwischen benachbarten Atomen. Die elektrischen Dipole entstehen dabei
durch permanente oder induzierte Verschiebungen der Atomhülle gegen den Kern. Die
Bindungsenergie EB hat die charakteristische Abstandsabhängigkeit einer Dipol-Dipol-
Wechselwirkung:
EB  -1/r6 equ. 1.1
wobei r der Abstand benachbarter Atome ist. Bei sehr kleinen Abständen überlappen die
gefüllten Elektronenhüllen benachbarter Atome. Das Pauli-Verbot führt dann zu einer
Abstoßung, die oft  1/r12 angenommen wird. Diese Abstoßung gibt es immer, unabhängig
vom Bindungstyp. Wegen der sehr starken Ortsabhängigkeit der Abstoßung bei kleinen
Abständen geht man bei Kristallmodellen oft davon aus, daß sich die Atome wie starre
Kugeln verhalten.
Das vollständige Potential aus anziehendem
Dipol-Dipol-Anteil und abstoßendem Pauli-
TFH
Anteil bezeichnet man als Lennard-Jones- WS 2021/22 26
gefüllten Elektronenhüllen benachbarter Atome. Das Pauli-Verbot führt dann zu einer
Abstoßung, die oft  1/r12 angenommen wird. Diese Abstoßung gibt es immer, unabhängig
Kristallbindungen
vom Bindungstyp. Wegen der sehr starken Ortsabhängigkeit der Abstoßung bei kleinen
Van-der-Waals-Bindung
Abständen geht man bei Kristallmodellen oft davon aus, daß sich die Atome wie starre
Kugeln verhalten.
Das vollständige Potential aus anziehendem
Dipol-Dipol-Anteil und abstoßendem Pauli-
Anteil bezeichnet man als Lennard-Jones-
Potential der Form
EB = A/r12 – B/r6 equ. 1.2
A und B sind Materialkonstanten. Oft findet
man auch eine Darstellung mit den Parametern
 und , wie in Abb. 1.2 angegeben. Der
Gleichgewichtsabstand der Atome in einem
Kristall, der nur durch die Van-der-Waals-
Bindung zusammengehalten wird, erhält man
Abb. 1.2 Lennard-Jones-Potential für die
dann aus dem Minimum der EB(r)-Kurve in Van-der-Waal-Bindung
equ. 1.2.
Die Van-der-Waals-Bindung ist schwach, mit einer Bindungsenergie von 0.02 - 0.1 eV/Atom.
Dabei gilt 1eV = 1.602∙10-19 J.
Die Van-der-Waals-Bindung tritt immer auf, ist aber wegen ihrer geringen Bindungsenergie
nur relevant in Kristallen aus Atomen mit vollständig gefüllten Schalen, z.B. bei Edelgasen,
bei O2 oder N2 sowie bei Molekülkristallen und Polymeren.
(ii) Kovalente (homöopolare) Bindung
Kovalente Bindung tritt hauptsächlich bei Elementen der III., IV. und V. Hauptgruppe des
Periodensystems auf. Beispiel: Elemente der IV. Hauptgruppe haben je 4 Valenzelektronen in
TFH WS 2021/22 27
Die Van-der-Waals-Bindung tritt immer auf, ist aber wegen ihrer geringen Bindungsenergie
Kristallbindungen
nur relevant in Kristallen aus Atomen mit vollständig gefüllten Schalen, z.B. bei Edelgasen,
bei O
Kovalente 2 oder N2 sowie bei Molekülkristallen und Polymeren.
Bindung
(ii) Kovalente (homöopolare) Bindung
Kovalente Bindung tritt hauptsächlich bei Elementen der III., IV. und V. Hauptgruppe des
Periodensystems auf. Beispiel: Elemente der IV. Hauptgruppe haben je 4 Valenzelektronen in
der äußersten Schale. Mit je einem Elektron aus vier nächsten Nachbarn läßt sich eine
Edelgas-ähnliche Valenzstruktur mit einer vollständig gefüllten äußersten Schale bilden.
Jeweils zwei benachbarte Atome teilen sich ein Elektronenpaar. Dieser Elektronenaustausch
führt zu einer anziehenden Wechselwirkung.
3
Quantenmechanisch
▶ 1D Modellsystem: gesehenZwei
kommt es zur Ausbildung
Quantentöpfe, die von
ausspdem-Hybridorbitalen,
Unendlichen in die zu
einer stark gerichteten Bindung
Kontakt gebracht werden: führen: Die vier nächsten Nachbarn in einer kovalenten
Bindung bilden eine Tetraeder-Konfiguration. Kovalent gebundene Materialien
kristallisieren im Diamant- oder Zinkblende-Gitter (Kap. 2) Bei ersterem sind alle Atome
gleich (Diamant, Si, Ge), bei letzterem sind zwei unterschiedliche Atome beteiligt, z.B. eines
aus der III., das andere aus der V. Hauptgruppe. Die kovalente Bindung ist der
vorherrschende Bindungstyp in allen wichtigen Halbleitern

symmetrische Wellenfunktion

▶ Bei ausreichend kleinem Abstand führt das Eindringen der Wellenfunktion

des einen Quantentopfs in den benachbarten (Tunneln) zur Delokalisierung
des ursprünglich in einem Topf lokalisierten Teilchens.
▶ Delokalisierung führt zum Absenken der Grundzustandsenergie ⇒ Bindung
▶ rein quantenmechanischer Effekt
TFH WS 2021/22 28
Kristallbindungen
Kovalente Bindung im Kristall
▶ Bis jetzt: Wellenfunktionen für isolierte Atome,
Aufenthaltswahrscheinlichkeiten sind unabhängig von Rotation um
z-Achse.
▶ Gibt es Wellenfunktionen, die gerichtet sind und daher ein Eindringen in
das Bindungspotential des Nachbaratoms (d.h. die Delokalisierung)
maximieren?
▶ Bsp: Kohlenstoff (C): 1s 2 , 2s 2 , 2p 2 . Die Aufenthaltswahrscheinlichkeit der
Zustände der zweiten Schale reichen weiter als die der ersten Schale. Für
die kovalente Bindung sind daher die Elektronen in der zweiten Schale
bestimmend (Valenzelektronen).
▶ Die Wellenfunktionen sind (siehe vorher):

r r Polardiagramm für r = const

1 r 1

−r /2a0
ψ200 = − +2 e · ψ210 ψ211 − ψ21−1
8a03 a0 4π
r r
1 r 3

−r /2a0
ψ210 = e · cos ϑ
24a03 a0 4π
r r ψ211 + ψ21−1
1 r 3

−r /2a0
ψ2,1,±1 = ∓ e · sin ϑe ±iφ
24a03 a0 8π

TFH WS 2021/22 29
 und , wie in Abb. 1.2 angegeben. Der
Kristallbindungen
Gleichgewichtsabstand der Atome in einem
Kristall,
Kovalente der nur
Bindung durch die
im Kristall: sp3Van-der-Waals-
Hybridorbitale
Bindung zusammengehalten
Linearkombination wird, erhält
aus Wasserstoff - man Abb. 1.2Polardiagramm fürfür
Lennard-Jones-Potential r die
= a0
dann aus dem Minimum der EB(r)-Kurve in
Wellenfunktionen, die zur selben Eigenenergie Van-der-Waal-Bindung
equ. 1.2.
gehören:
Die Van-der-Waals-Bindung ist schwach, mit einer Bindungsenergie von 0.02 - 0.1 eV/Atom.ψ (2)3
-19 sp
(1) gilt11eV = 1.602∙10
Dabei J.
ψsp 3 = [−ψ200 + ψ210 + ψ2,1,1 + ψ2,1,−1 ]
2
Die Van-der-Waals-Bindung tritt immer auf, ist aber wegen ihrer geringen Bindungsenergie
1 in Kristallen aus Atomen mit vollständig gefüllten Schalen, z.B. bei Edelgasen,
nur(2)relevant
ψsp 3 = [ψ 200 − ψ 210 + ψ 2,1,1 + ψ2,1,−1 ]
bei O2 oder2 N2 sowie bei Molekülkristallen und Polymeren.
(3)
(ii) 1
ψ Kovalente
sp 3
= [ψ (homöopolare)
+ ψ − ψBindung
200 210 +ψ 2,1,1 2,1,−1 ]
Kovalente2Bindung tritt hauptsächlich bei Elementen der III., IV. und V. Hauptgruppe des
(4) 1
Periodensystems
ψ 3 = [ψ200auf. + ψBeispiel: Elemente der IV. Hauptgruppe haben je 4 Valenzelektronen in
210 + ψ2,1,1 − ψ2,1,−1 ]
derspäußersten
2 Schale. Mit je einem Elektron aus vier nächsten Nachbarn läßt sich eine
Edelgas-ähnliche
3 Valenzstruktur mit einer vollständig gefüllten äußersten Schale bilden.
sp Orbitale sind entlang der Raumdiagonale eines Würfels ausgerichtet,
Jeweils zwei benachbarte Atome teilen sich ein Elektronenpaar. Dieser Elektronenaustausch
dehnen
führt zu einer anziehendeninWechselwirkung.
sich aber nur eine Richtung vom Würfelmittelpunkt aus.
Quantenmechanisch gesehen kommt es zur Ausbildung von sp3-Hybridorbitalen, die zu
einer stark gerichteten Bindung führen: Die vier nächsten Nachbarn in einer kovalenten
Bindung bilden eine Tetraeder-Konfiguration. Kovalent gebundene Materialien
kristallisieren im Diamant- oder Zinkblende-Gitter (Kap. 2) Bei ersterem sind alle Atome
gleich (Diamant, Si, Ge), bei letzterem sind zwei unterschiedliche Atome beteiligt, z.B. eines
aus der III., das andere aus der V. Hauptgruppe. Die kovalente Bindung ist der
vorherrschende Bindungstyp in allen wichtigen Halbleitern

TFH WS 2021/22 30
Kristallbindungen
Kovalente Bindung im Kristall: Überlapp und Delokalisierung der sp3 Hybridorbitale

Abb. 1.3 Modell für die kovalente

Bindung am Beispiel des
Abb. 1.3 Modell für die kovalente
Wasserstoffmoleküls.
Bindung am BeispielLage
(a): Geometrische des der Kerne und
eines Elektrons.
Wasserstoffmoleküls.
(a):(b) Bonding- undLage
Geometrische Antibonding-
der Kerne und
Kombination
eines Elektrons. der Wellenfunktionen. Das
(b) Bonding-Orbital führt zur Anhäufung der
Bonding- und Antibonding-
Elektronenladung
Kombination zwischen den Kernen
der Wellenfunktionen. Das
und verringert führt
Bonding-Orbital dadurch
zurdie Coulomb-der
Anhäufung
Abstoßung der Kerne.
Elektronenladung zwischen den Kernen
und(c) Aufspaltung der Energieniveaus in
verringert dadurch die Coulomb-
Bonding- und Antibonding-Niveaus. Die
Abstoßung der Kerne.
größte Bindungsenergie wird erreicht,
(c) wenn
Aufspaltung der Energieniveaus in
der Bonding-Zustand voll besetzt
Bonding-
und derund Antibonding-Niveaus.
Antibonding-Zustand Die
leer ist.
größte Bindungsenergie wird erreicht,
wenn der Bonding-Zustand voll besetzt
und der Antibonding-Zustand leer ist.
Aufspaltung der Energieniveaus in Bonding- und
Antibonding-Niveaus. Die größte Bindungsenergie wird
erreicht, wenn der Bonding-Zustand voll besetzt und der
Antibonding-Zustand leer ist.

Abb. 1.4 Tetraeder-Konfiguration der sp3-Bindung in den Kristallstrukturen von Diamant, Si, Ge, -Sn

TFH
Abb. 1.4 Tetraeder-Konfiguration der sp3-Bindung in den Kristallstrukturen von Diamant, Si, Ge, -Sn
WS 2021/22 31
Abb. 1.4 Tetraeder-Konfiguration der sp3-Bindung in den Kristallstrukturen von Diamant, Si, Ge, -Sn
Kristallbindungen
Kovalente Bindung im Kristall: sp2 Hybridorbitale

Abb. 1.5 Planare sp2-Bindung im Graphit. Der Bindungswinkel in der Ebene beträgt 120°. Die p z-Orbitale
liegen entlang der gestrichelten Linien. Eine einzelne Graphitebene entspricht dem Material Graphen.
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 7
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

a b
Abb. 1.6 Spezielle Formen von sp2-gebundenem Kohlenstoff. (a): C60 (Fulleren); (b): Single-Wall Carbon-
Nanotube (CNT)

TFH (iii) Ionenbindung WS 2021/22 32

a b
(partiellen) Elektronenaustausch erhält man, abhängig
zwischen von der Krisu
den Bindungspartnern
anziehenden Coulomb-Wechselwirkung zwischen den entstehenden
Kristallbindungen
a b Abb. 1.6 Spezielle Formen von sp2-gebundenem Kohlenstoff. (a): C60 (Fulleren); (b): Single-Wall Carbon-
Nanotube (CNT) Beispielsweise gibt in einem Kochsalzkristall das Na aus
der I. Hau
Valenzelektron fast vollständig an das Cl aus der VII. Hauptgruppe
Ionenbindung
Abb. 1.6 Spezielle Formen von sp2-gebundenem Kohlenstoff. (a): C60 (Fulleren); (b): Single-Wall Carbon- wird aus einem
Elektronentransfer wobei  die von
neutralen der jeweiligen
Na-Atom ein positivKr
g
Nanotube (CNT) (iii) Ionenbindung entsprechend aus Cl ein negatives Cl--Ion.
lineare KetteBeide
aus abwechselnd
haben dann eine pos
E
jeweils einer vollständig abgeschlossenen äußeren
einen Kochsalz-Kristall wird  = 1
Schale und ziehe
Ist die Elektronegativität der Atome in einem Kristall stark unterschiedlich, NaClso kommt es zum
(partiellen) ElektronenaustauschDie Bindungsenergie
zwischen beträgt dann:
den Bindungspartnern und in der Folge zu einer
(iii) Ionenbindung anziehenden Coulomb-Wechselwirkung zwischen den entstehenden Ionenrümpfen. 𝑄2 1
Beispielsweise gibt in einem Kochsalzkristall das Na aus der I. Hauptgruppe 𝐸𝐵 = −sein ∙
4𝜋𝜖0 𝑟
Ist die Elektronegativität der Atome in einem Kristall stark unterschiedlich,
Valenzelektron fast vollständig so kommt
an das Cl ausesderzum
VII. Hauptgruppe ab. Durch den
(partiellen) Elektronenaustausch zwischen den Bindungspartnern und in der wobei
FolgeQ die einer
zu effektive Ionenladung der Rümpfe+ ist.
Elektronentransfer wird aus einem neutralen Na-Atom ein positiv geladenes Na -Ion und
anziehenden Coulomb-Wechselwirkung zwischen entsprechend
den entstehenden
aus Cl einIonenrümpfen.
negatives Cl--Ion.
Wegen derBeide
1/r-Abhängigkeit ist die
haben dann eine Ionenbindung langreichweitig
Edelgaskonfiguration mit u
Beispielsweise gibt in einem Kochsalzkristall das Na jeweils
auseiner
der vollständig aus positiväußeren
abgeschlossenen
I. Hauptgruppe sein und negativ
Schalegeladenen
und ziehen Ionen. Summiert manan.
sich elektrostatisch über alle Io
Die Bindungsenergie beträgt dann: erhält man, abhängig von der Kristallstruktur, eine Bindungsenergie
Valenzelektron fast vollständig an das Cl aus der VII. Hauptgruppe ab. Durch den
𝑄2 1 𝑄2 𝛼
Elektronentransfer wird aus einem neutralen Na-Atom ein positiv geladenes Na+-Ion 𝐸𝐵 = und
− 4𝜋𝜖 ∙ 𝑟 𝐸𝐵 = − 4𝜋𝜖 ∙ 𝑟 equ. 1.3
0 0
entsprechend aus Cl ein negatives Cl--Ion. Beide haben dann eine Edelgaskonfiguration
wobei Q die effektive Ionenladung derRümpfe
mit
wobei die vonist.
der jeweiligen Kristallstruktur abhängige Madelun
jeweils einer vollständig abgeschlossenen äußeren Schale und ziehen sich elektrostatisch an.
Wegen der 1/r-Abhängigkeit istlineare Kette aus abwechselnd
die Ionenbindung positiv
langreichweitig und negativ
und besteht geladenen Ionen
abwechselnd
Die Bindungsenergie beträgt dann: einen
aus positiv und negativ geladenen Kochsalz-Kristall
Ionen. Summiert man wird  = Ionen
über alle 1.748,eines
für die Cäsiumchlorid-Stru
CsClKristalls, so
𝑄 2 erhält
1 man, abhängig von der Kristallstruktur, eine Bindungsenergie der Form:
𝐸𝐵 = − 4𝜋𝜖 ∙ 𝑟 equ.
𝑄2
1.3
𝛼
0
𝐸𝐵 = − 4𝜋𝜖 ∙ 𝑟 equ. 1.4
0
wobei Q die effektive Ionenladung der Rümpfe ist.
wobei  die von der jeweiligen Kristallstruktur abhängige Madelung-Konstante ist. Für eine
Wegen der 1/r-Abhängigkeit ist die Ionenbindung langreichweitig und besteht
lineare Kette aus abwechselnd und negativ geladenen Ionen beträgt  = 1.386, für
abwechselnd
positiv
aus positiv und negativ geladenen Ionen. Summierteinen
manKochsalz-Kristall
über alle Ionenwird  = 1.748,
eines Cäsiumchlorid-Struktur gilt  = 1.763.
für dieso
Kristalls,
erhält man, abhängig von der Kristallstruktur, eine Bindungsenergie der Form:
Abb. 1.7
𝑄2 𝛼
𝐸𝐵 = − 4𝜋𝜖 ∙ 𝑟 equ. 1.4 reine Ion
CsCl-Str
0

wobei  die von der jeweiligen Kristallstruktur abhängige Madelung-Konstante ist. Für eine + #−
lineare Kette aus abwechselnd positiv und negativ geladenen Ionen beträgt  = 1.386, für
einen Kochsalz-Kristall wird  = 1.748, für die Cäsiumchlorid-Struktur gilt  = 1.763. Abb. 1.7 Die beiden Kristalltypen für
reine Ionenbindung: (a) NaCl- und (b)
CsCl-Struktur

TFH WS 2021/22 33
Kristallbindungen
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik)
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018
8

Metallische Bindung
Ionenbindung tritt in Salzen auf, aber auch in Verbindungshalbleitern. In letzteren ist der
ionische Bindungsanteil um so größer, je weiter die Bindungspartner in den Spalten des
Periodensystems auseinander liegen. Also: II-VI-Halbleiter haben einen höheren ionischen
Bindungsanteil als III-V-Halbleiter. Beide haben zusätzlich eine kovalente
Bindungskomponente (s.o.).
Die ionische Bindung ist ungerichtet und stark, mit Bindungsenergien von 6 – 20 eV/Atom.
(iv) Metallische Bindung
Die metallische Bindung ist ein Extremfall einer durch Elektronenanhäufung zwischen den
Kernen erzeugten Bindung. Im Unterschied zur kovalenten Bindung sind die
Wellenfunktionen sehr ausgedehnt und in der Regel s-artig, d.h. isotrop. So hat etwa die 4s-
Wellenfunktion in Ni noch eine nennenswerte Amplitude beim drittnächsten Nachbaratom
(Abb. 1.6). Man kann sich daher die äußeren Valenzelektronen als so schwach gebunden
vorstellen, daß sie sich im Gitter der Ionenrümpfe fast frei bewegen können. Dadurch erklärt
sich die die hohe elektrische Leitfähigkeit.

Abb. 1.8 Amplituden der 3dzz-

Wellenfunktion und der 4s-Wellenfunktion
von Ni. r1, r2 und r3 sind die halben
Entfernungen zu den nächsten, übernächsten
und drittnächsten Nachbaratomen

TFH WS 2021/22 34
Kristallbindungen
Metallische Bindung

Abb. 1.8 Amplituden der 3dzz-

Wellenfunktion und der 4s-Wellenfunktion
von Ni. r1, r2 und r3 sind die halben
Entfernungen zu den nächsten, übernächsten
und drittnächsten Nachbaratomen

Wegen der ungerichteten Bindung sind Metalle mechanisch leicht verformbar und bilden
leicht Legierungen. Die Bindungsenergien liegen zwischen 1 und 5 eV, können also
vergleichbar groß wie in kovalent gebundenen Kristallen werden.
Einen Sonderfall stellen die Übergangsmetalle dar: Die stark lokalisierten d-Elektronen bilden
ein kovalent gebundenes Gerüst, das einen nennenswerten Beitrag zur
Gesamtbindungsenergie leistet.

TFH WS 2021/22 35
leicht Legierungen. Die Bindungsenergien liegen zwischen 1 und 5 eV, können also
vergleichbar groß wie in kovalent gebundenen Kristallen werden.
Kristallstrukturen
Einen Sonderfall stellen die Übergangsmetalle dar: Die stark lokalisierten d-Elektronen bilden
Bravaisgitter
ein kovalent gebundenes Gerüst, das einen nennenswerten Beitrag zur
Gesamtbindungsenergie leistet.

1.2 Kristallstruktur
Die Bravais Gitter
Ein Bravais-Gitter (August Bravais 1850) ist eine unendliche Anordnung von Punkten, die
durch einen Satz diskreter Translationen erzeugt wird:
𝑅⃗ = 𝑛1 𝑎1 + 𝑛2 𝑎2 + 𝑛3 𝑎3 equ. 1.5
⃗ai : primitive
ni sind ganze Zahlen und die 𝑎𝑖 sind Vektoren, die die Einheitszelle des Gitters aufspannen
und Einheitsvektoren
VO daher
322.130in drei verschiedenen
Halbleiter- Ebenen liegen.
und Festkörperphysik Im kubischen
(Master Elektronik &Gitter stehen die
Informationstechnik) 9
Einheitsvektoren
F. Schäffler, JKU, senkrecht aufeinander.
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

Im Dreidimensionalen gibt es insgesamt 14 Bravais-Gitter, die in 7 Gittersysteme unterteilt

werden können:

Gittersysteme Bravais-Gitter
primitiv (P) basiszentriert (C) volumenzentriert (I) flächenzentriert (F)
triklin
abc

120°

P C

monoklin
abc
TFH = WS 2021/22 36
Gittersysteme Bravais-Gitter
primitiv (P) basiszentriert (C) volumenzentriert (I) flächenzentriert (F)
Im Dreidimensionalen gibt es insgesamt 14 Bravais-Gitter, die in 7 Gittersysteme unterteilt
Kristallstrukturen
triklin
werden können:
Die 14 Bravais-Gitter
abc in 3D

120°
Gittersysteme Bravais-Gitter
primitiv
P (P) basiszentriert
C (C) volumenzentriert (I) flächenzentriert (F)
triklin
monoklin
abc

abc
=
120°
90°
P C

monoklin P C I F
abc
=
orthorhombisch
90°
abc
=

P C I F
P I
orthorhombisch
abc
=
tetragonal
a=bc
=
P I

tetragonal
a=bc P
TFH =
rhomboedrisch WS 2021/22 37
a=bc
Im Dreidimensionalen gibt es insgesamt 14 Bravais-Gitter, die in 7 Gittersysteme unterteilt
=
werden können:
Kristallstrukturen
Die 14 Bravais-Gitter in 3D
Gittersysteme Bravais-Gitter
primitivP(P) basiszentriert (C) volumenzentriert (I) flächenzentriert (F)
triklin
rhomboedrisch
abc
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik)
(trigonal) 10

F. Schäffler,
a=b=c JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018
120°

VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 10
P
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018
hexagonal P C
a=bc P

monoklin
hexagonal 

abc
a=bc
=
  sc: simple cubic
90°
 bcc: body centered cubic
P (sc) fcc:I (bcc)
face centered
F (fcc)cubic
P C I F
kubisch
a=b=c P (sc) I (bcc) F (fcc)

orthorhombisch
kubisch
abc
a=b=c
=


P I
Tabelle 1.2 Kristalle kommen nur in Form von Bravais-Gittern vor, deren Gitterpunkte mit einem oder mehreren
Atomen besetzt sind. Sind mehrere Atome pro Gitterpunkt vorhanden, so spricht man von einer Basis. Das
Diamantgitter beispielsweise ist ein fcc-Gitter mit zweiatomarer Basis. Die Basiskoordinaten sind (000)a und
(1/4tetragonal
Tabelle 1.2 Kristalle
1/4 1/4)a. kommen nur besteht
Das Diamantgitter in Formalso
vonaus
Bravais-Gittern vor,verschachtelten
zwei ineinander deren Gitterpunkte mit einem
fcc-Gittern, dieoder mehreren
um 1/4 der
Atomena=bc
besetzt sind.
Raumdiagonalen Sind mehrere
der kubischen Atome progegeneinander
Einheitszelle Gitterpunkt vorhanden,
verschoben sosind.
spricht man von einer Basis. Das
=
Diamantgitter beispielsweise ist ein fcc-Gitter mit zweiatomarer Basis. Die Basiskoordinaten sind (000)a und
(1/4 1/4 1/4)a. Das Diamantgitter besteht also aus zwei ineinander verschachtelten fcc-Gittern, die um 1/4 der
TFH WS 2021/22 38
Kristallstrukturen
Gittersysteme und Bravais-Gitter

▶ Die unterschiedlichen Bravaisgitter, die zu dem selben Gittersystem

gehören, sind ununterscheidbar bezüglich der Symmetrieoperationen, die
keine Translationen sind, und das Gitter trotzdem auf sich selbst abbilden
(Rotationen, Spiegelungen, Inversion, Drehspiegelungen, Drehinversionen)
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 10
▶ Solche Symmetrieoperationen
F. Schäffler, lassen mindestens
JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018 einen Punkt des Gitters
unverändert (Punktsymmetrieoperationen) oder lassen sich darstellen als
P
hintereinander ausgeführte Punktsymmetrieoperation und einer Translation
hexagonal
um einen Gittervektor.
a=bc
▶ Bsp: 
Alle Symmetrieoperationen,
 die einen Würfe (sc) in sich selbst

abbilden, bilden auch den innenzentrierten (bcc) und den flächenzentrierte
(fcc) Würfel in sich selbst ab.
P (sc) I (bcc) F (fcc)
kubisch
a=b=c


Aber: unterschiedliche Translationsoperationen, die die sc, bcc und fcc

Bravaisgitter in sich selbst abbilden:
Tabelle 1.2 Kristalle kommen nur in Form von Bravais-Gittern vor, deren Gitterpunkte mit einem oder mehreren
Atomen besetzt sind. Sind mehrere Atome pro Gitterpunkt vorhanden, so spricht man von einer Basis. Das
Diamantgitter beispielsweise ist ein fcc-Gitter mit zweiatomarer Basis. Die Basiskoordinaten sind (000)a und
TFH (1/4 1/4 1/4)a. Das Diamantgitter besteht also aus zweiWS 2021/22verschachtelten fcc-Gittern, die um 1/4 der
ineinander 39
Kristallstrukturen
Kubisches Gittersystem, unterschiedliche Translationssymmetrien
SC (PC) Bravaisgitter

BCC Bravaisgitter FCC Bravaisgitter

Die unterschiedlichen primitiven Einheitsvektoren sind färbig bzw. fett gezeichnet.

TFH WS 2021/22 40
Kristallstrukturen
Kristallstruktur = Bravaisgitter mit strukturierten Elementen an den Gitterplätzen
▶ Bis jetzt: an den Bravaisgitterplätzen befinden sich Objekte ohne
ausgezeichnete Richtungen (Kugeln, Punkte)
▶ Damit lassen sich nicht alle Kristalle beschreiben, evident bei binären
Ionenkristallen (z.B. NaCl, CsCl..)
▶ Mit ausgedehnten Objekten an den Gitterplätzen lässt sich auch z.B. NaCl
beschreiben:

TFH WS 2021/22 41
Kristallstrukturen
Kristallstruktur = Bravaisgitter mit strukturierten Elementen an den Gitterplätzen
▶ Bis jetzt: an den Bravaisgitterplätzen befinden sich Objekte ohne
ausgezeichnete Richtungen (Kugeln, Punkte)
▶ Damit lassen sich nicht alle Kristalle beschreiben, evident bei binären
Ionenkristallen (z.B. NaCl, CsCl..)
▶ Mit ausgedehnten Objekten an den Gitterplätzen lässt sich auch z.B. NaCl
beschreiben:

“Basis”

TFH WS 2021/22 41
Kristallstrukturen
Kristallstruktur = Gitter mit Basis
▶ Es existieren auch einatomige, kovalent gebundene Kristalle, die nicht
durch ein Bravaisgitter alleine beschrieben werden können:
▶ Graphen (2-dimensionaler Kohlenstoff-Kristall) weist Bienenwabenstruktur
auf:

TFH WS 2021/22 42
Kristallstrukturen
Kristallstruktur = Gitter mit Basis
▶ Es existieren auch einatomige, kovalent gebundene Kristalle, die nicht
durch ein Bravaisgitter alleine beschrieben werden können:
▶ Graphen (2-dimensionaler Kohlenstoff-Kristall) weist Bienenwabenstruktur
auf:

keine Gitterein-
heitsvektoren

Einheitsvektoren des Gitters

keine Gitterein-
heitsvektoren

Einheitsvektoren des Gitters

▶ Bravaisgitter + Basis

keine Gitterein-
heitsvektoren

Einheitsvektoren des Gitters

▶ Bravaisgitter + Basis
▶ Basisatom-Koordinaten bezüglich
der Einheitsvektoren des zugrunde
liegenden BGs

keine Gitterein-
heitsvektoren 2
3
2
3
Einheitsvektoren des Gitters

▶ Bravaisgitter + Basis
▶ Basisatom-Koordinaten bezüglich
der Einheitsvektoren des zugrunde
liegenden BGs
▶ Bienewabengitter: Basis :(0,0)
(gelb), ( 32 , 23 ) (orange)
▶ NaCl: Basis :(0,0,0) Cl− , ( 1 , 1 , 1 )
2 2 2
Na+
TFH WS 2021/22 42
Kristallstrukturen

TFH WS 2021/22 43
Kristallstrukturen

TFH WS 2021/22 44
Tabelle 1.2 Kristalle kommen nur in Form von Bravais-Gittern vor, deren Gitterpunkte mit einem oder mehreren
Kristallstrukturen
Atomen besetzt sind. Sind mehrere Atome pro Gitterpunkt vorhanden, so spricht man von einer Basis. Das
Diamantgitter beispielsweise ist ein fcc-Gitter mit zweiatomarer Basis. Die Basiskoordinaten sind (000)a und
Wichtige
(1/4Kristallstrukturen
1/4 1/4)a. Das Diamantgitter besteht also aus zwei ineinander verschachtelten fcc-Gittern, die um 1/4 der
Raumdiagonalen der kubischen Einheitszelle gegeneinander verschoben sind.

Wichtige Kristallstrukturen
Die wichtigsten der 230 Kristallstrukturen:
i) Natriumchlorid-Struktur (Kochsalzstruktur)

Typ: kubisch flächenzentriert (fcc)

Basis: Na: 0 0 0
Cl: 1/2 1/2 1/2
Koordination: 6
Beispiele: NaCl AgBr
MgO PbS
MnO PbTe
KCl

Ionenkristallstruktur mit unterschiedlich großen Ionen

TFH WS 2021/22 45
Tabelle 1.2 Kristalle kommen nur in Form von Bravais-Gittern vor, deren Gitterpunkte mit einem oder mehreren
Kristallstrukturen
Atomen besetzt sind. Sind mehrere Atome pro Gitterpunkt vorhanden, so spricht man von einer Basis. Das
Diamantgitter beispielsweise ist ein fcc-Gitter mit zweiatomarer Basis. Die Basiskoordinaten sind (000)a und
Wichtige
(1/4Kristallstrukturen
1/4 1/4)a. Das Diamantgitter besteht also aus zwei ineinander verschachtelten fcc-Gittern, die um 1/4 der
Raumdiagonalen der kubischen Einheitszelle gegeneinander verschoben sind.

Wichtige Kristallstrukturen
Die wichtigsten der 230 Kristallstrukturen:
i) Natriumchlorid-Struktur (Kochsalzstruktur)
Basis bezüglich der primitiven
Typ: kubisch flächenzentriert (fcc) fcc Einheitsvektoren, nicht
Basis: Na: 0 0 0
Cl: 1/2 1/2 1/2
bezüglich der primitiv
Koordination: 6 kubischen.
Beispiele: NaCl AgBr
MgO PbS
MnO PbTe
KCl

Ionenkristallstruktur mit unterschiedlich großen Ionen

⇒ Zwei um (1/2,1/2,1/2) verschobene fcc
Gitter.

TFH WS 2021/22 45
Kristallstrukturen
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 11
Wichtige Kristallstrukturen
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

ii) Cäsiumchlorid-Struktur

Typ: einfach kubisch (sc)

Basis: Cs: 0 0 0
Cl: 1/2 1/2 1/2
Koordination: 8
Beispiele: CsCl
CsBr
CsI
viele intermetallische Verbindungen

Ionenkristallstruktur und Metallstruktur mit

vergleichbar großen Ionen/Atomen
⇒ Zwei um (1/2,1/2,1/2) verschobene primitiv kubische Gitter.
iii) Dichteste Kugelpackung

regelmäßige Anordnung starrer Kugeln mit dichtestem

Volumenfüllgrad.
Zwei Lösungen mit identischem Füllgrad von 0.74. Jede
Kugel der ersten Ebene ist von 6 Kugeln umgeben, die
sich alle berühren (Atompositionen A). Kugeln der
zweiten Ebene füllen drei der sechs äquivalenten
Zwischenräume der ersten Ebene aus (Pos. B). Die
dritte Ebene kann entweder über den Pos. A angeordnet
sein, oder über den in der zweiten Ebene nicht benützten
Zwischenräumen C. Die Stapelfolge AB,AB,.. ergibt die
hexagonal dichteste Kugelpackung (hcp), die
Stapelfolge ABC, ABC, ... die fcc-Struktur entlang der
<111>-Richtung.
Ionenkristallstruktur mit vergleichbar großen Ionen

iii a) hcp-Struktur (Abb. links)

hexagonales Gitter mit
TFH WS 2021/22 46
dritte Ebene kann entweder über den Pos. A angeordnet
sein, oder über den in der zweiten Ebene nicht benützten
Kristallstrukturen
Zwischenräumen C. Die Stapelfolge AB,AB,.. ergibt die
hexagonal dichteste Kugelpackung (hcp), die
WichtigeStapelfolge
Kristallstrukturen
ABC, ABC, ... die fcc-Struktur entlang der
<111>-Richtung.
Ionenkristallstruktur mit vergleichbar großen Ionen

iii a) hcp-Struktur (Abb. links)

hexagonales Gitter mit
Basis: 000
2/3 1/3 1/2
Stapelfolge entlang der c-Achse:
AB, AB, ...

Miller Indizes für hcp: (hkil); i = -h-k

iii b) fcc-Gitter (Abb. rechts)

Stapelfolge entlang der <111>-Achse
ABC, ABC, ...

TFH WS 2021/22 47
dritte Ebene kann entweder über den Pos. A angeordnet
sein, oder über den in der zweiten Ebene nicht benützten
Kristallstrukturen
Zwischenräumen C. Die Stapelfolge AB,AB,.. ergibt die
hexagonal dichteste Kugelpackung (hcp), die
WichtigeStapelfolge
Kristallstrukturen
ABC, ABC, ... die fcc-Struktur entlang der
<111>-Richtung.
Ionenkristallstruktur mit vergleichbar großen Ionen

iii a) hcp-Struktur (Abb. links)

hexagonales Gitter mit
Basis: 000
2/3 1/3 1/2 bzw. 1 1 1
3 3 2
Stapelfolge entlang der c-Achse:
AB, AB, ...

Miller Indizes für hcp: (hkil); i = -h-k

iii b) fcc-Gitter (Abb. rechts)

Stapelfolge entlang der <111>-Achse
ABC, ABC, ...

TFH WS 2021/22 47
Kristallstrukturen
Wichtige Kristallstrukturen
iv) Diamant-Struktur
fcc-Gitter mit zweiatomarer
iv) Diamant-Struktur
Basis: 000 v) kub. Zinkblende-Struktur
fcc-Gitter mit zweiatomarer 1/4 1/4 1/4 fcc-Gitter mit zweiatomarer
Basis: 000 3
Basis: Zn: 000
covalente
1/4 1/4sp1/4-Bindungen; tetraedrische S: 1/4 1/4 1/4
Koordination mit 4 NN, 12 NNN
Volumenfüllung: 0.34
covalente sp3-Bindungen; tetraedrische covalente sp3-Bindungen + ionischer
Koordination mit 4 NN, 12 NNN
Beispiele: C (diamond) Bindungsanteil; tetraedrische
Volumenfüllung:
sik (Master Elektronik 0.34
& Informationstechnik) Si 12 Koordination mit 4 NN, 12 NNN
Festkörperphysik W2018 Ge Volumenfüllung: 0.34
Beispiele: C (diamond)-Sn
Si Beispiele: ZnS
Ge GaAs
-Sn InP
v) kub. Zinkblende-Struktur InSb
fcc-Gitter mit zweiatomarer
Basis: Zn: 000
S: 1/4 1/4 1/4

covalente sp3-Bindungen + ionischer

v) kub. Zinkblende-Struktur
Bindungsanteil; tetraedrische
fcc-Gitter mit zweiatomarer
Basis: Koordination
Zn: 000 mit 4 NN, 12 NNN
Volumenfüllung: 0.34
S: 1/4 1/4 1/4
Beispiele: ZnS
covalente sp3-Bindungen + ionischer
GaAs
Bindungsanteil; tetraedrischeInP
Koordination mit 4 NN, 12 NNNInSb

TFH
Volumenfüllung: 0.34 WS 2021/22 48
Kristallstrukturen
Wichtige
VOKristallstrukturen
322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 13
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

vi) hex. Zinkblende-Struktur

(Wurtzite)
hcp-Gitter mit zweiatomarer Basis

covalente sp3-Bindungen + ionischer

Bindungsanteil; tetraedrische
Koordination mit 4 NN, 12 NNN

Beispiele: GaN
ZnO
SiC
CdS
CdSe

Richtungen und Ebenen: Miller Indizes

TFH WS 2021/22 x1, y1 und z1 mit den Achsen

Ebenen in Kristallen können eindeutig durch die Schnittpunkte 49
Kristallstrukturen
Richtungen und Ebenen: die Miller Indizes

Richtungen und Ebenen: Miller Indizes

Ebenen in Kristallen können eindeutig durch die Schnittpunkte x1, y1 und z1 mit den Achsen
des Koordinatensystems definiert werden.
2 0 0
Beispiel: (0) , (1) , (0).
0 0 2
Für Kristalle verwendet man das daraus abgeleitete System der Miller-Indizes nach folgender
Vorschrift:
(1) Schnittpunkte mit den Achsen in Einheiten der Gittervektoren ausdrücken (wie im
Beispiel).
(2) Kehrwerte bilden und mit gemeinsamem Nenner multiplizieren, so daß sich ganze Zahlen
ergeben, die im gleichen Verhältnis zueinander stehen wie die drei Kehrwerte. Die drei so
ermittelten Werte definieren die Ebene (h k l) im Kristall.

Im Beispiel der obigen Achsenabschnitte ergibt sich so die (h k l)-Ebene mit den Miller-
Indizes (1 2 1), die durch Multiplikation der Kehrwerte mit dem gemeinsamen Nenner 2
entsteht.
Liegt eine Ebene parallel zu einer der Koordinatenachsen, dann liegt der Schnittpunkt der
Ebene mit dieser Achse im Unendlichen. Der Kehrwert ist dann Null. Multipliziert man die
h,k,l-Indizes mit einer ganzen Zahl, so erhält man eine Ebene, die parallel zur ursprünglichen
Ebene liegt. Negative Achsenschnittpunkte werden durch einen Querstrich über dem
entsprechenden Miller-Index bezeichnet, z.B. ℎ̅.
TFH WS 2021/22 50
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 14
Kristallstrukturen
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018
Richtungen und Ebenen: die Miller Indizes

Abb. 1.9 Beispiele für Miller-Ebenen

in einem kubischen Kristall
entsprechend den obigen Definitionen
(Quelle: Felix Kling, Wikipedia)
TFH WS 2021/22 51
(Quelle: Felix Kling, Wikipedia)

Kristallstrukturen
Richtungen und Ebenen: die Miller Indizes

Richtungen in Kristallen werden durch die Gruppe kleinster Zahlen ausgedrückt, die
untereinander dasselbe Verhältnis haben wie die Komponenten eines Vektors in gleicher
Richtung. In kubischen Kristallen stehen die (hkl)-Ebenen  auf den [hkl]-Richtungen.
Nomenklatur
(h k l): Ebene {h k l}: Ebenenklasse
[h k l]: Richtung <h k l>: Richtungsklasse
ℎ̅: negative Komponente
n∙(h k l): parallele Ebene zu (h k l)

Eine Klasse umfaßt alle äquivalenten Ebenen oder Vektoren, die mit der jeweiligen
Kristallsymmetrie verträglich sind.
In einem kubischen Kristall gilt z.B.: {1 0 0} ⇔ (100), (010), (001), (1̅00), (01̅0), (001̅)

Praktisches Beispiel:
Für CMOS-Bauelemente geeignete Silicium-Substrate ("Wafer") haben immer eine {100}-
Oberflächenorientierung wegen der geringeren Defektdichte des thermischen Gate-Oxids auf
dieser Oberfläche. Auf der Packung kann äquivalent als Orientierung (100) oder (001)
angegeben sein. Substrate für Bipolarbauelemente sind dagegen häufig {111} orientiert.
Substrate beider Orientierungsklassen werden großtechnisch hergestellt.

TFH WS 2021/22 52
Beugung an Kristallen,
VO 322.130 Reziprokes
Halbleiter- und Gitter
Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 15
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

1.3 Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter

Die Gitterkonstanten in den meisten Kristallen liegen im Bereich einiger Å (Tab. 1.3).

Material Kristalltyp Gitterkonstante Abstand der (001) Achtung: Es sind die

Gitterkonstanten der
(Å) Netzebenen (Å) konventionellen
Si Diamant 5.43 1.36 (kubischen) Einheitszellen
GaAs Zinkblende 5.65 1.41 angegeben
Tab. 1.3
NaCl Kochsalz 5.63 2.81 Gitterkonstanten
CsCl Cäsiumchlorid 4.11 2.06 wichtiger Kristalle

Zur Bestimmung der Gitterkonstanten wird Beugung von elektromagnetischen Wellen oder
von Partikeln mit Wellenlängen im Bereich der Netzebenenabstände benötigt. Dabei
wechselwirken el.-mag. Wellen und Elektronen mit den Atomhüllen, Neutronen mit den
Atomkernen.
Für el.-mag. Wellen erhält man die Wellenlänge als 𝜆𝑥 (Å) = 12.4/𝐸(𝑘𝑒𝑉), während für
Elektronen aus dem Welle/Teilchen-Dualismus folgt: 𝜆𝑒 = 12/√𝐸(𝑒𝑉). Man benötigt also
Röntgenstrahlung im Energiebereich 10 – 50 keV bzw. Elektronen mit Energien > 100 eV.
Für typische Beugungsexperimente in einem Transmissions-Elektronenmikroskop verwendet
man sehr viel kürzere Wellenlängen bei Energien von typisch 200 keV.

TFH
Braggsche Reflexionsbedingung WS 2021/22 53
Für typische Beugungsexperimente in einem Transmissions-Elektronenmikroskop verwendet
Beugung anvielKristallen,
man sehr Reziprokes
kürzere Wellenlängen Gitter
bei Energien von typisch 200 keV.
Braggsche Reflexionsbedingung
Braggsche Reflexionsbedingung
Jede Netzebene reflektiert einen Bruchteil der
einfallenden Welle elastisch. Der Gangunter-
schied zur reflektierten Welle einer benachbarten 
Netzebene beträgt dann 2(d∙sin). Konstruktive d
Interferenz erhält man genau dann, wenn gilt:
d∙sin
2d∙sin = m∙ ; m: ganze Zahl equ. 1.6
Abb. 1.10 Bragg-Beugung an Netzebenen
Dies ist die Bragg-Bedingung, die ursprünglich im Abstand d
für die Interferenz planparalleler Platten abgeleitet
wurde.
Das Konzept der Netzebenen ist allerdings nur für Ebenen mit niedrigen Miller-Indizes
schlüssig. Will man alle möglichen Bedingungen bestimmen, unter denen konstruktive
Interferenz zwischen einer einfallenden und einer ausfallenden Welle auf einen beliebigen
Kristall auftritt, so ist die Laue-Formulierung des Beugungsproblems zweckmäßiger. Dies
führt zum Begriff des reziproken Gitters, das auch eine große Rolle für die elektronischen und
optischen Eigenschaften eines Kristallgitters spielt.
Laue-Formulierung der Reflexionsbedingung
Man betrachtet zunächst die Atome eines Kristalls als punktförmige Streuzentren auf Bravais-
Gitterplätzen, die einfallende Strahlung als Kugelwellen wieder abstrahlen. (Analogie:
Huygensches Prinzip in der Optik). Scharfe Reflexe ergeben sich dann nur in den
Raumrichtungen mit konstruktiver Interferenz.
Betrachte dazu zunächst zwei Streuzentren auf einem Bravais-Gitter, deren Abstand ein
Gittervektor R ist (Abb. 1.11). Die eingestrahlte Welle sei eine ebene Welle mit Wellenvektor
2𝜋∙𝒏
̂
k, die ausfallende Welle eine ebene Welle mit Wellenvektor k'. Es gilt: 𝒌 = 𝜆 und
TFH WS 2021/22 54
man sehr viel kürzere Wellenlängen bei Energien von typisch 200 keV.

Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter

Braggsche
Huygensches Reflexionsbedingung
Prinzip, Interferenz von Kugelwellen
Jede Netzebene reflektiert einen Bruchteil der
einfallenden Welle elastisch. Der Gangunter-
schied zur reflektierten Welle einer benachbarten 
Netzebene beträgt dann 2(d∙sin). Konstruktive d
Interferenz erhält man genau dann, wenn gilt:
d∙sin
2d∙sin = m∙ ; m: ganze Zahl equ. 1.6
Abb. 1.10 Bragg-Beugung an Netzebenen
Dies ist die Bragg-Bedingung, die ursprünglich im Abstand d
für die Interferenz planparalleler Platten abgeleitet
wurde.
Das Konzept der Netzebenen ist allerdings nur für Ebenen mit niedrigen Miller-Indizes
schlüssig. Will man alle möglichen Bedingungen bestimmen, unter denen konstruktive
Interferenz zwischen einer einfallenden und einer ausfallenden Welle auf einen beliebigen
Kristall auftritt, so ist die Laue-Formulierung des Beugungsproblems zweckmäßiger. Dies
führt zum Begriff des reziproken Gitters, das auch eine große Rolle für die elektronischen und
optischen Eigenschaften eines Kristallgitters spielt.
Laue-Formulierung der Reflexionsbedingung
Man betrachtet zunächst die Atome eines Kristalls als punktförmige Streuzentren auf Bravais-
Gitterplätzen, die einfallende Strahlung als Kugelwellen wieder abstrahlen. (Analogie:
Huygensches Prinzip in der Optik). Scharfe Reflexe ergeben sich dann nur in den
Raumrichtungen mit konstruktiver Interferenz.
Betrachte dazu zunächst zwei Streuzentren auf einem Bravais-Gitter, deren Abstand ein
Gittervektor R ist (Abb. 1.11). Die eingestrahlte Welle sei eine ebene Welle mit Wellenvektor
2𝜋∙𝒏
̂
k, die ausfallende Welle eine ebene Welle mit Wellenvektor k'. Es gilt: 𝒌 = und
𝜆
ebene Welle: E = E 0 ei(kr −ωt)
TFH WS 2021/22 55
Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik)
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018
16

Laue Bedingung
2𝜋∙𝒏
̂′ 𝒌 ′
𝒌′ = 𝜆 , wobei 𝒏̂ = 𝑘 und 𝒏′ ̂ = 𝒌 Einheitsvektoren in Richtung der ein- bzw.
𝑘′
ausfallenden Welle sind. Für konstruktive Interferenz muß für den Gangunterschied gelten:
̂ − 𝒏̂′ ) = 𝑚 ∙ 𝜆
𝑹 ∙ (𝒏
Daraus
Wir ergibt
haben sich durch
außerdem Erweitern
verwendet: diemit 2/: ist elastisch, daher ändert sich die Frequenz ω und
Streuung
wegen λ = 2πcω auch die Wellenlänge durch
R(k - k') die Streuung nicht ! (c ist die Lichtgeschwindigkeit)
= 2m equ. 1.7
bzw. als äquivalente Bedingung:
eiR(k - k') = 1 equ. 1.8
(equ. 1.8 ergibt sich auch direkt, wenn man die Ortsanteile der ein- und ausfallenden ebenen
Wellen in der üblichen Exponentialdarstellung schreibt.)
Aus equ. 1.7 bzw. 1.8 erhält man die Laue-Bedingung für konstruktive Interferenz zu:
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 16
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und
R∙G = 2∙m,
Festkörperphysik W2018 equ. 1.9
wobei2𝜋∙𝒏
k ̂-′ k' := G einen sogenannten
𝒌 reziproker
′
𝒌′ = 𝜆 , wobei 𝒏̂ = und 𝒏′̂ = 𝒌 Einheitsvektoren in Richtung der ein- bzw.
Gittervektor definiert. Die
𝑘 Gesamtheit𝑘aller
′
ausfallenden Welle sind. Für
reziproken Gittervektoren konstruktive
spannt Interferenz muß für den Gangunterschied gelten:
das reziproke
𝑹 ∙ (𝒏
Gitter − 𝒏̂′Konstruktive
̂ auf. ) = 𝑚 ∙ 𝜆 Interferenz wird also
immer dann erreicht, wenn equ. 1.9 erfüllt ist
Daraus
und G einergibt sich durch
reziproker Erweiternist.
Gittervektor mit 2/:
(k - k') = 2m
Das reziproke Gitter ist nach equ. 1.8Rdie Laue Bedingung equ. 1.7
bzw. als äquivalente Bedingung:
Fouriertransformierte des realen Gitters und
wird, in Analogie zum Realraum-Gitterevon iR(k - k')
=1 equ. 1.8
drei Basisvektoren aufgespannt.
(equ. 1.8 ergibt sich auch direkt, wenn man die Ortsanteile der ein- und ausfallenden ebenen
Die Basisvektoren
Wellen A, B,Exponentialdarstellung
in der üblichen C des reziproken schreibt.)
Gitters lassen sich aus den Basisvektoren a, b, c
TFH Aus equ. 1.7 bzw. 1.8 erhält man die Laue-Bedingung WS 2021/22
für konstruktive Interferenz zu: 56
Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
▶ Den Vektor der (negativen) Richtungsänderung der ebenen Welle k − k ′
kürzen wir ab mit K ≡ k − k ′
▶ Die größte gestreute Intensität erhält man, wenn die an allen Punkten des
Bravaisgitters R n1 n2 n3 ≡ n1 a 1 + n2 a 2 + n3 a 3 gestreuten Kugelwellen
konstruktiv interferiert: (a i sind die Einheitsvektoren des Bravaisgitters
und ni ∈ Z).
▶ Welche K erfüllen die Laue-Bedingung: Für alle ni ∈ Z existieren
mn1 n2 n3 ∈ Z sodass:
R n1 n2 n3 K = 2πmn1 n2 n3 ?
(n1 a 1 + n2 a 2 + n3 a 3 )K = 2πmn1 n2 n3 (∗)

Die Schnittpunkte der Ebenenscharen senkrecht zu

a 1 , zu a 2 und zu a 3 definiert durch:

a i K = 2πmi , mi ∈ Z

ergeben alle diese K .

▶ Alle K bilden ein Gitter, das man das Reziproke Gitter nennt.
▶ Ist das Reziproke Gitter auch ein Bravais Gitter? Dann müssen
Einheitsvektoren g i für das Reziproke Gitter existieren, sodass alle
Schnittpunkte der 3 Ebenenscharen durch G hkl ≡ hg 1 + kg 2 + lg 3 mit
h, k, l ∈ Z erreicht werden können.
TFH WS 2021/22 57
Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
▶ Wir konstruieren uns Vektoren g i für die g i a j = 2πδij gilt (δij = 1 für
i = j, andernfalls ist δij = 0)
▶ g 1 steht also senkrecht auf die von a 2 und a 3 aufgespannte Ebene, usw.
▶ mit diesen g i wird:

(n1 a 1 + n2 a 2 + n3 a 3 )G hkl = (n1 a 1 + n2 a 2 + n3 a 3 )(hg 1 + kb 2 + lg 3 )

= 2πn1 h + 2πn2 k + 2πn3 l = 2πM mit M ∈ Z
▶ Gleichung (∗) wird also von K = G hkl erfüllt.
▶ Die Richtungsänderungen in einem Röntgenstreuexperiment, um die die
Röntgenstrahlen abgelenkt werden, bilden also ein Bravaisgitter mit
primitiven Einheitsvektoren g i
▶ Im 3-dimensionalen Raum können wir die Lösungen der drei (j = 1, 2, 3)
Geichungen g i a j = 2πδij je Einheitsvektor g i direkt aus den a i
ausgerechnen:
Zusammenhang mit Miller-Indices:
a2 × a3
g 1 = 2π Die Miller-Indizes einer Realraumebene (hkl)
a 1 (a 2 × a 3 )
sind die Koordinaten des kürzesten reziproken
a3 × a1
g 2 = 2π Gittervektors G hkl senkrecht zu dieser Ebene:
a 1 (a 2 × a 3 )
a1 × a2 hg 1 + kg 2 + lg 3 ⊥ (hkl)
g 3 = 2π
a 1 (a 2 × a 3 )
(Beweis: siehe Übungen)
TFH WS 2021/22 58
Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
Periodische Funktionen und Reziprokes Gitter
▶ Für eine Funktion, die periodisch auf einem Bravaisgitter variiert gilt:

f (r ) = f (r + R n1 n2 n3 )
▶ Betrachtet man die Fouriertransformierte von f , erhält man:
Z
1
F (k) = f (r )e−ir k d3 r =
2π
Z
1
= f (r + R n1 n2 n3 )e−ir k d3 r =
2π
Z
1
= f (r + R n1 n2 n3 )e−i(r +R n1 n2 n3 )k eiR n1 n2 n3 k d3 (r + R n1 n2 n3 ) =
2π
Z
1
= f (r̃ )e−ir̃ k eiR n1 n2 n3 k d3 r̃ =
2π
Z
1
=e iR n1 n2 n3 k
f (r̃ )e−ir̃ k d3 r̃ = eiR n1 n2 n3 k F (k)
2π
⇒ F (k) = 0 für eiR n1 n2 n3 k ̸= 1
Wenn k nicht aus dem Reziproken Gitter des Bravaisgitters ist, auf dem f (r )
periodisch ist, dann muss in der Fouriertransformierten F (k) = FT[f (r )] der
Fourierkoeffizient F (k) verschwinden.
TFH WS 2021/22 59
Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
Laue Bedingung und Reflexion an Gitterebene

!
Aus der Laue Bedingung R n1 n2 n3 (k − k ′ ) = 2πmn1 n2 n3 folgt ′
√k − k = G hkl .
Umformen und Ausrechnen des Betrags ergibt (mit |a| = a · a):
VO 322.130 Halbleiter- k ′ und
= |k − G hkl | ⇒(Master
Festkörperphysik k ′2 = k 2 + &GInformationstechnik)
Elektronik 2
hkl − 2k · G hkl
17
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

Wegen k’ = k (elastische Streuung) läßt sich die Laue-Bedingung in der

folgenden Form schreiben
Die Laue-Bedingung equ. 1.9 läßt sich auch in der Form schreiben:
k∙G = G2/2 equ. 1.16
Dazu wurde von der Bedingung elastischer Streuung
Gebrauch gemacht, d.h., k = k'. Es läßt sich zeigen,
daß Equ. 1.16 äquivalent zur Bragg-Bedingung equ. k∙cos = G/2 G
1.6 ist.
Equ. 1.16 hat eine einfache Interpretation: Alle k- 
k1 k ′1
Vektoren, die amStartpunkt
Endpunkt eines reziproken
Gittervektors beginnen und auf einer mittelsenkrechten k2 k ′2
Ebene zu diesem reziproken Gittervektor enden,
erfüllen die Bragg-Bedingung (Abb. 1.12). Auf dieser Abb. 1.12 Darstellung der Laue/
Bragg-Bedingung zur Konstruktion
Eigenschaft des reziproken Gitters beruht die
der Brillouin-Zone. Alle Vektoren ki,
Konstruktion der Brillouin-Zone. die auf der (gestrichelten) mittelsenk-
rechten Ebene enden (im Beispiel k1,
k2), erfüllen die Bragg-Bedingung.

Ewald-Konstruktion

TFH Zur Bestimmung aller möglicher WS 2021/22 60

Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
Laue Bedingung und Beugungsrichtungen im realen Raum: Die Ewald-Konstruktion

N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Solid State Physics, Saunders College 1976, ISBN 0-03-083993-9

TFH WS 2021/22 61
Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
Ewald-Konstruktion und Laue Methode

N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Solid State Physics, Saunders College 1976, ISBN 0-03-083993-9

TFH WS 2021/22 62
Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
Ewald-Konstruktion und Laue Methode

N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Solid State Physics, Saunders College 1976, ISBN 0-03-083993-9

TFH WS 2021/22 63
Beugung an Kristallen, Reziprokes Gitter
Ewald-Konstruktion und Laue Methode

k′
G 140

N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Solid State Physics, Saunders College 1976, ISBN 0-03-083993-9

TFH WS 2021/22 63
1.3.1 Brillouin Zone
Beugung an Kristallen, Brillouin Zone
Statt der üblichen Einheitszelle in einem Bravaisgitter, bei dem die Gitterpunkte auf den
Eckpunkten der Einheitszelle liegen, kann man auch eine sogenannte Wiegner-Seitz-Zelle
konstruieren, bei der ein Gitterpunkt in der Zelle zentriert ist. Die Wiegner-Seitz-Zelle des
reziproken Gitters heißt erste Brillouin-Zone (1. BZ). Sie wird konstruiert, indem man um den
Ursprung des reziproken Gitters die mittelsenkrechten Ebenen aller reziproken Gittervektoren
errichtet. Die 1. BZ ist dann die kleinste Zelle, die vollständig von diesen mittelsenkrechten
Ebenen begrenzt ist. Auf der Berandung der 1. BZ ist daher überall die Bragg-Bedingung
erfüllt. Diese Eigenschaft ist insbesondere für die elektronische Bandstruktur wichtig.

c)
1.BZ

Abb. 1.14 Konstruktion der 1. Brillouin-Zone für ein quadratisches (a) ein hexagonales (b) und ein
TFH schiefwinkliges Gitter in zwei Dimensionen. WS 2021/22 64
1.BZ
Beugung an Kristallen, Brillouin Zone

Für ein bekanntes Realraumgitter mit Einheitsvektoren a i lassen sich die

Einheitsvektoren aus der
Abb. 1.14 Konstruktion g 11. = 2π a 1a[a2 ×a
Brillouin-Zone
3
und aus den
für ein quadratisches
2 ×a 3 ]
(a) ein analoge Ausdrücken
hexagonales (b) und ein mit
schiefwinkliges Gitter in zwei Dimensionen.
zyklisch vertauschte Indizes für g 2/3 bestimmen. Für die wesentlichen
kubischen Gitter findet man dann die in Tab. 1.4 aufgelisteten
Aus der Definition der des reziproken Gitters Realraum reziproker Raum
Transformationseigenschaften.
(equ. 1.10) lassen sich für ein bekanntes sc sc
Realraumgitter einfach die Basisvektoren A, B, C bcc
Realraum reziproker
bestimmen. Für die wesentlichen kubischen Gitter
Raum fcc
fcc bcc
sc
findet man dann die in Tab. 1.4 aufgelisteten sc
Transformationseigenschaften. bcc Tab. 1.4 Transformation kubischer Gitter
fcc vom Realraum in den reziproken Raum
fcc bcc

Die entsprechenden dreidimensionalen Brillouin-Zonen von fcc- und bcc-Gitter sowie des
hexagonalen Gitters sind in den nachfolgenden Abbildungen mit den jeweiligen
Hauptsymmetriepunkten und-richtungen dargestellt. Insbesondere die 1. BZ des fcc-Gitters
(Abb. 1.15) spielt eine wichtige Rolle, da die meisten Halbleiter ein fcc-Gitter (mit
zweiatomarer Basis) besitzen und daher die Bandstrukturen in dieser Brillouin-Zone
dargestellt werden.

TFH WS 2021/22 65
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 19
Beugung an Kristallen
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018
Erste Brillouin Zonen wichtiger Kristallstrukturen

Abb. 1.15 Die für Halbleiter wichtige erste

Brillouin-Zone des fcc-Gitters ist ein
Oktaeder mit abgeschnittenen Ecken.
Dadurch ergibt sich eine Oberfläche aus
Sechsecken und Quadraten. Die
Hauptsymmetrierichtungen werden mit
 = <100>,  = <110> und  = <111>
bezeichnet.  entsprich dem Zonenzentrum
(000), der -Punkt der Zonengrenze in den
<100>-Richtungen, der -Punkt der
Zonengrenze in den <110>-Richtungen und
der L-Punkt der Zonengrenze in den <111>-
Richtungen.

TFH WS 2021/22 66
Beugung an Kristallen
Erste Brillouin Zonen wichtiger Kristallstrukturen

Abb. 1.16 Analog: Brillouin-Zonen für das bcc (rhombischer Dodekaeder, links) und das hexagonale Gitter
(ebenfalls hexagonales Gitter, rechts). Die entsprechenden Hauptsymmetriepunkte sind mit ihren
gebräuchlichen Bezeichnungen markiert.

TFH WS 2021/22 67
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

Beugung an Kristallen
1.3.2 Auswahlregeln und Kristallographie
Auswahlregeln und Kristallographie
Die Gesamtheit der reziproken Gittervektoren für ein Bravais-Gitter definiert die erlaubten
Beugungsreflexe für dieses Gitter. Eine Basis aus mehreren Atomen in der Einheitszelle führt
zu einer Intensitätsmodulation der erlaubten Reflexe. Bei gleichen Atomen kann es
insbesondere zur vollständigen Auslöschung von Reflexen kommen, die im
zugrundeliegenden Bravaisgitter eigentlich erlaubt wären. Man spricht dann von verbotenen
Reflexen. Die Auslöschung wird durch den sogenannten Strukturfaktor beschrieben (Tab.
1.5). Befinden sich bei sonst gleicher Symmetrie (z.B. Zinkblende im Vergleich zu Diamant)
unterschiedliche Atome in der Einheitszelle, dann kommt es nicht mehr zur vollständigen
Auslöschung der verbotenen Reflexe. Die Streuamplitude wird dann durch die atomaren
Streufaktoren beschrieben, die von der jeweiligen Elektronenzahl und –verteilung der
Atome in der Einheitszelle abhängen.
Bravais-Gitter Abkürzung erlaubte Reflexe verbotene Reflexe
Simple cubic sc alle h, k, l keine
Body-centered cubic bcc h + k + l gerade h + k + l ungerade
h, k, l alle ungerade oder h, k, l gemischt
Face-centered cubic fcc
alle gerade gerade/ungerade
fcc; Basis (000), alle ungerade, oder gerade gemischt, oder gerade &
Diamant
(1/4 1/4 1/4) & h+k+l = 4n h+k+l ≠ 4n
Hexagonal dichteste h + 2k = 3n
hcp l gerade, h + 2k ≠ 3n
Kugelpackung für ungerade l

Tabelle 1.5 Auswahlregeln aufgrund des Strukturfaktors für kubische Kristalle. Die (h k l) beschreiben die
Millerindizes der jeweiligen Kristallebene. "Verbotene Reflexe" führen nur bei gleicher Atomsorte (gleichem
atomaren Streufaktor) zur vollständigen Auslöschung, andernfalls nur zur starken Abschwächung.

TFH WS 2021/22 68
Bsp Strukturfaktor fcc als primitiv kubisch mit Basis

An Tafel vorgerechnet, Strukturfaktor analog zu Streuung an zwei Streuern

eingeführt

TFH WS 2021/22 69
Tabelle 1.5 Auswahlregeln aufgrund des Strukturfaktors für kubische Kristalle. Die (h k l) beschreiben die
Beugung an Kristallen
Millerindizes der jeweiligen Kristallebene. "Verbotene Reflexe" führen nur bei gleicher Atomsorte (gleichem
Auswahlregeln
atomarenund Kristallographie
Streufaktor) zur vollständigen Auslöschung, andernfalls nur zur starken Abschwächung.

Abb. 1.17
Abbildung des Realraumgitters und des reziproken Gitters mit dem Transmissionselektronenmikroskop.
Durch ein (magnetisches) Linsensystem lassen sich im TEM beide Gitter direkt abbilden. Das reziproke
Gitter läßt sich aber auch durch eine Fouriertransformation aus dem realen Gitter erzeugen.
A: Realraum-TEM-Bild des Kristallgitters eines Si-Kristalls. Der einfallende Elektronenstrahl senkrecht
zur Bildebene bewegt sich entlang der [110]-Richtung. Wegen der Auswahlregeln für Diamant werden nur
die {111}-Netzebenen abgebildet.
B: Beugungsbild einer Si/Ge-Heterostruktur im TEM mit Bezeichnung der Beugungsreflexe (Miller-
Indizes der entsprechenden Netzebenen). Wegen der um 4.2% unterschiedlichen Gitterkonstanten von Si
und Ge kommt es zu einer Aufspaltung der jeweiligen Reflexe. Die größere Gitterkonstante von Ge führt zu
kleineren Beugungswinkeln bei den Ge-Reflexen. Quelle: W. Schwinger, Magisterarbeit JKU (2003)

TFH WS 2021/22 70
Beugung an Kristallen
Auswahlregeln und Kristallographie

▶ Der Abstand zwischen benachbarten Netzebenen ⊥ G hkl ist

2π 2π
dhkl = √ = |G hkl |
G hkl G hkl
2π
√
▶ Achtung: nur im kubischen Bravaisgitter gilt: |G hkl | =
a
h2 + k 2 + l 2
▶ für nicht-kubische Gitter: qP
3
p
|G h1 h2 h3Halbleiter-
VO 322.130
| = Gund h3 G h1 h2 h3 | = (Master
h1 h2Festkörperphysik hi hj g &i gInformationstechnik)
Elektronik
i,j=1 j , weil g i undg j nicht 21
F. Schäffler, JKU, Institut für senkrecht
notwendigerweise Halbleiter- und Festkörperphysik
kann man nicht g i W2018
g j = 0 verwenden !!!
Nützliche Beziehungen:

Aus der Bedingung für Bragg-Reflexe kann man in kubischen Systemen den
Netzebenenabstand d aus der Gitterkonstante a und den Miller-Indizes der Ebene wie folgt
bestimmen:
2𝜋 𝑎
𝑑 = |𝑮⃗⃗ = √ℎ2 equ. 1.17
ℎ𝑘𝑙 | +𝑘 2 +𝑙2

D.h., Ghkl steht senkrecht auf der (hkl)-Ebene und der Netzebenenabstand beträgt 2/Ghkl.

In Kombination mit der Bragg-Bedingung ergibt sich dann:

𝜆 2 𝑠𝑖𝑛2 𝜃
( ) = equ. 1.18
2𝑎 ℎ2 +𝑘 2 +𝑙2

2. Bändermodell
TFH WS 2021/22 71
⃗⃗ ℎ𝑘𝑙 |
|𝑮 √ℎ2 +𝑘 2 +𝑙2

D.h., Ghkl steht senkrecht auf der (hkl)-Ebene und der Netzebenenabstand beträgt 2/Ghkl.
Bändermodell
In Kombination mit der Bragg-Bedingung ergibt sich dann:
𝜆 2 𝑠𝑖𝑛2 𝜃
( ) = equ. 1.18
2𝑎 ℎ2 +𝑘 2 +𝑙2

2. Bändermodell

2.1 Tight-Binding Modell

Die elektronischen Eigenschaften eines Festkörpers hängen von den Energieniveaus der
beteiligten Atome und der Wechselwirkung zwischen den Elektronenzuständen ab. Dabei
spielen für den Elektronentransport und die optischen Eigenschaften i. R. nur die obersten
Elektronenzustände (Valenzelektronen) eine Rolle. Die Valenzelektronen sind i. w. auch für
die Bindung der Atome im Kristall verantwortlich. Tiefer liegende Elektronen sind meist so
stark an den jeweiligen Atomkern gebunden (tight-binding), daß sie weder bei der Bindung
noch bei den Transporteigenschaften eine Rolle spielen.

Leitungsband

Energie
p
Bandlücke s
TFH WS 2021/22 72
die Bindung der Atome im Kristall verantwortlich. Tiefer liegende Elektronen sind meist so
stark an den jeweiligen Atomkern gebunden (tight-binding), daß sie weder bei der Bindung
Bändermodell
noch bei den Transporteigenschaften eine Rolle spielen.
Tight-Binding Modell

12 fache Koordination

Leitungsband
8 fache Koordination

Energie
p
Bandlücke s

Valenzband
4 fache Koordination

0 a
Gitterabstand
0
Abb. 2.1 Schematische Darstellung der Bandentstehung: Haben Atome hinreichend großen Abstand, so
sind ihre Energienieveaus diskret; im Beispiel: s- und p- Elektronen wie bei den Valenzelektronen der Gruppe-
IV-Elemente. Verringert man den Abstand immer mehr, so kommt es zur Aufspaltung in bindende und
antibindende Orbitale (Linearkombinationen der Wellenfunktionen, vgl. Abb. 1.1). Bei typisch 1023 Atomen
pro cm3 gibt es eine sehr große Zahl von Linearkombinationen und damit ein quasi-kontinuierliches Spektrum
von Energieniveaus. Die diskreten Energieniveaus verbreitern sich zu Bändern. Überlappen bei weiterer
Verkleinerung des Atomabstands die Bänder der s- und p-Orbitale, so sind weiter Linearkombinationen der
Wellenfunktionen möglich. Dadurch können Energielücken (verbotene Energiebereiche) entstehen. Sind im
letzten mit Elektronen gefüllte Band alle Zustände gefüllt, und ist dieses Band vom nächsten durch eine Lücke
getrennt, so entsteht ein Isolator oder Halbleiter. Ist das letzte Band teilweise gefüllt, so entsteht ein Metall.
TFH WS 2021/22 73
VO 322.130 Halbleiter- und Festkörperphysik (Master Elektronik & Informationstechnik) 22
Bändermodell
F. Schäffler, JKU, Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik W2018

2.2 Bandlücke im fast-freien Elektronenmodell

In Metallen und in Halbleitern verhalten sich die obersten besetzten Valenzelektronen fast wie
freie Elektronen. Im periodischen Potential der Atomrümpfe kann man sich das so vorstellen,
daß die obersten Elektronenzustände oberhalb der überlappenden Coulombpotentiale der
Atome liegen. Die zugehörigen Wellenfunktionen sind dann innerhalb des Kristalls delokalisiert

V(r)

e∙

Z+ Z+ Z+ Z+
a r

Abb. 2.2 Schematische Darstellung eines Metalls mit fast freien Elektronen. In den überlappenden
Coulomb-Potentialen eines Festkörpers (hier aus nur 4 Atomen mit Kernladung Z+) gibt es gebundenen
(dünne blaue Linien) und fast freien Elektronen (dicke blaue Linie). Die beiden Coulomb-Potentiale ganz
rechts bzw. links haben nur auf einer Seite nächste Nachbarn. Sie definieren Oberflächenbarrieren, die
bewirken, daß die Elektronen den Kristall nur verlassen können, wenn sie die Austrittsarbeit e∙ aufbringen.

TFH delokalisiert. Die Coulombpotentiale an denWS 2021/22

Kristalloberflächen verhindern, daß diese 74
(dünne blaue Linien) und fast freien Elektronen (dicke blaue Linie). Die beiden Coulomb-Potentiale ganz
rechts bzw. links haben nur auf einer Seite nächste Nachbarn. Sie definieren Oberflächenbarrieren, die
Bändermodell
bewirken, daß die Elektronen den Kristall nur verlassen können, wenn sie die Austrittsarbeit e∙ aufbringen.
Bandlücke im fast-freien Elektronenmodell
delokalisiert. Die Coulombpotentiale an den Kristalloberflächen verhindern, daß diese
Leitungselektronen den Kristall verlassen können: dazu müssen sie die Austrittsarbeit e∙
(typisch 3-5 eV) überwinden (siehe Abb. 2.2).
Für freie Elektronen gilt die klassische Dispersionsrelation zwischen der kinetischen Energie
E und dem Impuls p=mv:
1 𝑝2 ℏ2 𝑘 2
𝐸(𝑘) = 2 𝑚𝑣 2 = 2𝑚 = equ. 2.1
2𝑚

⃗;
Dabei wurde im letzten Schritt vom Welle-Teilchen-Dualismus Gebrauch gemacht: 𝑝 = ℏ𝑘
2𝜋
𝑘 = 𝜆 ist dabei der Betrag des Wellenvektors. Man sieht aus equ. 2.1, daß die Dispersions-
relation eines freien Elektrons im Reziproken (oder k-) Raum eine Parabel ist.
Im klassischen Fall eines freien Elektrons im Vakuum ist der Impuls 𝑝 = ℏ𝑘 ⃗ eine
Erhaltungsgröße. Im periodischen Festkörper gilt das nur noch bis auf Vielfache (modulo)
eines reziproken Gitterimpulses ℏ𝐺 . Man erhält also die gleiche Energie wie in equ. 2.1, wenn
man einen beliebigen Gitterimpuls ℏ𝐺 zu ℏ𝑘 ⃗ addiert. Der Elektronenimpuls im Festkörper
wird daher oft als Quasi-Impuls bezeichnet. Es gilt also
2 𝟐 2 (𝑘+𝐺)2
𝐸(𝑘 ⃗ + 𝐺) = ℏ 𝑘 = ℏ
⃗ ) = 𝐸(𝑘 equ. 2.2
2𝑚 2𝑚

Das quasi-frei Elektron kann also mit dem Gitter Impuls in Einheiten von ℏ𝐺 austauschen.
Wie wir gesehen haben, findet dieser Impulsaustausch auch bei der Röntgen- bzw.
Elektronenbeugung statt, und zwar immer dann, wenn die Bragg-Bedingung erfüllt ist.

TFH WS 2021/22 75
Bandstruktur
Betrachtung im Fourier-Raum

▶ Wegen der Translationsinvarianz von V (r ) unter Verschiebungen um R nml

tragen nur Wellenvektoren des reziproken Gitters zu Fourier-Zerlegung von
V (r ) bei: V (r ) = l VG l eiG l r wobei G l = l1 g 1 + l2 g 2 + l3 g 3 und
P
a i g j = 2πδij
Ck eikr
P
▶ Fourier-Ansatz für ψ =
k
p2

▶ Einsetzen in Hψ = + V (r ) ψ = E ψ, p = ℏi ∇:
2m

X ℏ2 k 2 X ′
+G l )r
X
Ck eikr + Ck ′ VG l ei(k =E Ck eikr
2m
k k ′ ,G l k

▶ Umbenennen der Summations-Indices k ′′ ′

= k + G l , umordnen:
" #
ℏ2 k 2
X X
ikr
e −E Ck + Ck−G l VG l =0
2m
k Gl

′
▶ gilt für alle r , d.h [·] = 0 für alle k (bzw.: Multiplizieren mit e−ik r
und
Integration über Grundgebiet führt auf δk,k ′ )

TFH WS 2021/22 76
Bandstruktur
Betrachtungh
im Fourier-Raum
i
ℏ2 k 2
P
(**) 2m
− E Ck + Gl
Ck−G l VG l = 0 ist ein ∞-dimensionales
Gleichungssystem: Wir suchen ∞ viele Koeffizienten Ck , die durch ∞
Gleichungen (für jedes k eine) bestimmt werden.
▶ In einer Gleichung für ein spezielles k kommen allerdings nicht alle
gesuchten Koeffizienten Ck vor, sondern nur jene, für die sich die Indices
um Vektoren G l des reziproken Raums unterscheiden.
▶ Es sind also nicht alle Gleichungen gekoppelt, sondern nur jene, bei denen
sich die k-s um einen Vektor des reziproken Gitters unterscheiden.
▶ für ein k i bilden also die Gleichungen für k = k i − G 0 , k = k i − G 1 , · · ·
schon ein geschlossenes Gleichungssystem:
.. .. ..
. . .
ℏ2 ki2
h i
P
2m
− E Ck i + Gl
Ck i −G l VG l = 0
(††)
ℏ2 (ki −G 0 )2
h P i
2m
− E Ck i −G 0 + Gl
Ck i −G 0 −G l VG l = 0
.. .. ..
. . .
das die Bestimmung der Koeffizienten Ck i , Ck i −G l , · · · erlaubt.
(**) zerfällt also in ∞ viele, untereinander ungekoppelte Systeme
(k )
charakterisiert durch ki mit Lösungen CG l i
TFH WS 2021/22 77
Bandstruktur
Das Bloch Theorem im Fourier-Raum
(k )
Ck eikr :
P
Einsetzen der CG l i in die Entwicklung ψ = k
(k ) (k )
X
CG l i ei(k i −G l )r = eik i r CG l i e−iG l r ≡ eik i r uk i (r ) ⇒ Bloch Theorem
P
ψ= Gl
Gl
| {z }
gitterperiodisch
Darstellung von (††) als Matrix Eigenwertgleichung (mit G 0 + G l → G ′l ):
X ℏ2
(k )
∀G 0 : (k i − G 0 )2 − E δG 0 G ′ + VG 0 −G ′ CG ′i = 0
2m l l l
G′
l
2π
Beispiel: eindimensionales Potential V (x ) mit Periode a: G l = e
a x
·l
.. .. .. .. ..
 
. .
 
 2 . . .  .. .
 ℏ (k − 4π )2 − E V−1 V−2 V−3 V−4 · · ·  
 2m a   c−2 
ℏ2
 · · · V1 2m
(k − 2π
a
)2 − E V−1 V−2 V−3 · · ·  c 
  −1 
ℏ2 2

 · · · V2 V1 k − E V −1 V −2 · · ·   c0  = 0
2m
ℏ2
  
2π 2   c1 
 · · · V3 V2 V1 2m
(k + a
) − E V −1 · · ·  c 
ℏ2  2 

4π 2
 · · · V4 V3 V2 V1 2m
(k + a
) − E  .
.. .. .. .. ..

..
. . . . .
⇒ En (k), ψnk periodisch im Rez. Raum (k → k + n 2π
a
: nur die Diagonale verschiebt sich:
(k+n 2π ) (k)
E (k + n 2π
n
TFH a
) = En (k), ci+n a
= ci ) WS 2021/22 78
Bandstruktur
Nahezu leeres Gitter, Ausbildung der Bandlücke, eindimensional