TU Darmstadt
Fachgebiet Name:__________________________________
Terahertz Bauelemente und
Terahertz Systeme Vorname: _______________________________
Prof. Dr. Sascha Preu
Matr.-Nr.: _______________________________
FB / Studiengang: ________________________
Klausur Prüfungsart:
„Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ Bachelor 1. Versuch
Wintersemester xxx/xxx Master 2. Versuch
DATUM Nachweisschein 3. Versuch
1 2 3 4 5
Summe Bonus Gesamt Note
Nur Ergebnisse mit angegebenen Formeln, Rechenweg und Einheiten werden bewertet.
Nicht mit Bleistift schreiben sondern mit dokumentenechtem Stift, kein TippEx verwenden!
Antworten dürfen in deutscher und englischer Sprache formuliert werden.
Mit Q gekennzeichnete Teilaufgaben können als Quereinstieg ohne vorher berechnete
Ergebnisse genutzt werden. Die Zahlenwerte des Quereinstiegs können sich von den korrekt
errechneten Werten der Voraufgaben unterscheiden.
k BT
Falls nicht anders angegeben, gilt: 1) Uth(300K) ≈ 26 mV; Uth =
e
2) vollständige Ionisation der Dotierstoffe
3) Die Bandlückenenergie sei näherungsweise
temperaturunabhängig
Klausur-Nr.
1
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 -2-
Aufgabe 1: Grundmaterial
Gegeben sei p-dotiertes, kristallines Silizium ((a), links) und ein Metall ((b), rechts):
(1) Benennen Sie einen Dotierstoff, mit dem eine p-Dotierung im Bild (a) technisch 1P
realisiert werden kann. Zeichnen Sie eine sinnvolle, ungefähre Lage der
Dotierniveaus (𝐸 ) in Bild (a) mit ein.
(2) Zeichnen Sie für beide Fälle eine (mögliche) Position der Fermi-Energie in obige 2P
Bilder ein.
(3) Der Halbleiter sei mit p=2 1016 /cm³ dotiert. Berechnen Sie die Lage der Fermi- 2P
Energie relativ zum Valenzband. Nehmen Sie vollständige Ionisierung der
Dotierstellen an. Die Materialparameter von Silizium können Sie dem Beiblatt
entnehmen.
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 -3-
(4) Welcher Typ (Elektron oder Loch) liegt beim Majoritätsladungsträger vor, 1P
welcher beim Minoritätsladungsträger? Das Ergebnis wird nur gewertet, wenn
beide korrekt sind.
Majoritätsladungsträger =
Minoritätsladungsträger =
(5) Bestimmen Sie die Konzentration der Minoritätsladungsträger bei vollständiger 2P
Ionisierung der Dotierstoffe. Die Materialparameter von Silizium können Sie dem
Beiblatt entnehmen.
(6) Der spezifische Leitwert des dotierten Siliziums beträgt 𝜎 𝜎 130 S/m. 2P
Berechnen Sie die Mobilität der Majoritätsladungsträger.
(7) Erklären Sie qualitativ im Vergleich zu 300 K, wie sich die Mobilität bei 1P
Temperaturen deutlich über 300 K verändert und erläutern Sie die Ursache!
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 -4-
(8) Die nachfolgende Abbildung zeigt die Zahl freier Ladungsträger in einem 2P
dotierten Halbleiter. Erklären Sie den Anstieg in den Bereichen (II) und (IV)!
Bereich (II):
Bereich (IV):
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 -5-
Aufgabe 2: pn-Übergang/p-i-n Diode
a) Welche Aussage ist richtig? (Nur eine Aussage pro Unteraufgabe ist korrekt) 5P
Tragen Sie die Buchstaben der jeweils richtigen Aussage hier ein:
(1) (2) (3) (4) (5)
(1) Eine ideale Messung des elektrischen Potentials (der Spannung) zwischen den
Anschlüssen einer unbeleuchteten InGaAs pn-Diode ohne äußere Spannungsquelle
im thermischen Gleichgewicht ergibt
a) einen Strom in Abhängigkeit vom Dotierstoffgradienten des pn-Übergangs.
b) eine Spannung, die der Bandlückenenergie entspricht, 𝑈 𝐸 /𝑒.
c) eine Spannung von 0 V.
d) eine Spannung, die dem eingebauten Potential, 𝜙 entspricht.
(2) Zur vereinfachten Modellierung eines p+/n Übergangs
a) wird die „Square law“ Theorie angewandt.
b) wird die „Bulk charge“ Theorie verwendet.
c) werden die Majoritätsladungsträger vernachlässigt.
d) wird ein abruptes Dotierstoffprofil angenommen.
(3) Bei einer pn-Diode wird der negative Pol einer Batterie mit dem n-Gebiet verbunden
und der positive Pol mit dem p-Gebiet. Dadurch wird
a) die Weite der Raumladungszone reduziert.
b) Das Feld in der Raumladungszone größer.
c) die Weite der Raumladungszone vergrößert.
d) das Diffusionspotential über dem pn-Kontakt erhöht.
(4) Die Raumladungszone am pn-Übergang entsteht durch
a) Diffusion und Drift von Ladungsträgern sowie Rekombination.
b) Anlegen einer externen Spannung in Sperrichtung
c) Anlegen einer externen Spannung in Durchgangsrichtung/Flussrichtung
d) Anhäufung von Elektronen auf der n-Seite und Löchern auf der p-Seite.
(5) Für die intrinsische Schicht einer unbeleuchteten p-i-n Diode bei 0V externer
Spannung gilt:
a) Die intrinsische Schicht ist feldfrei.
b) Die intrinsische Schicht ist ladungsfrei.
c) Sie weist ein parabolisches Bandprofil 𝜙 𝑥 auf.
d) Das Potential 𝜙 𝑥 ist innerhalb der intrinsischen Schicht konstant.
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 -6-
b) Gegeben sei nachfolgendes Diagramm der Raumladungsdichte eines abrupten pn-
Übergangs einer Silizium-Diode.
(1) Welche Seite ist höher dotiert? Begründen Sie Ihre Antwort! 1P
(2) Im Folgenden sei nun eine Silizium-Diode mit ND=1 1018 /cm³ und 2P
NA=2.5 1017 /cm³ (abruptes Dotierprofil) dotiert. Berechnen Sie das eingebaute
Potential.
Bemerkung: Das Dotierprofil stimmt nicht mit dem aus Teilaufgabe 1 überein.
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 -7-
(3) Berechnen Sie die Breite der Raumladungszone bei 𝑈 0.5V bei den in 2P
Teilaufgabe 2 genannten Dotierungen. Bitte entnehmen Sie notwendige
Materialparameter für Silizium aus dem Beiblatt.
(4) Zeichnen Sie qualitativ in untenstehendes Diagramm die Bandstruktur des pn- 4P
Übergangs bei einer angelegten Spannung von U= -0.5 V. Die Zeichnung soll
beinhalten: das Valenzband, das Leitungsband, die angelegte Spannung, das am
Übergang abfallende Gesamtpotential (𝑈 𝜙 𝑈), die Fermi-Energie auf
der n-Seite, die Fermi-Energie auf der p-Seite (jeweils nur außerhalb der
Raumladungszone) sowie die Raumladungszone. Wie groß ist 𝑑 /𝑑 ?
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 -8-
(5) Die Diode soll als Varaktor-Diode eingesetzt werden. Bestimmen Sie die 4P
Kapazität 𝐶 , bei 0 V externer Spannung. Die Querschnittsfläche betrage 1000
µm². Wie groß ist die Änderung der Kapazität, wenn die Spannung von -0.5V auf
+0.5V angehoben wird?
Hinweis: Verwenden Sie eine eingebaute Spannung von 1 V falls Ihnen diese
nicht aus den vorigen Aufgaben bekannt sein sollten. Q
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 -9-
Aufgabe 3: Metall-Halbleiter-Übergang und spezielle Dioden
a) Metall-Halbleiter-Kontakt
(1) Beschriften Sie im nachfolgenden Diagramm die beiden grauen Pfeile. Handelt es 3P
sich um einen ohmschen oder um einen Schottky Kontakt? Begründen Sie dies kurz!
(2) Zeichnen Sie qualitativ die IV-Charakteristik eines Metall-Halbleiter-Kontakts mit 1P
n-dotiertem Silizium und einem Metall, das eine größere Austrittsarbeit aufweist
wie Silizium ( 𝜙 𝜙 ). Der Halbleiter soll nur schwach dotiert sein.
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 - 10 -
(3) Die Dotierung wird nun auf einen sehr hohen Wert von n=1 1020 /cm³ erhöht. 2P
Zeichnen Sie qualitativ die IV Charakteristik in untenstehendes Diagramm und
begründen Sie das Verhalten.
b) Ein Lastwiderstand 𝑅 soll vor Überspannung geschützt werden. Zeichnen Sie in den 4P
nachfolgenden Steckplan die fehlenden Bauteile ein, die prinzipiell einen Schutz vor
Überspannung ermöglichen, falls 𝑈 𝑈 , , den regulären Betrieb mit einer definierten
(maximalen) Betriebsspannung 𝑈 , aber nicht gefährden. Im Falle einer
Überspannung soll der Strom, den die Spannungsquelle zur Verfügung stellt, begrenzt
werden (Überlastschutz). Jeder Steckplatz soll nur mit einem Bauteil belegt werden.
Ihnen stehen folgende Bauteile zur Verfügung: vier Zener-Dioden, zwei Kurzschlüsse,
zwei Widerstände (𝑅 ≪ 𝑅 , zwei Kondensatoren:
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 - 11 -
Aufgabe 4: MOS-Kapazität / MOSFET
UG 5P
a) Im Folgenden sind Bandstrukturen verschiedener idealer MOS-
Kondensatoren unter verschiedenen Spannungs-bedingungen
gegeben. Vervollständigen Sie die folgende Tabelle bezüglich der
Spannungsbedingungen (Akkumulation, Flachbandfall,
Verarmung, schwache Inversion und starke Inversion) und
benennen Sie den Halbleitertyp (n-Substrat, p-Substrat oder
intrinsisch) für die Bandstrukturen 1 bis 5.
Es werden nur vollständig korrekt eingetragene Zeilen bewertet.
# Bandstruktur Spannungsbedingung Halbleitertyp
1)
2)
3)
4)
5)
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 - 12 -
b) Ein Silizium-n-MOS Kondensator mit Spannung 𝑈 an der Metall-
Elektrode wie im Bild rechts dargestellt weise nachfolgende Kapazitäts-
Spannungs-Charakteristik (niederfrequente CV-Kurve) auf:
(1) Die Fläche des n-MOS-C sei 20000 µm². Berechnen Sie die Dicke des Isolators SiN 2P
anhand der Daten des obigen CV-Diagramms. Die dielektrische Konstante von SiN
sei 𝜀 3.9.
(2) Berechnen Sie die Breite der Raumladungszone im Halbleiter bei einer Spannung 3P
von U=0 V. Nehmen Sie an, dass der MOS-C bei 0 V im Verarmungsbereich
betrieben wird. Daten für Silizium entnehmen Sie bitte dem Beiblatt.
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 - 13 -
(3) Zeichnen Sie qualitativ die CV-Kennlinie eines Metall-Isolator-Metall (MIM) 1P
Kondensators in untenstehendes Diagramm.
c) MOSFETs
(1) Nachfolgendes Diagramm zeigt Ausgangskennlinien eines MOSFET im 4P
Kleinsignalfall (𝑈 ≪ 𝑈 ) für zwei Gate-Spannungen. Berechnen Sie hieraus
den Trankonduktanzparameter 𝛽 und die Schwellspannung (threshold
bias, 𝑈 ) des MOSFET. Nehmen Sie das Square Law Modell an.
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 - 14 -
(2) Am MOSFET liege nun eine Gate-Spannung von 0V an. Berechnen Sie die 3P
zweidimensionale Ladungsträgerdichte im Kanal 𝑛 und die
Ladungsträgermobilität µ unter Annahme eines perfekten Transistors (keine
Nichtidealitäten). Der Transistorkanal weise ein Verhältnis 10 auf, die Fläche
des Gates sei 30 µm² und es wurde eine Gate-Kapazität von 50 fF gemessen.
Hinweis: Sollten Ihnen aus der vorigen Aufgabe Parameter fehlen, verwenden Sie
bitte folgenden Ersatzparametersatz: 𝑈 0.75 V und 𝛽 0.3 𝑚𝐴/𝑉 . Q
(3) Betriebszustand: Der MOSFET wird nun in 2P
nebenstehende Schaltung eingebracht. Bestimmen Sie
rechnerisch den Betriebszustand (Cut-off, linearer
Bereich oder Sättigung) des Transistors.
Hinweis: Sollten Ihnen die MOSFET-Parameter nicht
bekannt sein, dürfen Sie den Ersatzparametersatz der
Q
letzten Teilaufgabe verwenden.
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 - 15 -
Aufgabe 5: Bipolartransistor
a) Gegeben sei unten stehender Querschnitt eines Bipolartransistors. Alle Anschlussgebiete
sind als ohmsch anzunehmen. Alle pn-Übergänge sind als abrupt anzunehmen.
(1) Beschriften sie sämtliche Anschlüsse der untenstehenden Skizze in einer 1P
technologisch sinnvollen Weise.
p++ p n p+
Transistorbereich
(2) Skizzieren Sie im untenstehenden Bänderdiagramm des Transistors im 2P
spannungslosen Zustand die Energieniveaus für EF, EC und EV.
p++ p n p+
(3) Kennzeichnen Sie in der nachfolgenden Kennlinienschar (common emitter 2P
Konfiguration) die Betriebsbereiche Sättigung, Vorwärts-Aktiv, Cut-off und Punch
through
Klausur „Halbleiterbauelemente – Grundlagen“ – Wintersemester xxx/xxx Klausur #1 - 16 -
b) Gegeben sei ein pnp-Transistor, mit folgenden Parametern: 4P
Emitterparameter: 𝑁 1.0 10 /cm³, 𝐿 40 nm
Basisparameter: 𝑁 1.0 10 /cm³, 𝜏 80 ns
Kollektorparameter: 𝑁 1.0 10 /cm³, 𝐿 600 nm
Die Basisbreite soll so gewählt werden, dass die Emittereffizienz wenigstens 99% beträgt.
Nehmen Sie an, dass für die effektive Basisbreite gilt 𝑊 ≪ 𝐿 . Werte für die Mobilität können
Sie dem nachfolgenden Graph entnehmen. Berechnen Sie die maximale Basisbreite.
