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1 Überblick über die Sensorik

Der Begriff des Sensors im Sinne der heutigen Anwendung ist relativ neu und keines-
wegs scharf definiert. Andere Bezeichnungen wie Meßfühler, Meßaufnehmer, Um-
wandler u.a. sind ebenfalls im Gebrauch und umfassen teilweise auch Geräte und Meß-
systeme, die hier nicht als Sensoren bezeichnet werden. In diesem Buch soll die folgende
IEC-Definition verwendet werden:
Ein SENSOR ist das primäre Element in einer Meßkette, das eine variable Ein-
gangsgröße in ein geeignetes Meßsignal umsetzt.
In diesem Sinn wollen wir unter einem Sensor ein elektronisches Bauelement ver-
stehen, das mit Anschlußdrähten versehen ist, durch welche elektrische Signale in das
Bauelement hinein und aus dem Bauelement heraus geleitet werden. Die eingegebe-
nen Signale werden innerhalb des Sensors durch Umweltparameter wie Druck, Tem-
peratur, Magnetfeld, chemische Zusammensetzung der Umgebung etc. beeinflußt, so
daß dem Sensor die fundamentale Aufgabe zukommt, eine – im allgemeinen nichte-
lektrische – Meßgröße in ein elektrisches Signal umzuwandeln. Damit ist der Sensor
ein Spezialfall eines Transducers, wenn für diesen die folgende Definition zugrun-
degelegt wird:
Ein TRANSDUCER wandelt eine Energieform (mechanisch, thermisch, ...) in eine
andere Energieform (elektrisch, mechanisch, ...) um.
Bild 1-1 gibt einen Eindruck von der Vielfalt der Kombinationen, die bei diesem Prozeß
entstehen können.
Typischerweise werden die Ausgangsanschlüsse des Sensors den Eingangsklemmen
eines elektronischen Meß-, Steuer- und Regelsystems zugeführt, das den Wert des Sen-
sorsignals verstärkt, weiterleitet, anzeigt und weitergehende Funktionen daraus ab-
leitet. Rein elektronische Systeme, z.B. auf der Basis von Mikrowellen (RADAR-Anla-
gen u.a.), die durchaus zur Messung von Umweltgrößen, wie des Abstandes oder der Ge-
schwindigkeit, verwendet werden können, enthalten nach dieser Definition keinen Sen-
sor. Daher werden solche Systeme, trotz ihrer großen Bedeutung auf vielen sensornahen
Gebieten, in diesem Band nicht behandelt.
Ein grundlegender Unterschied zwischen Sensoren und den anderen elektronischen
Bauelementen wie Widerständen, Kondensatoren, Transistoren usw., die in den Bänden
1 und 2 dieser Reihe behandelt wurden, liegt darin, daß die letztgenannten eine rein elek-
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2 1 Überblick über die Sensorik 1 Überblick über die Sensorik 3

tronische Funktion haben: Elektrische Eingangssignale werden ohne Einfluß auch die Lebensdauer des Sensors gravierend herabsetzen. Eine Druckmembran wird
z.B. auch durch Temperaturgradienten, mechanische Verspannungen oder Ablagerun-
gen von Verbrennungsprodukten in ihren Eigenschaften so verändert, daß ihre Durch-
biegung nur noch mit Einschränkungen zur Druckbestimmung verwendet werden
kann. Solche Einsatzbedingungen führen in vielen Fällen zu technischen Problemen,
die nach dem heutigen Stand der Technik überhaupt nicht, oder nur mit sehr großem Ko-
stenaufwand bewältigt werden können.
Der Gesichtspunkt des für einen Sensor zulässigen Kostenaufwands ist sehr funda-
mental und kann die Auswahl der eingesetzten Technik entscheidend beeinflussen.
Eine Temperaturkontrolle ist in jeder Kaffeemaschine erforderlich, um den Kaffee-
trinker nicht um seinen Genuß zu bringen, d.h. bei diesem Gerät muß zwangsläufig ein
Temperatursensor eingesetzt werden. Andererseits darf dieser Sensor nicht den Preis
des Geräts entscheidend in die Höhe treiben, wobei es auf ein Grad Celsius mehr oder
weniger nicht wesentlich ankommt. Gesucht ist also ein Sensor, der in einer wenig ko-
Bild 1-1: Möglichkeiten der Energieumwandlung in einem Transducer: Einem Bauelement stenaufwendigen Fertigungstechnologie hergestellt und dessen Ausgangssignal in ein-
wird eine bestimmte Energieform zugeführt, die aufgrund eines Umwelteinflusses facher Weise elektrisch weiterverarbeitet werden kann. Häufig besteht die Lösung die-
(ebenfalls darstellbar als Energie) in eine neue Energieform umgewandelt wird. Als ses Problems darin, daß sich die Fertigungstechnik des Sensors an die anderer elektroni-
Beispiel eingetragen ist der Fall eines resistiven chemischen Sensors: Ein zugeführter scher Bauelemente anlehnt, so daß die Fertigungskosten durch eine bessere Ausnutzung
elektrischer Strom führt zu einem umweltabhängigen Spannungsabfall, wenn der
vorhandener Kapazitäten gesenkt werden können und keine erheblichen Neuinvestitio-
elektrische Widerstand des Sensors abhängt von der chemischen Zusammensetzung
der Umgebung (nach [1.1], [1.6]) nen erforderlich werden.

von außen verarbeitet und als elektrische Ausgangssignale abgegeben. Umwelteinflüs-

se, wie die Umgebungstemperatur, der Umgebungsdruck, ein etwa vorhandenes
Magnetfeld etc. spielen eine meist störende parasitäre Rolle, die es nach Möglichkeit
auszuschalten gilt. Aus diesem Grund werden die rein elektronischen Bauelemente best-
möglich gegen die Umwelt abgeschirmt, sie werden gegen Umwelteinflüsse passiviert,
z.B. durch einen Einbau in ein Metall- oder Keramikgehäuse oder durch eine Umhüllung
mit einem polymeren Werkstoff (s. Band 6).
Bei Sensoren muß die Gehäusetechnik völlig anders konzipiert werden, da die Sensor-
bauelemente zumindest einer der Umweltgrößen (auf die sie ja gerade mit einer Ände-
rung der elektrischen Eigenschaften reagieren sollen) ausgesetzt werden müssen. Ande-
rerseits sollten die Sensoren gegenüber allen anderen Umweltgrößen wieder optimal
passiviert werden, damit keine Querempfindlichkeit entsteht. Hierin liegt eine der
prinzipiell vorhandenen Komplikationen in der Sensortechnik, wie das folgende Bei-
spiel zeigt:
Bild 1-2: Auswertung von Sensorsignalen:
Eine Meßaufgabe von großer praktischer Bedeutung ist die Bestimmung des zeitaufge- Während diese in der Konsumtechnik häufig nur über sehr einfache Schaltungen
lösten Druckverlaufs im Zylinder eines Verbrennungsmotors (s. Band 8 dieser Reihe). (z.B. Strom-Spannungsmessung) durchgeführt wird, erfolgt in der industriellen
Ein entsprechender Drucksensor muß zwangsläufig direkt an den Brennraum herange- Technik zunehmend eine digitale Signalverarbeitung. Diese Verfahren sind typisch
für die Präzisionsmeßtechnik, in der häufig eine aufwendige Datenverarbeitung mit
führt werden und ist dort enormen mechanischen, thermischen und chemischen Bela-
Bus-Systemen angewendet wird (nach [1.2]).
stungen ausgesetzt, die einerseits die Meßgenauigkeit beeinträchtigen, andererseits aber
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4 1 Überblick über die Sensorik 1 Überblick über die Sensorik 5

In der chemischen Verfahrenstechnik hingegen ist häufig eine außerordentlich präzise und Eigenschaften der verschiedenen Signalformen zusammengestellt.
Temperaturbestimmung erforderlich: Hier könnte z.B. die Temperaturabhängigkeit Tab. 1-1: Vergleich der Signalformen von Sensorsignalen im Hinblick auf Genauigkeit,
spezieller Schwingquarze ausgenutzt werden, die ein frequenzanaloges Signal abgeben, Störsicherheit und die Möglichkeiten einer Datenaufbereitung (nach [1.2]).
dessen Frequenz mit Hilfe moderner elektronischer Schaltungen außerordentlich genau
gemessen werden kann. Auf diese Weise ist eine Temperaturbestimmung auf einige
hundertstel Grad ohne weiteres möglich, allerdings mit einem Geräte- und Kostenauf-
wand, der bei der Kaffemaschine undenkbar – aber auch nicht erforderlich – wäre.
In beiden Fällen werden Temperatursensoren eingesetzt; die Anforderungen und der zu-
lässige Kostenrahmen führen aber zu völlig verschiedenen Problemlösungen. An die-
sem Beispiel kann man erkennen, wie weit die Randbedingungen bei der Anwendung
die Auswahl der eingesetzten Sensortechnik beeinflussen können. Bild 1-2 zeigt den
Aufbau der Signalauswertung von Sensorsignalen für die typischen Anwendungsberei-
che Konsum-, industrielle und Präzisionsmeßtechnik.
In vollständigen Meß-, Steuer- und Regeleinrichtungen erfolgt aufgrund des Sensor-
signals eine Reaktion nach außen, d.h. das Sensorsignal wird optisch angezeigt oder es
bewirkt einen Einfluß auf die Umgebung (z.B.über die Betätigung eines Schalters), der
dann wiederum von dem gleichen Sensor aufgenommen und in der Signalverarbeitung
Die folgenden beiden Tabellen geben einen Überblick über typische Eigenschaften und
ausgewertet werden kann. Die Weitergabe des elektrischen Signals an die Umwelt wird
Anwendungen von Sensoren.
durch das Gegenstück des Sensors, den Aktuator oder Aktor bewirkt (Bild 1-3).
Tab. 1-2: Sensoren: Eigenschaften und Anforderungen (nach [1.3])

Bild 1-3: Meß-, Steuer- und Regelsystem mit Sensor, Datenverarbeitung (Beispiele) und
Aktuator. Die Interfaces und ein Teil der Datenverarbeitung kann bei einigen Halb-
leitersensoren und -aktuatoren monolithisch integriert werden (intelligente Sen-
soren und Aktuatoren)

Von großer Bedeutung für die Genauigkeit und Auswertbarkeit eines Sensorsignals ist
die Signalform, die von einem Sensor ausgeht. In Tab. 1-1 sind typische Merkmale
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6 1 Überblick über die Sensorik 1 Überblick über die Sensorik 7

Tab. 1-3: Anwendungen von Sensoren mit Angabe der zu messenden Umweltgrößen Ein wichtiges Anwendungsgebiet der Sensorik liegt in der Kraftfahrzeugelektronik
(nach [1.3]) (Bild 1.4). Bild 1.5 zeigt die Aufteilung des Weltmarktes für Sensoren nach der
Meßgröße.

Bild 1.4 Elektronik im Kraftfahrzeug, unterteilt in Antriebstechnik, Kommunikation,

Sicherheit und Komfort (nach [1.4])

Bild 1.5 Marktgröße für verschiedene Sensoranwendungen (nach [1.5])

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2.1 Bändermodell 9

dern zusammengefaßt werden können.

Elektronen (hohe Energieniveaus), insbesondere die Valenzelektronen, ordnen sich

dagegen in Energiebändern an (Band 1, Abschnitt 4.1.3; Band 2, Abschnitt 2.1.1).
Die Elektronen in den Energiebändern können nicht mehr einzelnen Atomkernen zuge-
2 Ladungsträger in Festkörpern ordnet werden, sondern sie bewegen sich relativ frei im Gitter; sie besitzen Eigenschaf-
ten, die durch das periodische Potential aller Atomkerne des Festkörpers bestimmt wer-
den. Die einzelnen Energiebänder (Bereiche der Energieskala, in denen sich quantenthe-
2.1 Bändermodell oretisch erlaubte Energie(eigen)werte der Elektronen befinden) sind in der Regel durch
Wie bei fast allen elektronischen Bauelementen erfolgt auch bei Sensoren der Ladungs- eine verbotene Zone voneinander getrennt, in der es keine erlaubten Energiezustände
transport in der Regel durch einen elektrisch mehr oder weniger leitfähigen Festkör- gibt (Bild 2.1–1 entsprechend Bild 2.1.1-9 in Band 2).
per. Flüssigkeiten kommen bei den Bauelementen in Elektrolytkondensatoren, Flüs-
Die Verteilung der Elektronen auf die erlaubten Energiezustände erfolgt nach den Ge-
sigkristallanzeigen u.a., bei den Sensoren in elektrochemischen Zellen (Abschnitt 8.3)
setzen der Thermodynamik (Band 1, Abschnitt 2; Band 2, Abschnitt 1.2.1, Band 11): In
zum Einsatz. Bei Elektronenröhren, die in der Anzeigetechnik immer noch unentbehr-
einem Festkörper nimmt ein System von vielen Teilchen (Atome, Elektronen oder Lö-
lich sind, bei Photozellen, Geiger-Müller-Zählern u.a. erfolgt der Ladungstransport
cher u.a.) im thermischen Gleichgewicht einen solchen Zustand an, bei dem die dem Sy-
durch ein Gas oder das Vakuum.
stem zugeordnete freie Energie F (bei kompressiblen Systemen wie Gasen muß die
Eine Beschreibung des Festkörperverhaltens erfolgt häufig mit Hilfe des Bändermo- freie Enthalpie verwendet werden, bei einer genaueren Berechnung auch in Festkörpern
dells, das in den Bänden 1 und 2 dieser Reihe eingeführt wurde. Im folgenden werden die und Flüssigkeiten, s. Band 11, Abschnitt 4), die sich zusammensetzt aus der gesamten ki-
wichtigsten Merkmale und Eigenschaften dieses Modells noch einmal zusammenfas- netischen und potentiellen Energie W, der Entropie S des Systems und der absoluten
send dargestellt. Temperatur T entsprechend der Funktion
Eine quantentheoretische Berechnung der Elektronenkonfiguration in einem Festkör-
per führt zu dem Ergebnis, daß die stark an einen Atomkern gebundenen Elektronen (mit den minimal möglichen Wert annimmt. Für viele Anwendungen ist eine äquivalente
tief liegenden Energieniveaus) auf eng lokalisierten Bahnen um den Atomkern herum Aussage praktikabler, die besagt, daß die freie Energie pro Teilchen (n ist die Vari-
angeordnet sind (innere oder gebundene Elektronen). Schwach gebundene able der Teilchenzahl)

die auch als chemisches Potential der Elektronen oder Fermienergie WF bezeich-
net wird, im thermischen Gleichgewicht einen innerhalb des Systems konstanten, für
das System und dessen Einbettung in die Umwelt charakteristischen Wert annimmt.
Die Einstellung des thermischen Gleichgewichts für Teilchen in verschiedenen Zustän-
den setzt voraus, daß die Teilchen miteinander wechselwirken (d.h. sich gegenseitig
beeinflussen) können: Der Übergang in den Gleichgewichtszustand kommt nämlich da-
durch zustande, daß ein vorangegangener Zustand, bei dem die freie Energie möglicher-
Bild 2.1-1: Die inneren Elektronen der Atomhülle werden durch den Atomkern stark gebun- weise noch nicht minimal war, durch Stoß- und Streuprozesse der Teilchen untereinan-
den, sie können sich aus dem Einflußbereich des Atomrumpfes (Atomkern und inne- der so lange verändert wird, bis die freie Energie den niedrigstmöglichen Wert annimmt.
re Elektronen) nur mit großem Energieaufwand lösen. Im obigen Energieschema Ein thermisches Gleichgewicht kann sich also nur in Zeiträumen einstellen, die oberhalb
werden sie durch einzelne Energieniveaus oder Gruppen davon repräsentiert. Elek- der mittleren Stoßzeit (allgemeiner: Wechselwirkungszeit) zwischen zwei Teilchen
tronen mit höherer Energie sind jedoch so lose gebunden, daß ihre Eigenschaften
liegen, bzw. in Dimensionen oberhalb der mittleren Stoßlänge (mittlere freie Weglän-
durch das periodische Potential aller Atomrümpfe bestimmt werden. Solche Elektro-
nen verhalten sich näherungsweise wie freie Elektronen. In diesem Fall liegen die ge). Diese Einschränkung ist häufig nicht gravierend: mittlere Stoßzeiten liegen bei
Energieniveaus so dicht beieinander, daß sie zu quasi-kontinuierlichen Energiebän- den meisten Anwendungen im Picosekunden-, die mittleren freien Weglängen im Nano-
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10 2.1 Bändermodell 2.1 Bändermodell 11

meterbereich. Bei Frequenzen im Mikrowellenbereich und im Bereich atomarer Dimen- schen Anregung (Übergang von einem Zustand niedriger Energie in einen solchen mit
sionen, sowie bei Anwendung von Werkstoffen mit extremen Materialeigenschaften höherer Energie) nur in quantentheoretisch erlaubte, zumindest teilweise noch nicht be-
muß diese Randbedingung aber sorgfältig beachtet werden. setzte Elektronenzustände übergehen können. Solche Elektronen befinden sich vor al-
Die explizite Berechnung der Fermienergie im thermischen Gleichgewicht führt bei lem in der unmittelbaren Umgebung der Fermienergie, d.h. nach Bild 2.1-2b innerhalb
Elektronen und Löchern zu einer charakteristischen Besetzungsstatistik: Die Wahr- einer Energiebreite von ungefähr kT. Elektronen mit niedrigeren Energieeigenwerten
scheinlichkeit dafür, ob und wie stark z.B. ein Elektronenzustand mit der Energie Wn Wn << WF finden (bei Anregung mit nicht zu großen Energien) nur mit geringer
(pro Elektron) besetzt ist, wird angegeben durch die Fermi-Dirac-Funktion (k ist Wahrscheinlichkeit einen unbesetzten Zustand vor), bei Energieeigenwerten mit Wn >>
die Boltzmannkonstante, s. Anhang B): WF hingegen gibt es zu wenige Elektronen, die überhaupt angeregt werden können.
In dem Bändermodell nach Bild 2.1-1 gibt es oberhalb der besetzten Bänder noch
weitere unbesetzte Energiebänder: Diese könnten zwar im Prinzip nach den Gesetzen
der Quantentheorie mit Elektronen besetzt werden, im Festkörper sind jedoch für deren
Besetzung nicht ausreichend Elektronen vorhanden. Von besonderem Interesse sind
Bild 2.1-2 (Band 2, Bild 1.2.2-2) stellt den Verlauf dieser Funktion dar. nach der vorangegangenen Betrachtung daher gerade diejenigen Bänder (oder das
Für die chemische Bindung, sowie den Ladungstransport, sind vor allem diejenigen Band), die sich in der Umgebung der Fermienergie befinden, alle anderen spielen nur in
Elektronen von Bedeutung, welche sich in den Bändern mit den höchsten Energien Spezialfällen eine Rolle.

Bild 2.1-3: Lage der Fermienergie WF im Bändermodell: WV und WL bezeichnen die Ener-
gien der Valenz- und Leitungsbandkanten, sie begrenzen jeweils das Valenz- und
Leitungsband
a) Metalle: die Fermienergie liegt innerhalb eines Bandes
Bild 2.1-2: a) Energieabhängigkeit der Fermi-Dirac-Funktion für verschiedene Temperatu- b) Halbleiter (Beispiel Silizium): die Fermienergie liegt bei T = 0 K auf dem obe-
ren: Bei 0 K hat die Funktion den Verlauf einer Stufe, bei höheren Temperaturen ren Rand des Valenzbandes, bei T > 0 K liegt sie in der Energielücke zwischen Va-
flacht der Kurvenverlauf zunehmend ab. Bei sehr niedrigen Energien Wn geht lenz- und Leitungsband
die Besetzungswahrscheinlichkeit asymptotisch gegen Eins, bei hohen gegen
Null. c) Isolator (Beispiel Quarz, SiO2): Verhältnisse wie in b), der Bandabstand Wg
nimmt jedoch besonders große Werte an.
b) Ein Richtwert für die energetische "Breite" des Übergangsgebietes in der Be-
d) Sonderfall eines Halbmetalls: Die Fermienergie liegt wie in b) oder c), Va-
setzungswahrscheinlichkeit fFD zwischen Eins und Null ist die thermische
Energie kT. lenz- und Leitungsband haben aber solche Energiewerte, daß sie sich überlappen.
Elektrisch verhält sich dieser Werkstoff daher ähnlich wie ein Metall in a).

befinden. Die Ursache dafür liegt in der Tatsache, daß Elektronen bei einer energeti- In Bild 2.1-3 werden einige typische Fälle für die Lage der Fermienergie im Bandsche-
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12 2.1 Bändermodell 2.1 Bändermodell 13

ma und die Anordnung der Bänder betrachtet. Die speziellen Verhältnisse führen zur te ergibt sich unter den Randbedingungen der Boltzmannstatistik zu
Einteilung der Werkstoffe in Metalle, Halbleiter und Isolatoren.
Für die Sensorik haben alle drei Werkstoffklassen eine Bedeutung, bei den Isolatoren
insbesondere die keramischen Werkstoffe.
Die Berechnung der elektrischen Eigenschaften ist besonders einfach im Fall der Halb- Die für die Ladungsträger in Halbleitern relevanten Größen sind in dem Bändermodell
leiter, weil hier der klassische Grenzfall (Band 2, Abschnitt 1.2.3), bei dem die Fermi- in Bild 2.1-4 zusammengestellt. Da die Elektronen- und Löcherkonzentrationen (6) und
Dirac-Funktion in die mathematisch erheblich einfacher zu behandelnde Boltzmann- (7) in verschiedenen Bändern auftreten, können sie auch unabhängig voneinander vari-
funktion fB ieren und zunächst jeweils für sich ein thermisches Gleichgewicht bilden (Band 2, Ab-
schnitt 2.2). Dieses führt zur Entstehung zweier unabhängiger Quasifermienergien
WFnL für Elektronen und WFnV für Löcher (gemessen in der Energieskala für Elektro-
nen), die in (6) und (7) eingesetzt werden müssen.
übergeht, in der Praxis häufig realisiert ist. Innerhalb dieser Näherung können praktisch
alle relevanten Effekte ohne großen mathematischen Aufwand berechnet werden. Eine
allgemeinere Behandlung mit Anwendung der ungenäherten Fermi-Dirac-Statistik
führt in vielen Fällen zu vergleichsweise geringen numerischen Abweichungen, selten
aber zu qualitativ neuen Effekten. Deshalb werden – im Sinne einer qualitativen Be-
handlung – in diesem Band die Halbleiter häufig als Modellsubstanz verwendet, auch
wenn die eigentliche Sensorrealisierung bevorzugt mit anderen Werkstoffen (z.B. Me-
tallen) erfolgt. Eine quantitative Berechnung der elektrischen Eigenschaften von Metal-
len kann außerordentlich aufwendig werden, wobei in vielen Fällen die quantentheore-
tisch bestimmte dreidimensionale Bandstruktur (Band 2, Abschnitt 2.1.2) berücksich-
tigt werden muß.
Bei Metallen und Halbleitern wird die Dichte der Elektronen im Leitungsband bestimmt
durch

Bild 2.1-4: Bändermodell von Halbleitern: Zur Leitfähigkeit in Halbleitern tragen zwei La-
dungsträgersorten bei: die Elektronen und Löcher. Beide verhalten sich in vielen Fäl-
Dabei bezeichnet N(Wn) die Funktion der Zustandsdichte (Band 2, Abschnitt 1.1.3). len wie die Teilchen idealer Gase aus nicht wechselwirkenden Teilchen mit den po-
Unter den Voraussetzungen des klassischen Grenzfalls (Boltzmannstatistik) läßt sich tentiellen Energien WL (Elektronen) und WV (Löcher). Sie haben eine mittlere ki-
das Integral (5) geschlossen lösen, man erhält dann die besonders einfache Form netische Energie von 3kT/2. Aus den Teilchendichten können die Fermienergien
beider Gase nach (6) und (7) unmittelbar bestimmt werden. Im Bändermodell (mit der
Elektronenenergie als Abszisse) lassen sie sich eintragen als WFnL (Elektronen im
Leitungsband) und WFnV (Elektronen im Valenzband).

mit der effektiven Zustandsdichte NL. Diese Formel findet in vielen praktisch be- Aus einem Bändermodell wie in Bild 2.1-4 kann als weitere für alle thermische Effekte
deutsamen Fällen eine Anwendung. relevante Größe die Entropie pro Elektron Sn direkt abgelesen werden. Lösen wir
nämlich die Gleichungen (6) und (7) nach den Quasifermienergien auf:
In Halbleitern sind neben den Elektronen im Leitungsband auch fehlende Elektronen im
Valenzband (mit Energien dicht unterhalb der Valenzbandkante), die Defektelektro-
nen oder Löcher (Band 2, Abschnitt 2.2.3), von großer Bedeutung. Die Löcherdich-
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14 2.1 Bändermodell 2.2 Stromdichtegleichungen 15

Diese Tatsache wird bei der Auswertung thermoelektrischer Effekte verwendet werden.
Die entsprechenden Beziehungen für Löcher sind (s. Band 2, Abschnitt 2.2.4):

und vergleichen wir diesen Ausdruck mit der ursprünglichen Definition der Fermiener-
gie in (2), dann erhalten wir zunächst für Elektronen:

Auch diese Beziehung ist im Bändermodell direkt abzulesen (Bild 2.1-5). Einsetzen von
(8b) ergibt explizit für die Entropie pro Loch:

Dabei haben wir für die (innere) Energie pro Elektron Wn in (2) nach Band 2, Ab-
schnitt 2.2-4,die Summe aus potentieller Energie pro Elektron WL und mittlerer kine-
tischer Energie pro Elektron 3kT/2 eingesetzt. Die graphische Interpretation der Be-
ziehung (9) im Bändermodell zeigt, daß die differentielle Entropie Sn pro Elektron
direkt aus dem Bändermodell abgelesen werden kann (Bild 2.1-5 entsprechend Band 2,
Bild 2.2.4-4). 2.2 Stromdichtegleichungen
Haben in einem Festkörper benachbarte Bereiche 1 und 2 die unterschiedlichen Fermie-
nergien WF(1) und WF(2), dann entsteht eine treibende Kraft für eine Teilchenbewe-
gung. Die Ursache dafür liegt in der Tatsache, daß bei einem Ortswechsel pro be-
wegtem Teilchen die Entropie Sn erzeugt wird, entsprechend der Beziehung (Band
1, Abschnitt 2.2 und Band 2, Abschnitt 1.2.1)

T1 und T2 sind die Temperaturen in den Bereichen 1 und 2, die S(i)

n sind die Entropie-
beiträge pro Teilchen, die von den Anordnungsmöglichkeiten in den Bereichen i (i = 1,2)
Bild 2.1-5: Aufgrund der Beziehungen (8) und (10) kann die differentielle Entropie Sn von abhängen. Wie in den vorangegangenen Bänden ausführlich diskutiert, laufen Prozesse,
Elektronen (analog derjenigen von Löchern) direkt aus dem Bändermodell abgelesen
bei denen Entropie erzeugt wird, "von selber" ab, d.h. in unserem Fall wird eine Teil-
werden: Sie ergibt sich aus dem Energieabstand zwischen der Leitungsbandkante –
vergrößert um 3kT/2 – und der Quasifermienergie der Elektronen. chenbewegung einsetzen. Aus (2) folgt:
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16 2.2 Stromdichtegleichungen 2.2 Stromdichtegleichungen 17

Dabei wird die treibende Kraft Fchem für den Prozeß, die Entropieerzeugung beim Über-
gang, multipliziert mit der Temperatur des Systems und bezogen auf die vom Teilchen
zurückgelegte Wegstrecke x als chemische Kraft bezeichnet. Im Gegensatz zur Be-
handlung des Problems in den Bänden 1 und 2 kann aber in der Sensorik nicht von iso-
thermen Systemen (T = const) ausgegangen werden, d.h. der Einfluß von Tempera-
turgradienten muß berücksichtigt werden. Neben den Feld- und Diffusionskräften lie-
fern diese einen zusätzlichen Beitrag zur chemischen Kraft: die Thermokraft.
Wir wollen die Beziehung (3) zunächst für den einfachstmöglichen Fall analysieren. Le-
gen wir eine äußere Spannungsquelle an einen homogenen Leiter, dann fällt die Span-
nung linear über dem Leiter ab, es entsteht eine konstante elektrische Feldstärke (Band 1,
Abschnitt 4.1.3; Anhang C1). Zu der durch den Kristall vorgegebenen Energie Wn
tritt eine zusätzliche potentielle Energie, die sich zu den Energien der Bandkanten ad-
diert: Man erhält einen gekippten Bandverlauf mit einer (bei homogenen Systemen mit
konstanter Fermienergie) gleichermaßen gekippten Fermienergie (Bild 2.2-1).
Für den Gradienten der Fermienergie im homogenen Leiter – und damit die chemische
Kraft im isothermen Fall (T = const) erhalten wir einfach Bild 2.2-1: Bändermodell homogener Leiter ( Metall und n-Halbleiter) bei Wirkung einer von
außen angelegten elektrischen Spannung
a) Bändermodell homogener Leiter vor Anlegen der Spannung (= Potentialdifferenz)
b) Ortsabhängigkeit des elektrischen Potentials  (linearer Verlauf), der elektri-
schen Feldstärke E (konstant) und der potentiellen Energie Wnfeld in einem ho-
mogenen Leiter bei Anlegen einer äußeren Spannung
c) Bändermodell nach Anlegen der Spannung

Für die Berechnung der Wirkung auf Elektronen wird das Teilchenmodell des Elek- und Bewegungsrichtungen, die innerhalb einer mittleren Stoßzeit <> miteinander
tronengases (Band 1, Abschnitt 4.1.3; Band 2, Abschnitte 1 und 2) zugrundegelegt: in Wechselwirkung (z.B. durch einen Stoß) treten und dabei sowohl die Geschwindig-
Die Elektronen verhalten sich wie Gasteilchen mit verschiedenen Geschwindigkeiten keit, als auch die Bewegungsrichtung verändern. Zwischen zwei Stößen innerhalb der
Zeit <> legen sie eine mittlere freie Weglänge <> in ihrer ursprünglichen Bewe-
gungsrichtung (bei Abwesenheit äußerer Kräfte) zurück. Die Kenngrößen <> und <
> waren in Abschnitt 2.1 bereits zur Bestimmung der "Einstellzeit" einer Fermie-
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18 2.2 Stromdichtegleichungen 2.2 Stromdichtegleichungen 19

nergie (Zeit für den Übergang in ein lokales thermisches Gleichgewicht) herangezogen skussion in Band 1, Abschnitt 2.7.2, Band 2, Abschnitte 4.3.2 und 4.3.3).
worden. Bei Anwendung der Boltzmannäherung (2.1-4), die zu den Ausdrücken (2.1-6
Die Proportionalitätskonstante zwischen Driftgeschwindigkeit und chemischer Kraft
und 7) führte, ist das Modell des Elektronengases eine natürliche Konsequenz: Die
wird in der Elektrotechnik definiert als Quotient aus der Ladungsträgerbeweglich-
"klassische" Gasstatistik, die von ungeladenen Gasteilchen ausgeht, welche nur durch
keit  und der Elementarladung |q|:
einen mechanischen Zusammenstoß miteinander wechselwirken können (also nicht
über eine Streuung, d.h. gegenseitige Ablenkung aufgrund eines langreichweitigen
Wechselwirkungsfeldes), führt zu denselben Eigenschaften wie die von Elektronen in
einem Potentialkasten (Band 1, Abschnitt 1.2.3). d.h. für den Fall des homogenen Leiters in (5 und 6) ergibt sich einfach (der Index n be-
zieht sich auf den Ladungsträger Elektron)

Unter denselben Voraussetzungen ergibt sich für die positiv geladenen Löcher (ausführ-
liche Behandlung in Band 2, Abschnitt 4.3.2)

Durch die Teilchenbewegung wird ein Teilchenstrom erzeugt, die dazugehörige Teil-
chenstromdichte j T ist nach Band 4, Abschnitt 1.2:

Dabei muß über alle zur Teilchstromdichte beitragenden Teilchengeschwindigkeiten v k

(Summe aus der thermischen Geschwindigkeit v kth, deren Mittelwert Null beträgt,
und Driftgeschwindigkeit vD) und die dazugehörigen Teilchendichten k summiert
werden. Für Elektronen ergibt sich speziell
Bild 2.2-2 Statistische Bewegung eines Gasteilchens in der xy-Ebene unter Einfluß einer chemi-
schen Kraft Fchem in x-Richtung
a) Ballistische Bahn des Teilchens
b) Zu a) gehörende integrierte Geschwindigkeit vx in x-Richtung: Nach einigen Zu-
sammenstößen mit anderen Gasteilchen (Ablauf einiger mittlerer Stoßzeiten <>)
stellt sich eine mittlere Driftgeschwindigkeit vD in Richtung der chemischen Kraft
ein; diese ist bei nicht zu großen chemischen Kräften proportional zu Fchem.

Die Wirkung einer chemischen Kraft auf ein Elektron wird durch die Randbedingungen
des Elektronengasmodells bestimmt: Innerhalb der Zeitspanne <> wirkt nur die
chemische Kraft auf das Elektron, nicht aber eine andere Wechselwirkung, d.h. die Be-
wegung erfolgt beschleunigt (Anhang C1, ballistische Bewegung) aufgrund des von
außen angelegten Feldes. Die Richtung der Bewegung (häufig in Richtung der chemi-
schen Kraft, bei Wirkung von Magnetfeldern beispielsweise aber nicht, [Link]
5.1.1) wird durch den folgenden Stoß umgelenkt. Erst nach mehreren Stoßprozessen,
d.h. für t >> < >, überlagert sich der zeitlich veränderlichen thermischen Geschwin-
digkeit vth eine zeitlich konstante mittlere Driftgeschwindigkeit vD, die – bei nicht
zu großen wirkenden Kräften – proportional ist zur chemischen Kraft (Bild 2.2-2, s. Di-
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20 2.2 Stromdichtegleichungen 2.2 Stromdichtegleichungen 21

mit den Elektronen- und Löcherdichten n und p. Die Ladungsträgerbeweglichkei-

ten – welche die Reaktion eines Teilchens auf eine wirkende Kraft beschreiben – können
in verschiedenen Werkstoffen eine sehr unterschiedliche Größe haben: Nach der
Diskussion im Abschnitt 2.1 (s. auch Band 1, Abschnitt 4.1.3) reagieren in einem Metall Daraus ergeben sich dieTeilchenstromdichten jnT und jpT für Elektronen und Löcher
die Elektronen mit Energien weit unterhalb der Fermienergie (Fermikante) überhaupt
nicht auf die chemische Kraft, weil für diesen Prozeß keine unbesetzten Zustände zur
Verfügung stehen. Nur eine "effektive" Elektronendichte in einem Bereich der energeti-
schen Breite kT um die Fermienergie herum (und alle Elektronen mit noch größeren
Energien, deren Dichte aber wegen der relativ geringen Besetzungswahrscheinlichkeit
vernachlässigt werden kann) tragen zur Stromleitung bei, so daß man mit der Zustands-
dichte (Band 2, Abschnitt 1.1.3) N(Wn) pro Volumen anstelle von (12) auch schrei-
ben kann:

n ist in diesem Fall die (ebenfalls gemittelte) Beweglichkeit aller beweglichen Elek-
tronen in der Umgebung der Fermikante.
Man erkennt an dieser Stelle, daß die Berechnung der Stromdichte in Metallen selbst im und die elektrischen Stromdichten jn und jp zu:
einfachstmöglichen Fall bereits erhebliche Probleme aufwirft, insbesondere ist die
Kenntnis der Zustandsdichte an der Fermikante – und damit der Flächen gleicher Ener-
gie im k-Raum (Fermiflächen, Band 2, Abschnitte 2.1.2 und 2.2.1) erforderlich, was
schnell an die Grenzen des gegenwärtig vorhandenen Wissens führt. Aus diesem Grund
können viele Materialparameter metallischer Sensoren auch heute noch nur relativ un-
genau theoretisch berechnet werden, so daß weitgehend experimentell bestimmte Daten
angewendet werden müssen.
Sehr viel einfacher liegen diese Verhältnisse bei den Halbleitern, insbesondere dann,
wenn die Boltzmannäherung (2.1-4) mit den daraus resultierenden einfachen Formeln Der Gradient der Fermienergie wird auch als das von außen meßbare oder äußere
(2.1-6 und 7) angewendet werden kann (Modell des klassischen Elektronengases). elektrische Feld Ea bezeichnet:
In diesem Fall werden nur Elektronen betrachtet mit Energien weit oberhalb der Fermie-
nergie (Bild 2.1-2; Wn–WF >> kT), d.h. die Elektronen finden mit Sicherheit unbe-
setzte Zustände vor, in die sie durch Anregung über die chemische Kraft übergehen kön-
nen. Viele der bei den Halbleitern relativ einfach zu berechnenden Effekte finden sich Damit bekommen die Gleichungen (17) die Form:
auch bei Metallen wieder, wenn auch eine quantitative Übereinstimmung zwischen
Theorie und Experiment nicht erwartet werden kann.
Im folgenden werden noch einmal die relevanten Beziehungen für den allgemeinen, d.h.
nicht isothermen Fall zusammengestellt. Die chemische Kraft Fnchem und Fpchem für Elek-
tronen und Löcher ist nach (3), wenn wir die Entropie pro Elektron mit Sn (bisher allge-
meiner als Entropie pro Teilchen verwendet) und die pro Loch mit Sp bezeichnen:
Für die Entropien pro Elektron oder Loch können bei der Berechnung von Elektronen-
und Lochgasen in Boltzmann-Näherung die Ausdrücke (2.1-10 und 14) eingesetzt wer-
den.
 Seite 12

3.1 Überblick über die Temperatursensoren 23

einem negativen (NTC) Temperaturkoeffzienten.

In Verbindung mit der Selbstaufheizung eines Verbrauchers nach (1) beträgt bei kon-
stantem TK die relative Parameteränderung

3 Temperatursensoren
d.h. sie ist bei nichtverschwindendem TK unvermeidbar vorhanden.
Für die Meßgenauigkeit praktisch aller Sensoren, die für andere Meßparameter als die
3.1 Überblick Temperatur ausgelegt sind, entsteht durch die parasitäre Temperaturabhängigkeit ein li-
Die exakte Temperaturmessung gehört zu den wichtigsten und verbreitetsten Aufgaben mitierender Faktor. Dieses ist ein wichtiges Beispiel für eine Querempfindlichkeit
der Sensorik. Dabei steht nicht nur der Bedarf im Vordergrund, die Temperatur zu ken- eines Sensors, d.h. eine parasitäre Empfindlichkeit gegenüber anderen Umweltparame-
nen und darüber Regelvorgänge einzuleiten, sondern auch die Notwendigkeit, die sehr tern, die nicht gemessen werden sollen, aber sich in unvermeidbarer Weise parasitär aus-
häufig auftretende unerwünschte parasitäre Temperaturabhängigkeit vieler Effekte wirken.
zu korrigieren. Jedes System ist naturgemäß seiner Umgebungstemperatur ausgesetzt, Die große Anzahl der temperaturabhängigen physikalischen Prozesse führt auch zu ei-
die sich bedingt durch das Wetter, eine Klimatisierung oder durch Anwesenheit benach- ner großen Variationsbreite für die Verfahren und Bauelemente, die sich für eine Tem-
barter temperaturerzeugender Systeme in weiten Grenzen ändern kann. Da praktisch al- peraturmessung eignen. Sie können sich stark in dem einsetzbaren Temperaturbereich,
le physikalischen Prozesse von der Temperatur abhängen (die Temperatur ist in der ihrer Meßgenauigkeit und Zuverlässigkeit sowie in den Sensorkosten unterscheiden.
freien Energie (2.1-1) explizit enthalten!), ist eine Temperaturabhängigkeit des elektri- Tab. 3.1-1 gibt einen Überblick über die wichtigsten heute eingesetzten Temperatursen-
schen Verhaltens von Systemen prinzipiell unvermeidbar, sie kann sich nur in der Grö- soren und andere Temperaturmeßverfahren.
ßenordnung stark unterscheiden.
Tab. 3.1-1: Sensoren und Verfahren zur Temperaturmessung (nach [3.22])
Von grundsätzlicher Bedeutung ist auch die Selbstaufheizung eines stromdurchflosse-
nen Verbrauchers, bei dem die zugeführte Leistung P = U · I in die Erzeugung von
Joulescher Wärme (Band 1, Abschnitte 4.3.1 und 5.2; Band 2, Abschnitt 13.1; Band 11,
Abschnitt 1.1.6) pro Zeit (thermische Leistung) umgesetzt wird. Ein Teil dieser Wär-
meerzeugung wird durch Wärmeabführung nach außen (charakterisiert durch den Wär-
mewiderstand Rth, s. Band 1, Abschnitt 4.3.1) wieder abgegeben. Die Kontinuitäts-
gleichung für die Wärmeenergie ergibt dann bei einer Umgebungstemperatur Tu im
stationären (eingeschwungenen, d.h. zeitlich konstanten) Zustand die Temperatur:

Um die unerwünschte Wirkung von Temperaturabhängigkeiten zu vermeiden, sind

in der Regel bei Meßsystemen Kompensationsmaßnahmen erforderlich, die in vielen
Fällen eine zusätzliche Temperaturmessung und eine dadurch gesteuerte Kompensa-
tionsregelung erforderlich machen. Häufig lassen sich auch innerhalb des Sensors Para-
meter einführen, die ein entgegengesetztes Temperaturverhalten aufweisen, so daß eine
gewisse Kompensationswirkung von vornherein gegeben ist. Charakteristisch für die
Temperaturabhängigkeit einer Größe x ist der Temperaturkoeffzient Tx, abgekürzt
TK oder TC (von englisch: temperature coefficient), der definiert ist durch: Die Einsatzgebiete der Temperatursensoren sind sehr vielgestaltig, wobei die Anfor-
derungen an den zulässigen Temperaturbereich und die Meßgenauigkeit in weiten Gren-
zen variieren (Tab. 3.1-2).

Bei positivem Vorzeichen von T spricht man von einem positiven (PTC), sonst von
 Seite 13

24 3.1 Überblick über die Temperatursensoren 3.2.1 Thermokraft 25

3.2 Thermoelektrische Sensoren

Tab. 3.1-2: Anforderungen an den zulässigen Temperaturbereich und die Meßgenauigkeit bei
Temperatursensoren in verschiedenen Anwendungsgebieten (nach [3.1]). 3.2.1 Thermokraft
Wir betrachten zunächst die Stromdichtegleichungen (2.2-16 und 17) für den iso-
thermen Fall ohne Temperaturgradienten und erhalten nach Einsetzen der Ausdrücke
(2.1-8) für die (Quasi)Fermienergien:

Kennzeichnend für diese Gleichungen ist daß der Stromfluß von Elektronen und Lö-
chern aufgrund des Feldes mit verschiedenem, aufgrund des Konzentrationsgradien-
ten aber mit gleichem Vorzeichen erfolgt. Aus (1) folgt, daß im isothermen Fall ein
Teilchstromfluß nur dann stattfinden kann, wenn ein Gradient der Fermienergie vor-
liegt. Ein Unterschied der Fermienergien an zwei Orten x1 und x2 eines Systems ist
Nach dem Umsatzwert (nicht nach der Stückzahl!) gingen 1985 in den USA 2/3 der damit ein notwendiges und hinreichendes Kriterium für das Vorhandensein einer trei-
Temperatursensoren in industrielle Anwendungen und jeweils zwischen 5 und 9% in die benden Kraft, die einen Stromfluß bewirkt, sofern die Ladungsträgerdichte  und die
Anwendungsgebiete Luft- und Raumfahrt, Konsumgüter und Energieeinsparung und Beweglichkeiten  (beide werden in der spezifischen Leitfähigkeit sp zusammenge-
die Automobiltechnik; eine solche Aufteilung kann sich aber in Abhängigkeit von der faßt) hinreichend große Werte haben. Das ist charakteristisch für eine Spannungs-
technischen Entwicklung schnell ändern. quelle, wie z.B. eine elektrische Batterie: Auch sie bietet an den Polen zwei Fermie-
Wegen der fundamentalen Bedeutung der Temperaturmessung beschäftigt sich die For- nergien mit konstanter Differenz an. Entsprechend der Vorzeichenkonvention im Band
schung und Technik seit ihren Anfängen mit Temperatursensoren und anderen Tem- 11, Abschnitt 1.2.2, setzen wir
peraturmeßverfahren. Heute gilt dieses Gebiet der Sensorik als weitgehend "ausge-
reizt", d.h. die vorhandenen Realisierungsmöglichkeiten können den Bedarf im allge-
meinen gut abdecken. Zunehmend an Bedeutung gewonnen hat aber erst in den letzten
Jahren eine frequenzanaloge (s. Tab. 1.1) Temperaturmessung mit Schwingquarzen
(Abschnitt 3.6), die in Verbindung mit einer hochentwickelten Elektronik zu einer bis-
her nicht gekannten Meßgenauigkeit führte. Noch in einem relativ frühen Stadium be- Ua kennzeichnet die der Fermienergie zugeordnete äußere elektrische Spannung.
finden sich weiterhin faseroptische Systeme für die Temperaturmessung (Abschnitt Diese Spannung kann z.B. über ein Voltmeter direkt gemessen werden: Auch in diesem
Fall sorgt die Differenz der Fermienergien für einen Stromfluß durch das Voltmeter, was
6.8).
die Spannungsanzeige bewirkt. Differenzen der Fermienergien führen also immer
zu von außen meßbaren Spannungen Ua. Bei Vorliegen von Gradienten der von
außen meßbaren Spannung Ua entstehen von außen meßbare elektrische Felder Ea
gemäß (2.2-19); für die Voraussetzungen in (3) gilt dann:
 Seite 14

26 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.1 Thermokraft 27

In Festkörpern gibt es auch Spannungen, die nicht von außen meßbar sind: Werden
die Energien der Bandkanten als potentielle Energie (= Produkt aus Ladung und elektri-
schem Potential) der Ladungsträger interpretiert, dann kann ihnen eine Spannung U zu-
geordnet werden über die Definition:

Von dieser Definition war bereits beim Übergang von (1) auf (2) mit Hilfe von (2.2-5)
Gebrauch gemacht worden. Der wichtige Unterschied zwischen (4a) und (4b) liegt aber
darin, daß auch bei Anwesenheit von inneren elektrischen Feldern E nach (4b) auf-
grund der Gleichungen (2) der Stromfluß Null sein kann (wenn der Feldstrom durch ei-
nen entgegengesetzt gerichteten Diffusionsstrom exakt kompensiert wird); in diesem
Fall verschwindet in (1) der Gradient der Fermienergie, d.h. es liegt kein von außen meß-
bares Feld nach (4a) vor, obwohl ein inneres Feld vorhanden ist. Dieser Fall tritt in der
Praxis häufig auf, z.B. bei Halbleiterübergängen im thermischen Gleichgewicht (Band Bild 3.2.1-1 Thermoelektrische Effekte an einem Elektronenleiter 1 (thermoelektrisch aktiv,
2, Abschnitt 5): die inneren Felder sind mit den dort auftretenden Raumladungen über Fall I) und einer Serienschaltung desselben Elektronenleiters 1 mit einem zweiten
die Poissongleichung verknüpft. hypothetischen thermoelektrisch nicht aktiven Elektronenleiter 2 (Fall II): Nur im
Zusammenfassend kann gesagt werden, daß alle Bauelemente, welche die Funktion ei- Fall II tritt bei x1 mit der Temperatur T1 eine von außen meßbare Differenz der Fer-
mienergien auf.
ner Spannungsquelle haben, wie auch die elektrischen Batterien selber, unter isother-
Dargestellt sind:
men Bedingungen an ihren Polen eine Differenz der Fermienergien WF aufweisen
a) Aufbau des Meßsystems
müssen, daraus resultiert eine Differenz der äußeren (von außen meßbaren) Spannung
b) Ortsverlauf der Temperatur
Ua, die mit einer von außen meßbaren elektrischen Feldstärke Ea verknüpft ist. Die
c) dazugehörige Ortsabhängigkeit der Fermienergie für Elektronenleitung in einem
Existenz von inneren Feldern braucht dagegen keineswegs zu von außen meßbaren n-Halbleiter: Wir gehen aus von Gleichung (2.1-8a)
Spannungen zu führen. An dieser Aussage kann die fundamentale Bedeutung der Fer-
mienergie als Maßstab für die in einem elektrischen System fließenden Ströme er-
kannt werden.
Bei Anwesenheit von Temperaturgradienten ändert sich die oben beschriebene und setzen eine ortsunabhängige Dotierung der Konzentration n << NLan (WL und NLwerden als
Bedeutung der Fermienergie grundsätzlich: Nach (2.2-14 und 16) gilt z.B. für konstant angenommen): In diesem Fall ergibt sich bei einem Temperaturverlauf
Elektronen: wie in b) ein linearer Abfall der Fermienergie mit dem Ort.
d) Ortsabhängigkeit der Fermienergie für Löcherleitung in einem p-Halbleiter:
Wir gehen aus von Gleichung (2.1-8b)

Dabei bezeichnet WF(n)L die für die Elektronen im Leitungsband bestimmende Quasi-
und setzen ortsunabhängige Dotierung p an (WV und NV werden als konstant angenommen): In
diesem Fall ergibt sich bei einem Temperaturverlauf wie in b) ungefähr ein linearer
Anstieg der Fermienergie mit dem Ort.
 Seite 15

28 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.1 Thermokraft 29

fermienergie. Bei einem n-Leiter im thermischen Gleichgewicht entspricht sie der Fer- Verbindung der beiden Schenkel des Thermoelements: Dort können sich ursprünglich
mienergie WF des Leiters. vorhandene Unterschiede in der Größe der Fermienergie durch Elektronenübergänge
ausgleichen, dieses erfolgt durch den Aufbau von Raumladungen (Band 1, Abschnitt
Auch bei Anwesenheit eines Gradienten der Fermienergie kann nach (5) beim Auftreten
2.8.3; Band 2, Abschnitt 5) innerhalb einer außerordentlich kurzen Zeit. In Bild
von Temperaturgradienten der Stromfluß verschwinden, wenn nämlich der Tempera-
3.2.1-1 können wir daher die Kurven mit den Ortsabhängigkeiten der Fermienergien der
turgradient gerade so groß ist, daß der zweite Term in der Klammer von (5) den ersten
Leiter 1 und 2 bei x2 miteinander verbinden, dieses ist eine der Voraussetzungen für
kompensiert (Bild 3.2.1-1, Fall I). In diesem Fall treten – trotz Anwesenheit einer äuße-
die Gültigkeit von (6c).
ren Feldstärke nach (4a) – keine von außen meßbaren elektrischen Spannungen und Fel-
der auf. Das Auftreten einer äußeren Spannung nach der Definition (3) setzt also Für den Fall II in Bild 3.2.1-1 ergibt sich, daß wir bei x1 unter der Randbedingung
voraus, daß beide Spannungspole dieselbe Temperatur haben! Anders sieht die Si- einer konstanten Temperatur T1 eine Differenz WF(1)(x1) - WF(2)(x1) der Fermiener-
tuation aus, wenn hinter den thermoelektrisch aktiven (Thermokraft ungleich Null) gien vorfinden, d.h. wir haben eine Spannungsquelle erzeugt, welche im Prinzip diesel-
Leiter in Bild 3.2.1-1 ein zweiter hypothetischer thermoelektrisch nicht aktiver (Ther- be Funktion wie eine elektrische Batterie einnehmen kann! In diesem Fall entsteht eine
mokraft ungefähr Null, d.h. Sn ≈0, s. Bild 3.2.1-1, Fall II) Leiter geschaltet wird: Im elektromotorische Kraft (EMK, s. Anhang C1), die grundsätzlich auch einen elek-
stromlosen Fall (Leerlauffall: Am Ort x1 werden die Thermoelemente nicht durch ei- trischen Verbraucher antreiben kann (s. Abschnitt 3.2.4). Die Differenz der Fermiener-
nen elektrischen Verbraucher belastet) folgt dann aus (5): gien läßt sich in die Differenz einer äußeren Spannung umrechnen über

Der durch (8) definierte Seebeck-Koeffizient wird auch als Thermokraft bezeich-
net, er hat die Dimension Volt pro Kelvin (die Bezeichnung Kraft ist daher unglück-
lich gewählt). Das über dem Leiter 1 in Bild 3.2.1-1 abfallende äußere elektrische Feld
läßt sich im Leerlauffall ausdrücken über den Seebeck-Koeffizienten durch:

Bei Löcherleitung in einem p-Halbleiter steigt bei einem positiven Temperaturgra-

dienten die Fermienergie mit dem Ort an (Bild 3.2.1-1d). Die entsprechende Teilchen-
stromdichte ergibt sich nach (2.2-18b) zu:

d.h. unter denselben Bedingungen wie in Bild 3.2.1-1 ergibt sich bei einer Serienschal-
Die Übergangsbedingung WF(1)(x1) = WF(2)(x1) entsteht durch die elektrische leitende
tung des p-Leiters mit einem thermoelektrisch inaktiven Leiter im Leerlauffall bei einer
 Seite 16

30 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.1 Thermokraft 31

Definition des Seebeck-Koeffizienten analog zu (8): eignet (Bild 3.2.1-2).

Nach der einfachen Elektronengastheorie für Ladungsträger in Halbleitern unter An-
wendung der Boltzmannäherung ergeben sich die Seebeck-Koeffizienten explizit zu:

Die effektiven Zustandsdichten NV und NL sind nach Band 2, Abschnitte 1.2.3 und
2.2.4, relativ schwach temperaturabhängige Größen, d.h. für Ladungsträgerdichten n
d.h. die Seebeck-Koeffizienten von elektronen- und löcherleitenden Halbleitern ha- und p, die bei dotierten Halbleitern im Sättigungsbereich (Band 2, Bild 4.2-6) mit
ben ein entgegengesetztes Vorzeichen! den entsprechenden temperaturunabhängigen Dotierungskonzentrationen D und A
Die hier für Elektronen- und Lochgase in Halbleiterwerkstoffen hergeleiteten Ergebnis- übereinstimmen, ergeben sich fast temperaturunabhängige Seebeck-Koeffizienten.
se lassen sich sinngemäß auch auf Werkstoffe übertragen, bei denen die Boltzmannähe- Nach den in Bild 2.1-5 beschriebenen Gleichungen muß dann die Fermienergie eines
rung nicht gilt, d.h. für entartete Halbleiter (mit so hohen Ladungsträgerkonzentrati- Halbleiters, welcher die genannten Vorbedingungen erfüllt, etwa linear mit der Tem-
onen, daß anstelle der Boltzmann- die Fermi-Dirac-Statistik angewendet werden muß) peratur abfallen (n-Leiter) oder zunehmen (p-Halbleiter), wie auch in Bild 3.2.1-1 dar-
sowie Metalle und leitfähige Keramiken, allerdings sind dann die Seebeck-Koeffizien- gestellt. Dieser Verlauf wird in der Praxis in brauchbarer Näherung bestätigt (Bild 3.2.1-
ten weit aufwendiger zu berechnen. Auch bei diesen Werkstoffen gibt es eine p– und n- 3).
artige Leitfähigkeit mit unterschiedlichem Vorzeichen der Seebeckkoeffizienten (s.u.).

Bild 3.2.1-2 Thermoelektrische Messung des Ladungsträgeryps (Elektronen– oder Löcherlei-

tung) in Halbleitern: Auf die Halbleiteroberfläche werden zwei Kontaktspitzen auf-
gesetzt, von denen eine beheizt wird (z.B. die rechte, in diesem Fall ergibt sich
ein positiver Temperaturgradient). Aus dem Vorzeichen der entstehenden Thermo-
Bild 3.2.1-3 Temperaturabhängigkeit der Fermienergie für n- und p-leitendes Silizium und
spannung kann nach (8 und 9) bzw. (11 und 12) entschieden werden, ob es sich um ei-
Galliumarsenid (s. Band 2, Bild 4.2-5, nach [3.3])
nen n- oder p-Halbleiter handelt (nach [5])

Die Messung des Vorzeichens der Thermokraft ist ein einfaches und daher praktisch be-
deutsames Verfahren zur Bestimmung des Ladungsträgertyps in einem unbekannten
Leiter, das sich wegen der Größe der auftretenden Effekte besonders für Halbleiter
 Seite 17

32 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.1 Thermokraft 33

Bei einer genaueren Betrachtung der thermoelektrischen Effekte müssen weitere Ein-
flüsse berücksichtigt werden [3.4]:

Durch den Beitrag 1 + si in der Klammer wird die unterschiedliche Ladungsträgerge-

schwindigkeit zwischen dem heißen und kalten Ende des Leiters berücksichtigt, weiter-
hin die Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerbeweglichkeit (Band 2, Abschnitt
4.3.3). i beschreibt den Einfluß des phonon drags: Phononen (Gitterschwingun-
gen) bewegen sich ständig vom heißen zum kalten Ende (und erzeugen dabei eine Wär-
meleitung), dabei "treiben sie Ladungsträger vor sich her". In Bild 3.2.1-4 sind die See-
beck-Koeffizienten unterschiedlich dotierter Siliziumproben zusammengestellt.

Bild 3.2.1-4 Seebeck-Koeffizienten in unterschiedlich dotiertem Silizium (a) und b) nach

[3.4]):
a) Raumtemperaturwerte für verschiedene Dotierungen in homogen dotiertem Si-
lizium
b) Temperaturabhängigkeit des Seebeck-Koeffizienten für technologisch relevan-
te diffundierte Dotierungschichten
c) Umrechnungstabelle von spezifischem Widerstand und Fremdatomkonzentra-
tion in verschiedenen Halbleitern (nach [3.5])
 Seite 18

34 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.1 Thermokraft 35

Die Größenordnung des Seebeck-Koeffizienten ist k/|q| =86,6 V/K, dieser Wert
kann bei Halbleitern durch eine niedrige Dotierung erheblich vergrößert werden. Wie
aus Bild 3.2.1-3 zu erwarten, nimmt der Seebeck-Koeffizient bei hohen Temperaturen
und Beginn der Eigenleitung ab auf kleine Werte (Bild 3.2.1-5):

Bild 3.2.1-5 Temperaturabhängigkeit des Seebeck-Koeffizienten in Silizium bis hin zu hohen

Temperaturen, bei denen die Eigenleitung einsetzt (nach [3.6]).

Tab. 3.2.1-1: Thermoelektrische Daten von Halbleitern und Metallen aus verschiedenen Quellen
(nach [3.4 und 3.7]). Z ist eine in Abschnitt 3.2.4 definierte Gütezahl
Die Seebeck-Koeffizienten von Metallen und vielen Halbleiterverbindungen liegen
deutlich niedriger als die von schwach dotiertem Silizium (Tab. 3.2.1-1). Die verschie-
denen Werkstoffe lassen sich in einer thermoelektrischen Spannungsreihe nach der Grö-
ße ihrer Seebeck-Koeffizienten anordnen, wobei willkürlich Blei oder Platin als Refe-
renzwerkstoff gewählt werden können (Bild 3.2.1-6):

Bild 3.2.1-6 Thermoelektrische Spannungsreihe: Platin oder Quecksilber werden meßtech-

 Seite 19

36 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.2 Thermoelemente 37

nisch als Referenzwerkstoff eingesetzt. Dargestellt ist die mittlere Thermospan- Analog zu Bild 3.2.1-1 ergibt sich dadurch eine vergrößerte oder verkleinerte Differenz
nungsänderung zwischen 0 und 100°C (nach [3.8]) der Fermienergien bei T1 (Thermospannung). Bild 3.2.2-1 zeigt die verschiedenen
Die Abhängigkeit der an einem geschlossenen Stromkreis (wie z.B. in Bild 3.2.1-2) Möglichkeiten.
an einem Ort konstanter Temperatur gemessenen äußeren Spannung von der durch den
Stromkreis fließenden Stromdichte läßt sich durch Integration der Gleichungen (5) und
(10) entlang des Stromkreises durchführen. Eine ausführlichere Diskussion dieses Pro-
blemkreises für den isothermen Fall (2) war in Band 2, Abschnitt 7.2.1, im Zusammen-
hang mit dem Stromfluß über eine Barriere nach dem thermionischen und Diffusionsmo-
dell durchgeführt worden.
Für einen monopolaren Elektronenleiter erhält man aus (5) bei einer Integration von
x1 (Anfang des Stromkreises) bis x2 (Ende des Stromkreises):

Im einfachstmöglichen Fall eines homogenen Elektronenleiters ist die Ladungsträger-

dichte D und die Entropie pro Teilchen konstant. Bei einem Aufbau des Stromkrei-
ses wie in Bild 3.2.1-1 und konstantem Leiterquerschnitt (d.h. konstanter Stromdich-
te) mit der Länge x2 – x1 des thermoelektrisch aktiven Teils erhält man dann einfach
aus (16): Bild 3.2.2-1 Entstehung einer Differenz von Fermienergien (mit daraus resultierender Thermo-
spannung Uth) bei Serienschaltung zweier Leiter aus verschiedenen Werkstof-
fen. Die Werkstoffe werden folgendermaßen charakterisiert:
n-: großer negativer Seebeck-Koeffizient (wie schwach n-dotierter Halbleiter)
n+: kleiner negativer Seebeck-Koeffizient (wie stark n-dotierter Halbleiter)
p-: großer positiver Seebeck-Koeffizient (wie schwach p-dotierter Halbleiter)
p+: kleiner positiver Seebeck-Koeffizient (wie stark p-dotierter Halbleiter)

a) angenommener linearer Ortsverlauf der Temperatur

b) Ortsverlauf der Fermienergie für konstante Seebeck-Koeffizienten (vgl. Bil-
der 3.2.1-3) für verschiedene Kombinationen Leiter 1 + Leiter 2 entsprechend der
3.2.2 Thermoelemente oben eingeführten Charakterisierung.
b1 + b2: jeweils identische Leiter: keine Thermospannung
In Bild 3.2.1-1 war dargestellt worden, daß mit Hilfe einer Serienschaltung von zwei Lei- b3 + b4: Leiter gleichen Leitungstyps, aber mit unterschiedlichem Seebeck-
tern ein Bauelement hergestellt werden kann, das bei geeigneter Wirkung eines Tempe- Koeffizienten: relativ kleine Thermospannung
raturgradienten eine Differenz der Fermienergie und damit eine äußere elektrisch durch b5: Leiter entgegengesetzten Leitungstyps: relativ große Thermospannung
einen Verbraucher belastbare Spannung Ua (EMK) erzeugen kann. Zur Herleitung
des Seebeck-Koeffizienten war ein hypothetischer thermoelektrisch passiver zweiter Die größten Thermospannungen liefert offenbar die Kombination zweier Leiter mit See-
Leiter angenommen worden. Bei Verwendung realistischer Werkstoffe muß auch die beck-Koeffizienten unterschiedlichen Vorzeichens: In diesem Fall addieren sich die
Temperaturabhängigkeit der Fermienergie des zweiten Leiters berücksichtigt werden: Absolutbeträge der Thermospannungen beider Leiter.
 Seite 20

38 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.2 Thermoelemente 39

Die quantitative Auswertung erfolgt bei Thermoelementen durch Integration der Strom-
dichtegleichung unter den Voraussetzungen von (3. 2.1-19), wobei vom Leerlauffall
jnT= 0 ausgegangen wird. Wie bereits in Abschnitt 3.2.2 ausgeführt, hat Ua nur dann
die Bedeutung einer von außen meßbaren Spannung, wenn die beiden freien Enden des
Thermoelements auf derselben Temperatur liegen. Die Integration kann dabei über eine
beliebige Folge hintereinander geschalteter Leiter mit unterschiedlichem thermoelek-
trischen Verhalten durchgeführt werden. Für ein Zweileiter-Thermoelement wie in Bild
3.2.2-1 ergibt sich dann mit den entsprechenden Seebeck-Koeffizienten s(i):

Am Ort der metallurgischen Verbindung (Schweißverbindung) beider Leiter des Ther-

moelements gilt dann wie in (3.2.1-6c) nach Einstellung des thermischen Gleichge-
wichts durch Bildung einer Dipolschicht (Band 1, Abschnitt 2.8.3; Band 2, Abschnitt
5.1):

Bild 3.2.2-2 Anwendung von Halbleiter-Thermoelementen (nach [3.4]):

Damit vereinfacht sich (2) zu: a) Hintereinanderschaltung einer Vielzahl von Thermoelementen aus p-Silizium und
Aluminium, die sich in einer integrierten Technik (d.h. in einem Fertigungsschritt)
herstellen läßt: In ein n-dotiertes Halbleitersubstrat werden parallele niedrig p-dotier-
te Siliziumstreifen eindiffundiert (oder ionenimplantiert), die – wie im Bild darge-
stellt – durch Aluminiumstreifen verbunden werden. Die Herstellung der Struktur er-
folgt über einen Planarprozeß (Band 2, Abschnitt 8.2). Die Temperaturdifferenz wird
zwischen der hinteren und der vorderen Reihe von Silizium-Aluminiumkontakten er-
zeugt. Wegen der Serienschaltung vieler Thermelemente (Thermoelementkaska-
mit der bereits in Bild 3.2.2-1 definierten Thermospannung Uth (die Polung der äu- de) ergeben sich hohe Ausgangssignale und damit eine große Empfindlichkeit.
ßeren Spannung Ua erfolgt immer so, daß dem höheren Wert der Fermienergie der b) Ausführungsformen für die Anwendung der Thermoelementkaskade aus a) für ein
Minuspol, dem niedrigeren der Pluspol entspricht). Bolometer. Um eine möglichst große Temperaturerhöhung durch die auffallende
Strahlung zu erzielen, wird das unterhalb der Thermoelemente liegende Silizium
Aus (4) folgt unmittelbar, daß – je nach Vorzeichen der s(i) – in einem Thermo-
über Verfahren der Mikromechanik (Band 1, Abschnitt 3.4) entfernt. Hierdurch wird
element die Summe oder Differenz der Seebeck-Koeffizienten eingeht, wie in Bild eine Verringerung der Temperatur T2 aufgrund einer Wärmeleitung in das Sub-
3.2.2-1 anschaulich beschrieben. Weiterhin hängt die Thermospannung bei nicht orts- oder strat unterdrückt. Die Thermoelemente können sowohl parallel wie radial angeordnet
temperaturabhängigen s(i) nur ab von der Temperaturdifferenz, nicht aber von dem werden. Sensoren dieser Art können auf demselben Kristall (Chip) zusammen mit ei-
wirklich vorhandenen Temperaturverlauf T(x). ner integrierten Schaltung (Band 2, Abschnitt 12) hergestellt werden, so daß die Ther-
mospannung im gleichen Bauelement verstärkt und verarbeitet werden kann. Dieses
ist ein Beispiel für einen integrierten Sensor.

Um möglichst große Meßsignale zu erhalten, müssen nach (4) für Thermoelemente p-

und n-leitende Werkstoffe mit möglichst großen Seebeck-Koeffizienten eingesetzt wer-
 Seite 21

40 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.2 Thermoelemente 41

den. Nach den Daten in Abschnitt 3.2.1 wären hierfür im Prinzip niedrig dotierte Halb-
leiter am besten geeignet. Dennoch werden solche Thermoelemente nur in wenigen Son-
derfällen eingesetzt aus den folgenden Gründen:
– Die Orte für die Messung und die Festlegung der Referenztemperatur T1 sollten in
großem räumlichen Abstand vom Ort der Meßtemperatur gewählt werden, weil an-
derenfalls eine gegenseitige Beeinflussung durch Wärmeleitung zu einer Verfäl-
schung der Meßergebnisse führt.
– die Zuleitungen zum Meßpunkt sollten robust und mechanisch beanspruchbar
sein, dabei sollten störanfällige Übergänge zwischen unterschiedlichen Werkstoffen
Bild 3.2.2-3 Praktisch wichtige Kombinationen von Metallen und Metallegierungen für die
vermieden werden. Herstellung von Thermoelementen. Eingetragen ist weiterhin die maximal zuläs-
Beide Randbedingungen lassen sich bei Anwendung von Halbleiterwerkstoffen nicht sige Betriebstemperatur (nach [3.9]).
erfüllen: Die Überbrückung größerer räumlicher Entfernungen mit halbleitenden elek-
trischen Leitern ist unmöglich, da die Abmessungen von Halbleiterbauelementen in der Tab. 3.2.2-1 Eigenschaften wichtiger Thermoelement-Werkstoffe (nach [3.10]).
Regel auf die Größe der Einkristallscheiben (Band 2, Abschnitt 8.1) beschränkt sind,
außerdem sind die Halbleiterwerkstoffe meist spröde und damit bruchanfällig. Das tech-
nologische Problem der Herstellung von Halbleiter-Metallkontakten, die auch bei höhe-
ren Temperaturen (z.B. 500 °C) noch stabil sind, ist heute immer noch problematisch.
Vielversprechende Anwendungsmöglichkeiten von Halbleiterthermoelementen erge-
ben sich aber im Bereich der Bolometer (Messung einer Strahlungsintensität über eine
Temperaturerhöhung im Sensor, Bild 3.2.2-2, s. auch Abschnitt 6.3).
Sehr negativ auswirken können sich parasitäre Thermospannungen in Halbleiterbau-
elementen, z.B. in integrierten Schaltungen. Gerade bei hochverstärkenden Bauelemen-
ten sind daher eine sorgfältige Kompensation solcher Spannungen, sowie Maßnah-
men zur Unterdrückung thermisch generierter Instabilitäten (z.B. Neigung zu parasitä-
ren Schwingungen) unbedingt erforderlich.
Im Gegensatz zu den Halbleiterwerkstoffen kann eine Vielzahl reiner Metalle und Me-
tallegierungen die obengenannten Kriterien für die Herstellung praktisch einsetzbarer
Thermoelementen erfüllen: Die plastisch leicht verformbaren (Band 1, Abschnitt 3.2.1)
Metalle lassen sich gut zu Drähten verarbeiten, bei denen auch nach intensiver me-
chanischer Beanspruchung (Zug, Druck, Biegung u.a.) nur in ungünstigen Fällen ein
Bruch (Band 1, Abschnitt 3.5) auftritt. Über langgestrecke Metalldrähte lassen sich auch
größere Entfernungen niederohmig überbrücken. Die Isolation der beiden Thermoele-
mentdrähte gegeneinander kann durch Keramikröhrchen erfolgen. In Bild 3.2.2-3 und
Tab. 3.2.2-1 sind die Daten verschiedener praktisch wichtiger Thermoelementkombina-
tionen von Metallen und Metallegierungen zusammengestellt.
 Seite 22

42 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.2 Thermoelemente 43

Bild 3.2.2-4 und Tab. 3.2.2-2 geben die Thermospannungen wichtiger Thermoelemen- Tab. 3.2.2-2: Grundwerte der Thermospannungen in mV (nach [3.10])
tenkombinationen über den zulässigen Temperaturbereich an.

Bild 3.2.2-4: Abhängigkeit der Thermospannung von der Temperatur für häufig verwendete
metallische Thermoelemente (nach [3.8])
a) Kennlinien oberhalb 0 °C
b) Kennlinien unterhalb 0 °C
 Seite 23

44 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.2 Thermoelemente 45

für den Anlieferungszustand vom Hersteller der Thermoelemente.

Bei Betrachtung großer Temperaturbereiche muß eine Temperaturabhängigkeit des
Seebeck-Koeffizienten berücksichtigt werden (Bild 3.2.2-5)

Bild 3.2.2-6 Grenzabweichungen für Thermoelemente nach DIN-IEC 584-2 (nach [3.1]).

Ein großer Vorteil für die Anwendung von Thermoelementen als Temperatursensoren
liegt in dem hohen zulässigen Temperaturbereich (Tab. 3.2.2-3). Noch höhere Ein-
Bild 3.2.2-5 Temperaturabhängigkeit des Seebeckkoeffizienten unterschiedlicher Werkstoffe, satztemperaturen bis ca. 2000 °C lassen sich mit Wofram-Molybdän- und Wolfram-
gemessen gegen Platin (einer der beiden Leiter des Thermoelements besteht aus Pla-
tin, nach [3.8]) Rhenium-Thermoelementen erzielen.

Tab. 3.2.2-3: Grenzen der Verwendungstemperaturen von Thermoelementen bei Dauerbenut-

Innerhalb kleinerer Temperaturintervalle läßt sich die Temperaturabhängigkeit der zung in reiner Luft nach deutscher und USA-Norm (nach [3.8]).
Thermospannung approximieren durch die Überlagerung einer linearen mit einer
quadratischen Abhängigkeit:

Der Dauerbetrieb von Thermoelementen bei sehr hohen Temperaturen ist nicht unpro-
blematisch, da sich unter diesen Bedingungen die Korngrenzenstruktur (Rekristallisa-
tion, s. Band 1, Abschnitt 3.3), der Ordnungszustand der Legierung (s. Band 1, Abschnitt
4.2) und die Legierungszusammensetzung ändern kann (durch Aus- und Eindiffusion
Für die Temperaturabhängigkeit der Thermospannung gibt es genormte Werte (interna-
von Legierungskomponenten und Verunreinigungen, s. Bild 3.2.2-7), dabei können sich
tional IEC-Publikation 584-1, in Deutschland DIN-IEC 584-1 mit Grenzabweichungen
Verunreinigungen im ppm-Bereich auswirken.
in der ergänzenden Vorschrift 584-2, s. Bild 3.2.2-6). Diese Vorschriften gelten jeweils
 Seite 24

46 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.2 Thermoelemente 47

ist eine regelmäßige Nacheichung der Thermoelemente erforderlich.

Weitere Fehlerquellen entstehen durch Unvollkommenheiten in der metallurgischen
Verbindung der beiden Thermoelementwerkstoffe: Die Herstellung zuverlässiger und
hochtemperaturstabiler Schweißkontakte erfordert große Sorgfalt . Dasselbe gilt auch
für Hartlöttechniken, die zusätzlich den zulässigen Temperaturbereich der Thermoele-
mente einschränken.
Bei Verwendung dünner Drähte haben Thermoelemente meist eine relativ kleine Wär-
mekapazität, die auch recht kurze Meßzeiten (z.B. unterhalb einer Sekunde) zuläßt.
Nachteilig ist dann, daß die entscheidenden Bereiche des Thermoelements nur wenig
geschützt der Umgebung ausgesetzt ist, d.h. mechanisch, elektrisch oder chemisch (ins-
besondere durch Reaktion mit dem Luftsauerstoff) verändert werden können. Beim
Schutz der Thermoelemente durch Einbau in keramische oder metallische Gehäuse geht
die geringe Wärmekapazität verloren: Die Zeitauflösung der Temperaturmessung kann
sich bis in den Minutenbereich verschieben.
Eine wichtige passivierte Ausführungsform ist das Mantelthermoelement: Dabei wer-
den die Thermoelementdrähte in ein isolierendes Keramikpulver (z.B. aus Magnesium-
oxid MgO) eingebettet und von einem Metallmantel umgeben. Auf diese Weise läßt sich
das Alterungsverhalten erheblich verbessern (Bild 3.2.2-8)

Bild 3.2.2-7 Alterungsverhalten von Thermoelementen

a) Alterung in Luft (nach [3.1])
b) Mittlere Änderung der Thermospannungvon PtRh10-Thermoelementen bei
1083 °C nach Auslagerung (durchgezogen: Auslagerungszeit 1h, sonst wie ange-
geben) bei höheren Temperaturen. Im Bereich bis 1400 °C werden im Thermoele-
mentmaterial Gitterfehler ausgeheilt, weiterhin tritt eine Rekristallisation ein,
oberhalb von 1400 °C beginnt die Abdampfung von Rhodium (nach [3.8]. Bild 3.2.2-8 Alterungsverhalten von Mantelthermoelementen in Luft (nach [3.1])

Vor dem Eichen neu hergestellter Thermoelemente empfiehlt sich daher eine ausge- Bild 3.2.2-9 zeigt verschiedene Ausführungs- und Einbauformen von
dehnte Temperbehandlung zur Stabilisierung der Werkstoffparameter. Thermoelementen.

Die eingeschränkte Alterungsbeständigkeit der Thermoelemente bringt eine erhebliche

Meßunsicherheit mit sich: Gerade bei Dauerbetrieb im Bereich höherer Temperaturen
 Seite 25

48 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.2 Thermoelemente 49

Bei großen räumlichen Abständen zwischen Temperaturmeßpunkt und Abgriff der

Thermospannung (meist bei Raumtemperatur) empfiehlt sich die Verwendung von
Ausgleichsleitungen (mit gleichem Seebeck-Koeffizienten!) aus den folgenden Grün-
den
– die Thermoelementwerkstoffe sind häufig verhältnismäßig kostenintensiv; durch
Verwendung weniger temperaturbeständiger (der größte Teil der Leitungen ist ohne-
hin nicht den Meßtemperaturen ausgesetzt), aber kostengünstigerer Materialien kön-
nen daher die Kosten für das Thermoelement gesenkt werden.
– es kann ein Draht mit größerem Querschnitt zur Verminderung des Drahtwider-
standes (und damit der parasitären Jouleschen Wärme) eingesetzt werden.
Bild 3.2.2-10 zeigt den Meßaufbau eines Thermoelements mit und ohne Ausgleichslei-
tungen, Tab. 3.2.2-4 die Kennzeichnung für Ausgleichsleitungen. Als Werkstoffe für
die edleren Ausgleichsleitungen sind Sonderlegierungen entwickelt worden.

Bild 3.2.2-9: Ausführungs- und Einbauformen von Thermoelementen (nach [3.10]

a) Thermopaare nach DIN 43 732 in blanker und isolierter Ausführung mit Kenn-
zeichnungen für Thermoelemente aus Unedelmetallen
b1-b3) Mantelthermoelemente: b1) Normalausführung; b2) Ausführung mit verjüngter
Meßspitze zur Verkleinerung der Ansprechzeit; b3) Zur Verkleinerung der An-
sprechzeit kann das Thermoelement mit dem Mantel verschweißt werden: Wegen
der unterschiedlichen Wärmeausdehnung von Mantel- und Thermoelementwerk- Bild 3.2.2-10 Meßaufbau eines Thermoelementes ohne (a) und mit (b) Ausgleichsleitungen
stoffen können hierbei mechanische Spannungen auftreten, außerdem können an (nach [3.8])
der Schweißstelle schwer zu kontrollierende Legierungs- und Korrosionseffekte
auftreten.
c) Meßeinsätze (Meßarmaturen) für Thermoelemente (vorzugsweise Mantelther-
moelemente) mit Anschlußköpfen für besondere Anwendungen (z.B. in Hoch-
druckanlagen)
 Seite 26

50 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.3 Temperaturmessung mit Thermoelementen 51

Tab. 3.2.2-4: Farbkennzeichnung der Ausgleichsleitungen (nach [3.10])

3.2.3 Temperaturmessung mit Thermoelementen

In Bild 3.2.2-10 war die elektrische Schaltung zur Messung einer Temperatur T2 re-
lativ zu einer Temperatur T1 am Meßinstrument mit Hilfe von Thermoelementen dar-
gestellt worden. Bei einer genaueren Betrachtung [3.11] beschreibt die Temperatur T1
die Verhältnisse an den Eingangsklemmen des Meßinstruments (Galvanometer, digita-
les Voltmeter, etc.) und nicht am Meßwerk selber, diesem wollen wir die Temperatur To
zuordnen. Dabei sind die Temperaturen T(1) (2)
1 und T1 an den beiden Eingangsklem-
men eher äußeren Einflüssen ausgesetzt als die Temperatur To an dem durch ein Ge-
häuse geschützten Meßinstrument. Bild 3.2.3-1 zeigt die entsprechende Meßschaltung
und den dazugehörigen Verlauf der Fermienergie in Abhängigkeit vom Ort.

*) Daneben bestehen unterschiedliche Farbkennzeichnungen nach nationalen Standards, so BS 1843, ANSI/MC 96.1,
NFC 42-323, JIS C1610-1981. Eine einheitliche Norm zur Farbkennzeichnung für Ausgleichsleitungen befindet sich im
Entwurf (DIN IEC 65B (CO) 63, Teil 4).

Zusammenfassend ergeben sich die folgenden Vor- und Nachteile von Thermoelemen-
ten:
Vorteile:
– keine externe Stromversorgung erforderlich
– einfaches und überschaubares Meßsystem
– mechanisch relativ stark beanspruchbar
– vergleichsweise kostengünstig
– große Breite der einsetzbaren Werkstoffe
– ein großer Temperaturbereich kann abgedeckt werden Bild 3.2.3-1 Temperaturmessung mit Thermoelementen bei Berücksichtigung der Tatsache,
daß die Temperaturen T(1) (2)
1 und T1 an den Eingangsklemmen des Meßinstruments
verschieden sein kann von der Temperatur To des Meßinstruments
Nachteile: a) Aufbau der Meßschaltung: Wir nehmen an, daß die Zuleitungen zwischen Ein-
– nichtlineare Temperaturkennlinie gangsklemmen und Meßinstrument aus Kupfer bestehen, außerdem gehen wir zu-
– kleine Ausgangsspannungen nächst von einem Eisen (Seebeck-Koeffizient wie p-Leiter)-Konstantan (See-
– Referenztemperatur erforderlich (s. folgender Abschnitt) beck-Koeffizient wie n-Leiter)-Thermoelement aus.
– weniger langzeitstabil als andere Temperatursensoren b) Ortsverlauf der Fermienergie für T(1) (2)
1 , T1 < T2 und die Randbedingungen
(1) (2) (1) (2)
T1 = T1 (durchgezogen) und T1 > T1 (gestrichelt).
– weniger empfindlich als andere Temperatursensoren.
 Seite 27

52 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.3 Temperaturmessung mit Thermoelementen 53

Die Berechnung der Thermospannungen in Bild 3.2.3-1 kann durchgeführt werden wie in
(3.2.2-1…4), dabei wird der in Bild 3.2.3-1b eingezeichnete Integrationsweg gewählt.

Bild 3.2.3-3 Definierte Festlegung der Referenztemperatur T1 durch Messung der Temperatur
des isothermen Blocks, beispielsweise über einen Widerstands-Temperatursensor
(Abschnitt 3.3)

Aus (32) folgt ein wichtiges Resultat: Nur wenn die beiden Temperaturen T(1)1 und
(2)
T1 an den Eingangsklemmen des Meßinstruments gleich sind, ergibt die Messung
sinnvolle Werte, da
– nur in diesem Fall T1 als Referenztemperatur zu T2 definiert ist
– die Temperatur To am Meßinstrument nicht eingeht (die Fermienergien der durch-
gezogenen Kurve in Bild 3.2.3-1b verlaufen zwischen To und T1 parallel)
Es ist also für eine genaue Messung zwingend erforderlich, daß die beiden Eingangs-
klemmen auf derselben Temperatur T1 liegen. Dieses kann dadurch erreicht werden,
daß man die Übergänge zwischen den Thermoelementen und den Kupfer-Eingangs-
klemmen in einen isothermen Block (z.B. einen Klotz aus einem gut wärmeleitenden
Bild 3.2.3-4 a) Festlegung der Referenztemperatur durch ein Temperaturnormal (Temperatur
Material wie Kupfer) legt (Bild 3.2.3-2).
schmelzenden Eises). Die Berechnung der Thermospannung bei To erfolgt
analog zu (3):

Bild 3.2.3-2 Temperaturmessung mit einem Thermoelement und einem isothermen Block, d.h. dieselbe Beziehung wie (3) mit T1 = Tref. Die Temperatur To des Meßinstruments geht nicht ein.
über den die Temperaturen der Eingangsklemmen zum Meßgerät auf demselben b) Ein äquivalentes Meßverfahren ergibt sich also dadurch, daß man den isother-
Wert gehalten werden. Nach (2) ergibt sich dann als Thermospannung im Meßgerät: men Block mit den beiden Thermoelementübergängen auf Kupfer (der Block
kann dann weggelassen werden) in ein Eisbad taucht: In diesem Fall wirkt das Eis-
bad gleichzeitig als isothermer Block.
 Seite 28

54 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.4 Leistungsthermoelemente 55

Der Meßaufbau in Bild 3.2.3-2 hat den Nachteil, daß die Thermospannung nur dann aus-
gewertet werden kann, wenn die Referenztemperatur T1 bekannt ist, d.h. diese muß
3.2.4 Leistungsthermoelemente
durch einen zusätzlichen Sensor gemessen werden (Bild 3.2.3-3). Die Korrektur der
Thermospannung mit der Temperatur T1 kann in einem Rechner erfolgen. Wie im Abschnitt 3.2.1 dargelegt, erzeugen Thermoelemente bei Wirkung eines Tem-
peraturgradienten eine EMK, mit welcher ein Stromfluß durch einen Verbraucherwi-
Um die Messung zu vereinfachen und eine Rechnerkorrektur einzusparen, kann die Re-
derstand erzeugt werden kann. Damit können Thermoelemente als Stromgeneratoren
ferenztemperatur auch durch ein physikalisch vorgegebenes Temperaturnormal, z.B. die
eingesetzt werden; die für diese Anwendung optimierten Bauelemente werden als Lei-
Temperatur von schmelzendem Eis (ca. 0 °C) vorgegeben werden (Bild 3.2.3-4). Die
stungsthermoelemente oder thermoelektrische Generatoren bezeichnet. In Tab.
Bereitstellung eines Eisbandes, in welches ständig Eis nachgefüllt werden muß, ist zwar
3.2.4-1 sind verschiedene Ausführungsformen und Anwendungsgebiete zusammenge-
technisch simpel, aber unbequem. Man kann das Eisbad auch durch eine gesteuerte
stellt, Bild 3.2.4-1 zeigt die Konstruktion eines flammenbeheizten Stromgenerators.
Spannungsquelle ersetzen, wenn man von einer Schaltung wie in 3.2.3-4a ausgeht und
über eine elektronische Schaltung dieselbe Thermospannung erzeugt, die an dem Ther-
moelement zwischen Eistemperatur und Blocktemperatur entsteht (Bild 3.2.3-5).

Bild 3.2.4-1 Flammenbeheizter thermoelektrischer Generator mit 500W elektrischer Leistung

(nach [3.7]).

Bild 3.2.3-5 Ersatz des Eisbades zur Erzeugung der Referenztemperatur durch eine gesteuerte
Spannungsquelle.
a) Erweiterung des isothermen Blocks in Bild 3.2.3-4a. Die Funktion des Eisba-
des ist die Erzeugung einer Spannung, die durch die Thermospannung des Eisen-
Konstantan-Thermoelements zwischen Eisbadtemperatur und Temperatur T1
des isothermene Blocks definiert wird. Diese Spannung kann bei bekanntem T1
auch für jede Thermoelementkombination berechnet und elektronisch erzeugt
werden.
b) Einspeisung der elektronisch erzeugten Referenzspannung in die Meßschal-
tung des Thermoelements. Die Messung der Temperatur T1 des isothermen
Blocks kann im Funktionsumfang der integrierten Schaltung enthalten sein, wel-
che auch die Referenzspannung erzeugt.
 Seite 29

56 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.4 Leistungsthermoelemente 57

Tab. 3.2.4-1 Wärmequellen und Anwendungsgebiete für thermoelektrische Generatoren (nach

[3.12])

Als Maßstab für die Leistungsfähigkeit eines Thermoelements als Stromgenerator dient
die Umwandlungseffizienz oder der Umwandlungswirkungsgrad 

Die Umwandlungseffizienz wird optimal, wenn gilt [3.7]: Bild 3.2.4-2 Umwandlungswirkungsgrad  in Abhängigkeit von der Temperaturdifferenz am
Leistungsthermoelement und der in (2c) definieren Gütezahl (nach [3.7])

Die Gütezahl ergibt sich als Maximum einer Kurve, die sich aus drei Größen zusammen-
setzt:
– der Seebeck-Koeffizient s muß möglichst groß sein, damit hohe Thermospan-
nungen entstehen
– die elektrische Leitfähigkeit muß möglichst groß sein, damit der Stromfluß mit
geringen ohmschen Leitungsverlusten erfolgt
– die Wärmeleitfähigkeit muß möglichst niedrig sein, damit durch die nicht nutz-
bringende Wärmeleitung möglichst wenig Wärmeenergie verloren geht.

Dabei gibt s die Seebeck-Koeffizienten, sp den spezifischen Widerstand, sp die Bild 3.4.2-3 zeigt die drei Werkstoffgrößen in Abhängigkeit von der Ladungsträgerkon-
spezifische Leitfähigkeit und  die Wärmeleitfähigkeit an, der obere Index bezeich- zentration.
net jeweils die n- oder p-Seite des Thermoelements. Z wird auch der Gütefaktor (fi-
gure of merit) genannt. Bild 3.2.4-2 zeigt die Abhängigkeit des Umwandlungswirkungs-
grades von der Temperaturdifferenz für verschiedene Gütefaktoren:
 Seite 30

58 3.2 Thermoelektrische Sensoren 3.2.4 Leistungsthermoelemente 59

Bild 3.2.4-3 a) Seebeck-Koeffizient s spezifische Leitfähigkeit sp und das Produkt s· sp
in Abhängigkeit von der Konzentration freier Ladungsträger sp nach [3.7]).
b) Wärmeleitfähigkeit in Abhängigkeit von der Konzentration freier Ladungsträ-
ger n nach [3.7]).

Bild 3.2.4-4 Temperaturabhängigkeit der Gütezahl bei den für den Aufbau von Leistungsther-
Werkstoffdaten für die Gütezahl Z waren bereits in der Tab. 3.2.1-1 enthalten. In Tab. moelementen am besten geeigneten Werkstoffen (nach [3.7])
3.4.2-2 und Bild 3.4.2-4 sind weitere Kenngrößen zusammengestellt. a) n-Leiter b) p-Leiter

Tab. 3.2.4-2 Eigenschaften thermoelektrischer Werkstoffe (nach [3.7] Bild 3.2.4-5 zeigt den Aufbau eines thermoelektrischen Generators auf der Basis von
Germanium-Silizium (GeSi-) Mischkristallen. Tab. 3.4.2-3 gibt einen Überblick über
die Leistungsdaten einiger bisher realisierter Thermogeneratoren, deren Wärmezufuhr
über Kernreaktoren erfolgt.
 Seite 31

60 3.2 Thermoelektrische Sensoren 61

Bild 3.2.4-5 Aufbau eines Germanium-Silizium-Thermogenerators für den Betrieb bei 1000oC in
Luft (nach [3.12])
Tab. 3.2.4-3 Thermoelektrische Systeme mit Beheizung aus Kernreaktoren (nach [3.7])
60 — — 3.3.1 Temperaturabhängige Widerstände 61

3.3 Resistive Temperatursensoren

3.3.1 Temperaturabhängige Widerstände

Bei resistiven Sensoren kommt nur der Feldstromanteil (2.2-12) der Stromdichteglei-
chungen zur Anwendung, wobei in der Regel homogene Leiter (das gilt nur makrosko-
pisch: mikroskopisch, z.B. bei einer Berücksichtigung der Kornstruktur keramischer
Sensoren, sind die Systeme sehr inhomogen) der Meßtemperatur (T = const) ausge-
setzt werden. Kennzeichnend für makroskopisch homogene Bauelemente sind ortsun-
abhängige Werte der spezifischen Leitfähigkeit sp bzw. des spezifischen Wider-
standes sp. Dem entspricht ein konstantes elektrisches Feld im Bauelement, bzw.
ein linearer Verlauf der Fermienergie und des Spannungsabfalls. Ohne Einschränkung
der Allgemeinheit gilt für Elektronenströme

Aus der Kontinuitätsgleichung (Band 4, Abschnitt 1.5) folgt für den zeitlich einge-
schwungenen Zustand:

Dabei wird ein quaderförmiger Widerstand der Länge d mit dem Querschnitt A zu-
grundegelegt. Ua ist die am Widerstand anliegende äußere Spannung. Gehen wir von
der elektrischen Stromdichte jn über auf den elektrischen Strom (bzw. die Stromstär-
ke) In, dann folgt

mit dem elektrischen Widerstand R (s. Band 1, Abschnitt 4), der sich nach (5) aus dem
62 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.1 Temperaturabhängige Widerstände 63

Produkt eines werkstoff- und eines geometrieabhängigen Terms ergibt. Die Tempe- Widerstands-TKsp von Metallen ist dann positiv (Bild 3.3.1-1). Aus diesem Grund
raturabhängigkeit des Widerstandes entsteht durch den Temperatureinfluß aller Grö- werden Temperatursensoren mit Metallwiderständen auch als PTC-Widerstände be-
ßen, wobei die Temperaturabhängigkeit der geometrischen Abmessungen (z.B. als zeichnet.
Konsequenz der thermischen Ausdehnung, s. Band 1, Abschnitt 5.3) im folgenden
vernachlässigt wird. Für diese Voraussetzung folgt

Bild 3.3.1-1 Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstands einiger Metalle (nach

[3.13]). Nichtlinearitäten in der Kennlinie sind häufig auf Phasenübergänge zurück-
zuführen (s. Band 1, Abschnitte 4.2 und 5.1)

Ein ganz anderes Verhalten als die Metalle weisen die Halbleiterwerkstoffe auf: Hierbei
lassen sich über verschiedene experimentelle Verfahren (z.B. den Halleffekt, s. Ab-
schnitt 5.1.1) die beiden Einflußgrößen im spezifischen Widerstand, die Ladungsträger-
dichte  und die Ladungsträgerbeweglichkeit  unabhängig voneinander messen. Der
Temperaturkoeffizient von beiden ist stark abhängig vom Temperaturbereich (Bild
3.3.1-2).
Im folgenden wird die Temperaturabhängigkeit elektrischer Widerstände aus den ver-
schiedenen Werkstoffgruppen über diese Formeln interpretiert. Bei der Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerdichte von Halbleitern (Bild 3.3.1-
2a) ergibt sich im Bereich sehr niedriger Temperaturen (meist weit unter 0oC) ein re-
Bei den Metallen ändert sich die Elektronendichte im allgemeinen nur wenig mit der
lativ großer positiver TK, der durch die thermische Aktivierung von Ladungsträgern in
Temperatur, allerdings nimmt wegen der Verbreiterung der Fermi-Dirac-Verteilung
Störstellenniveaus hinein oder aus diesen heraus entsteht (s. Band 2, Abschnitt 4.2). In
("Aufbrechen der Fermikante") die für die Leitfähigkeit maßgebende effektive La-
einem mittleren Temperaturbereich bis hin zu Werten von z.B. 200oC ist die Ladungsträ-
dungsträgerdichte eff (2.2-13) mit der Temperatur zu (positiver Beitrag zum Leitfä-
gerdichte weitgehend konstant, d.h. der Ladungsträger-TK nahezu Null: Alle flachen
higkeits-TKsp). Auf der anderen Seite nimmt die Ladungsträgerbeweglichkeit in der Störstellenzustände sind ionisiert, die intrinsische Leitfähigkeit (Band 2, Abschnitt
Regel mit der Temperatur ab (negativer Beitrag zum Leitfähigkeits-TK), da die Elek- 2.2.4) spielt noch keine Rolle. Bei höheren Temperaturen nimmt der positive Ladungs-
tronen an Gitterschwingungen (Phononen) gestreut werden, d.h. die beiden Terme in (9) träger-TK stark zu, er wird durch den halben Bandabstand als Aktivierungsenergie
haben entgegengesetzte Temperaturkoeffizienten und kompensieren sich teilweise, wo- eines Exponentialterms bestimmt.
bei aber der negative Beitrag zum Leitfähigkeits-TK im allgemeinen überwiegt: Der
64 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.1 Temperaturabhängige Widerstände 65

b) Temperaturabhängigkeit der Elektronen-Driftbeweglichkeit

Die Temperaturabhängigkeit der Driftbeweglichkeit (Bild 3.3.1-2b) ist stark dotie-

rungsabhängig: Bei hohen Temperaturen dominiert der negative Beweglichkeits-TK,
der durch die Streuung an Gitterschwingungen entsteht, bei niedrigen Temperaturen –
wie bei den Metallen – ein positiver aufgrund einer Streuung an Verunreinigungen.
Die Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit verläuft bei vielen kera-
mischen Werkstoffen ähnlich wie bei den Halbleitern, einige Keramiken weisen aber ei-
ne fast metallische Leitfähigkeit auf (Bild 3.3.1-3, s. auch Band 1, Abschnitt 4.1.2).

Bild 3.3.1-2 Temperaturabhängigkeit elektrischer Größen in n-Halbleitern (vgl. Band 2, Bilder

4.2-6 und 4.3.3-3, nach [3.5,3.14])
a) Temperaturabhängigkeit der Elektronendichte
Bild 3.3.1-3 Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit bei einigen oxidkeramischen
66 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.2 Metallwiderstände 67

Werkstoffen (nach [3.15]) Drähte und Dünnschichten aus reinen Metallen und Metallegierungen werden in gro-
ßem Maßstab für die Herstellung von ohmschen Widerständen eingesetzt (Band 1, Ab-
Auch bei den Keramiken führt ein durch die Beweglichkeit bestimmter spezifischer schnitt 4.3.2). Hierbei steht allerdings die Forderung nach einem möglichst geringen
Widerstand meist zu einem positiven Widerstands-TK (negativer TK für die spezifi- (gelegentlich auch einem fest definierten niedrigen) Temperaturkoeffizienten im
sche Leitfähigkeit), ein durch die Ladungsträgerdichte bestimmter hingegen zu ei-
nem negativen Widerstands-TK (positiver TK für die spezifische Leitfähigkeit). Alle
diese Effekte lassen sich im Prinzip zur Herstellung keramischer Temperatursensoren
ausnutzen.
Durch Herstellung von Mischkristallen aus mehr und weniger leitfähigen Keramiken
läßt sich der TK häufig kontinuierlich variieren (Bild 3.3.1-4 ), eine für die Herstellung
von Temperatursensoren durchaus willkommene Eigenschaft.

Bild 3.3.1-4 Einstellbarer Temperaturkoeffizient des spezifischen Widerstands von Magnetit

(Fe3O4) mit unterschiedlichen Beimengungen des isolierenden Spinells
(MgCr2O4, nach [3.15]).

3.3.2 Metallwiderstände
Bild 3.3.2-1 Temperaturabhängigkeit des Widerstandes und des Temperaturkoeffizienten rei-
68 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.2 Metallwiderstände 69

ner Metalle Diese Forderungen werden auch bei dem heutigen Stand der Technik (und das etwa seit
a) Vergleich der Temperaturabhängigkeit des Widerstandes von Platin, Kupfer dem Jahr 1870!) hervorragend von dem Metall Platin erfüllt, über dieses Metall wird
und Nickel (nach [3.17]) auch die Internationale Praktische Temperaturskala definiert. Tab. 3.3.2-2 und Bild
b) Temperaturabhängigkeit des Widerstandes und des Temperaturkoeffizienten 3.3.2-3 geben die genormten Kennwerte von resistiven Metall-Temperatursensoren in
von Platin (nach [3.9])
verschiedenen Normensystemen sowie die Einteilung der Sensoren in Güteklassen auf-
c) Temperaturabhängigkeit des Widerstandes und der Leitfähigkeit von Kupfer
(nach [3.16]) grund der zulässigen Streubreiten wieder.

Vordergrund. Bei resistiven Metallschicht-Temperatursensoren hingegen ist ein mög-

lichst großer konstanter TK erwünscht, so daß bei der Werkstoffauswahl andere Ge-
sichtspunkte im Vordergrund stehen. Häufig werden reine Edel- und Übergangsmetalle
eingesetzt, sowie Legierungen mit verschiedenen anderen Metallen: In der Tab. 3.3.2-1
und den Bildern 3.3.2-1 und 2 sind entsprechende Werkstoffdaten zusammengestellt.

Tab. 3.3.2-1 Spezifischer Widerstand und dazugehöriger Temperaturkoeffizient reiner Metalle

für Anwendungen als resistive Temperatursensoren (Raumtemperaturwerte, nach
[3.16]).

Die Auswahl des metallischen Werkstoffs für Sensoranwendungen erfolgt nach Kri-
terien, die festlegen, daß die Sensoreigenschaften eine möglichst geringe Empfind-
lichkeit haben sollten gegenüber
–Verunreinigungen im Volumen und an der Oberfläche der Metallschicht, die so-
wohl während der Herstellung des Sensors, wie auch im (Dauer)Betrieb auftreten
können
Bild 3.3.2-2 Temperaturabhängigkeit des Widerstandes und des Temperaturkoeffizienten von
–einer Korrosion in Gegenwart chemisch aktiver Gase und Flüssigkeiten, sowie ge- Metallegierungen:
gen Feuchteeinfluß (s. Abschnitt 7) a) Konzentrationsabhängigkeit des Widerstandes und des Temperaturkoeffizien-
–mechanischen Beanspruchungen und Drücken ten von Nickel-Chrom-Legierungen (nach [3.9])
b) Temperaturabhängigkeit des Widerstandes und des Temperaturkoeffizienten
–einer mechanischen (plastischen) Verformung von Kupfer-Nickellegierungen (nach [3.16])
–einer Rekristallisation des Metallgefüges, d.h. einer Änderung der Kornstruktur
sowie der Korngrößenverteilung und der Kornorientierung Tab. 3.3.2-2 Genormte Widerstandswerte von Platin-, Nickel- und Kupfer-Temperatursensoren
–Änderungen der Gitterfehlerstruktur, Phasenumwandlungen etc. für verschiedene Temperaturen. Zugrundegelegt werden Nennwiderständen von
100 bei 0°C. Weiterhin ist angegeben das Widerstandsverhältnis R100/Ro
(R100 = R(100°C), Ro = R(0°C), nach [3.8].
70 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.2 Metallwiderstände 71

Bild 3.3.2-3 Zulässige Abweichungen von den Kenndaten in Tab. 3.3.2-2 in  und in oC für
Temperatursensoren der Klassen A und B (DIN-IEC 751, nach [3.17])

Bild 3.3.2-4 zeigt verschiedene Ausführungsformen von Platin-Temperatursensoren

(abhängig vom Nennwiderstand bei 0oC auch Pt 100 oder Pt 1000 genannt) mit den
aufbaubedingten Vor- und Nachteilen.
Eine für eine Vielzahl von Sensoren typische Fehlerquelle tritt bei den Temperatursen-
soren (die naturgemäß großen Temperaturunterschieden ausgesetzt werden) besonders
hervor: Eine unterschiedliche thermische Ausdehnung des Sensormaterials und des
Sensorträgers (Substrats) führt zu einer temperaturabhängigen mechanischen (elasti-
schen oder plastischen) Verformung, die zu reversiblen (elastische und geringe plasti-
sche Verformung) und irreversiblen (starke plastische Verformung) Effekten führen
kann. Beide Materialien sollten im Ausdehnungsverhalten möglichst gut aneinander an-
gepaßt sein. Bild 3.3.2-5 stellt die Abweichungen von Pt 100-Sensoren, die in verschie-
denen Fertigungstechniken hergestellt wurden, von den Normwerten dar.
72 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.2 Metallwiderstände 73

Bild 3.3.2-5 Abweichungen von Pt-100 Temperatursensoren gegen DIN IEC 751) für ver-
schiedene Herstellungstechniken nach Bild 3.3.2-4 (nach [3.1,3.18])

Der Einsatzbereich von Platin-Temperatursensoren läßt sich bis hin zu sehr niedrigen
Temperaturen in der Umgebung des absoluten Nullpunkts ausdehnen (Bild 3.3.2-6)

Bild 3.3.2-4 Ausführungsformen von Platin-Temperatursensoren mit den entsprechenden Vor-

und Nachteilen (nach [3.1,3.18]) Bild 3.3.2-6 Einsatz von Platinsensoren im Bereich sehr niedriger Temperaturen (nach [3.19])
a) aufgewickelter Platindraht (bzw. Platinband) auf Glas, in Glasgehäuse einge- a) Sensorkennlinie R(T)
schmolzen
b) Relative Empfindlichkeit (Widerstands-TK TR(T))
b) in ein Keramikgehäuse eingelagerte Drahtwendel
c) Dünnschichtsensor (Dünnschicht mit 0,5 bis 2 m Dicke wird aufgedampft Ein grundsätzlicher Nachteil von Platinsensoren ist der hohe Materialpreis, sowie die
oder aufgesputtert) mit mäanderförmiger Widerstandsbahn aufwendige und kostenintensive Fertigungstechnologie. Beide Gesichtspunkte treffen
74 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.3 Halbleiterwiderstände 75

aber nicht mehr zu auf Platin-Dünnfilmsensoren [3.51]. Ein alternativer Werkstoff für
eingeschränkte Ansprüche ist Nickel, das sich gut in einer sehr kostengünstigen Dick-
schichttechnik (Band 1, Abschnitt 4.2.1) verarbeiten läßt. Die Einstellung auf einen
Nennwiderstand erfolgt durch Lasertrimmen (z.B. mit einem Nd:YAG-Laser), d.h. eine
Technologie, die in der Dickschichttechnik ohnehin standardmäßig eingesetzt wird. In
Bild 3.3.2-7 ist ein Nickel-Dickschichttemperatursensor zusammen mit einigen Lei-
stungsdaten dargestellt.

Kenndaten des Ni-Dickschicht-Widerstandes

Nennwiderstand 100 Ohm
Bauweise Dickfilmtechnik
Abmessungen (ohne Anschlußdrähte)
Länge 17,00 mm
Breite 3,80 mm
Höhe 1,35 mm
Anschlußmatenal Phosphor-Bronze
(94% Cu, 6% Sn + P)
Abmessungen der 10 mm ± 1 mm Bild 3.3.2-8 Vergleich der Temperaturkoeffizienten von Platinwiderständen und des Seebeck-
Anschlußdrähte
Zugbelastbarkeit der Anschlußdrähte bei RT
Koeffizienten eines Thermoelements (nach [3.17])
axial > 40 N
senkrecht ca. 20 N
Kennlinie DIN 43760
Bild 3.3.2-7 resistiver Nickel-Dickschicht- Temperaturbereich °C –60 bis +180
Temperatursensor (nach [3.20]) Temperaturkoeffizient
ppm/K 6180 ± 47 3.3.3 Halbleiterwiderstände
a) Aufbau Selbsterwärmungs-
koeffizient °C/mW 0,01 Wie aus Bild 3.3.1-2 hervorgeht, hat die Temperaturabhängigkeit des spezifischen Wi-
b) Leistungsdaten (bei bewegter Luft v = 1 m/s)
derstandes bei Halbleiterwerkstoffen keinen linearen Verlauf wie bei Metallen. In den
Erschöpfungs-, Sättigungs- und intrinsischen Bereichen (Bild 3.3.1-2a) führen jeweils
In Tab. 3.3.2-3 werden die Eigenschaften von resistiven Temperatursensoren und Ther- unterschiedliche Effekte zu einer charakteristischen Temperaturabhängigkeit. Der An-
moelementen miteinander verglichen. Bild 3.3.2-8 zeigt, daß der TK von Platinwider- wendungsbereich für die große Mehrzahl der Temperatursensoren (ca. -50oC bis. +
ständen in einem großen Temperaturbereich weniger variiert (und das nach einem gut 200oC) fällt in den Sättigungsbereich der Halbleiter, wo die Ladungsträgerdichte et-
auswertbaren linearen Gesetz) als der Seebeck-Koeffizient eines Thermoelements. wa konstant ist und durch die Dotierungskonzentration bestimmt wird (Band 2, Ab-
Tab. 3.3.2-3 Vergleich der Eigenschaften von Widerstandsthermomentern (resistiven Tempe- schnitt 4.2). Aufgrund dieser Tatsache entstehen zwei prinzipielle Nachteile:
ratursensoren) und Thermoelementen (nach [3.17])
– die Größe des spezifischen Widerstandes wird durch die Dotierungskonzentration
bestimmt, die bei nicht zu niederohmigen Halbleitern sehr niedrige Werte (z.B. <<10-
3at%) annimmt. Zur Herstellung engtolerierter Temperatursensoren ist also eine

außerordentlich präzise Kontrolle der Dotierungskonzentration erforderlich, die in

der Größenordnung einiger Prozent innerhalb eines vorgegebenen Bereichs liegen
muß.
– Im Sättigungsbereich ist der Temperaturkoeffizient relativ klein, er wird überwie-
gend durch die Ladungsträgerbeweglichkeit bestimmt. Damit diese Größe gut re-
produzierbare Werte annimmt, muß auch die Konzentration von nicht dotierungsbe-
stimmenden Fremdatomen und Gitterfehlern, welche ebenfalls die Beweglichkeit
beeinflussen, sehr gut reproduziert oder insgesamt niedrig gehalten werden.
76 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.3 Halbleiterwiderstände 77

Bild 3.3.3-2 Ausführungsformen eines resistiven Halbleiter-Temperatursensors (nach [3.21–3.24])

a) kontaktierter Siliziumquader
b) spreading-resistance-Aufbau (unsymmetrisch)
c) Sensorkennlinie eines Halbleiter-Temperatursensors mit einem Aufbau wie in c)
Bild 3.3.3-1 spezifischer Widerstand in n-Halbleitern (nach [3.21]) d) spreading-resistance-Aufbau (symmetrisch)
a)Temperaturabhängigkeit der Elektronendichte rn (mit der
Donatordichte rD und der intrinsischen Ladungsträgerdichte ri)und Bei dem Halbleiterwerkstoff Silizium werden die genannten Werkstoffparameter auf-
des spezifischen Widerstands rsp grund des hochentwickelten Standes der Technik (Band 2, Abschnitt 8.1) heute in-
b) Dotierungsabhängigkeit des TKrsp = aTespdes spezifischen zwischen so gut beherrscht, daß die Streuung innerhalb der durch die Anwendung vor-
Widerstandes
78 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.3 Halbleiterwiderstände 79

gegebenen Grenzen gehalten werden kann. Die Streuung der Kristalldicke t geht also nicht ein. Praktisch realisierte Werte sind z.B.
[3.21]: sp(25oC) = 6,5 cm, d = 20 m, t = 250 m, so daß sich bei Raumtempera-
Eine besondere Bedeutung bei der Phospordotierung in Silizium hat die Technologie der
tur ein Sensorwiderstand von 1 k ergibt.
Neutronen -Transmutation (Band 2, Abschnitt 8.2.5) gewonnen. In Bild 3.3.3-1 ist die
Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerdichte n, des spezifischen Widerstandes Eine unsymmetrische Ausführung wie in Bild 3.3.3-2b führt bei höheren Temperatu-
sp und des Temperaturkoeffizienten des spezifischen Widerstandes dargestellt. ren zu einer polungsabhängigen Kennlinie (Bild 3.3.2-c), da durch Eigenleitung er-
zeugte Löcher im Kristall nur schwer in den hochdotierten Punktkontakt (mit sehr gerin-
Der Aufbau eines Silizium-Temperatursensorbauelements ist relativ einfach: Es
ger Löcherdichte) abfließen können [3.23]. Um diesen Effekt zu vermeiden (dann müßte
braucht nur ein homogener Siliziumkristall mit zwei Außenanschlüssen versehen zu
einer der Sensoranschlüsse besonders gekennzeichnet werden), werden häufig sym-
werden. Im Prinzip könnte einfach ein Siliziumquader auf gegenüberliegenden Stirnflä-
metrische Ausführungen wie in Bild 3.3.3-2d mit einem Sensorwiderstand von 2k be-
chen kontaktiert werden (Bild 3.3.3-2a). In diesem Fall würden aber die schlecht re-
vorzugt. Bild 3.3.3-3 gibt die Temperaturabhängigkeit des TKRs eines spreading-re-
produzierbaren geometrischen Abmessungen des Quaders die Streuung des Sensor-
sistance-Sensors an, weitere Eigenschaften des Sensors können dem Datenblatt (Bild
widerstandes beeinflussen. Aus diesem Grund geht man über auf einen spreading
3.3.3-4) entnommen werden.
resistance-(Ausbreitungswiderstand)-Aufbau, bei dem man die Vorteile der in der
Halbleitertechnik ohnehin standardmäßig angewendeten Planartechnik (Band 2, Ab-
schnitt 8.2) nutzen kann: In diesem Fall wird der Sensorwiderstand überwiegend durch
eine photolithographisch erzeugte und in den Abmessungen daher sehr gut reproduzier-
bare Kontaktöffnung in einem oxidbedeckten Halbleiterkristall bestimmt (Bild 3.3.3-2b
und d).
In der spreading-resistance-Ausführung wird der Widerstand vor allem bestimmt durch
den Durchmesser d der Kontaktöffnung (Bild 3.3.3-2b und d). Die Feldstärkevertei-
lung ist dann wie beim Punktkontakt (Band 2, Abschnitt 9.3.3) radialsymmetrisch und
hat die Form

Bild 3.3.3-3 Gemessener Temperaturkoeffizient eines spreading-resistance-Sensors in Abhän-

gigkeit von der Temperatur (nach [3.21])

Die Integration der Feldstärke E über den Radius R (näherungsweise werden die Äqui-
potentialflächen im gesamten Kristall als kugelförmig angenommen, im Vergleich zur Bei einem Elektronenfluß vom spreading-resistance-Kontakt zur Sensorrückseite nach
realistischen Form der Äquipotentialflächen in Bild 3.3.3-2b führt das nur zu einem rela- Bild 3.3.3-2c kann der Einfluß der Eigenleitung vermindert werden, dieser Effekt wird
tiv kleinen Fehler) ergibt mit der Kristalldicke t die Strom-Spannungsbeziehung (U zur Herstellung von Hochtemperatur-Siliziumsensoren ausgenutzt (Bild 3.3.3-5).
ist der Spannungsabfall über dem Sensor):
80 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.3 Halbleiterwiderstände 81

Bild 3.3.3-5 Durch die polungsabhängige Unterdrückung der Eigenleitung (Bild 3.3.3-2c)
kann der für Silizium-Temperatursensoren nutzbare Temperaturbereich vergrößert
werden. Dargestellt sind die bis auf 300° erweiterten Meßkurven und dem Toleranz-
bereich von Sensoren der Reihe KTY 84-1...

Der große Vorteil der Silizium-Temperatursensoren ist, daß sie mit Hilfe der hochent-
wickelten Halbleitertechnologie sehr preisgünstig produziert werden können. Wegen
der kleinen Chipgröße der Sensoren (Band 2, Abschnitt 12) ist die simultane Herstellung
einer großen Anzahl von Sensoren pro Halbleiterscheibe möglich. Auch die Montage-
und Gehäusetechnik für Silizium-Temperatursensoren lehnt sich eng an diejenige von
anderen diskreten Halbleiterbauelementen an, dabei ergeben sich typische thermi-
sche Zeitkonstanten (Einschwingzeit des Sensorsignals auf den Gleichgewichtswert)
wie in Tab. 3.3.3-1.

Tab. 3.3.3-1 Thermische Zeitkonstanten von spreading-resistance-Sensoren in verschiedenen

Standardgehäusen von Halbleiterbauelementen (Einzelheiten der Gehäuseformen, s.
Band 2, Abschnitt 8.3, nach [3.24])

Ein spezifisches Problem bei Halbleiter-Temperatursensoren ist die Querempfind-

Bild 3.3.3-4 Technische Daten eines Silizium-Temperatursensors nach dem spreading-resi-
stance-Prinzip. lichkeit gegenüber mechanischen Spannungen, die über den vergleichsweise großen
piezoresistiven Effekt (Abschnitt 4.2.2) in niedrig dotierten Halbleiterwerkstoffen zu
82 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.3 Halbleiterwiderstände 83

erheblichen Störeffekten führen kann. Mechanische Spannungen treten in der Regel auf Dieser Nachteil kann aufgehoben werden, wenn auf dem isolierten Sensor ein Netzwerk
beim Einbau von Halbleiterchips in Gehäuse (Bild 3.3.3-6), unter anderem wegen der von Metallwiderständen aufgebracht wird, mit dessen Hilfe jeder Sensor auf eine vorge-
dort auftretenden unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten. Spannun- gebene Charakteristik laser-getrimmt werden kann (Bild 3.3.3-7). Solche Sensoren sind
gen dieser Art können sich beim Betrieb des Sensors in langen Zeiträumen ändern und untereinander vollständig austauschbar, allerdings geht der Kostenvorteil der Silizium-
damit die Langzeitstabilität der Sensorkennwerte negativ beeinflussen. sensoren verloren.
Siliziumtemperatursensoren nach dem spreading-resistance-Prinzip sind Volumen-
bauelemente und daher nicht wie die in Abschnitt 3.3.2 beschriebenen Dünn- und Dick-
schichtsensoren trimmbar. Unvermeidliche Fertigungsstreuungen aufgrund von
Schwankungen in der Dotierungskonzentration, der geometrischen Abmessungen etc.
können nur in eingeschränktem Maß ausgeglichen werden (z.B. durch Einstellung der
n+-Kontaktdiffusion). Danach ist nur noch eine Gruppensortierung der Sensoren auf-
grund der gemessenen Widerstandscharakteristik möglich, d.h. Sensoren sind nur inner-
halb einer vorgegebenen Gruppe austauschbar.

Bild 3.3.3-7 Silizium-Temperatursensor mit aufgedampften Widerstandsnetzwerk zur Trim-

mung auf eine Kennlinie der Form

Die Widerstandsbahnen bestehen aus einer Permalloy-Legierung. Die Spiralform unterdrückt eine
Querempfindlichkeit gegenüber Magnetfeldern aufgrund des magnetoresistiven Ef-
fekts (Abschnitt 5.2.2, nach [3.25])

Bild 3.3.3-6 Nach der Methode der finiten Elemente berechnete Verteilung der mechanischen
Spannungen in einem Halbleiterkristall (Chip), nach [3.24]: Bild 3.3.3-7 Polysilizium als Werkstoff für Temperatursensoren (nach [3.26])
a) Halbleiterkristall, der auf einem Metallträger auflegiert ist a) spezifischer Widerstand bei Raumtemperatur von durch Ionenimplantation
(Bor) dotierten und laser-ausgeheilten dünnen Polysiliziumschichten in Abhän-
b) Axiale mechanische Spannungen in einem Halbleiterkristall für das DO 34- gigkeit von der Implantationsdosis p
Glasgehäuse beim Temperaturwechsel von 300 auf 20°C (Typenreihe KTY 84).
b) Temperaturkoeffizient des spezifischen Widerstands der Schichten aus a)
84 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter 85

Siliziumsensoren lassen sich auch direkt in einer Dünnschichttechnik herstellen. Die Si- b) Verlauf der Spannung UM am Sensor mit und ohne Linearisierung. Durch die
lizium-Dünnschicht ist in der Regel polykristallin (Polysilizium s. Band 2, Abschnitt Linearisierung wird die Sensorempfindlichkeit verkleinert.
8.2-4,), sie hat Eigenschaften, die von denen des einkristallinen Siliziums erheblich ab-
weichen (Bild 3.3.3-7).
3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter
Silizium-Sensoren nach dem spreading-resistance-Prinzip haben im Vergleich zu Pla-
tin-Dünnschichtthermoelementen eine etwas höhere Temperaturempfindlichkeit. Wie in Band 1, Abschnitt 4.1.2, ausgeführt, verhalten sich die Elektronen in den meisten
Nachteilig ist aber die geringere Linearität der Temperaturabhängigkeit des Wider- leitfähigen Keramiken nicht wie Teilchen eines Elektronengases (Bandleitung, s. Band
stands, welche durch dieTemperaturabhängigkeit des TK in Bild 3.3.3-3 entsteht. In ei- 2), sondern eher wie geladene Teilchen, die sich nach einem Diffusionsmechanismus
nem eingeschränkten Temperaturbereich ist eine Linearisierung durch eine Parallel- fortbewegen:
oder Serienschaltung eines ohmschen (nicht temperaturabhängigen) Widerstands mög- Beim Elektronengas erfolgt die Begrenzung des Stromflusses bei Anliegen eines elek-
lich (Bild 3.3.3-8), dabei geht aber Sensorempfindlichkeit verloren. trischen Feldes dadurch, daß die Elektronen nur zwischen zwei Stößen ihre Bewegung
beschleunigen können; durch den Stoß selbst geben sie so viel von ihrer aufgenomme-
nen kinetischen Energie ab, daß sie danach in ihrer Bewegung "von vorn anfangen", d.h.
nicht die bereits aufgenommene Geschwindigkeit in Feldrichtung vergrößern, sondern
diese, ausgehend von Null, erst wieder aufbauen müssen. Die resultierende Driftge-
schwindigkeit vD ergibt sich aus dem Mittelwert der Geschwindigkeit in Feldrich-
tung zwischen zwei Stößen (Bild 2.2-2b), sie ist deshalb abhängig von der Dichte aller
Elektronen, welche auch fundamentale Größen wie die mittlere Zeit  und die mittle-
re freie Weglänge  zwischen zwei Stößen beeinflußt.
Bei den stärker an die Wirtsatome gebundenen Elektronen in vielen keramischen Werk-
stoffen liegen die Verhältnisse anders: Die Wahrscheinlichkeit, daß sich die Elektronen
begegnen und durch gegenseitgen Stoß miteinander "bremsen", ist deutlich geringer:
Das Hauptproblem (der ratenbestimmende Prozeß) ist die Ablösung eines Elektrons aus
dem gebundenen Zustand und der Übergang in einen benachbarten, häufig energetisch
äquivalenten gebundenen Zustand. Die Verhältnisse liegen hier ähnlich wie bei der Dif-
fusion von Atomen in Festkörpern über einen Leerstellenmechanismus: In diesem Fall
müssen die Atome warten, bis eine der durch den Kristall wandernden Leerstellen einen
Nachbarplatz einnimmt, gleichzeitig müssen sie aufgrund ihrer thermischen Schwin-
gungsenergie zu diesem Zeitpunkt gerade so viel Energie besitzen, daß sie eine Energie-
barriere, die sich dem Sprung in die Leerstelle entgegenstellt, überwinden können. In
diesem Fall erhält man als Diffusionskoeffizient nach Band 1, Abschnitt 2.7.2, die
Bild 3.3.3-8 Linearisierung nichtlinear verlaufender Sensorkennlinien (nach [3.27]) Beziehung
a) Meßschaltungen mit Parallel- oder Serienwiderstand RL zur Linearisierung.
RL wird so dimensioniert, daß die temperaturabhängige Funktion mT = RT/
RL + RT (RT ist die Sensorkennlinie) bei einer vorgegebenen Meßtemperatur
TM einen Wendepunkt besitzt, so daß gilt
In dem präexponentiellen Faktor Do sind eine Vielzahl von Größen, wie die Ge-
schwindigkeit des Teilchens während des Sprungs, sowie statistische und Entropiegrö-
ßen enthalten. Wdiff charakterisiert die Aktivierungsenergie für den Sprung, also die
Größe der Energiebarriere, die für einen Sprung überwunden werden muß. Bei hinrei-
chend großen Aktivierungsenergien Wdiff liefert (1) eine außerordentlich starke Tem-
86 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter 87

peraturabhängigkeit, gegenüber der eine evtl. in Do noch enthaltene Temperaturab-

hängigkeit T meist vernachlässigt werden kann (eine ausführliche Diskussion dieses
Problemkreises erfolgt in Band 5 dieser Reihe [3.52]). Über die in Band 1, Abschnitt
2.7.2, begründete Einstein-Beziehung und eine Umrechnung nach Band 1, Abschnitt mit einem Austausch der Wertigkeit (Valenzaustausch oder charge transfer) verbun-
4.1.1, erhält man für die Elektronenbeweglichkeit den. Elektronenübergange dieser Art sind mit vergleichsweise niedrigen (aber dennoch
signifikanten) Aktivierungsenergien Wdiff verbunden, so daß die Beweglichkeit (2)
relativ hohe Werte annehmen kann, die allerdings mit Größen im Bereich 10-5 bis
10-1 cm2/Vs meist immer noch weit unterhalb denen von Metallen und Halbleitern
liegen. In Bild 3.3.1-3 ist die erhöhte Leitfähigkeit des Magnetits im Vergleich zu ande-
– also eine Beweglichkeit, die im Gegensatz zu den bisher behandelten (vgl. Bild 3.3.1- ren keramischen Verbindungen gut zu erkennen. Eine andere Spinellverbindung mit ei-
2) stark mit der Temperatur zunimmt, sofern die Barrierenhöhe relativ zu kT signifi- nem Leitfähigkeitsmechanismus über Valenzaustausch ist CoFe2O3; allerdings ist
kante Werte annimmt. Der Zunahme der Beweglichkeit entspricht bei konstanter La- dabei ein Elektronensprung mit einem Wechsel des den Atomrumpf bildenden Elemen-
dungsträgerdichte nach (3.3.1-1) eine Abnahme des spezifischen Widerstands mit der tes verbunden, was zu höheren Aktivierungsenergien führt. Durch Bildung von Misch-
Temperatur, also ein negativer Temperaturkoeffizient (NTC) des Widerstandes. Re- kristallen aus schlechter leitenden oder isolierender (z. B. MgCrO4) keramischer Ver-
sistive keramische Temperatursensoren werden daher auch als NTC-Widerstände bindungen mit Magnetit lassen sich Spinelle mit weitgehend einstellbarer Leitfähigkeit
(im Gegensatz zu PTC-Widerständen aus homogenen metallischen und Halbleiterwerk- und Temperaturkoeffizienten TKR erzeugen (Bild 3.3.4-1, [Link] Bild 3.3.1-4).
stoffen) oder Heißleiter bezeichnet. Spezielle Korngrenzeneffekte können aber auch
zu einer Zunahme des Widerstandes mit der Temperatur führen, die entsprechenden
Bauelemente heißen Kaltleiter (Abschnitt 3.3.5, häufig werden auch diese als PTC-
Widerstände schlechthin bezeichnet).
Eine wichtige Gruppe von keramischen Werkstoffen für die Herstellung von NTC-Wi-
derständen sind die Spinelle (Band 1, Abschnitt 1.3.2). Dabei handelt es sich um Io-
nenkristalle der Zusammensetzung A2+B23+X42–, deren Aufbau durch große zweifach
negativ geladene Anionen X (in vielen praktischen Fällen Sauerstoffatome O2-) be-
stimmt wird. Die kleineren Kationen A und B werden auf Zwischengitterplätzen einge-
baut. Neben der Anwendung bei NTC-Widerständen sind Spinellverbindungen mit ein-
gelagerten magnetisch aktiven (z.B. Eisen-)Ionen sehr verbreitet als Ferrite, und zwar
sowohl mit weichmagnetischen (kubisches Anionengitter), wie mit hartmagnetischen
(hexagonales Anionengitter) Eigenschaften.
Bei den meisten Spinellen sind die Elektronen sehr fest gebunden, so daß die Aktivie-
rungsenergien in (1) hohe Werte annehmen: Eine signifikante elektrische Leitfähigkeit
tritt dann nur bei sehr hohen Temperaturen auf. Eine wichtige Ausnahme hiervon bildet
der Spinell Magnetit oder Eisenoxiduloxid mit der Zusammensetzung FeO · Fe2O3 Bild 3.3.4-1 Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit von Mischkristallen des
Magnetits (Fe3O4) mit den Spinellen FeCr2O4 und FeAl2O4. Angegeben sind je-
= Fe3O4. Das Zustandsdiagramm dieser ternären Ionenlegierung war in Band 1, Bild weils die dazugehörigen Aktivierungsenergien (nach [3.15])
2.5-13 wiedergegeben worden. Die Besonderheit beim Magnetit ist, daß dort die Eisena-
tome sowohl im zweifach, wie auch im dreifach positiv geladenen Zustand vorkommen.
Befinden sich zwei unterschiedlich geladene Eisenatome nebeneinander, dann ist ein In die Temperaturabhängigkeit des NTC-Widerstandes geht nach (3.3.1-5) die Beweg-
Elektronen-(genauer: kleine Polaronen, s. [3.52]) übergang (hopping) von dem zwei- lichkeit (2) invers (d.h. mit positivem Exponenten) ein, mit dem charakteristischen
fach geladenen Atom auf das dreifach geladene gemäß der Reaktion B-Wert, der durch B:=Wdiff/k (Einheit Kelvin) definiert ist, hat sie die Form:

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

88 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter 89

Ausgehend von Gleichung (5b) ergibt sich für die relative Streuung R/R von NTC-
Widerständen bei einer fertigungsbedingter Variation von RN und B:
Der B-Wert spielt in der Anwendung bei der Charakterisierung von Heißleitern eine
bedeutende Rolle. Häufig bezieht man die Kennlinie auch auf eine Referenztemperatur
TN (z.B. auf die Raumtemperatur 20 bis 25°C) und erhält dann:

In Bild 3.3.4-2 sind typische Kennlinien für NTC-Widerstände dargestellt.

Die Fertigungsstreuung von NTC-Sensoren ist durchaus kritisch, weil der Kontaminati-
onsgehalt im Sinterwerkstoff schwer kontrollierbar ist, außerdem können sich die bei
der Herstellung bildenden keramischen Verbindungen und deren Struktur bei hohen
Temperaturen mit der Zeit verändern. Erst in neuerer Zeit ist hier durch eine verbesserte
Auswahl der Legierungsbestandteile und den Einsatz der Sägetechnik (s.u.) eine für die
Anwendung notwendige Einschränkung der Toleranzen gelungen. In den Datenblättern
werden nach der Anzahl der Temperaturfixpunkte, bei denen die Toleranzen spezifiziert
werden, Zweipunkt- und Dreipunktsensoren unterschieden. In Bild 3.3.4-3 ist das
Toleranzfeld eines Zweipunktsensors dargestellt.

Bild 3.3.4-2 Kennlinien von NTC-Temperatursensoren (nach [3.28])

a) Temperaturabhängigkeit des Sensorwiderstandes Bild 3.3.4-3 Temperaturtoleranzen in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur bei form-
gesinterten (alte Technologie) und gesägten (neue Technologie) Heißleitern (nach
b) Temperaturabhängigkeit des Temperaturkoeffizienten nach (3.1-2)
[3.29])
c) Widerstandskennlinie nach (5b) für verschiedene B-Werte nach (4)

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

90 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter 91

Für die Fertigung keramischer NTC-Widerstände werden in der Regel Sinterverfahren lumen und damit einer geringen Wärmekapazität zu, d.h. es lassen sich Sensoren für
(Band 1, Abschnitt 3.3) eingesetzt. Die Bilder 3.3.4-4 und 5 geben einen Überblick über die Messung sehr schneller Temperaturänderungen herstellen. Ein Beispiel dafür ist in
zwei Gruppen von Sinterprozessen, sowie über einen Fertigungsprozeß von kerami- dem Datenblatt in Bild 3.3.4-7 wiedergegeben.
schen Sensoren. Eine ausführliche Diskussion der keramischen Fertigungstechnik er-
folgt im Folgeband 5, "Keramik".

Bild 3.3.4-5 Fertigungsverfahren für keramische Sensoren (nach [3.30])

Bild 3.3.4-4 Übersicht über keramische Herstellungsverfahren (nach [3.30])

a) Formen und Brennen getrennt
b) Formen und Brennen in einem Schritt

Die Sintertechnologie läßt eine große Formenvielfalt für die Sensoren zu (Bild 3.3.4-
6), sie hat dazu den grundsätzlichen Vorteil, daß die Befestigung und Kontaktierung
der Anschlußdrähte (Chrom-Nickel-Legierungen oder Kupfermanteldrähte) in den Sin-
terprozeß miteinbezogen werden kann, so daß hochtemperaturfeste Kontakte entstehen.
Die sonst bei Bauelementen üblichen Bondtechniken (Band 1, Abschnitt 4.2.2) sind da-
gegen weit kostenaufwendiger und haben im Bereich höherer Temperaturen (oberhalb
von 300oC) häufig eine geringere Zuverlässigkeit. Das Einsintern der Anschlußdräh-
te läßt zusätzlich die Fertigung von Sensoren mit einem sehr geringen Gewicht und Vo-

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

92 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter 93

Bild 3.3.4-6 Bauformen von NTC-Widerständen (nach [3.28]):

Die Umhüllung erfolgt häufig mit Weichglas (Einsatztemperaturen bis 300°C) oder
Hartglas (Einsatztemperaturen bis 600°C)
a) Tablettenform b) Perlen- oder Pillenform (engl. bead)

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

94 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter 95

Bild 3.3.4-7 Datenblatt eines schnell ansprechenden Heißleiters mit Pillenform und Glasgehäu- Strom-Spannungskennlinien U(I), die durch die Eigenerwärmung des Sensors be-
se stimmt werden. Mit (3.1-1) gelten nämlich im stationären Fall nach Einsetzen der Joule-
schen Wärme P = U · I für jede Sensorkennlinie R(T) gleichzeitig die Gleichungen:
Einen technologischen Fortschritt im Hinblick auf eine geringere Exemplarstreuung bei
der Fertigung von Heißleitern hat die bereits oben erwähnte Sägetechnik gebracht:
Dabei werden zunächst größere Sinterkörper mit weitgehend homogenen Eigen-
schaften hergestellt, anschließend werden die gewünschten Sensorformen durch mehre-
re Sägeprozesse gefertigt. Die Kontaktanschlüsse werden durch Löten befestigt.
Im Vergleich zu den bisher beschriebenen Temperatursensoren zeichnet sich der NTC-
Widerstand aus durch
– einen hohen Widerstand
– einen hohen TK Die Elimination der Variablen T aus (8a) und (8b) ergibt die Strom-Spannungskenn-
– eine Temperaturbeständigkeit bis hin zu relativ hohen Temperaturen linie U(I). Da die mathematische Beschreibung der Kennlinie R(T) häufig aufwendig
– (bei entsprechendem Aufbau:) kurze Ansprechzeiten ist, wird das folgende graphische Verfahren angewendet: Die Kennlinie R(T) kann
– relativ niedrigen Preis unmittelbar den Datenblättern des Sensors entnommen werden. Die Beziehung (8b)
Die Linearisierung erfolgt wie beim spreading resistance -Sensor in Bild 3.3.3-7. In Bild wird in die folgende Form umgewandelt, wobei zwei alternative Randbedingungen vor-
3.3.4-8 wird die Kennlinie des linearisierten NTC-Widerstandes mit denen von Ther- ausgesetzt werden können:
moelementen verglichen.

Je nach Meßführung (konstanter Strom oder konstante Spannung, vorgegebene Um-

gebungstemperatur) kann jetzt die Funktion (9a) oder (9b) in das Koordinatensystem der
Sensorkennlinie aus dem Datenblatt eingetragen werden. Der Schnittpunkt beider Kur-
Bild 3.3.4-8 Vergleich einer für den Temperaturbereich um 600oC linearisierten Kennlinie (S- ven ergibt für die Umgebungstemperatur Tu und bekanntem Wärmeableitungskoeffi-
Form wie in Bild 3.3.3-8) eines NTC-Widerstandes mit denen zweier Thermoele-
mentsysteme (nach [3.28])
zienten die Sensortemperatur T und den dazugehörigen Widerstandswert R(T) des
Sensors (dieses Verfahren wird beim Kaltleiter in Bild 3.3.5-5 explizit angewendet).
Über (8a) kann dann der dazugehörige Strom (bei konstanter Spannung) oder die Span-
Kennzeichnend für Temperatursensoren sind neben den Sensorkennlinien R(T) die nung am Sensor (bei konstantem Strom) bestimmt werden. Daraus ergibt sich die Strom-

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

96 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter 97

Spannungskennlinie des Sensors mit der eingespeisten Leistung oder dem Wert des Sen- ses Übergangsverhalten gibt es eine interessante Anwendung von NTC-Widerständen
sorwiderstands als Parameter (Bild 3.3.4-9). außerhalb der Sensorik als Zeitverzögerungsglied (Bild 3.3.4-10).

Bild 3.3.4-9 Statische Strom-Spannungskennlinie (nach Einstellung der Sensortemperatur auf

einen zeitlich konstanten Wert) eines NTC-Widerstands in doppeltlogarithmischer
Darstellung (nach [3.29]). An verschiedenen Punkten entlang der Kennlinie ist die
sich durch Selbstaufheizung einstellende Sensortemperatur angegeben. Ebenfalls
eingetragen sind die Kennlinienscharen

Gleichung (8b) beschreibt die Sensortemperatur nach Einstellung des Gleichgewichts,

also nach Abklingen eines Einschwingvorgangs. Zur Bestimmung des zeitlichen Ab-
laufs muß die vollständige zeitabhängige Differentialgleichung für den Wärmehaushalt Bild 3.3.4-10 Wirkung des NTC-Widerstandes als Zeitverzögerungsbauelement mit einer Ver-
nach gelöst werden, die sich nach Band 2, Abschnitt 13.1, ergibt: zögerungszeit th nach (12b) (nach [3.28]).
a) Arbeitspunkte einer Reihenschaltung von NTC-Widerstand RT und Lastwider-
stand R. Bei Beginn der Erzeugung von Jouleschen Wärme hat der NTC-Wi-
derstand zunächst die Kennlinie eines ohmschen Widerstandes mit einem Wider-
standswert, der dem kalten Zustand entspricht (Kurve 1). Nach Erwärmung
Dabei geht die Wärmekapazität cth (Dimension Ws/K) ein. Die Lösung der Diffe- nimmt im stationären thermischen Gleichgewicht die Kennlinie eine Form wie in
rentialgleichung ist: 3.3.4-9 an (Kurve 2).
Der Arbeitspunkt wird auf die folgende Art graphisch bestimmt: Die Summe
der Spannungsabfälle über dem NTC-Widerstand (U) und dem Lastwiderstand
(I · R) ist gleich der von außen angelegten Spannung Ua

Die Funktion Ua – I · R kann als Arbeits- oder Lastgerade in das Strom-Spannungs-Diagramm

eingetragen werden. Gleichzeitig müssen aber die angenommenen Werte auf der
Widerstandskennlinie U(I) entsprechend Bild 3.3.4-9 liegen. Der Arbeits-
punkt (die von der Schaltung angenommenen Werte von Strom und Span-
Innerhalb einer Zeit der Größenordnung th geht die Temperaturdifferenz T – Tu in nung) wird daher durch den Schnittpunkt beider Kurven im Strom-Spannungs-
(12) auf den Wert (8b) nach Einstellung des thermischen Gleichgewichts über. Für die- Diagramm festgelegt.

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

98 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.4 Keramikwiderstände: Heißleiter 99

b) Zeitliche Zunahme des Stroms in der Schaltung a) für typische Kennwerte ei-
nes NTC-Widerstandes
c) Variation der Zeitverzögerung durch Änderung der äußeren Spannung Ua und Bei einigen Anwendungen hat der Temperatursensor nur die Aufgabe, die Entstehung
des Serienwiderstandes R einer Übertemperatur in einem bestimmten Bereich anzuzeigen. Auch hierfür eignen
sich die empfindlichen Heißleiter in hervorragender Weise: Ein solcher Flächen-
Die Bilder 3.3.4-11 und 12 zeigen Anwendungsmöglichkeiten von NTC-Widerständen
wächter kann als flexibles Koaxialkabel ausgeführt sein, dessen innere und äußere Lei-
als Zeitverzögerungsglieder und träge Spannungsstabilisierung.
tung durch eine NTC-Keramik voneinander isoliert werden (Bild 3.3.4-13).

Bild 3.3.4-11 Anwendungen von NTC-Widerständen als Zeitverzögerungsglied (nach [3.28])

a) Bei Betätigen des Schalters S muß sich erst der NTC-Widerstand aufwärmen,
bevor ein großer Strom durch die Relaisspule fließen kann, damit wird eine Strom-
überhöhung beim Einschalten des Relais vermieden
b) Beim Betätigen des Schalters fließt zunächst ein relativ niedriger Strom über
den NTC-Widerstand, der erst nach Selbsterwärmung so ansteigt, daß das Relais
ausgeschaltet wird (Abfallverzögerung am Relais)

Bild 3.3.4-12 Spannungsstabilisierung mit NTC-Widerständen (nach [3.28]):

Die Reihenschaltung eines NTC-Widerstandes mit einem ohmschen Widerstand
ergibt eine Kennlinie mit einem Minimum der Strom-Spannungs-Kennlinie, das bei
nicht zu großen Stromschwankungen die angelegte Spannung konstant hält.

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

100 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.5 Keramikwiderstände: Kaltleiter 101

6.2.1), deren Größe durch die Dielektrizitätskonstante charakterisiert wird.

3.3.5 Keramikwiderstände: Kaltleiter schaft des Bariumtitanats ist die Ferroelektrizität: Zur Minimierung der freien Energie
Eine Gruppe von Keramikwiderständen mit einem völlig anderen Temperaturverhalten nimmt das Bariumtitanatgitter eine asymmetrische Konfiguration an (das raumzentrier-
bilden die keramischen PTC-Widerstände oder Kaltleiter. Im Gegensatz zu den te Titanion ist um eine kleine Distanz aus der symmetrischen Position in der Mitte der
NTC-Widerständen, die überwiegend aus Werkstoffen mit einer Spinellstruktur herge- Raumdiagonalen verschoben), bei der permanente Dipole entstehen (Bild 3.3.5-1). Auf-
stellt werden, weisen die Kaltleiterkeramiken häufig eine Perovskitstruktur (Band grund der Kristallsymmetrie gibt es eine Anzahl äquivalenter Raumrichtungen, in denen
1, Abschnitt 1.3.2) auf. Ein typischer Werkstoff dieser Kategorie ist Bariumtitanat die Dichte solcher Dipole, die Polarisation, ausgerichtet sein kann. Die mit der Po-
(Band 1, Bild 1.3.2-4). Eine für das Kaltleiterverhalten entscheidende Eigen- larisation verbundenen Oberflächenladungen perm verhalten sich wie permanente
Ladungen , sie gehen im Gegensatz zu den induzierten Ladungen wie Monopolladungen
in die Poissongleichung ein ((1), s. auch Abschnitt 3.5 und Band 1, Abschnitt 6.2).
Bei Wirkung von elektrischen Feldern, die z.B. durch die Gegenwart fester elektrischer
Ladungen im Kristall (aufgrund von Fremdatomen oder anderen Störstellen) entstehen
können, richtet sich die ferroelektrische Polarisation so aus, daß die (freie) Energie des
Kristalls in Verbindung mit dem elektrischen Feld ein Minimum annimmt. Wie in Band
1, Abschnitt 6.2, gezeigt, erzeugt ein Sprung P der Polarisation stets eine Oberflä-
chendipolladung dip der Größe

Bild 3.3.5-2 Ausrichtung der ferroelektrischen Polarisation in einem polykristallinen Material

Bild 3.3.5-1 Ferroelektrizität in perovskitischen Gittern (nach [3.33]). Für die Perovskitstruktur (z.B. einer ferroelektrischen Sinterkeramik, nach [3.35]). Die polarisierten Bereiche
ist eine Gitterzelle wie in Band 1, Bild 1.3.2-3, gewählt. Eingezeichnet ist die Ionen- richten sich vorzugsweise so aus, daß die mit der Polarisation verbundenen Oberflä-
besetzung des Gitters für Bariumtitanat. Die Atomgrößen sind übertrieben hervorge- chen-Dipolladungen sich möglichst gegenseitig aufheben oder andere Flächenladun-
hoben und entsprechen nicht den realistischen Verhältnissen. gen, wie sie an Korngrenzen entstehen, kompensieren.
a) symmetrische Konfiguration ohne permanentes Dipolmoment a) Ausrichtung der Polarisation bei Abwesenheit von Korngrenzenladungen: die
b) zur Minimierung der freien Energie "relaxierte" Konfiguration: Die Ionen sind permanenten Oberflächen-Dipolladungen benachbarter Bereiche (aus verschie-
relativ zu den Gitterpositionen in a) um eine kleine Distanz verschoben und erzeu- denen Körnern) kompensieren sich weitgehend gegenseitig.
gen dadurch ein permanentes Dipolmoment pro Volumen (Polarisation). Für die b) Bei Anwesenheit von Korngrenzenladungen richtet sich die ferroelektrische
Richtung des Dipolmoments gibt es mehrere kristallographisch äquivalente Polarisation vorzugsweise so aus, daß die Korngrenzenladungen weitgehend
Orientierungen. elektrisch kompensiert werden, d.h. die Abschirmung der Korngrenzenladung er-
c) Wechselwirkung der permanenten Dipole mit einem äußeren elektrischen Feld folgt durch Oberflächendipolladungen. Sind solche Dipolladungen (z.B. oberhalb
Ea: Die permanenten Dipole richten sich im Kristall so aus, daß sie in Verbin- der Curietemperatur) nicht vorhanden, dann muß die Abschirmung durch geladene
dung mit den elektrischem Feld eine Orientierung minimaler (freier) Energie ein- Störstellen im Volumen des keramischen Werkstoffs erfolgen, hierdurch entstehen
nehmen. Zusätzlich bewirkt das äußere Feld eine ionische Polarisation (Band 1, Bild Energiebarrieren, die einen Stromfluß erheblich behindern können.

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

102 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.5 Keramikwiderstände: Kaltleiter 103

a/b) Bändermodell vor bzw. nach Einstellung des thermischen Gleichgewichts.

c/d) Ortsverlauf der elektrischen Feldstärke / der Raumladungsdichte.

Bei Anwesenheit geladener Flächen, die z.B. bei elektrisch geladenen Korngrenzen
in (polykristallinen) Sinterkeramiken entstehen, richtet sich die Polarisation so aus, daß
die Oberflächendipolladung dip nach Möglichkeit die Korngrenzenladung kompen-
siert (abschirmt, s. Bild 3.3.5-1). Oberhalb der Curietemperatur (Abschnitt 3.5 und
Band 1, Abschnitt 7.1.4) verschwindet die permanente Polarisation: In diesem Fall muß
die Abschirmung der Korngrenze durch ionisierte Störstellen erfolgen. Dadurch bilden
sich Energiebarrieren für den Ladungstransport (s. Band 2, Abschnitt 7), so daß die elek-
trische Leitfähigkeit erheblich abgesenkt wird (Kaltleitereffekt).
Dipolflächenladungen können beachtliche Werte annehmen, damit ist eine Abschir-
mung (elektrische Kompensation) der Korngrenzenladung innerhalb sehr kurzer
Distanzen möglich (Bild 3.3.4-15, Fall II)
Die Abschirmung geladener Korngrenzen durch ferroelektrisch erzeugte Dipolladun-
gen verschwindet, wenn oberhalb der Curietemperatur die ferroelektrische Ordnung zu-
sammenbricht. Die Ursache für diesen Effekt läßt sich leicht aus dem Prinzip der mini-
malen freien Energien ableiten: Bei hinreichend hohen Temperaturen geht der Entropie-
term in (2.1-1) so stark ein, daß die Vergrößerung der Entropie beim Übergang in den un-
geordneten (nichtferroelektrischen) Zustand die damit verbundene Zunahme der Ener-
gie überkompensiert (vgl. Band 1, Bild 5.1-3). Oberhalb der Curietemperatur ver-
schwindet mit der ferroelektrischen Ordnung auch die Dipolflächenladung. Die elektro-
statische Abschirmung muß jetzt zwangsläufig durch andere Ladungen erfolgen, hierfür
kommen bei Anwesenheit von negativen Korngrenzenladungen in einer n-dotierten Ke-
ramik z.B. positiv ionisierte Donatoren (Bild 3.3.5-3, Fall I) in Frage. Wegen der weitaus
geringeren – und auf das Volumen verteilten – Ladungsdichte ist jetzt die Raumladungs-
zone viel breiter als bei einer Abschirmung durch Oberflächen-Dipolladungen.
Die Folge davon ist die Entstehung einer Energiebarriere oberhalb der Curietempera-
tur mit erheblichen Auswirkungen auf die Leitfähigkeit des Werkstoffs. Ausgedehnte
Barrieren wie in Bild 3.3.5-3, Fall I können nämlich ein wesentliches Hindernis für den
Stromtransport darstellen; die theoretische Behandlung dieses Problemkreises ist von
fundamentaler Bedeutung für die Halbleiterbauelemente (Band 2, Abschnitt 7). Die Er-
gebnisse der Theorie sind in Band 2, Abschnitt 7.3 zusammengestellt und führen auf die
Formel

Bild 3.3.5-3 Abgeschirmte (d.h. elektrostatisch kompensierte) Grenzflächenladungen (vgl.

Band 2, Abschnitt 5.2.4): Die Abschirmung kann durch ionisierte Donatoratome (Fall
I) oder bei Ferroelektrika durch Dipol-Flächenladungen am Rande des Dielektri-
kums (Fall II) erfolgen. Im zweiten Fall entstehen – wenn überhaupt – räumlich sehr
schmale Barrieren, die von den Ladungsträgern (z.B. durch den Tunneleffekt) relativ
leicht überwunden werden können. Bei den räumlich ausgedehnten Barrieren in Fall I
hingegen wird der Stromfluß stark behindert.

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

104 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.5 Keramikwiderstände: Kaltleiter 105

Dabei ist A eine Konstante, die nach Band 2, Abschnitt 7.3, von den Werkstoffeigen- werden (nach [3.42]).
schaften und der Art der Barriere abhängt. spezifische Widerstände von ca. 0,1 cm bei Elektronenbeweglichkeiten bis zu 5 cm2/
Aus dem geschilderten Zusammenhang folgt, daß oberhalb der Curietemperatur der Vs erreicht werden.
elektrische Widerstand der Keramik erheblich zunehmen muß. Dieser Effekt wird expe-
rimentell gut bestätigt (Bild 3.3.5-4), wobei der Anstieg des Widerstands mehr als fünf Für den Widerstand in der Umgebung der Curie-Temperatur ergibt sich ein außerordent-
Größenordnungen betragen kann! lich großer Temperaturkoeffizient, so daß dort eine sehr empfindliche Temperaturmes-
Keramische Widerstände mit einem Temperaturverhalten wie in Bild 3.3.5-4 werden als sung möglich ist. Andererseits ist die Exemplarstreuung in diesem Bereich besonders
Kaltleiter oder PTC-Widerstände bezeichnet. groß, so daß Kaltleiter-Temperatursensoren individuell geeicht werden müssen.
Die Kaltleiter haben im allgemeinen einen anderen Leitfähigkeitsmechanismus als die Viele zusätzliche Anwendungsmöglichkeiten ergeben sich wie beim Heißleiter über das
Heißleiter auf der Basis des Magnetits und anderer vergleichbarer Keramiken: Im Ge- thermische Verhalten bei Strombelastung (Eigenerwärmung): In diesem Fall wirkt sich
gensatz zu den Spinellverbindungen spielt beim Bariumtitanat der Valenzaustausch kei- die Eigenerwärmung aber widerstandserhöhend aus: Als Konsequenz wird durch die
ne Rolle: Die Leitfähigkeit wird meist wie bei Halbleitern (Band 2, Abschnitt 3.2.1) Widerstandsvergrößerung der Strom als Quelle der Eigenerwärmung verkleinert. Auf
durch Dotierungsatome erzeugt, welche mit relativ geringem Energieaufwand (z.B. diese Weise ergibt sich eine für die Praxis sehr nützliche thermische Stabilisierung.
durch thermische Aktivierung bei Raumtemperatur) Elektronen an das Leitungsband
Die Bestimmung der Strom-Spannungs-Abhängigkeit des Kaltleiters erfolgt wie bei
abgeben können, die dann ihrerseits eine Stromleitfähigkeit ermöglichen. Zurück blei-
den Heißleitern nach den Formeln (3.3.4-8 und 9). Bild 3.3.5-5 zeigt die Kennlinien-
ben in diesem Fall positiv ionsierte Donatoren, welche negative geladene Korngren-
scharen zur Bestimmung der Arbeitspunkte.
zenladungen abschirmen können.
Dotierungseffekte in Keramiken allgemein, die Bedeutung von Gitterfehlern, insbeson-
dere von Leerstellen, sowie die Natur und Größe der Korngrenzenladung werden im
Band 5, "Keramik", ausführlich diskutiert. Durch n-Dotierung können minimale

Bild 3.3.5-5 Elektrische und thermische Eigenschaften von Kaltleitern (Kennlinien aus [3.43])
a) Berechnung der Arbeitspunkte von Strom-Spannungs-Kennlinien. Eingetragen
ist eine Kaltleiterkennlinie R(T), sowie Kurvenscharen nach (3.3.4-9b) für ver-
schiedene Betriebsspannungen Uo: Die Schnittpunkte von beiden ergeben die
Bild 3.3.5-4 Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstandes von Antimon-dotiertem jeweils zu Uo gehörenden Arbeitspunkte. Daraus kann über R(T) der entspre-
Bariumtiatanat. Der Anstieg des Widerstandes erfolgt im Bereich der Curie-Tempera- chende Stromwert I bestimmt werden. Zur Berechnung ist die Kenntnis des Wär-
tur Tc. Die Curie-Temperatur kann durch Zusätze von Strontium und Blei, welche meleitwertes Gth erforderlich.
auf Barium-Gitterplätzen eingebaut werden können, in einem weiten Bereich variiert b) Temperaturabhängigkeit des Wärmeleitwertes zugrunde für die Berechnung

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106 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.5 Keramikwiderstände: Kaltleiter 107

von a).

In Bild 3.3.5-6 sind die Strom-Spannungs-Kennlinie, sowie die Bauelementtemperatur

T und die erzeugte Leistung P in Abhängigkeit von der Betriebsspannung U darge-
stellt.
Eine einfache, technisch aber sehr brauchbare Anwendung des Kaltleiters ist eine Schal-
tung als Überlastschutz: Der Kaltleiter wird mit einem Verbraucherwiderstand in Rei-
he gelegt (Bild 3.3.5-7). Bei einem Stromanstieg steigt zwangsläufig auch der Strom im
Kaltleiter, [Link] Kaltleiter nimmt einen höheren Widerstand an und senkt damit den
Strom ab. Alternativ dazu kann in derselben Schaltung der Kaltleiter auch in der Umge-
bung einer temperaturempfindlichen Stelle des Verbrauchers(z.B. Wicklung eines Mo-
tors) untergebracht werden, so daß er auf eine Überhitzung dort mit Stromabschaltung
reagiert.

Bild 3.3.5-7 Anwendung von Kaltleitern als Überlastschutz (nach [3.43]):

a) Serienschaltung von Kaltleiter und einem Verbraucherwiderstand R, der verschiedene Werte R1
und R2 annehmen kann: Angestrebt wird ein Abschalten des Stroms für den Fall, daß anstelle
eines vorgesehenen Lastwiderstandes R1 eine zu kleine Last R2 anliegt (Anschluß einer zu nie-
derohmigen Last oder Abnahme eines Lastwiderstandes durch Überhitzung, Kurzschluß oder eine
andere Störung). Die Arbeitspunkte der Schaltung ergeben sich wie in Bild 3.3.4-10 durch die
Schnittpunkte von Lastgerade (flacher für R1, steiler für R2) und Kaltleiterkennlinie. Die Kalt-
leiterkennlinie selbst kann über den geometrischen Aufbau und die Wärmeabführung in ihrem Ver-
Bild 3.3.5-6 Elektrische und thermische Kennlinien von Kaltleitern (nach [3.43]): lauf beeinflußt werden.
– Strom-Spannungs-Kennlinie: I(U) b) Kaltleiter als Überstromschalter mit selbsttätigem Wiedereinschalten:
– Widerstands-Spannungs-Kennlinie: R(U) Die Kennlinie des Kaltleiters hat eine solche Form, daß es nur jeweils einen Schnittpunkt mit
– Temperatur-Spannungs-Kennlinie: T(U) den Lastgeraden gibt: Bei hinreichend großem Lastwiderstand R mit kleinem Spannungsabfall,
bei kleinem Widerstand R jedoch mit großem Spannungsabfall am Kaltleiter. Steigt der Lastwi-
– Leistungs-Spannungs-Kennlinie: P(T)
derstand nach Durchlaufen der Phasen Überhitzung, Stromabschaltung und sich dadurch ergeben-
der Abkühlung wieder an, dann wird wieder der Betriebs-Arbeitspunkt A angenommen.
Die Arbeitspunkte für die Serienschaltung von Verbraucherwiderstand R und Kaltleiter- c) Kaltleiter als Überstromschalter mit bleibender Abschaltung:
Kurven wie b), jedoch ist der Kaltleiter so dimensioniert, daß es mehrere stabile Arbeitspunkte gibt.
widerstand RPTC werden wie in Bild 3.3.4-10 durch die Schnittpunkte von Kaltleiter-
Ausgehend vom Betriebs-Arbeitspunkt A wird bei Abnahme des Lastwiderstandes und Strom-
kennlinie und Lastgerade bestimmt (Bild 3.3.5-7). abschaltung der Arbeitspunkt C angenommen. Bei einer sich daraus ergebenden Abkühlung des
Lastwiderstandes kehrt der Arbeitspunkt nicht auf den Wert A zurück, sondern es stellt sich der

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108 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.5 Keramikwiderstände: Kaltleiter 109

Arbeitspunkt B mit einem relativ großen Spannungsabfall am Kaltleiter ein.

In Bild 3.3.5-8 ist das Datenblatt eines industriell hergestellten Kaltleiters Seit einiger Zeit werden Kaltleiter auch als selbstregelnde Heizelemente verwendet, de-
wiedergegeben. ren Temperatur von der Wärmeabführung weitgehend unabhängig ist (Bild 3.3.5-9).

Bild 3.3.5-9 Wirkung des Kaltleiters als selbstregelnde Heizung mit einer von der Wärmeablei-
tung weitgehend unabhängigen Temperatur (nach [3.36]). Ausgehend von der Bezie-
hung (3.3.4-8b) in der Form

bestimmen wir die thermischen Arbeitspunkte dadurch, daß wir P(T) und Gth(T – Tu) für verschie-
dene Werte von Gth jeweils als Funktion der Temperatur T auftragen. Die Schnitt-
punkte erfüllen dann die Bedingung (4) und legen den Arbeitspunkt fest. Als Betriebs-
spannung wird der feste Wert Uo = 12V gewählt
a) konventionelle Heizung mit ohmschem (R = const) Widerstandsdraht und damit
einer konstanter Heizleistung (P = const): Die Arbeitspunkte liegen bei verschiede-
nen Wärmeableitungskoeffizienten im Bereich von 84 bis 212°C.
b) Heizung mit Kaltleitern: Die Heizleistung P(T) nimmt bei konstanter Heizspan-
nung mit der Temperatur stark ab. Deshalb liegen die thermischen Arbeitspunkte in ei-
nem weitaus engeren Temperaturbereich zwischen 111 und 127°C.
Bild 3.3.5-8 Datenblatt eines Kaltleiters

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110 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.6 Temperaturmessung mit resistiven Sensoren 111

c) 3-Leitertechnik mit Wheatstonescher Meßbrücke:

Die Widerstände der Meßleitungen heben sich wegen der Brückenschaltung ge-
genseitig auf (Nachteile: wie b), ein Vorteil gegenüber a) und b) ist die geringe An-
zahl der Meßleitungen)
3.3.6 Temperaturmessung mit resistiven Sensoren
Durch eine stromlose Messung des Sensorwiderstands kann dieser Meßfehler umgan-
Bei einer stromführenden Messung (im Gegensatz zu der [fast] stromlosen Messung bei
gen werden, hierfür ist aber eine aufwendigere 3-Leiter- oder 4-Leiter-Technik (Bild
Thermoelementen) führt der Spannungsabfall über den Meßleitungen (Bild 3.3.5-1) im-
3.3.5-2) erforderlich.
mer zu einem mehr oder weniger großen Meßfehler.
Die Vor- und Nachteile der resistiven Temperatursensoren lassen sich wie folgt zusam-
menfassen:

Nachteil allgemein: Selbstaufheizung

Metallwiderstände
Bild 3.3.6-1 2-Leitertechnik :
Vorteile: – meist sehr langzeitstabil und genau (gute Eichfähigkeit)
Bei resistiven Sensoren führen der Widerstand der Meßleitungen und dessen Tempe-
raturkoeffizient zu einem Meßfehler. – gute Linearität

Nachteile: – kostenaufwendig
– wegen Gehäusetechnik meist langsam
– Spannungsversorgung erforderlich
– meist niedriger Widerstand, daher 3- bis 4-Leitertechnik erforderlich

Halbleiterwiderstände
Vorteile: – sehr kostengünstig
– großer Meßwiderstand realisierbar
– große Empfindlichkeit realisierbar

Nachteile: – nichtlinear
– wegen Gehäusetechnik meist langsam
– Spannungsversorgung erforderlich

Keramikwiderstände
Vorteile: – sehr kostengünstig
– großer Meßwiderstand
– große Empfindlichkeit
– ohne Gehäuse realisierbar, daher hohe Meßgeschwindigkeit

Nachteile: – nichtlinear
Bild 3.3.6-2 Bestimmung des Sensorwiderstandes durch eine (stromlose) Spannungmessung in – teilweise große Streuung
Mehrleitertechnik
– Spannungsversorgung erforderlich
a) 4-Leitertechnik mit Spannungs-Meßleitungen am Sensorwiderstand
– Ausführungen ohne Gehäuse mechanisch anfällig
b) 4-Leitertechnik mit Wheatstonescher Meßbrücke
(Nachteile: Es sind drei Brückenwiderstände mit abgestimmten Temperaturkoef-
fizienten erforderlich)

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

112 3.4 Transistoren als Temperatursensoren 3.4 Transistoren als Temperatursensoren 113

3.4 Transistoren als Temperatursensoren

Die Strom-Spannungs-Kennlinie einer idealen pn-Diode ergab sich nach Band 2, Der TK kann wegen Wg >> kT durchaus beachtliche Werte annehmen, während die
Abschnitt 9.3.1 zu (Shockley-Gleichung): Temperaturabhängigkeit der effektiven Zustandsdichten NV und NL dagegen mei-
stens vernachlässigt werden kann. Dennoch kann (5) in der Praxis kaum angewendet
werden, da die Sättigungsströme außerordentlich niedrige Werte haben. Bei praktisch
gemessenen Dioden werden die Sperrströme auch meistens von zusätzlichen Einfluß-
größen, wie Generations- und Rekombinationsströmen (Band 2, Abschnitt 9.3.1), sowie
weiteren Abweichungen vom idealen Verhalten bestimmt. Bild (3.4-1) zeigt die Tempe-
raturabhängigkeit gemessener Diodenkennlinien.

Dabei beschreiben Dn und Dp die Diffusionskoeffizienten von Elektronen und Lö-

chern, Ln und Lp die entsprechenden Diffusionslängen; npo und pno sind die jewei-
ligen Minoritätsträgerkonzentrationen und Ua die am pn-Übergang angelegte äu-
ßere Spannung (zur Festlegung der Spanungspolung, s. Band 2, Abschnitt 5). js wird
als Sättigungsstromdichte bezeichnet. Für die in der Praxis meistens eingesetzten
einseitigen pn-Übergänge reduziert sich (1) im Spezialfall des p+n-Übergangs (die p-
Dotierung ist weit größer als die n-Dotierung) auf die Beziehung:

d.h. die Stromdichte wird dominiert durch das Verhalten injizierter oder extrahierter Lö-
cher (Band 2, Abschnitt 7.2.3) im n-Gebiet. Bei Anlegen positiver äußerer Spannun-
gen wird die Diode in Sperrichtung betrieben (Band 2, Bild 7.2.3-1), so daß in (2) der Ex-
ponentialterm mit der Spannungsabhängigkeit vernachlässigt werden kann. Zwischen
der Minoritätsträgerdichte im n-Gebiet und der Dotierungskonzentration D dort be-
steht nach Band 2, (4.2-11) die Beziehung Bild 3.4-1: Temperaturabhängigkeit der Strom-Spannungs-Kennlinien von pn-Dioden (nach
[3.44])
a) äußere Spannung gepolt in Flußrichtung
b) äußere Spannung gepolt in Sperrichtung

so daß wir aus (2) erhalten:

Bei Anlegen hinreichend großer Flußspannungen folgt aus (2) und (3):

In diesem Fall ergibt sich nach Band 2, Abschnitt 9.3.1, gemäß (3.1-2) ein Temperatur-
koeffizient von d.h. es ergibt sich eine exponentielle Abhängigkeit von der äußeren Spannung. Wir zer-
legen die Sättigungsstromdichte js in einen stark und einen schwach temperaturabhängi-
gen Term über die Definition einer Funktion j's:

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

114 3.4 Transistoren als Temperatursensoren 3.4 Transistoren als Temperatursensoren 115

Die auf diese Weise eingeführte Stromdichte j´s hat naturgemäß sehr große Werte, Die geometrisch und nicht materialbestimmte Basisweite d läßt sich technologisch über
im Vergleich zu dem Exponentialfaktor in (7) kann sie näherungsweise als tempera- die Diffusionstiefen der Dotierungsatome oder die Beschleunigungsspannung bei der
turunabhängig angenommen werden. (6) bekommt dann die Form Ionenimplantation weit besser beherrschen als die Minoritätsträgerlebensdauer. Des-
halb werden als Temperatursensoren durchweg kurzgeschlossene Transistoren gemäß
Bild 3.4-2 eingesetzt. Bei pnp-Transistoren in Emitterschaltung (Band 2, Bild 10.2.1-1)
wird die Emitter-Basis-Flußspannung UEB positiv gerechnet, so daß die Formeln (8)
und (9) die Form bekommen

Dieses ist bei fester eingeprägter Stromdichte j eine lineare Beziehung zwischen Fluß-
spannung und Temperatur, die sich zur Herstellung von Temperatursensoren ausnutzen
läßt.
In der Praxis lassen sich die Sättigungsströme von Dioden relativ schlecht reprodu-
zieren, eine der Ursachen dafür ist, daß in (4) die Minoritätsträgerlebensdauer püber die Daraus ergibt sich für Flußspannungen, die meist nur wenig oberhalb der Schwellspan-
Diffusionslänge Lp eingeht gemäß nung ( js < j , s. auch Band 2, Bild 9.3.1-4) liegen, ein negativer Temperaturkoeffizient

Die Minoritätsträgerlebensdauer hängt unter anderem empfindlich ab von schwer repro-

duzierbaren Größen wie der Konzentration tiefer Störstellen und von Gitterfehlern. Die- Die physikalische Interpretation ist, daß bei steigender Temperatur eine geringere Fluß-
se Abhängigkeiten lassen sich reduzieren, wenn anstelle einer pn-Diode die Emitter-Ba- spannung erforderlich ist, um eine vorgegebene Stromdichte j zu erzeugen. Das Einset-
sisstrecke eines bipolaren Transistors mit kurzgeschlossenen Basis- und Kollektoran- zen von (12) erbringt
schlüssen (Bild 3.4-2) verwendet wird.

Nach (15) entsteht ein Temperaturabhängigkeit der Emitter-Basis-Spannung, die weit-

aus größer ist als diejenige der Thermospannung von Thermoelementen, experimentell
ergeben sich Werte von ca. -2,3 mV/K. Über den Wert von UEB ist die temperaturab-
Bild 3.4-2 bipolarer pnp-Transistor mit Basis-Kollektor-Kurzschluß als Temperatursensor hängige Spannung ihrerseits abhängig von dem Verhältnis j /jś (Bild 3.4-3), d.h. ein
größerer Kollektorstrom verkleinert die Spannung. Die Linearität von Transistor-Tem-
Der Vorteil dieser Anordnung ist, daß sich in diesem Fall die werkstoffbedingte Dif-
peratursensoren ist besser als die vergleichbarer Sensoren (Bild 3.4-4). Andererseits er-
fusionslänge Lp durch die geometriebedingte Basisweite d ersetzen läßt: Nach Band
weist sich die unmittelbare Abhängigkeit des TKs vom Sättigungsstrom js (der nach
2, (10.2.1-4b), gilt dann nämlich anstelle von (6):
(7) die Größe j's bestimmt) auch bei Dioden mit einem Aufbau wie in Bild 3.4-2 noch

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

116 3.4 Transistoren als Temperatursensoren 3.4 Transistoren als Temperatursensoren 117

als problematisch: js weicht in der Praxis meistens von dem theoretischen Wert (11)
ab und ist in der Fertigung Schwankungen unterworfen.

Bild 3.4-4 Vergleich des durch Nichtlinearität entstehenden Temperaturfehlers bei Thermoe-
lementen, Platinwiderständen und Transistoren (nach [3.45])

Der unvermeidliche Einfluß der Fertigungsstreuung von Transistor-Temperatursenso-

ren kann herabgesetzt werden, wenn man eine Erfahrung aus der Technik integrierter
Schaltungen ausnutzt (Band 2, Abschnitt 12): Zwei Transistoren, die auf einem Chip
räumlich dicht beieinander (z.B. in einem Abstand von 10m oder weniger) angeordnet
sind, haben sehr ähnliche werkstoffbedingte Eigenschaften, weil diese nur über einen
größeren Abstand auf der Scheibe oder zwischen unterschiedlichen Scheiben signifi-
kant variieren. Steuern wir zwei solcher Transistoren mit gleichem jś, aber unter-
schiedlichen Strömen j und r·j an, dann folgt:

Bild 3.4-3 Daten der Transistor-Temperatursensorreihe MTS (nach [3.46]).

d.h. die mit einer Streuung behafteten Sättigungsströme kürzen sich heraus. Allerdings
ist der Spielraum für die Stromvariation r begrenzt, so daß die (dann allerdings sehr
lineare) Spannungsabhängigkeit der Temperatur herabgesetzt wird. In integrierten
Schaltungen ist die Größe dieser Spannungsabhängigkeit weniger entscheidend, da rou-
tinemäßig Spannungsverstärker integriert werden können. Bild 3.4-6 zeigt das Prinzip
eines integrierten Temperatursensors. Die Temperaturempfindlichkeit des Aus-
gangssignals kann elektronisch auf vorgegebene Werte, z.B. 1A/K, eingestellt werden.

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

118 3.4 Transistoren als Temperatursensoren — — 119

Bild 3.4-6 Prinzip des integrierten Temperatursensors AD 590 (Fa. Analog Devices) mit Strom-
spiegelschaltung und aktiver Last (vgl. Band 2, Bilder 12.1-5 und 6). Die aktive Last
sorgt für gleiche Ströme Ic1 und Ic2. Die Stromdichten in den Transistoren Q1 und
Q2 werden dadurch variiert, daß die entsprechenden Emitterflächen sich um einen
Faktor (z.B. 8) unterscheiden. Die Differenzspannung

kann in diesem Fall über dem Widerstand R abgegriffen und verstärkt werden (nach [3.22]).

Die Vor- und Nachteile von Transistor-Temperatursensoren sind:

Vorteile: – sehr linear
– durch Verstärkung großes, normiertes Ausgangssignal
– kostengünstig

Nachteile: – Temperaturbereich auf Werte < 200°C beschränkt

– Spannungsversorgung erforderlich
– langsam, da integrierte Schaltungen in ein Gehäuse mit großer
Wärmekapazität eingebaut werden müssen
– Eigenerwärmung der integrierten Schaltung geht ein.

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 31.5.2007 31.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

 Seite 60

118 3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren 119

3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren

Wie in Abschnitt 3.3.4 erläutert, ist es ein typisches Kennzeichen ferroelektrischer
Werkstoffe, daß die spontane (permanente) Polarisation bei Temperaturen oberhalb
der Curie-Temperatur TC zusammenbricht, weil in diesem Fall der Entropiefaktor in
der freien Energie (2.1-1) den entscheidenden Einfluß bekommt. In Bild 3.5-1 ist die
Temperaturabhängigkeit der Polarisation dargestellt, sie hat weitgehend denselben
Verlauf wie die Temperaturabhängigkeit der Sättigungsmagnetisierung (Band 1, Ab-
schnitt 7.1.4).

Bild 3.5-1 Temperaturabhängigkeit der spontanen elektrischen Polarisation von ferroelektri-

schen Werkstoffen

Die Abhängigkeit der elektrischen Polarisation von der Temperatur berzeichnet man
als reinen pyroelektrischen Effekt. Neben den technisch besonders wichtigen fer-
roelektrischen Werkstoffen gibt es weitere pyroelektrische Werkstoffe, die nicht fer-
roelektrisch sind: Aufgrund der Kristallanisotropie ist z. B. bei Turmalin (s. Ab-
schnitt 4.2.1) die Richtung der elektrischen Polarisation nicht umpolbar. Auch eine –
bei Dielektrika durch Einwirkung einer äußeren elektrischen Feldstärke oder bei den
piezoelektrischen Werkstoffen (Abschnitt 4.2) durch Einwirkung einer mechani-
schen Spannung – induzierte Polarisation nimmt mit der Temperatur ab. Bei den or-
ganischen Elektreten, wie Polyvinyldifluorid (PVDF) entsteht die permanente elek-
trische Polarisation erst nach Anlegen eines elektrischen Feldes: Hierdurch werden
die polaren CF4–Gruppen umgeordnet und bleiben bei Raumtemperatur über längere
Zeiträume (Jahre) in diesem Zustand.
Eine zusätzliche Temperaturabhängigkeit der Polarisation (falscher pyroelektri-
scher Effekt) entsteht durch die thermische Ausdehnung des Dielektrikums in Ver-
 Seite 61

120 3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren 3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren 121

bindung mit dem piezoelektrischen und anderen Effekten. Eine vollständige Über- für PMN beziehen sich auf Daten bei angelegter Vorspannung von 5·106 V/m.
sicht die über pyroelektrischen Effekte und deren Werkstoffe ist im Band 5 dieser
Reihe, "Keramik", zu finden [3.53].
Der pyroelektrische Effekt läßt sich bei kleinen Temperaturänderungen linearisieren
(Tangenten in Bild 3.5-1) und dann durch den Vektor pσ der pyroelektrischen
Koeffizienten (nicht zu verwechseln mit dem Dipolmoment einzelner Dipole; der
Index σ bezeichnet den Zustand konstanter mechanischer Spannung, [3.53])
beschreiben:

Dabei beschreibt P die elektrische Polarisation. Tab. 3.5-1 gibt die Daten wichtiger
pyroelektrischer Materialien an [3.53].
Tab.3.5-l: Werte der pyroelektischen Koeffizienten pσ(bei konstanter mechanischer Span-
nung σ) und pu(bei konstanter mechanischer Verzerrung u), dielektrischen Kon-
stanten (Bedeutung der Indizes wie bei den pyroelektischen Koeffizienten) und
Verlusten tan δ (Band 1, Abschnitt 6.2; alle Kenndaten sind jeweils in Polarisa-
tionsrichtung gemessen), der Curie-Temperaturen TC, spezifischen Wärmen Cσ
bei konstanter mechanischer Spannung und der Kenngrößen FV (vereinfachte
Form der Spannungsempfindlichkeit, s. Abschnitt 6.2 und [3.53]) und FD (verein-
fachte Form der Detektivität, s. Abschnitt 6.2 und [3.53]) einiger ausgewählter
Substanzen. Die untere Tabellenhälfte enthält nur Perowskite.

Bild 3.5-2 Elektrische Größen an einem Plattenkondensator mit einem Ferroelektrikum als
Dielektrikum.
a) Aufbau des Plattenkondensators
b) Ortsverlauf der elektrischen Polarisation
Bei den weiteren Abbildungen wird zwischen zwei Fällen unterschieden: Fall I:
Es findet keine Kompensation der Flächenladung im Dielektrikum durch Ladun-
gen auf den Metallplatten statt, Fall II: Die Flächenladung im Dielektrikum wird
durch Ladungen auf den Metallplatten kompensiert.
c) Ortsverlauf der Flächenladung
d) Ortsverlauf des elektrischen Feldes
Dabei bedeutet EK: Einkristall, Ker: Keramik, DS: gesputterte dünne Schicht. Die jeweiligen Refe- e) Ortsverlauf des Bändermodells: Dabei wird angenommen, daß das Ferroelek-
renzen sind in [3.53] angegeben. Bei freigelassenen Eintragungen fehlt die Angabe in der jeweili- trikum ein ähnliches Bändermodell wie ein Halbleiter besitzt. Das Metall wird
gen Literaturstelle. Bei fehlender Unterscheidung zwischen εu und εσ bzw. pu und pσ wurde ange- charakterisiert durch eine Lage der Fermienergie WF oberhalb der Leitungs-
nommen, daß es sich um Größen bei festem Spannungstensor handelt. TC existiert nicht für nicht- bandkante.
polarisierbare Materialien und nur mit Vorbehalten bei Relaxoren und Polymeren. Die Angaben
 Seite 62

122 3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren 3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren 123

Die Oberflächen-Dipolladung σperm eines ferroelektrischen Werkstoffs (Abschnitt

3.3.4) geht in die Poissongleichung ein wie eine feste Ladung (d.h. wie eine Mono-
polladung – im Gegensatz zu induzierten Ladungen – s. Band 11 dieser Reihe), d.h.
sie ist die Quelle eines elektrischen Feldes. Im folgenden wird erläutert, wie diese
Tatsache zu einer sehr empfindlichen Messung von Änderungen der elektrischen Po-
larisation ausgenutzt werden kann:
In Bild 3.5-2 werden die Stirnflächen eines ferroelektrisch aktiven Stabes mit einer
Metallschicht bedampft. Die Metallelektroden sollen zunächst elektrisch neutral
sein, d.h. es sollen dort keine Monopolladungen vorhanden sein, welche die Oberflä-
chenladungen im Dielektrikum kompensieren können (Fall I). In diesem Fall führt
die ferroelektrisch entstandene Dipolladung zu einer Potentialdifferenz zwischen den
Metallelektroden, wie die graphische Integration der Poissongleichung in Bild 3.5-
2d oder Gleichung (2) zeigt. Die Potentialdifferenz erzeugt eine Differenz der poten-
tiellen Energien WL und damit eine Differenz in der Lage der Fermienergien (wegen
der konstanten Ladungsträgerdichte im homogenen Ferroelektrikum ist der Abstand
zwischen WL undWF konstant) zwischen beiden Metallelektroden, so daß dort eine
von außen meßbare elektrische Spannung (Bild 3.5-2e, Fall I) auftritt. Dieses ist ein Mit der in Bild 3.5-1 eingeführten Größe λ ergibt sich als Änderung ∆U der äußeren
Spezialfall einer viel allgemeineren Aussage, die durch Integration der Poissonglei- Spannung bei einer Temperaturänderung ∆T:
chung (Band 1, Bild 2.8.3-1) einfach bewiesen werden kann: Werden zwei Systeme
durch eine elektrische Dipolschicht voneinander getrennt, dann bewirkt eine
Veränderung der Dipolladung eine Verschiebung der Fermienergien der Syste-
me gegeneinander.
Sofern die Möglichkeit zu einem Elektronenübergang besteht (durch eine leitfähige
Verbindung, in der Praxis häufig durch Kriechströme, in Bild 3.5.2-e, Fall I durch ei-
nen Pfeil gekennzeichnet), werden die Elektronen von derjenigen Seite mit der höhe-
ren Fermienergie zur gegenüberliegenden übergehen und damit auf beiden Seiten
Monopol-Flächenladungen (durch Elektronenüberschuß, bzw. -defizit) erzeugen,
welche im thermischen Gleichgewicht die Dipolladung genau kompensieren (Bild
3.5-2, Fall II). In diesem Fall liegen schließlich die Fermienergien auf beiden Seiten
des Ferroelektrikums auf derselben Höhe, so daß innerhalb des Ferroelektrikums
kein Feld mehr wirkt (die aufgrund der Werkstoffstruktur angenommene ferroelek- Diese Spannungsänderung bleibt aber nur bei einer Präzisionsisolation des pyroelek-
trische Polarisation bleibt dabei natürlich erhalten), d.h. daß in einem thermischen trischen Temperatursensors und einem extrem hochohmigen Verstärkereingang
Gleichgewicht keine Elektronenübergänge mehr stattfinden. (Elektrometerschaltung) erhalten. Wie alle polarisationsmessenden Sensoren sind
Da in Bild 3.5-2, Fall I, die elektrische Feldstärke im Ferroelektrikum homogen ist, daher auch die pyroelektrischen Temperatursensoren vorzugsweise für die Messung
gilt für einen Plattenabstand d: zeitlich veränderlicher Temperaturen geeignet. Die Ladungsänderung

kann auch durch eine Stromintegration bei Ausgleich der Plattenladungen bis in den
Zustand in Bild 3.5-2, Fall II, bestimmt werden.
 Seite 63

124 3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren 3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren 125

Pyroelektrische Sensoren werden in der Praxis zunehmend für die Messung der opti-
schen Strahlungsintensität, insbesondere von Infrarot(Wärme-)strahlung, eingesetzt
[3.53]. Ein wesentlicher Vorteil in der Anwendung ist dabei, daß die Sensorempfind-
lichkeit dabei nur schwach von der Wellenlänge der einfallenden Strahlung abhängt.
Im Gegensatz zu anderen Infrarotsensoren benötigen sie keine Kühlung auf Tempe-
raturen weit unter 0°C. Pyroelektrische Sensoren finden vielfältige Anwendungen in
der bedrührungslosen Temperaturmessung (vorzugsweise mit einer durch einen
Chopper unterbrochenen Wärmestrahlung), wobei Empfindlichkeiten bis zu 10-6K
erreicht werden. Weitere Einsatzmöglichkeiten ergeben sich im Zusammenhang mit
der Infrarotspektroskopie (Messung von Schadstoffkonzentrationen in der Umwelt-
technik), sowie bei der Aufnahme ein- und zweidimensionaler Infrarotabbildungen.
Im Konsumerbereich gibt es vielfältige Anwendungen in Geräten zur Feuerwarnung
und Einbruchsicherung (Bewegungsmelder), da pyroelektrische Sensoren besonders Bild 3.5-4 Aufbau eines Sensors zur Einbruchssicherung (Bewegungsmelder)
empfindlich auf Änderungen der Strahlungsintensität reagieren, sowie bei Licht-
schranken mit dem unsichtbarem Infrarotlicht. Die Bilder 3.5-5 und 6 zeigen typische Kenndaten industriell gefertigter pyroelektri-
scher Sensoren.

Bild 3.5-3 Hybrider Aufbau eines pyroelektrischen Zirkontitanat-Sensors (s. auch Abschnitt
4.2.1) zur Messung von Infrarotstrahlung, der zusammen mit einem Feldeffekt-
transistor in demselben Gehäuse montiert und verdrahtet worden ist. Der Gehäu-
sedeckel wird strahlungsdurchlässig ausgeführt (nach [3.38]).
a) Aufbau mit einem einzigen pyroelektrischen Sensor
b) Aufbau mit zwei pyroelektrischen Sensoren: Bei gleichpoliger Hintereinander-
schaltung wird das Spannungssignal verdoppelt. Bei gegenpoliger HInterein-
anderschaltung, kann der Einfluß von Temperaturschwankungen kompensiert
werden, wenn nur einer der beiden Sensoren mit Infrarotlicht bestrahlt wird.

Bild 3.5-3 zeigt den hybriden Aufbau eines empfindlichen pyroelektrischen Detek-
tors, Bild 3.5-4 den Meßaufbau für eine Einbruchssicherung. Typische Temperatur-
abhängigkeiten der Sensorgrößen (Definitionen im Abschnitt 6.2) und der spektralen Bild 3.5-5 Optische Leistungdaten des pyroelektrischen Sensors RPY 89 (Definitionen s.
Empfindlichkeit sind in Bild 3.5-5 wiedergegeben. Abschnitt 6.2, nach [3.39])
a) Rauschspannung, Empfindlichkeit, äquivalente Rauschspannung
Zur Bildaufnahme lassen sich pyroelektrische Sensoren auch zu Sensorarrays (Ab- b) spektrale Empfindlichkeit als Funktion der Wellenlänge
schnitte 6.5 und 6.7) anordnen.
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126 3.5 Pyroelektrische Temperatursensoren 3.6 Quarz-Temperatursensoren 127

Datenblatt keramische pyroelektrische IR-Detektoren

Bild 3.5-6 3.6 Quarz-Temperatursensoren
Schwingquarze finden eine weite Verbreitung als Bauelemente für die Erzeugung
elektrischer Schwingungen mit möglichst konstanter (und temperaturunabhängiger)
Frequenz. In einer anderen Ausführungsform können sie aber auch zu einer sehr
empfindlichen Temperaturmessung mit frequenzanalogem Ausgangssignal einge-
setzt werden: Der Temperaturkoeffizient der Eigenfrequenz von Quarzkristallen
(Band 1, Abschnitt 1.3.3; bis ca. 573oC in der Struktur des α-Quarzes, s. Bild 4.2.1-
7) kann nämlich durch Wahl besonderer kristallographischer Schnittwinkel relativ
zur elektrischen und optischen Achse erheblich vergrößert werden (Bild 3.6-1).

Bild 3.6-1 Quarz-Temperatursensoren

a) Abhängigkeit des linearen Temperaturkoeffizienten αTf der Schwingfrequenz f
von Quarzkristallen vom Schnittwinkel θ relativ zur optischen Achse: Wäh-
rend die BT- und AT-Schnitte einen sehr geringen TK besitzen (Anwendung:
frequenzstabile Oszillatoren), hat der HT-Schnitt einen TK, der zur Tempera-
turmessung verwendet werden kann. Auch andere Kristallorientierungen sind
hierfür geeignet (s. u.). Der TK entsteht im wesentlichen durch die Tempera-
turabhängigkeit der elastischen Konstanten (s. Bild 4.2.1-7, nach [3.40])
b) Kristallorientierung von Schwingquarzen für Oszillatoren (AT) und Quarz-
Temperatursensoren (QuaT).

Während für temperaturkonstante Oszillatoren bevorzugt Quarze mit dem AT-

Schnitt eingesetzt werden, kommen bei Quarz-Temperatursensoren vorwiegend HT-
 Seite 65

128 3.6 Quarz-Temperatursensoren 3.6 Quarz-Temperatursensoren 129

Schnitte zur Anwendung mit einer Temperaturabhängigkeit gemäß [3.40]: scher Teiler mit einer Genauigkeit bis in die Größenordnung einzelner Hertz be-
stimmt werden kann (Bild 3.6-3). Damit ist eine Auflösung der Temperaturmessung
weit unter 1 K möglich.

Bemerkenswert ist die gute Linearität (Bild 3.6-2)

Bild 3.6-3 Elektronische Auswertung bei Quarz-Temperatursensoren

a) Meßschaltung für Quarz-Temperatursensoren (nach [3.40])
b) Signalaufbereitung im System QuaT (nach [3.41])
c) Differenzmessung mit unterschiedlich geschnittenen Quarzen (nach [3.42])
Bild 3.6-2 Temperaturabhängigkeit der Eigenfrequenz (fo= 261,9 kHz) eines Quarz-Tempe-
ratursensors nach [3.1]): Es ergibt sich in guter Genauigkeit eine lineare Abhän-
gigkeit mit der Steigung 9,5 Hz/K). Eine höhere Frequenzauflösung ergibt sich Die unvermeidliche Exemplarstreuung bei Quarzen, die unter anderem durch die
bei Resonanzfrequenzen zwischen 4 und 20 MHz. Fertigungstoleranzen der geometrischen Abmessungen bedingt ist, wird heute durch
Verwendung programmierbarer Teiler mit einmaliger Kalibrierung ausgeglichen. Im
Der große Vorteil der Quarz-Temperatursensoren liegt in dem frequenzanalogen Vergleich mit anderen Temperatursensoren ermöglichen Quarzsensoren heute die
(verwendete Frequenzen ca. 3 bis 20 MHz) Ausgangssignal, das mit Hilfe elektroni- genauesten Temperaturmessungen (Bild 3.6-4).
 Seite 66

130 3.6 Quarz-Temperatursensoren 3.7 Faseroptische Temperatursensoren 131

3.7 Faseroptische Temperatursensoren

Der gerichtete Transport optischer Strahlung über Lichtwellenleiter (Bild 3.7-1) hat
in den vergangenen Jahren erheblich an Bedeutung gewonnen. Bild 3.7-2 zeigt den
Aufbau eines optischen Übertragungssystems mit Einsatz von Lichtwellenleitern

Bild 3.6-4 Vergleich der Meßgenauigkeit verschiedener Temperatursensoren (nach [3.41])

Quarz-Temperatursensoren erfordern im allgemeinen den Einbau in ein Meßgehäuse

(Bild 3.6-5) und sind daher vergleichsweise träge. Der Einsatzbereich liegt zwischen
ca. 10K und 573oC (Phasenumwandlung im Quarz, s. Bild. 4.2.1-7).

Bild 3.7-1 Übertragung optischer Strahlung durch Lichtwellenleiter

zu Bild 3.7-1 a) bis c) Glasfaserleiter (nach [5.4]): Zusätzlich eingetragen ist das Übertra-
Bild 3.6-5 Aufbau eines Quarz-Temperatursensors (nach [3.41]) gungsverhalten, das charakterisiert wird durch ein pulsförmiges Eingangs-
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132 3.7 Faseroptische Temperatursensoren 3.7 Faseroptische Temperatursensoren 133

signal I(t) und ein mehr oder weniger verzerrtes Ausgangssignal U(t).
a) Multimodefaser mit stufenförmigem Anstieg des Brechungsindex n (Stufenprofil)
b) Multimodefaser mit kontinuierlichem Anstieg des Brechungsindex n (Gradien-
tenfaser)
c) Monomodefaser mit kleinem Faserquerschnitt und Stufenprofil
d) bis g) Streifenleiter (nach [3.47]): Wellenleiter lassen sich auch aus dünnen
optisch transparenten Schichten herstellen, die z.B. über Photolithographie-
und Ätzprozesse in eine Streifenform überführt werden können. Auch eine
Herstellung durch Diffusion innerhalb vorgegebener lateraler Strukturen ist
möglich. Durch Abdeckung der Streifenleiter mit zusätzlichen Schichten kön-
nen die optischen Eigenschaften modifiziert werden.
d) aufliegender Streifenwellenleiter
e) Rippenwellenleiter
f) diffundierter oder ionenausgetauschter Streifenwellenleiter
g) vergrabener Streifenwellenleiter

Bild 3.7-2 Optische Signalübertragung durch Lichtwellenleiter

Durch Verwendung von Lichtwellenleitern kann die Strahlungsführung in optischen

Systemen erheblich vereinfacht werden, diese Tatsache wird auch für die Tempera-
turmeßtechnik ausgenutzt. Viele typische optische Eigenschaften (Absorption, Fluo- Bild 3.7-3 Temperaturmessung durch faseroptische Auswertung der Temperaturabhängigkeit
reszenz, u.a.) von Werkstoffen besitzen eine charakteristische Temperaturabhängig- der Intensität von Fluoreszenzlinien des La2O2S:Eu3+.
keit; diese können durch eine Faseroptik abgefragt, übertragen und ausgewertet wer- a) Aufbau des Meßsystems (nach [3.48])
den. Entscheidend für die praktische Einsatzmöglichkeit ist das übertragungsneutrale b) Temperaturabhängigkeit der Intensität verschiedener Fluoreszenzlinien und
Verhalten: Das Sensorsignal sollte möglichst wenig vom Aufbau und der Übertra- von deren Verhältnis zueinander von La2O2S:Eu3+(nach [3.49]).
gungslänge des faseroptischen Systems abhängen. Dieses läßt sich erreichen durch
die Messung des Intensitätsverhältnisses verschiedener Fluoreszenzlinien mit unter- Ein grundsätzlicher Vorteil vieler optischer Sensorverfahren ist, daß diese in elektro-
schiedlicher Temperaturabhängigkeit (Bild 3.7-3) oder die Messung des zeitlichen magnetisch stark gestörten Bereichen – z.B. im Bereich sehr hoher elektrischer
Verlaufs von Abklingkurven (Bild 3.7-4). Spannungen oder innerhalb eines Plasmas – eingesetzt werden können. Nachteilig ist
der beträchtliche Meßaufwand, so daß diese Systeme zur Zeit nur bei spezialisierten
 Seite 68

134 3.7 Faseroptische Temperatursensoren 3.8 Mechanische und chemische Temperatursensoren 135

industriellen Anlagen und in der Forschung zur Anwendung kommen. c) Aufbau des Sensorsystems mit zeitlichem Verlauf der optischen Anregung
(Leuchtdiode) und der Lumineszenzsignale bei höheren und niedrigeren Tem-
peraturen.

3.8 Mechanische und chemische Temperatursensoren

Tab. 3.8-1 gibt einen Überblick über Temperatursensoren, die auf dem Prinzip der
thermischen Ausdehnung von Gasen, Flüssigkeiten und Festkörpern aufgebaut sind.

Tab. 3.8-1 Überblick über die Ausdehnungsthermometer und deren Anwendungsbereich

(nach [3.8])

Bild 3.7-4 Temperaturmessung über die Lumineszenzabklingzeit optisch angeregter Elektro-

nen in Chrom-dotiertem Yttrium-Aluminium-Granat (YAG:Cr, s. Band 1, Ab-
schnitt 1.3.2, nach [3.50]) Zu den Ausdehnungsthermometern mit einer Flüssigkeit als Medium gehört das be-
a) Bandschema in der Umgebung der Leitungsbandkante des Yttrium-Alumini- kannte Quecksilberthermometer, wobei das Quecksilber auch durch andere weniger
um-Granats mit Chrom-Störstellennivaus. Bei optischer Anregung aus dem
Grundzustand A2 werden die Elektronen auf die Niveaus mit den Energien W1
toxische Flüssigkeiten ersetzt werden kann. Bei diesen Thermometern kann die tem-
und W2 angeregt. Das Besetzungsverhältnis f(W1) und f(W2) ist dann stark peraturabhängige Ausdehnung in einem Glaskörper direkt abgelesen werden, sie
temperaturabhängig nach dem Gesetz (Boltzmannstatistik): kann aber auch in einen Zeigerausschlag umgewandelt werden (Bild 3.8-1).

Kennzeichnend für das System ist, daß die Lebensdauer des 2E-Niveaus W1 (8,4 ms) weitaus grö-
ßer ist als die des 4T2-Niveaus W2 (24µs). Die insgesamt gemessene Abkling-
zeit der Lumineszenz nimmt also mit der Temperatur ab (b).
 Seite 69

136 3.8 Mechanische und chemische Temperatursensoren 3.8 Mechanische und chemische Temperatursensoren 137

Temperatur oder in einem vorgegebenen Temperaturintervall ihre Farbe schlagartig

oder kontinuierlich zu verändern (Tab. 3.8-2a und b).
Tab. 3.8-2 Chemische Temperatursensoren (nach [3.8])
a) Temperaturmeßfarben (Thermocolore)

Bild 3.8-1 Ausdehnungsthermometer mit mechanischer Anzeige (nach [3.8])

a) Flüssigkeits-Federthermometer Bild 3.8.2 zeigt die thermische Ausdehnung von festen Werkstoffen, die für Stabaus-
b) Dampfdruck-Federthermometer dehnungsthermometer eingesetzt werden können und einen mechanischen Tempera-
c) Dampfdruck thermometrischer Flüssigkeiten tursensor mit Bimetallspirale.

Verschiedene chemische Verbindungen haben die Eigenschaft, bei einer bestimmten

 Seite 70

138 3.8 Mechanische und chemische Temperatursensoren 139

Tab. 3.8-2 b) Umschlag- und Klärtemperatur (Verschwinden der Farbe) von Flüssigkristallen

Bild 3.8-2 Festkörper-Ausdehnungsthermometer (nach [3.8], s. auch Band 1, Tab. 5.3-1 und
Bild 5.3-2)
a) Ausdehnung von Werkstoffen für Stabausdehnungs-Thermometer
b) Bimetallthermometer mit Bimetallspirale für Raumtemperaturmessung
 Seite 70

138

4 Kraft- und Drucksensoren

4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren

4.1.1 Piezoresistiver Effekt
Neben der Temperaturmessung kommt der Kraft- und Druckmessung (Definitionen s.
Band 1, Abschnitt 3) die größte technische Bedeutung zu; Anwendungen reichen von
der Meteorologie (z.B. Luftdruck), Medizin (z. B. Blutdruck), Motorsteuerung (An-
saugdruck, Öldruck u.a.) und Wägetechnik bis hin zu vielfältigen Einsatzmöglichkeiten
in der Mechanik (Belastung, Trägheit, Kraftausübung, etc.).
Die Grundlage der meisten Kraft- und Drucksensoreffekte ist die elastische Verfor-
mung eines Festkörpers: In diesem Fall wirken die äußeren mechanischen Kräfte gegen
die interatomaren Bindungskräfte, als Reaktion ergibt sich eine reversible Formän-
derung (Band 1, Abschnitt 3.1). Plastische Formänderungen (Band 1, Abschnitt 3.2)
sind bei Drucksensoren meist unerwünscht, sie verändern bleibend die Sensorcharakte-
ristik und können bei Wechselbeanspruchung letztlich zu einem Ermüdungsbruch
(Band 1, Abschnitt 3.7) führen.
Allein die Formänderung eines Leiters unter Einfluß einer mechanischen Kraft wirkt
sich bereits auf den elektrischen Widerstand eines Meßkörpers aus und kann daher als
Grundlage für die Herstellung von resistiven Drucksensoren herangezogen werden
(piezoresistiver Effekt). Hierzu betrachten wir als einfachstmöglichen Fall die ela-
stische Verformung eines Quaders durch uniaxiale Kompression oder Dilatation (Band
1, Bild 3.1-5) in Bild 4.1.1-1.

Bild 4.1.1-1 Elastische Verformung eines Quaders der Länge l, der Breite b und der Dicke d
durch uniaxiale Kompression mit einer mechanischen Spannung σ. Eingezeichnet
 Seite 71

140 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.2 Metallfolien-Dehnungsmeßstreifen 141

sind die Elemente der Spannungs- und Verzerrungstensoren und deren Interpretation metriebestimmten konstanten Term 2 und einem werkstoffbestimmten Term, der die
Besitzt der Quader in Bild 4.1 den spezifischen elektrischen Widerstand ρsp, dann er- Wirkung der mechanischen Dehnung auf die Ladungsträgerzahl N und -beweglich-
gibt sich allgemein für die Widerstandsänderung keit µ beschreibt.
Typisch für die meisten Metalle (Abschnitt 4.1.2) ist, daß der werkstoffbestimmte Term
vernachlässigt werden kann. Bei Halbleiter- und keramischen Werkstoffen hingegen
kann der werkstoffabhängige Term große Werte annehmen, welche den Wert 2 weit
übersteigen.
Neben dem piezoresistiven Effekt gibt es auch andere Reaktionen von Festkörpern auf
elastische Verzerrungen: Sowohl die dielektrische, wie auch die magnetische Polarisati-
on hängen empfindlich von der exakten relativen Lage der Gitteratome zueinander ab
(piezoelektrischer und magnetoelastischer Effekt). Als typisches Merkmal für bei-
de wird sich ergeben, daß im Gegensatz zu den piezoresistiven Meßverfahren bevorzugt
Änderungen des Polarisationszustandes gemessen werden können (vgl. pyrolytische
Die Berechnung der elastischen Verformung des Quaders ergab in Band 1, Abschnitt 3.1 Sensoren im Abschnitt 3.5), diese aber mit einer sehr großer Genauigkeit und Empfind-
die Beziehung: lichkeit. Solche Sensoren eignen sich also bevorzugt für eine dynamische Druckmes-
sung, weniger dagegen für statische Druckmessungen. Diese Einschränkung gilt nicht
für piezoresistive Sensoren.
Schließlich gibt es eine Vielzahl von Druckmeßverfahren, welche eine mechanische
Verschiebung von Stäben oder Platten aufgrund der Krafteinwirkung direkt erfassen:
Bei diesen wegmessenden Verfahren wird die Änderung der Induktivität einer Spule
oder der Kapazität eines Kondensators bestimmt und mit dem Druck korreliert (Ab-
schnitt 4.3).
Zur Berechnung der relativen Änderung des spezifischen Widerstands teilen wir die
Teilchendichte ρ auf in den Quotient aus Teilchenzahl N und Teilchenvolumen V:

4.1.2 Metallfolien-Dehnungsmeßstreifen
In Abschnitt 4.1.1 wurde dargelegt, daß sich der Widerstand eines Leiters unter Einfluß
einer mechanischen (vorzugsweise elastischen) Verformung ändert, d.h. der Leiter
selbst kann bereits als Kraft- oder Drucksensor eingesetzt werden. In der Praxis ist es
aber gebräuchlicher, den Leiter als dünne Schicht (Dehnungsmeßstreifen , abgekürzt
Eingesetzt in (5) folgt dann DMS, englisch: strain gauge) auszuführen, welche über eine elektrisch isolierende
Zwischenschicht an einem Verformungs- oder Federkörper befestigt wird. Die ela-
stische Verformung des Federkörpers soll dabei möglichst unverändert auf den Deh-
nungsmeßstreifen übertragen und durch diesen gemessen werden. Dehnungsmeßstrei-
fen bestehen wie die zur resistiven Temperaturmessung eingesetzten Metallwiderstände
aus einer strukturierten Dünn- oder Dickschicht auf einem isolierenden Substrat, im
Vergleich zu dem Aufbau in Bild 4.1.1-1 ist die Dicke δ weit geringer als die Länge
l oder Breite b (Bild 4.1.2-1).
(8) ist eine der fundamentalen Beziehungen für alle piezoresistiven Drucksensoren,
bei denen die Druckmessung über die Änderung eines Widerstandes erfolgt. Der k-
Faktor ist ein Maß für die Empfindlichkeit der Druckmessung, er besteht aus einem geo-
 Seite 72

142 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.2 Metallfolien-Dehnungsmeßstreifen 143

Die Querempfindlichkeit (nicht zu verwechseln mit der Sensorempfindlichkeit gegen-

über einer Lateraldehnung!) aller resistiven Drucksensoren gegenüber der Temperatur
ist ein fundamentales Problem, das angesichts der ohnehin niedrigen Meßsignale bei
Metall-DMS eine besondere Bedeutung gewinnt. Dabei müssen sowohl der Tempera-
turkoeffizient αTR des DMS-Widerstands (auch TKR oder TCR genannt), der Tem-
peraturkoeffizient αTE des Elastizitätsmoduls E des Trägersubstrats (TKE oder TCE),
wie auch der Temperaturkoeffizient αTkdes k-Faktors (TKk oder TCk) berücksichtigt
werden. Einen weiteren temperaturabhängigen Störeffekt liefert die unterschiedliche
thermische Ausdehnung (Bimetalleffekt, s. Band 1, Abschnitt 5.3) von Dehnungs-
meßstreifen und Trägersubstrat, so daß wir – bei Annahme linearisierter Temperaturab-
hängigkeiten und den thermischen Ausdehnungskoeffizienten αTl,Sund αTl,DMS im
DMS und Substrat – insgesamt erhalten [4.2]:

Bild 4.1.2-1 Aufbau eines Metall-Dehnungsmeßstreifens (DMS), der bei einer Kraft– oder
Druckmessung über eine Zwischenisolation auf einem Substrat (Federkörper) aufge-
bracht wird (Folientechnologie, nach [4.1]). Bei einer Kraft- oder Druckeinwirkun-
gen entstehen im Federkörper elastische Verformungen (z.B. Dehnungen), die auf
den DMS übertragen werden und dort eine Widerstandsänderung erzeugen. Der
Meßeffekt ist am größten, wenn die Dehnung parallel zu den Widerstandsbahnen
verläuft. Zur Vergrößerung des Widerstandes werden viele Metallbahnen, meist in
einer Mäanderform (um kleine Sensorabmessungen zu erhalten) hintereinanderge-
schaltet.

Bei Metall-DMS reduziert sich der k-Faktor (4.1-6) auf den geometrisch bestimmten
Anteil:

Da die Dehnung ε des DMS möglichst auf den elastischen Bereich einschränkt wer-
den sollte, darf auch bei Werkstoffen mit einer ausgeprägten Streckgrenze (Band 1, Ab-
schnitt 3.2.1) in der Regel ein Wert von 0,1% nicht überschritten werden, d.h. die relative
Widerstandsänderung ist in praktisch vorkommenden Fällen meist weit kleiner als 10-3. Die Optimierung des DMS bezüglich der Querempfindlichkeit gegenüber der Tempera-
Als meßtechnische Schwierigkeit kommt hinzu, daß wegen des niedrigen spezifischen tur erfolgt also durch die Bedingungen
Widerstandes von Metallen die Widerstände niedrige Werte annehmen. Aus diesem
Grund wird meist die Länge des DMS durch eine Mäanderform geometrisch vergrößert
(s. Bild 4.1.2-1), so daß z. B. ein Standardwert von 350Ω erreicht wird. Bei der prakti- Die Auswahl der Substratwerkstoffe (Federwerkstoffe) erfolgt meist nach dem Kri-
schen Messung muß der Einfluß des Zuleitungswiderstandes berücksichtigt werden terium optimaler elastischer Eigenschaften, so daß deren Temperaturkoeffizienten
(d.h. es gelten dieselben Gesichtspunkte wie in Abschnitt 3.3.6), aus diesem Grund – und festliegen:
weiteren (große relative Empfindlichkeit, da die Brückenspannung im Brückengleich-
gewicht Null wird, wirkungsvolle Temperaturkompensation bei abgestimmten Wider-
stands-TKRs, s.u.) – werden die Metall-DMS häufig in Brückenschaltungen wie in
Bild 3.3.6-2b) und c) eingesetzt, d.h. die elektrische Messung erfolgt in Drei- oder Vier- Bild 4.1.2-2 zeigt die Temperaturabhängigkeiten des Elastizitätsmoduls und des k-
leitertechnik. Faktors verschiedener DMS-Materialien in einem Vergleich.
 Seite 73

144 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.2 Metallfolien-Dehnungsmeßstreifen 145

daher wesentlich niedriger (nach [4.2]).

Metall-Dehnungsmeßstreifen lassen sich auf Kunststoffolien herstellen, die anschlie-

ßend mit Epoxidharz auf beliebige Federkörpern geklebt werden. Hierbei ist dann zu-
sätzlich noch das Kriechen der Kunststoffolie, sowie des Klebers zu berücksichtigen.
Weiterhin ist von Bedeutung der Einfluß der Luftfeuchtigkeit auf die organischen Trä-
ger; Störungen dieser Art können nur durch hermetischen Abschluß äußerer Gase
(z.B. Bedampfung mit einer Metallschicht) ausgeschlossen werden. Bild 4.1.2-4a zeigt
den Herstellungsprozeß für einen Kunststoffolien-DMS.

Bild 4.1.2-2 Temperaturverhalten von Dehnungsmeßstreifen (DMS) auf Federkörpern (Stahl,

CuBe, Aluminiumlegierungen, nach [4.2])
a) Temperaturabhängigkeit der k-Faktoren verschiedener DMS-Werkstoffe im
Vergleich zur Temperaturabhängigkeit der Elastizitätsmoduln von Stahl und
Aluminiumlegierungen. Eine weitgehende Anpassung ist mit DMS aus NiCr-Le-
gierungen (Modco-Folien, modified Karma) möglich
b) Beispiel für eine optimierte Temperaturabhängigkeit der relativen Wider-
standsänderung

Eine bleibende Veränderung der Sensoreigenschaften entsteht durch das Langzeit-

kriechen (langsam ablaufende plastische Verformung unter gleichbleibender mecha-
nischer Spannung, s. Band 1, Abschnitt 3.2.1) des Federkörpers. Die resultierende
Verschiebung der Sensorkennlinie läßt sich teilweise dadurch kompensieren, daß für die
DMS ein Kriechverhalten mit entgegengesetzter Wirkung eingestellt wird (Bild 4.1.2-3)
Bild 4.1.2-4 Kunststoffolien-Dehnungsmeßstreifen:
a) Die Trägerfolie wird mit der DMS-Metallschicht bedeckt und nach einem
Photolithographieprozeß durch Ätzen strukturiert (nach [4.2], s. Band 2,
Abschnitt 8.2)
b) Empfindlichkeitseinstellung bei DMS in Vollbrückenschaltung

Aufklebbare Folien-Dehnungsmeßstreifen haben den großen Vorteil, daß sie vom An-
wender selbst auf beliebig geformten Werkstücken angebracht werden können. Sie wer-
den in einer Vielfalt von Größen und Ausführungsformen hergestellt (Bilder 4.1.2-5 und
Tab. 4.1.2-1), die bereits auf verschiedene Formen und Abmessungen der Federkörper
optimiert sind. Gleichzeitig mit den Dehnungsmeßstreifen wird häufig ein Netzwerk
Bild 4.1.2-3 Kompensation der Langzeitdrift des Meßsignals aufgrund des mechanischen
von Widerständen gefertigt, über das – durch Auftrennen von Kurzschlußverbindungen
Kriechens des Federkörpers (Kurve A) durch ein entgegengesetzt wirkendes Kriech- – jeder DMS individuell abgeglichen werden kann. Bei Brückenschaltungen ist ein
verhalten im Dehnungsmeßstreifen (Kurve C, das Kriechverhalten kann durch das Sensortrimmen auf Empfindlichkeit (Bild 4.2.1-4b) und auf minimales Nullpunktsignal
Meßgitter des DMS beeinflußt werden). Die resultierende Langzeitdrift (Kurve B) ist möglich. Ein grundsätzlicher Nachteil von Folien-DMS ist die Temperaturbeständig-
 Seite 74

146 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.2 Metallfolien-Dehnungsmeßstreifen 147

keit, die nur bis ca. 120oC gewährleistet werden kann.

Bei Kraftaufnehmern und Wägezellen (Bild 4.1.2-6) kann mit Foliendehnungsmeß-
streifen nach dem heutigen Stand der Technik eine sehr hohe Genauigkeit erreicht wer-
den, wobei eine Auflösung im ppm-Bereich (10-6) erreicht wird. Bei neueren Entwick-
lungen werden aber zusätzliche Anforderungen gestellt, die nicht ohne weiteres von Me-
tallfolien-DMS erfüllt werden können:
– die DMS müssen hochohmiger werden (> 6 kΩ) für eine 4 – 20 mA Zweileiter-
technik (s. Abschnitt 3.3.6)
– die Forderung nach einer Miniaturisierung (Verkleinerung) der Sensoren erfordert
neue höher entwickelte Lithographietechniken
– bei sehr dünnen Federkörpern (z.B. Druckmembranen für kleine Drücke) führt ein
aufgeklebtes DMS zu einem veränderten elastischen Verhalten
– höhere Stabilität bei Aufnehmern, die nicht hermetisch gekapselt werden können.
Diese Anforderungen werden besser erfüllt von Dehnungsmeßstreifen, die über Dünn-
schichttechniken (meistens Sputterverfahren, s. Band 2, Abschnitt 8.2.3) direkt auf
dem elektrisch isolierten Federkörper aufgebracht werden. Die Strukturierung erfolgt
über einen hochauflösenden Photolithographieprozeß (Band 2, Abschnitt 8.2.6), wobei
die Lage der DMS auf dem Federkörper exakt eingestellt werden kann, und anschließen-
des Ätzen (Band 2, Abschnitt 8.2.7).
Dünnschicht-DMS haben den großen Vorteil, daß sie – im Gegensatz zu Folien-DMS –
die mechanischen Eigenschaften einer dünnen Membran wenig ändern. Auf diese Wei-
se können auch genaue Drucksensoren für niedrige Druckbereiche hergestellt werden,
die grundsätzlich dünnere Membranen erfordern. Bei Einsatz von Folien-DMS liegt ei-
ne praktikable untere Grenze für den realisierbaren Druckbereich bei ca. 5 bar [4.1].
Als Werkstoffe für Metalldünnfilm-Dehnungsmeßstreifen werden Chrom-Silizium
[4.1]-, Chrom-Nickel[4.4]-, Platin-Iridium[4.5]- und weitere Legierungen eingesetzt.
Die Isolation zum Federkörper erfolgt in der Regel mit SiO2- und Al2O3-Dünn-
schichten.
Ein grundsätzlicher Nachteil der Dünnschichttechnik besteht in den hohen Herstel-
lungskosten, die in der Dickschichttechnologie (Band 1, Abschnitt 4.2.1) deutlich
niedriger liegen. Geeignete Pasten sind z.B. für Platin-Iridium-Legierungen verfügbar.
Wegen der hohen Einbrenntemperaturen (z.B. 850oC) ist diese Technik insbesondere
für keramische Federkörper geeignet [4.5].

Bild 4.1.2-5 Beispiele für Meßgitter metallischer Kunststoffolien-Dehnungsmeßstreifen

 Seite 75

148 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 149

Tab. 4.1.2-1 Technische Daten von Folien-DMS

 Seite 76

150 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 151

Bild 4.1.2-6
Wägezellen als Lastaufnehmer mit Folien-Dehnungsmeßstreifen (nach [4.3])

4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen
Im Gegensatz zu den Metall-Dehnungsmeßstreifen kann bei Halbleiter-DMS im Aus-
druck (4.1.1-8) für den k-Faktor der werkstoffbestimmte Term weit größer werden
als der geometriebestimmte (der natürlich stets erhalten bleibt). Der k-Faktor kann Bild 4.1.3-1 Piezoresistiver Effekt in n-Halbleitern
daher Werte annehmen, die viel größer als 2 sind, so daß die Sensorempfindlichkeit ge- a) Flächen gleicher Energie in der Umgebung der Leitungsbandkante, dargestellt
steigert werden kann. Angesichts der grundsätzlich kleinen Meßsignale von Metall- in einem dreidimensionalen k-Raum (Bild 2.2.1-2 in Band 2). Bei einer sym-
metrischen Darstellung sind nicht nur die Energieflächen innerhalb der 1. Brillou-
DMS (Abschnitt 4.2.1) entsteht dadurch ein beachtlicher Vorteil, der in den letzten Jah- inzone, sondern auch die dazu äquivalenten der 2. Brillouinzone eingezeichnet.
ren das Interesse an Halbleiter-DMS kontinuierlich stimuliert hat. Die von den Energieflächen eingeschlossenen Körper sind bei Germanium und
Silizium mehrere kristallographisch äquivalente Ellipsoide, bei Galliumarsenid
Der werkstoffbestimmte piezoresistive Effekt in Halbleitern ist auf die Abhängigkeit eine einzige Kugel (nach [4.6]).
der Bandstruktur von elastischen Gitterverzerrungen aufgrund der Einwirkung äuße- b) Ausschnitt aus dem Bandschema für Silizium in a) entlang der dort schrafffiert
rer mechanischer Spannungen zurückzuführen. Bei einer uniaxialen Kompression wie eingezeichneten Ebene im k-Raum. k-Werte gleicher Energie Wn erscheinen
in Bild 4.1.1-1 ändern sich z.B. die Gitterabstände in Richtung 3 in anderer Weise als in dort als Ellipsen (Kurven A, durchgezogene Linien). Trägt man diese Ellipsen als
den Richtungen 1 und 2, d.h. die ursprünglich symmetrischen (kubischen) Raumrich- Funktion der Energie Wn auf, dann erhält man ellipsoidförmige Körper B, de-
ren Minimum die Energie der Leitungsbandkante WLo besitzt (durchgezogene
tungen sind nicht mehr äquivalent zueinander. In der Quantentheorie folgt daraus, daß
Kurven). Bei Wirkung einer mechanischen Spannung ändert sich die energetische
die aufgrund der Gittersymmetrie ursprünglich äquivalenten Wellenfunktionen der Lage der Elektronenzustände und damit auch die Energie der Leitungsbandkante:
Kristallelektronen nicht mehr zu denselben Energieniveaus gehören, d.h. die Entartung Durch uniaxiale Kompression (Berechnung in Band 1, Abschnitt 3.1) in x-
der Energieniveaus wird reduziert ([Link] 2, Abschnitt 2 und Band 11). Eine genaue Be- Richtung (bei kubischen Kristallen parallel zu kx) verschiebt sich das Mini-
rechnung solcher Effekte ist sehr aufwendig und teilweise auch heute noch im For- mum in kx-Richtung um den Betrag ∆W nach unten, die gleichzeitig entstehen-
de Dilatation in y-Richtung das ky-Minimum nach oben.
schungsstadium. Wir wollen uns daher auf eine quantitative Beschreibung der experi-
Relativ zur Fermienergie WF liegen die Leitungsbandminima bei Wirkung mecha-
mentell gefundenen Effekte beschränken (Bild 4.1.3-1, n-Halbleiter).
nischer Spannungen also in einem unterschiedlichen Abstand, die zu den Minima ge-
hörenden Leitungsbänder enthalten damit verschieden große Ladungsträgerkonzen-
trationen. Hierdurch ergeben sich unterschiedliche Ladungsträgerbeweglichkeiten
 Seite 77

152 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 153

in x- und y-Richtung (s. Band 2, Bild 4.3.3-2, nach [4.7]). Pseudo-Halleffekt (Anhang C2) bezeichnet.
Die Wirkung der mechanischen Spannung ist nach Bild 4.1.3-1b, daß sich die Energien
der Elektronenzustände in den verschiedenen ursprünglich kristallographisch äquiva-
lenten Leitungsbändern relativ zueinander verschieben, so daß sie – bei konstanter Fer-
mienergie im thermischen Gleichgewicht – unterschiedlich stark mit Elektronen besetzt
werden. Wird durch Anlegen einer äußeren elektrischen Spannung ein Elektronen-
fluß erzeugt, dann tragen die verschiedenen Leitungsbänder in unterschiedlicher Weise
zum Stromfluß bei (s. Band 2, Abschnitt 4.3.3). Die durch die mechanische Spannung
erzeugten Unterschiede in der Elektronenbesetzung der Bänder wirken sich in der Regel
auf die Ladungsträgerbeweglichkeit aus. Dieses führt zu einem wichtigen Ergebnis:
Der beschriebene Einfluß der mechanischen Spannung auf die Bandstruktur be-
wirkt, daß die elektrische Leitung abhängt von der Kristallrichtung, in welcher der
elektrische Strom fließt. Die Leitfähigkeit ist also anisotrop geworden, d.h. sie hängt ab
von der Richtung des elektrischen Feldes relativ zum Kristallgitter (bzw. von der Art und O-
rientierung der wirkenden mechanischen Spannung). Anstelle der isotropen Beziehung
Bild 4.1.3-1c: Pseudo-Halleffekt in einem elektrischen Leiter mit ansotroper Leitfähigkeit:
(3.3.1-1) für resistive Sensoren mit einer skalaren Leitfähigkeit muß jetzt ein Leitfä- Bei einer unendlich großen räumlichen Ausdehnung des Leiters entsteht eine Feld-
higkeitstensor eingeführt werden, der diese Richtungsabhängigkeit beschreibt (s. auch komponente senkrecht zur Stromrichtung (ausführliche Diskussion in Anhang C2).
Anhang C2):
Charakteristisch für den piezoresistiven Effekt in Halbleitern ist, daß der Tensor des
spezifischen Widerstandes von dem am Halbleiter wirkenden mechanischen Span-
nungszustand abhängt, der im allgemeinen Fall durch die sechs unabhängigen Kompo-
nenten des Spannungstensors ((σ)) (Band 1, Abschnitt 3.1) beschrieben wird. Wir wol-
len annehmen, daß der Tensor des spezifischen Widerstands ohne Wirkung mechani-
Dabei ist berücksichtigt worden, daß die Anisotropie der Leitfähigkeit bei konstanter scher Spannungen eine Diagonalform hat (isotropes Verhalten) mit den Komponenten
Dotierungskonzentration ρD=ρn durch die Anisotropie der Ladungsträgerbeweglich- o und können dann (3) umformen in
ρsp
keit entsteht. Die Tatsache, daß es in (1) außerhalb der Tensordiagonalen Kompo-
nenten ungleich Null gibt, hat eine wichtige praktische Konsequenz (Anhang C2): Der
Stromdichtevektor enthält auch Komponenten senkrecht zur Feldrichtung, d.h. es fließt
auch ein Strom senkrecht zum angelegten elektrischen Feld!
Zur weiteren Auswertung schreiben wir (1) um in eine Darstellung mit demTensor des
spezifischen Widerstands:

Fließt ein Strom mit dem Stromdichtevektor , dann entsteht analog zu (1) bei aniso-
tropen Werkstoffen (nichtdiagonale Komponenten des Widerstandstensors in (2) un- Jede einzelne Komponente des Tensors ((∆)) in (4) kann von allen sechs Komponen-
gleich Null) eine transversale Feldkomponente senkrecht zur Richtung von (Bild ten des Spannungstensors abhängen, so daß (3) im allgemeinsten Fall einen sehr auf-
4.1.3-1c). Die meßbaren Auswirkungen sind nicht zu unterscheiden von dem durch wendigen funktionalen Zusammenhang beschreibt. In den meisten Fällen ist aber eine
Magnetfelder verursachten Halleffekt (Abschnitt 5.1.1), daher werden sie auch als erhebliche Vereinfachung durch eine Linearisierung des Problems möglich. Außer-
dem kann der ((∆))-Tensor wie der Spannungstensor als symmetrisch angesetzt wer-
 Seite 78

154 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 155

den. Um Vierfach-Indizes zu vermeiden, beschreiben wir die Tensoren mit Komponen-

ten, die nur einen Index enthalten (Indexreduktion durch Vogtsche Notation, s. Band
1, Abschnitt 3.1):

Die lineare Abhängigkeit der Komponenten ∆i von den sechs Komponenten des
Spannungstensors wird ausgedrückt durch (die Tensoren (5) werden jeweils als 6-kom-
ponentige Vektoren geschrieben):

((π)) beschreibt den Tensor der piezoresistiven Konstanten. Aufgrund der kubischen
Symmetrie vereinfacht sich dieser Tensor z.B. für Halbleiter mit Diamant- und Zink-
blendestruktur auf die Form

Bild 4.1.3-2 und Tab. 4.1.3-1 zeigen experimentell gemessene Werte für die piezoresi-
stiven Koeffizienten des für Drucksensoranwendungen wichtigen Halbleiters Silizium.
Die Werte gelten für Siliziumquader mit Kanten parallel zu den Kristallachsen des Typs Bild 4.1.3-2 Piezoresistive Koeffizienten von Silizium (nach [4.10])
[100]. Bei anderen Orientierungen des Quaders müssen die Tensoren entsprechend a) p-Silizium: Abhängigkeit der piezoresistiven Koeffizienten von der Temperatur
transformiert werden [4.8 und 9]. b)-c): n-Silizium: Abhängigkeit der piezoresistiven Koeffizienten von der Tempe-
ratur und der Dotierungskonzentration
 Seite 79

156 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 157

Tab. 4.1.3-1 Piezoresistive Koeffizienten (·10-7cm2/N) der Halbleiter Germanium, Silizium Das Einsetzen von (7) in (6) führt zu dem Gleichungssystem
und Galliumarsenid für verschiedene Dotierungsarten und -konzentrationen (nach
[4.9])

Die Werte ∆i müssen in die Gleichung (3) mit der Definition (4) eingesetzt werden,
dabei ergibt sich explizit die Form

Gehen wir von den Stromdichten über auf die Ströme , dann ergibt sich z.B. für die
oberste Zeile der Vektorgleichung (9) explizit

Bild 4.1.3-3 Grundsätzliche Verfahren der piezoresistiven Meßtechnik bei Anliegen zweier ein-
facher mechanischen Spannungszustände (Bezeichnungen wie in Band 1, Abschnitt
3.1; Fall I: uniaxialer Zug, Fall II: einfache Scherung; einige davon sind für kubische
Werkstoffe mit π-Tensoren wie in (7) nicht geeignet)
a) longitudinal wirkende mechanische Spannung
Fall I: Strom, gemessenes elektrisches Feld und mechanische Normalspannung Analog folgt für die anderen Zeilen von (6)
haben dieselbe Richtung. Dieses Meßverfahren wurde bisher auch bei den Metall-
DMS angewendet.
Fall II: Verhältnisse wie in Fall I mit einer mechanischen Scherspannung senk-
recht zur Strom- und Feldrichtung.
b) transversal wirkende mechanische Spannung: Strom und gemessenes elektri-
sches Feld haben dieselbe Richtung senkrecht zur Normalspannung und der Ebe-
nennormalen, auf welche die Scherspannung wirkt
c) und d): Pseudo-Hall-Effekt: Das elektrische Feld wird senkrecht zur Strom-
richtung gemessen (Transversalfeld)
 Seite 80

158 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 159

Aus dem Verhältnis der Komponenten Ei kann der Hallwinkel θ (s. Anhang C2, Bild
C2-2a) für den Pseudo-Halleffekt berechnet werden nach

Über die Gleichungen (10) und (11) können die verschiedenen Verfahren der piezoresi-
stiven Meßtechnik analysiert werden (Bild 4.3.1-4).
Für den longitudinalen piezoresistiven Effekt (Bild 4.3.1-3a, Fall I) gilt z.B. mit (10a):

Dabei kann die relative Änderung des spezifischen Widerstands durch die Widerstands-
änderung ersetzt werden. πl heißt longitudinaler piezoresistiver Koeffizient. Ent-
sprechend gilt für den transversalen piezoresistiven Effekt bei uniaxialer Belastung
mit (11b)

Bild 4.1.3-4 Richtungsabhängigkeit der longitudinalen und transversalen piezoresistiven Koeffi-

zienten auf p- und n-dotierten Halbleiterscheiben bei Raumtemperatur (nach [4.11])
a) n-Silizium (11,7 Ωcm)
b) p-Silizium (7,8 Ωcm)
mit dem transversalen piezoresistiven Koeffizienten πt. Bei (111)-orientierten Scheiben ergibt sich keine Richtungsabhängigkeit.
Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen werden bei den meisten Anwendungen nach den Ver-
fahren der Planartechnik (Band 2, Abschnitt 8.2) in Halbleiterscheiben eindiffundiert. Will man bei Dehnungsmeßstreifen aus den Beziehungen (12b) und (13b) den k-
Deshalb ist die Richtungsabhängigkeit der longitudinalen und transversalen piezoresi- Faktor (4.1-6) ermitteln, dann muß die Spannung σ in die entsprechende Dehnung ε
stiven Koeffizienten πl und πt für alle Richtungen auf der Oberfläche der Scheibe umgerechnet werden nach dem Verfahren, das in Band 1, Abschnitt 3.1, angewendet
von Interesse (Bild 4.3.1-4). worden war. In isotroper Näherung, die in vielen Fällen ungenaue Ergebnisse liefert, er-
gibt sich einfach
 Seite 81

160 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 161

– Bei starker mechanischer Überbelastung führt der Sprödbruch des Halbleiter-

werkstoffs zu einem Ausfall des Sensors,
mit dem Elastizitätsmodul E.
In der Praxis ist es häufig zweckmäßiger, in einer zu (6) analogen Beziehung anstelle der – die Sperrwirkung der pn-Isolation läßt oberhalb von 150oC zunehmend nach,
Komponenten des Spannungstensors die Komponenten des Verzerrungstensors zu ver- – die Sensorkennlinie ist relativ stark temperaturabhängig und erfordert eine externe
wenden. Mit den in Band 1, Abschnitt 3.1, eingeführten elastischen Konstanten folgt Temperaturkompensation.
dann:

Die Komponenten Dik beschreiben den Tensor der piezoresistiven Moduln.

Bild 4.1.3-5 zeigt die k-Faktoren von Silizium für verschiedene Dotierungen und Kri-
stallorientierungen.
Die nachstehend genannten Daten für piezoresistive Koeffizienten und k-Faktoren
setzen voraus, daß die entsprechenden Dehnungsmeßstreifen in einem monokristalli-
nen Halbleiterkörper hergestellt werden. Da sich dünne monokristalline Schichten nur
mit großem Aufwand herstellen lassen und wegen der Sprödigkeit der Halbleiter (Band
1, Abschnitt 3.5) sehr bruchgefährdet sind, wird meistens eine andere Technik realisiert
als bei den Metall-DMS: Die Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen werden als dünne (z.B.
p-leitende) Schicht in monokristalline Halbleiter-Federkörper (z.B. n-leitend) eindif-
fundiert, wobei die elektrische Isolation über die Sperrschicht des pn-Übergangs er-
folgt (Abschnitt 4.1.7). Dieses führt zwar zu einer einfachen und kostengünstigen Tech- Bild 4.1.3-5 k-Faktoren von Dehnungsmeßstreifen in Silizium (nach [4.7])
nik – die elastischen Eigenschaften monokristalliner Halbleiter sind hierfür ohnehin a) Dotierungsabhängigkeit des k-Faktors von p- und n-Silizium in verschiedenen
recht gut geeignet – , die aber auch mit gravierenden Nachteilen verbunden ist: Kristallrichtungen
b) Temperaturabhängigkeit des k-Faktors von p- und n-Silizium in [111]-Richtung
c) Überblick über die Vorzeichen der relativen Widerstandsänderung
– die Halbleiterkristalle müssen in drucksichere Gehäuse eingebaut werden, dabei
kann eine aufwendige mechanische Verbindungstechnik erforderlich werden,
 Seite 82

162 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 163

mal größer sein). Als gravierender Nachteil kommt aber die höhere Temperaturabhän-
gigkeit des k-Faktors hinzu, die in vielen Fällen eine externe Temperaturkompensati-
on erforderlich macht.
Um die Nachteile des Halbleiter-Federkörpers zu vermeiden und trotzdem den höheren
k-Faktor auszunutzen, werden auch Dehnungsmeßstreifen aus polykristallin abge-
schiedenes Silizium (Polysilizium, s. Band 2, Abschnitt 8.2.4) eingesetzt [4.12]. In
diesem Fall stellt sich aufgrund der unterschiedlichen Kornorientierungen ein über alle
Kristallrichtungen gemittelter Wert für den k-Faktor ein, der immer noch weit größer
ist als der von Metallen (in Bild 4.1.3-6d zusammen mit anderen typischen Kenndaten
für Polysilizium dargestellt).
Bei Brückenschaltungen mit Stromspeisung lassen sich die verschiedenen Tempera-
turkoeffizienten so aufeinander abstimmen, daß sich insgesamt sehr niedrige Tem-
peraturkoeffizienten des Nullpunktes (TC0) und der Empfindlichkeit (TCE) erge-
ben (Bild 4.1.3-7). Tab. 4.1.3-2 zeigt einen Vergleich der Kenndaten von Drucksensoren
mit mono- und polykristallinen Silizium-Dehnungsmeßstreifen.

Bild 4.1.3-6 Eigenschaften von polykristallinen (Korngröße 50 bis 250 nm) Siliziumschichten
(Herstellung durch Niedrigdruck-CVD-Verfahren, s. Band 2, Abschnitt 8.2.4) nach
Bor-Ionenimplantation (s. Band 2, Abschnitt 8.2.5) und Laser-Ausheilung (nach
[4.12]).
a) Temperaturverlauf des normierten Schichtwiderstandes
b) TCR (Temperaturkoeffizient des Widerstandes)
c) longitudinaler k-Faktor von Polysiliziumschichten (ebenfalls eingetragen sind
die k-Faktoren von laser-rekristallisierten Polysiliziumschichten, sowie von mo- Bild 4.1.3-7 Maximale Temperaturkoeffizienten von Nullpunkt (TC0) und Empfindlichkeit
nokristallinem Silizium) (TCE) von Drucksensoren mit polykristallinen Silizium-Dehnungsmeßstreifen im
d) TCk (Temperaturkoeffizient des k-Faktors) Temperaturbereich zwischen -30oC und +120oC als Funktion des TCR (nach [4.12])

Den Nachteilen steht aber als grundsätzlicher Vorteil von Halbleiter-DMS relativ zu
metallischen Dehnungsmeßstreifen die größere Empfindlichkeit gegenüber aufgrund
des im Prinzip weit größeren k-Faktors (nach Bild 4.1.3-5 kann dieser bis zu 100-
 Seite 83

164 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.4 Keramische Dehnungsmeßstreifen 165

Tab. 4.1.3-2 Vergleich der Leistungsdaten von Drucksensoren mit Dehnungsmeßstreifen aus
mono- und polykristallinem Silizium bei gleicher DMS-Maske und Montagetechnik
(nach [4.12])

4.1.4 Keramische Dehnungsmeßstreifen

Im Prinzip können für die Herstellung von Dehnungsmeßstreifen auch gut leitfähige ke-
ramische Werkstoffe (Band 1, Abschnitt 4.1.2) eingesetzt werden, obwohl über de-
ren piezoresistive Eigenschaften bisher relativ wenig bekannt ist. Die Herstellung dünner
Schichten kann durch Synthese der keramischen Verbindung über reaktive Sputterverfah-
ren (Band 2, Abschnitt 8.2.3) erfolgen. Bild 4.1.4-1 zeigt experimentell bestimmte Ergebnis-
se für die keramischen Werkstoffe Titannitrid (TiN) und Titanoxinitrid (TiOxNy).
Ein grundsätzliches Problem bei der Synthese der Keramiken über reaktive Sputterver-
fahren ist die Einhaltung vorgegebener stöchiometrischer Verhältnisse der beteiligten
Reaktionspartner. Während bei Halbleiterwerkstoffen hochgenaue Dosierungsverfah-
ren wie die Ionenimplantation zur Verfügung stehen, erfolgt bei reaktiven Sputterver-
fahren die Kontrolle der Stöchiometrie über die Regelung kleiner Gasdrücke und der
Strömungsverhältnisse am Ort der Reaktion. Bild 4.1.4-1 spezifischer Widerstand, Temperaturkoeffizient des spezifischen Widerstandes
und longitudinaler k-Faktor in Abhängigkeit von der Zusammensetzung (aufgetra-
Weiterhin störend ist bei Titankeramiken die hohe Affinität gegenüber Verbindungen gen über dem Anteil der reagierenden Gaskomponente beim reaktiven Sputtern, nach
mit Sauerstoff: Durch unkontrollierte Sauerstoffaufnahme während des Sputterprozes- [4.13])
ses und bei der späteren Anwendung (insbesondere bei hohen Temperaturen) ist eine a) Titannitrid TiN (fast metallisch leitfähig)
Änderung der Eigenschaften möglich. Deshalb ist eine sehr sorgfältige Kontrolle der b) Titanoxinitrid TiOxNy (Mischung von TiN mit dem halbleitenden TiO2)
Herstellungsparameter und eine hermetisch dichte Passivierung gegenüber dem Ein-
dringen von Luftsauerstoff erforderlich. Möglicherweise liefern in der Zukunft andere
keramische Verbindungen und Herstellungsverfahren hierfür bessere Randbedingun-
gen.
 Seite 84

166 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.5 Federkörper für resistive Drucksensoren 167

4.1.5 Federkörper für resistive Drucksensoren

Bei den meisten Anwendungen werden dünne Dehnungsmeßstreifen (DMS) auf ma-
kroskopischen Körpern (Federkörpern) befestigt, so daß der mechanischer Span-
nungs– und Dehnungszustand von der Oberfläche des Federkörpers auf den DMS Ein großer technologischer Nachteil bei einer Anordnung der Dehnungsmeßstreifen
übertragen wird. Wenn man über den DMS die Größe einer die Verformung des Fe- wie in Bild 4.1.5-2 ist die Tatsache, daß sich die Dehnungsmeßstreifen auf gegen-
derkörpers verursachenden Kraft messen will, ist eine genaue Kenntnis des (nach überliegenden Seiten des Biegebalkens befinden. Dieses erfordert zwei Klebevorgän-
Möglichkeit rein elastischen) Verformungszustandes des Federkörpers in Abhängig- ge (bzw. bei Halbleiter-DMS zwei aufwendige Eindiffusionsprozesse), die –
keit von der einwirkenden Kraft erforderlich. Ein Ausgangspunkt für die Entwick-
lung von Druck- oder Kraftsensoren ist damit die Berechnung des (ortsabhängigen)
Verzerrungstensors für den Federkörper in Abhängigkeit von der von außen einwir-
kenden mechanischen Beanspruchung.
Ein standardmäßig eingesetzter Federkörper ist der einseitig befestigte Biegebalken
(Bild 4.1.5-1). Wie die Gleichungen (1) und (2) zeigen, ist die Normalspannung σxx
abhängig vom Abstand x zwischen dem Ort der Krafteinleitung und dem Meßpunkt
auf dem Biegebalken, sowie dem Abstand y von der neutralen Fläche aus; auf den
nach oben und unten gerichteten Oberflächen (parallel zur xz-Ebene mit y = ±h/2)
hat σxx entgegengesetzt gleiche große Werte. Diese Tatsache kann zur Vergrößerung
der Empfindlichkeit und Verminderung von Störeinflüssen ausgenutzt werden, wenn
die Dehnungsmeßstreifen in einer Brückenschaltung angeordnet sind (Bild 4.1.5-2).
Bild 4.1.5-2 Dehnungsmeßstreifen auf einem Federkörper, der als einseitig aufgehängter Bie-
gebalken ausgeführt ist (nach [4.2]):
a) Auf der Ober- und Unterseite des Balkens werden jeweils zwei identische
Dehnungsmeßstreifen angebracht
b) Verdrahtung der vier Dehnungsmeßstreifen in a) zu einer Wheatstoneschen
Brückenschaltung: Dabei addieren sich die spannungsbedingten Widerstands-
änderungen; gleichsinnig verlaufende Widerstandsänderungen, wie z.B. tem-
peraturbedingte mit dem TKR des DMS-Widerstandes, heben sich bei dieser
Schaltungsweise auf.

Bild 4.1.5-1 Einseitig aufgehängter Biegebalken als Federkörper. Als Näherungslösung ergibt
sich für die Ortsabhängigkeit der Normalspannung in x-Richtung [4.14]:

Bild 4.1.5-3 Anordnung von Dehnungsmeßstreifen, die komplementär auf Zug und Druck be-
ansprucht werden, auf nur einer (Seiten–)Fläche (im Gegensatz zu Bild 4.1.5-2)
d.h. auf den Oberflächen parallel zur xz-Ebene bei y = ± h/2: eines Biegebalkens (nach [4.7]).

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168 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.5 Federkörper für resistive Drucksensoren 169

wegen der Ortsabhängigkeit der Spannungen entlang des Biegebalkens – sehr gut zu- Beim Einsatz von Biegebalken in der Druckmeßtechnik muß zuerst der Druck in ei-
einander justiert sein müssen. Dieser Vorteil kann durch eine Anordnung wie in Bild ne Kraft umgewandelt werden, dieses kann mit Hilfe einer Druckmembran erfolgen
4.1.5-3 vermieden werden; in der Praxis werden jedoch speziell konstruierte Feder- (Bild 4.1.5-6).
körper wie in Bild 4.1.5-4 bevorzugt.

Bild 4.1.5-6 Druckmessung mit Biegebalkensensor (nach [4.1])

Anstelle von Biegebalken können auch beliebige andere Formen von Federkörpern
eingesetzt werden, deren elastisches Verhalten häufig nur mit großem Aufwand zu
berechnen ist. Bei der Messung von Drehmomenten werden Zylinder oder Wellen
eingesetzt, dabei erfolgt eine elastische Verformung häufig durch reine Scherung
(Bild 4.1.5-7). Weitere Formen von Federkörpern werden bei den Ausführungsfor-
men von Kraft- und Drucksensoren in den Abschnitten 4.1.6 und 7 sowie 4.2.2 be-
Bild 4.1.5-4 Anwendung von Biegebalken in der Kraftmessung (z.B. Wägetechnik)
handelt.
a) Aufbau eines Kraftsensors mit Biegebalken: Bei dieser Anordnung kann die
zu messende Kraft in einer gut reproduzierbaren Weise dem Biegebalken zu-
geführt werden (das ist bei anderen Anordnungen durchaus problematisch,
nach [4.7]).
b) Wägesensor mit symmetrischer elastische Verformung einer Flachbiegefeder
(Anwendung Personenwaage): Auf der Ober- und Unterseite des Biegebalkens
treten jeweils sowohl Dilatations-, als auch Kompressionsgebiete auf, so daß
eine Meßbrücke aus vier Dehnungsmeßstreifen (jeweils zwei werden auf
Druck und Zug beansprucht) auf einer einzigen Seite angebracht werden kann
(nach [4.2]).
c) Der Federkörper in b) wird aus einem einzigen Werkstück (c1) hergestellt, die
Abmessungen der dazugehörigen DMS-Meßbrücke sind auf die Form des Fe-
derkörpers angepaßt (c2). Im endgültigen Entwurf der DMS-Struktur (c3) ist
ein Widerstandsnetzwerk zum Abgleich (durch Auftrennen von Widerstands-
bahnen, s. auch Bild 4.2.1-4b) integriert (nach [4.2])

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170 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.5 Federkörper für resistive Drucksensoren 171

Bild 4.1.5-7 Messung von Drehmomenten über Dehnungsmeßstreifen, die auf einem tordierten
Zylinder (z.B. Antriebswelle) angeordnet sind (nach [4.9]}.

Es liegt nahe, bei einer Druckmessung wie in Bild 4.1.5-6 die Dehnungsmeßstreifen
unmittelbar auf der Druckmembran anzuordnen, wobei eine Vielzahl verschiedener
Membranformen eingesetzt werden kann (Bild 4.1.5-8).

Bild 4.1.5-9 Elastische Verformung auf einer eingespannten Kreisplatte (Kreismembran) bei
Druckbeanspruchung (nach [4.7])
Bild 4.1.5-8 Membranformen für Drucksensoren (nach [4.1])
a) Entstehung von Dilatations- und Kompressionsgebieten auf einer Druckmem-
bran
Für jede Ausführungsform ist eine exakte Berechnung des elastischen Verhaltens er- b) Ortsabhängigkeit (radialsymmetrisch) der radialen (σr) und tangentialen (σϕ)
forderlich, sie erfolgt im allgemeinen rechnergestützt, z.B. mit Hilfe der Methode der Spannungen auf einer Druckmembran:
Berechnung finiter Elemente.
In der einfachsten Ausführung besteht die Druckmembran aus einer radial einge-
spannten Kreisplatte (ebene Plattenfeder, Kreis- oder Topfmembran), die mit dem
Drucksensorgehäuse fest verbunden ist. Wie bei dem symmetrisch aufgebauten Bie-
gebalken in Bild 4.1.5-4 treten generell auch bei Membranen Kompressions- und Di-
latationsgebiete jeweils auf der Ober- und Unterseite auf (Bild 4.1.5-9).
Topfmembranen lassen sich vergleichsweise einfach herstellen; sie können für
Drücke zwischen 10 und 2000 bar eingesetzt werden. Die geometrische Auslegung
der Dehnungsmeßstreifen ist angepaßt auf die Spannungs- und Dehnungsverteilung
auf der Membran, wobei im allgemeinen sowohl radiale wie tangentiale Spannungen
ausgewertet werden (Bild 4.1.5-10).

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172 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.5 Federkörper für resistive Drucksensoren 173

ne Kreisringmembran.

Bild 4.1.5-10 Auslegung von Dehnungsmeßstreifen für Topfmembranen

a) Die Dehnungsmeßstreifen 1 und 2 liegen in entgegengesetzten Druckberei-
chen (z.B. Kompression) als 3 und 4. Während 1 und 2 Radialspannungen
messen, werden 3 und 4 sowohl durch Radial- wie Tangentialspannungen be-
lastet (nach [4.2])
b) Paare von Dehnungsmeßstreifen für die Messung von Radial- und Tangential-
spannungen (nach [4.9])
Bild 4.1.5-11 Abhängigkeit der Gesamtspannung σr,ges, Biegespannung σr,B und Membran-
Berechnungen der elastischen Verzerrungen über finite Elemente ergeben, daß spannung σr,M vom Druck (nach [4.19])
Kreisringmembranen (Bild 4.1.5-8, eine Ausführungsform für einen Sensor ist in a) auf einer Kreismembran in einem Abstand von 100 µm vom Membranrand
b) auf einer Kreisringmembran
Bild 4.1.5-12 dargestellt) bei kleinen Druckunterschieden eine bessere Linearität auf-
weisen (Bild 4.1.5-11). Bild 4.1.5-13 zeigt die Auslegung einer DMS-Struktur für ei-

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174 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.5 Federkörper für resistive Drucksensoren 175

Tab. 4.1.5-1 gibt einen Überblick über Werkstoffe, die sich für die Herstellung von
Federkörpern eignen. In der Drucksensortechnik werden als metallische Federwerk-
stoffe bevorzugt Spezialstähle und Kupferlegierungen (z.B. Kupfer-Beryllium, auch
Berylliumbronze genannt) eingesetzt, weiterhin Aluminiumlegierungen.
Bei einer Druckmessung über Dehnungsmeßstreifen auf metallischen Federkörpern
ist immer eine elektrische Isolation erforderlich, diese kann durch organische Folien
oder aufgebrachte Isolier-Dünnschichten (Band 2, Abschnitt 8.2.2) hergestellt wer-
den. Um diesen teilweise aufwendigen und störanfälligen Fertigungsschritt zu ver-
meiden, werden auch Federkörper aus Isolatorkeramiken [4.5] und Gläsern unter-
sucht. Problematisch kann hierbei die Sprödigkeit dieser Werkstoffe, sowie ein une-
lastisches Verhalten und Langzeitkriechen sein [4.20]. Im Prinzip können auch
Schichttechniken zur Herstellung von Drucksensorkörpern angewendet werden (Bild
4.1.5-14).

Bild 4.1.5-12 Drucksensor mit Kreisringmembran: Dilatations- und Kompressionsgebiete treten

auf an den Stegverbindungen zwischen dem innneren und dem äußeren Kreisring
(nach [4.18])

Bild 4.1.5-14 Drucksensorkörper mit Glasmembran (nach [4.21]):

Auf die 110 µm dicke Glasmembranplatte werden zunächst die Dehnungsmeß-
streifen und deren Kontaktierung aufgebracht. Anschließend wird auf der Rück-
seite der Glasmembran über eine Dünnschichttechnik zunächst ein Cr/Au-Ring
erzeugt, der anschließend galvanisch so weit verstärkt wird, daß er als Abstands-
ring zwischen Membran und Substrat wirkt.

Bei der Herstellung von Federkörpern aus Halbleiterwerkstoffen, insbesondere Sili-

zium, lassen sich mit großen fertigungstechnischen Vorteilen die Verfahren der Mi-
kromechanik (Band 1, Abschnitt 3.4) anwenden. Die entsprechenden Drucksensoren
werden im Abschnitt 4.2.6 ausführlich diskutiert.

Bild 4.1.5-13 Brückenschaltung aus Dehnungsmeßstreifen für eine Kreisringmembran (nach

[4.2])

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176 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.5 Federkörper für resistive Drucksensoren 177

Tab. 4.1.5-1 Werkstoffdaten und Anwendungsbeispiele für Federwerkstoffe (nach [4.22])

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178 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.5 Federkörper für resistive Drucksensoren 179

Tab. 4.1.5-1 (Teil 2)

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180 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.6 Metall-Drucksensoren 181

4.1.6 Metall-Drucksensoren
Bei Anwendungen, die eine besonders hohe Zuverlässigkeit und Überlastsicherheit
erfordern, sowie in der Präzisionsmeßtechnik dominieren weiterhin die Drucksenso-
ren mit metallischem Federkörper. Ein metalltypischer Vorteil ist in vielen Fällen die
Duktilität des Federkörpers, die im Fall einer extremen Belastung den Sprödbruch
verhindert (Band 1, Abschnitt 3.5). Weiterhin kann bei Metall-Drucksensoren der
Werkstoff des Federkörpers mit dem des Drucksensorgehäuses identisch sein oder
zumindest ähnliche Eigenschaften haben. Bei Spezialausführungen mit besonders
hohen Zuverlässigkeitsanforderungen werden sogar Federkörper und Gehäuse aus
demselben Werkstück gefertigt. Ein wesentlicher Gesichtspunkt ist die Widerstands-
fähigkeit des Federkörpermaterials gegenüber korrosiven Einflüssen aus dem zu
messenden Medium. Auch hierbei haben Metalle in der Regel Vorteile. Nachteilig
gegenüber den mikromechanisch hergestellten Silizium-Drucksensoren sind vor allem
die weit höheren Fertigungskosten, so daß Metall-Drucksensoren überwiegend nur in
der industriellen Technik, wenig aber in der Konsumtechnik eingesetzt werden können.
Die Frage der Überlastsicherheit kann bei vielen Drucksensoranwendungen von ent-
scheidender Bedeutung sein. Deshalb wird bei Drucksensoren häufig die Membran-
durchbiegung durch ein mechanisches Gegenlager begrenzt (Bild 4.1.6-1), so daß die
Membran z.B. bei einer 10%igen Überschreitung der Nennlast aufliegt. Ein Bersten
des Gebers darf erst bei einer 1000%igen Überlast, bzw. bei 1500 bar auftreten.
Wie in Abschnitt 4.1.5 behandelt, können Dehnungsmeßstreifen direkt auf den
Druckmembranen aufgebracht werden (Bild 4.1.6-1a). Eine Übertragung der Mem-
branausbiegung auf die Meßfeder mit Hilfe eines Stößels (Bild 4.1.6-1b und c)
bringt aber den Vorteil, daß [Link] thermische Belastung der Membran sich nicht
unmittelbar auf den Meßfederkörper auswirkt und dort bleibende Veränderungen
verursachen kann.
Die Dehnungsmeßstreifen auf Metall-Drucksensoren können grundsätzlich sowohl
in Dickschicht- (Band 1, Abschnitt 4.2.1, zur Zeit wird diese Technik für Metall-
Drucksensoren selten angewendet) wie Dünnschichttechnik (Band 2, Abschnitt 8.2) Bild 4.1.6-1
Aufbau von Drucksensoren mit metallischem Federkörper: Die Durchbiegung der dem Druck aus-
aufgebracht werden, als Werkstoffe hierfür kommen Metallegierungen (Abschnitt gesetzten Membran kann direkt über Dehnungsmeßstreifen ausgewertet (a) oder über einen Stößel
4.1.2), aber auch polykristalline Halbleiter (Abschnitt 4.1.3) in Frage. auf eine Biegebalkenkonstruktion mit integrierten DMS übertragen werden (b und c). Die Durch-
biegung der Membran wird häufig durch ein mechanisches Gegenlager begrenzt. In vielen Fällen
Zur Senkung der Fertigungskosten werden Drucksensoren auch in einer Planartech- sind Bauelemente zum Abgleich des Sensors und zur Temperaturkompensation im Meßgehäuse in-
tegriert.
nik (Band 2, Abschnitt 8.2) hergestellt. Kennzeichnend hierfür ist die gleichzeitige
Herstellung vieler Drucksensorsysteme auf einer großen Scheibe (Wafer) aus einer a) Drucksensor nach [4.23] b) Drucksensor nach [4.24] c) Drucksensor nach [4.1]
Metall-Doppelschicht (Bild 4.1.5-11 unten). Die Kreisringmembranstruktur (Bild Typische Kenngrößen zur Charakterisierung von Drucksensoren, deren DMS prak-
4.1.5-11 oben) wird durch selektives Wegätzen der Kupfer-Berylliumschicht er- tisch immer in einer Brückenschaltung (Bild 4.1.6-2) angeordnet werden, sind das Null-
zeugt. Zur Vergrößerung der Empfindlichkeit können die Dehnungsmeßstreifen aus signal, der Kennwert (Empfindlichkeit), der Brückenwiderstand u.a (s. Anhang D).
Polysilizium hergestellt werden.

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182 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.6 Metall-Drucksensoren 183

Bild 4.1.6-3 Definition des Kennwertes (der Empfindlichkeit) durch die in Gleichung (1) defi-
nierte relative Brückenspannung (nach [4.1])
Der Kennwert oder die Empfindlichkeit C eines Drucksensors in Brückenschaltung
wird durch den Wert Sn - So nach (1) bei Anlegen eines Drucks, abzüglich des Null-
signals definiert (Bild 4.1.6-3):

Setzt man den Ausdruck (4.1.1-6) für den k-Faktor in (1) ein, dann folgt:

Bei einer Anordnung der DMS nach dem in den Bild 4.1.5-2 oder 4.1.6-2 dargestell-
ten Prinzip gilt:
Bild 4.1.6-2 Widerstände (z.B. Dehnungsmeßstreifen) in einer Brückenschaltung (nach [4.1])

Die relative Spannungsänderung (gemessen in mV/V) in einer Brückenschaltung ist so daß wir aus (3) erhalten
nach Anhang D [4.1]:

Legt man für den Nenndruck eines Drucksensors eine Dehnung von ε = 10-3 fest,
dann ergibt sich als maximales relatives Brückensignal bei k = 2 der Wert 2·10-3 =
wobei die ∆Ri sowohl dehnungsbedingte Widerstandsänderungen beschreiben kön- 2mV/V. Je nach Auflösung des Drucksensors müssen dann durch die nachfolgende
nen, im drucklosen Zustand aber auch die Streuung der DMS-Widerstände um den elektronische Auswertung sehr viel kleinere Spannungen verarbeitet werden können.
jeweiligen Nennwert. Der für diesen Fall definierte Wert von S wird als Nullsignal Die Lage der Widerstände auf einer Druckmembran, sowie die Korrelation zwischen
So definiert. In der Praxis läßt sich ein kleiner Wert für So nur durch Widerstands- Dehnung ε und Druck p wird in vereinfachter Form in Bild 4.1.6-4 erläutert.
trimmen erreichen, z.B. durch Auftrennen von Abgleichbrücken, die meistens auf
der DMS-Struktur bereits integriert sind (s. Bilder 4.1.5-4, 10 und13). Gleichung (1)
zeigt, daß gleichsinnige Widerstandsänderungen (z.B. aufgrund gleicher Wider-
stands-Temperaturkoeffizienten der DMS oder einer zeitabhängigen Widerstands-
drift) in dieser Näherung unterdrückt werden können. Ist die Temperatur über der
Meßbrücke nicht konstant oder driften die Widerstände unterschiedlich stark, dann
entsteht ein Meßfehler. Herstellungsbedingte Temperaturkoeffizienten des Null-
signals von 2 bis 10 (µV/V)/10K können durch einen Abgleich auf Werte unter 1
(µV/V)/10K reduziert werden.

Bild 4.1.6-4 Dehnungen in einem Membran-Drucksensor bei Gültigkeit des Hookeschen Ge-
setzes (Band 1, Abschnitt 3.1, nach [4.1])
a) Lage der Brückenwiderstände in den Kompressions- und Dilatationsbereichen
auf der Membran
b) schematischer Ortsverlauf der radialen Dehnung. Näherungsweise gilt für die
Membrandicke d, den Druck p und den Elastizitätsmodul E die Beziehung:

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184 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.7 Halbleiter-Drucksensoren 185

Das Einsetzen von (5) und (6) in (2) ergibt für den Kennwert und dessen relativer – Linearitätsabweichung in der Abhängigkeit ε (p):
Abweichung die Beziehungen [4.1]: Die Dehnung nimmt nicht linear mit dem äußeren Druck zu. Dieser Fehler tritt
insbesondere bei großen Auslenkungen des Federkörpers (z.B. bei Membranen
mehr als die Membrandicke) in Erscheinung.

Bei Drucksensoren entstehen Hystereseabweichungen (Anhang D) durch [4.1] …

– Reibung und Setzung bei mehrteiligen (geschraubten oder geklemmten) Meßkörpern
– Spannungsspitzen an Stellen im Meßkörper, die mit großen Dehnungen verbun-
Bezieht man die Abweichungen auf die Temperatur, dann erhält man wie in Ab- den sind
schnitt 4.1.2 die Temperaturkoeffizienten: – Kriecheffekte (Band 1, Abschnitt 3.2.1).

In den meisten Fällen kann die lineare Wärmedehnung αTd gegenüber den anderen Hysteresefehler von guten Federstählen liegen im allgemeinen unter 0,05%, bei dem
Termen vernachlässigt werden. In diesem Fall wird die Temperaturabhängigkeit der wichtigen Federwerkstoff CuBe sogar noch weit darunter.
Sensorempfindlichkeit wie bei den Metall-Dehnungsmeßstreifen in Abschnit 4.1.2 Während bei Folien-DMS das Kriechen (Anhang D) des Klebers erheblich eingehen
minimiert durch eine Anpassung der TKs von k-Faktor und Elastizitätsmodul. Eine kann (Abschnitt 4.1.2), wird bei Dünnfilm-DMS im allgemeinen nur das Kriechen
externe Temperaturkompensation kann erreicht werden durch Einfügen angepaßter des Federkörpers wirksam. Für gute Federwerkstoffe (Abschnitt 4.1.5) ergeben sich
temperaturabhängiger Widerstände in die Zuleitungen der Betriebsspannung (Bild hierfür niedrige Werte unterhalb von 0,02%.
4.1.6-5).

4.1.7 Halbleiter-Drucksensoren
Wie aus Bild 4.1.3-5 zu ersehen, können Dehnungsmeßstreifen in monokristallinem
Silizium außerordentlich große k-Faktoren annehmen, so daß im Prinzip gegenüber
Metall-DMS eine Vergrößerung der Empfindlichkeit erreicht werden kann. Da die
Herstellung monokristalliner Dünnfilme technologisch nur mit hohem Aufwand zu
realisieren ist, bleibt als Ausweg, die gesamte Druckmembran aus monokristallinem
Silizium herzustellen und die Dehnungsmeßstreifen in diese hineinzudiffundieren.
Silizium hat durchaus brauchbare Eigenschaften als Federwerkstoff: Es ist rein ela-
stisch (mit konstantem Elastizitätsmodul) dehnbar bis zu einer Bruchdehnung von
ca. 0,5%, wobei die Reproduzierbarkeit der Dehnung und die Hysterese nicht
schlechter sind als bei anderen guten Federwerkstoffen (vgl. Abschnitte 4.1.5 und 6).
Bild 4.1.6-5 Temperaturkompensation von Meßbrücken durch temperaturabhängige Wider-
stände (nach [4.1]) Die Fertigung dünner großflächiger Membranen kann nach den Verfahren der Mi-
kromechanik (Band 1, Abschnitt 3.4) erfolgen (Bild 4.1.7-1).
Bei der Linearitätsabweichung (Anhang D) ist bei Drucksensoren von praktischer
Bedeutung die …
– Linearitätsabweichung des k-Faktors:
Die Widerstandsänderung ist abhängig von der Größe der Dehnung. Dieser Effekt
ist bei Metall-DMS in den meisten Fällen vernachlässigbar.

H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren 1.5.2007 1.5.2007 H. Schaumburg: Band 3 – Sensoren

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186 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.7 Halbleiter-Drucksensoren 187

Referenzdruck wirkt.

Bild 4.1.7-2 zeigt den Aufbau monokristalliner (monolithischer) Silizium-Drucksenso-

ren. Bei Sensoren für den Konsumerbereich werden häufig zur Kostensenkung Plastik-
gehäuse (Band 2, Abschnitt 8.3) verwendet.

Bild 4.1.7-1: Herstellung von monokristallinen Silizium-Drucksensoren (nach [4.25])

Mikromechanische Herstellung der Membran:
Auf ein niederohmiges Siliziumsubstrat wird eine hochohmige Siliziumschicht epitaktisch aufgewachsen,
welche ungefähr die gewünschte Dicke der Membran hat. Die Membranätzung erfolgt z. B. durch elektro-
lytisches Abtragen des niederohmigen Substrats von der Scheibenunterseite her, wobei die Form durch ein
Ätzfenster (nur dort kann die Ätzlösung an das Substrat gelangen) vorgegeben wird. Bei der elektrolyti-
schen Ätzung wird das Substrat als Anode geschaltet. Wegen des niedrigen Widerstandes kann dort ein ho-
her Strom fließen, d.h. das Substrat wird relativ schnell abgetragen. Wird aber die hochohmige Epitaxie-
schicht erreicht, dann sinkt dort der Anodenstrom drastisch ab, so daß die Ätzrate ebenfalls abnimmt: Die
Epitaxieschicht bleibt erhalten und kann als Membran eingesetzt werden.
Verbindungstechnik zum Gehäuse:
Fall I: Befestigung durch Bildung eines gemeinsamen Aluminium-Silizium-Eutektikums zwischen
dem Membranträger (oben) und einer aluminiumbedampften Trägerscheibe (unten).
Fall II: Anodisches Bonden: Der Membranträger wird an eine Platte aus Pyrexglas gepreßt und zwi-
schen beiden bei 400°C eine Spannung von 500V angelegt. Unter diesen Bedingungen wandern Ionen
in die Grenzfläche. Nach Abkühlen unter Spannung werden die verschobenen Ionen unbeweglich, sie
führen aufgrund eines "eingefrorenen Feldes" zu einer bleibenden festen Verbindung zwischen Glas Bild 4.1.7-2 Aufbau von Silizium-Drucksensoren
und Halbleiter. a) Montage des Siliziumchips auf dem Drucksensorgehäuse (nach [4.26])
Bei Absolutdrucksensoren (Beispiel in Fall I) ist die untere Platte gasdicht geschlossen, so daß b) vollständiger Drucksensor mit Metallmembran: Der Druck wird über eine Hy-
zwischen Platte und Membran ein vorgegebener permanenter Druck eingestellt werden kann. Bei Re- draulikflüssigkeit auf die Silizium-Meßzelle übertragen (nach [4.27]).
lativdrucksensoren (Beispiel in Fall II) hingegen ist die Platte durchbohrt, so daß von unten ein
 Seite 95

188 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.7 Halbleiter-Drucksensoren 189

Die Herstellung von Silizium-Drucksensoren mit Temperaturkoeffizienten, die zu

denen von Metall-Drucksensoren (Abschnitt 4.1.6) vergleichbar sind, erfordert einigen
Aufwand, insbesondere wegen der vergleichsweise starken Temperaturabhängigkeit
des spezifischen Widerstands und k-Faktors der Silizium-Dehnungsmeßstreifen (s. Ab-
schnitt 4.1.3). Innerhalb gewisser Grenzen kann ein Optimum durch Auswahl der Dotie-
rungsparameter erreicht werden, in der Regel sind aber zusätzliche Maßnahmen in der
Auswerteelektronik erforderlich. Eine Reduktion der Temperaturabhängigkeit wird
durch eine Konstantstromspeisung der Brücke erreicht (Bild 4.1.7-3).

Bild 4.1.7-4 Temperaturabhängigkeit der Brückenspannung für verschiedene Halbleiterdotie-

rungen bei sonst gleichen DMS-Parametern. Durch Zuschaltung externer Widerstän-
de kann die Temperaturabhängigkeit weiter reduziert werden (nach [4.29]).

Konstant–Spannungsgespeiste Halbleiter-DMS-Meßbrücken können durch ein abge-

stimmtes Widerstandsnetzwerk temperaturstabilisiert werden, haben dann aber kleinere
Ausgangsspannungen. Bei Präzisionsanwendungen ist für Silizium-Drucksensoren
Bild 4.1.7-3 Temperaturstabilisierung durch Konstantstromspeisung der Meßbrücke eines Sili- grundsätzlich eine externe Temperaturkompensation erforderlich, die z.B. mit Hilfe ei-
zium-Drucksensors (nach [4.28]): Bei einem konstanten Strom I bewirkt eine nes laser–abgeglichenen Dünnschicht–Widerstandsnetzwerks auf dem Sensor reali-
Widerstandszunahme eine Vergrößerung der Betriebsspannung an der Brücke und
daher eine Vergrößerung des Brückensignals, welche eine Verminderung der Emp-
siert werden kann.
findlichkeit ausgleicht. Da in Silizium bei Temperaturen unterhalb von ca. 500oC keinerlei plastische Ver-
Es wird davon ausgegangen, daß der Widerstand R der Meßbrücke aus Silizium- formung auftritt, zeigen Siliziummembranen keine Ermüdungseffekte (Band 1, Ab-
widerständen mit der Temperatur ansteigt, vgl. Abschnitt 3.3.3), der k-Faktor hin-
gegen mit der Temperatur abnimmt (vgl. Bild 4.1.3-5). In erster Näherung gilt:
schnitt 3.7): Sie eignen sich daher insbesondere für große Lastwechselzahlen.
In Tab. 4.1.7-1 sind die Kenndaten von kommerziell erhältlichen Silizium-Drucksenso-
ren industrielle Anwendungen zusammengestellt.
Die in Bild 4.1.7-2 dargestellten aufwendig konstruierten Drucksensorgehäuse füh-
ren zwangsläufig zu hohen Kosten, so daß die entsprechenden Sensoren nur im indu-
striellen Bereich und der Labormeßtechnik (s. Abschnitt 1) eingesetzt werden können.
Die Brückenspannung beträgt dann nach (4.1.6-5):
Für viele Anwendungen in der Konsumtechnik und Kraftfahrzeugelektronik können
auch – bei weit verminderter Spezifikation – einfachere Gehäuse eingesetzt werden. Be-
sonders kostengünstig ist die Herstellung gespritzter Plastikgehäuse (Bild 4.1.7-5a) mit
Die Temperaturkoeffizienten können durch die Dotierungskonzentration des Halbleiter-DMS beein- einer Verbindungs- und Anschlußtechnik, die ähnlich wie bei Halbleiterbauelementen
flußt werden, d.h. bei etwa gleichen TKs von beiden wird die Temperaturabhängig-
keit der Brückenspannung minimal (Bild 4.1.7-4).
(Band 2, Abschnitt 8.3) erfolgt. Auf diese Weise lassen sich Standard-Sensorelemente
herstellen, die ihrerseits in kundenspezifische Spezialgehäuse (Bild 4.1.7-5b) eingebaut
werden können.
 Seite 96

190 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.7 Halbleiter-Drucksensoren 191

Tab. 4.1.7-1 Kenndaten piezoresistiver Silizium-Drucksensoren

a) Fa. Kistler, CH-Winterthur (nach [4.29])
 Seite 97

192 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.7 Halbleiter-Drucksensoren 193

Bild 4.1.7-5 Gehäusetechnik für kostengünstige Silizium-Drucksensoren (a) und b) nach [4.30],
c) nach [4.48])
a) Universell einsetzbares Gehäuse für das Sensorelement: Der montierte Silizi-
umkristall nach Bild 4.1.7-2a wird zunächst über Bondtechniken (Band 2, Ab-
schnitt 8.3) mit Außenanschlüssen (die auf einem gestanzten Blech, dem lead
frame, angeordnet sind) verbunden. Anschließend wird das Gehäuse über
Spritzguß (Band 1, Abschnitt 3.2.2) mit einem thermoplastischen Polymerwerk-
stoff hergestellt.
b) Einbau des Sensorelements a) in ein Spezialgehäuse mit Schlauchanschlüssen
für Druckleitungen.
c) Einbau auf einen TO8-Sockel mit Druckanschluß
Bild 4.1.7-6 Drucksensor (X-shaped Sensor, nach [4.31])) mit vierpoligen Dehnungsmeßstrei-
fen, die das Prinzip des Pseudo-Hall-Effekts (Messung des Transversalfeldes) aus-
Die Anordnung der Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen auf der Druckmembran kann im nutzen.
Prinzip erfolgen wie in den Bildern 4.1.5-10 und 13. Da Halbleiter-DMS ohnehin relativ a) Querschnitt durch den Sensoraufbau
große Schichtwiderstände haben, kann auf eine Verlängerung der Widerstandsbahn b) Aufsicht auf die Membran mit vierpoliger Meßfigur (Betriebsspannung Uo ,
über eine Mäanderstruktur verzichtet werden, so daß eine Struktur wie in Bild 4.1.5-10b Meßspannung ∆U).
verwendet werden kann.
Der Vorteil dieses Meßverfahrens liegt darin, daß eine Fehlerquelle vermieden werden
In derselben Technologie sind auch Drucksensoren hergestellt worden, die das durch kann, die durch die Streuung in den Eigenschaften der vier Widerstände einer Wheatsto-
den anisotropen piezoresistiven Effekt entstehende Transversalfeld (Pseudo-Hall- neschen Brückenschaltung entsteht. Die unvermeidbare Temperaturabhängigkeit des
Effekt, s. Anhang C2, Bild 4.1.7-6) ausnutzen. Sensorsignals wird durch Integration eines Widerstandsnetzwerkes mit einem tempera-
turabhängigen Widerstand (Thermistor) und einem Laser-trimmbaren Dünnschichtwi-
derstand kompensiert (Bild 4.1.7-7).
 Seite 98

194 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.7 Halbleiter-Drucksensoren 195

Die Umwandlung des Meßdrucks in eine Kraft erfolgt durch eine Stahlmembran.

Bild 4.1.7-8 Piezoresistiver Hochdrucksensor mit einem Siliziumstab als Meßelement (nach
[4.28]): Auf dem Siliziumkristall sind Dehnungsmeßstreifen und Kompensations-
widerstände integriert, der Meßdruck wird über eine Stahlmembran in eine Kraft
umgewandelt.

Das mikromechanische Herstellungsverfahren läßt eine große Flexibilität in der Gestal-

tung des Federkörpers zu (Bild 4.1.7-9).

Bild 4.1.7-7 Temperaturkompensation bei dem Drucksensor in Bild 4.1.7-6 durch Integration
eines Laser-trimmbaren Widerstandsnetzwerks (nach [4.30])
a) Schaltung des Widerstandsnetzwerks mit einem temperaturabhängigen Wider-
stand (Thermistor) und drei Laser-trimmbaren Dünnschichtwiderständen
b) Integration des Widerstandsnetzwerks auf dem Siliziumkristall: Neben dem
vierpoligen Dehnungsmeßstreifen sind die einzelnen Widerstandsbahnen er-
kennbar
c) Streuung des Ausgangssignals mit und ohne Temperaturkompensation

Bei Hochdruck- und Kraftsensoren können anstelle der Druckmembranen auch Sili-
ziumstäbe mit eindiffundierten Dehnungsmeßstreifen eingesetzt werden (Bild 4.1.7-8).
 Seite 99

196 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.1 Piezoelektrischer Effekt 197

Bild 4.1.7-9 a) mikromechanisch hergestellter Silizium-Biegebalken

b) Beschleunigungssensor: Am Silizium-Federkörper ist eine träge Masse inte-
griert: Bei einer Beschleunigung lenkt diese den Federkörper aus, so daß die Grö-
ße der Beschleunigungskraft gemessen werden kann.

Ein grundsätzlicher Vorteil aller monolithischen Siliziumsensoren ist, daß im Prinzip

auf dem Sensorkristall auch weitere Halbleiterbauelemente integriert werden können,
so daß auf dem Sensorchip bereits eine Daten(vor)verarbeitung erfolgen kann. In der
Forschung sind solche integrierten Sensoren auch bereits realisiert worden.
Theoretisch und experimentell konnte gezeigt werden [4.32], daß der Bandabstand in
Halbleitern geringfügig von der Größe anliegender mechanischer Spannungen abhängt,
dieser Effekt geht in die Sättigungsstromdichte bipolarer Transistoren ein (Band 2, Ab-
schnitt 10.2.1). Sensoren auf dieser Basis werden Piezotransistoren genannt, auch
diese sind im Forschungsmaßstab hergestellt worden.

4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren Bild 4.2.1-1 Zustandsdiagramm des Systems Bleititanat-Bleizirkonat (nach [3.42])
Oberhalb der Linie, welche die Curietemperatur für den ferroelektrischen Zustand
4.2.1 Piezoelektrischer Effekt in Abhängigkeit von der Legierungszusammensetzung beschreibt, hat die Legierung
eine (nichtferroelektrische) kubische Struktur, unterhalb davon eine von der Zusam-
In Verbindung mit Kaltleitern und pyroelektrischen Temperatursensoren war bereits mensetzung abhängige tetragonale oder rhomboedrische Struktur. Beide sind ferroe-
die Ferroelektrizität vieler keramischer (häufig perovskitischer) Werkstoffe eingeführt lektrisch mit dem Polarisationsvektor Ps; auf der zirkonatreichen Seite des Sy-
worden. Neben den genannten Verbindungen sind auch Mischkristalle unterschiedli- stems tritt bei einer Zusammensetzung oberhalb von 94 auch eine antiferroelektri-
cher Materialien von Bedeutung, insbesondere die Legierung Bleititanat-Bleizirko- sche Phase auf.
nat (PZT). Bild 4.2.1-1 zeigt das Zustandsdiagramm dieses Systems mit den dazugehö-
rigen Kristallstrukturen.
Auf der titanatreichen Seite des Zustandsdiagramms geht die ferroelektrische tetragona-
le Struktur oberhalb der Curietemperatur in eine nichtferroelektrische kubische Struktur
über (Bild 4.2.1-2).
Die Polarisation ferroelektrischer Materialien kann verändert werden, wenn der Kristall
aufgrund einer mechanischen Belastung elastisch verformt wird (Bild 3.3.5-1). Ein Kri-
terium hierfür ist die Abwesenheit eines Symmetriezentrums (Bild 4.2.1-3): Nur in die-
sem Fall wirkt die Verzerrung unsymmetrisch, so daß bei elektrisch geladenen Gitte-
ratomen ein zusätzlicher Beitrag zur Polarisation entsteht.
Die Erzeugung einer durch eine elastische Verformung induzierten elektrischenPolari-
sation (piezoelektrischer Effekt) ist nicht nur bei ferroelektrischen Werkstoffen (die
immer piezoelektrische Eigenschaften haben) möglich: Auch nichtferroelektrische kri-
Bild 4.2.1-2 Gitterstrukturen des nichtferroelektrischen rein kubischen PZT oberhalb der Cu-
stalline Werkstoffe, wie der kovalent gebundene SiO2-Kristall (Quarz, Band 1, Ab- rietemperatur (a) und des ferroelektrischen tetragonalen PZT (titanatreiche Zusam-
schnitt 1.3.3), können denselben Effekt zeigen. Der piezoelektrische Effekt ist umkehr- mensetzung) unterhalb der Curietemperatur (b). Zu erkennen ist die Verschiebung
bar: Das Anlegen eines elektrischen Feldes an einen piezoelektrisch aktiven Werkstoff des vierfach geladenen Kations aus der zentralen Lage, hierin liegt die Ursache für
kann zu einer Gitterverzerrung führen (Bild 4.2.1-4). das permanente elektrische Dipolmoment (nach [4.33])
 Seite 100

198 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.1 Piezoelektrischer Effekt 199

Beide Effekte haben vielfältige Anwendungen in der Technik (Bild 4.2.1-5).

Bild 4.2.1-3 piezoelektrischer Effekt in Ionenkristallen mit und ohne Symmetriezentrum (b) und
c) nach [3.9]):
a) Aufbau eines Kristalls mit Symmetriezentrum: Die Spiegelung aller Gitterpositi-
onen (mit den entsprechenden Atombesetzungen) A, B usw. über den Symmetrie-
punkt Z erzeugt äquivalente Gitterpositionen A', B', usw. Damit ist Z gleichzeitig der
gemeinsame Ladungsschwerpunkt (Band 11, Abschnitt 2) für die positiven und nega-
tiven Ladungen der Gitteratome.
b) Ionenkristall mit Symmetriezentrum mit und ohne elastische Verformung auf-
grund einer Kraft F: Auch im verformten Zustand bleibt das Symmetriezentrum, und
damit der gemeinsame Ladungsschwerpunkt der positiven und negativen Ladungen er-
halten: Es entsteht keine elektrische Polarisation.
c) Ionenkristall ohne Symmetriezentrum mit und ohne elastische Verformung auf-
grund einer Kraft F: Die ursprünglich übereinander liegenden Ladungsschwerpunkte
der positiven und negativen Ladungen haben jetzt verschiedene Ortsvektoren, so daß ein
Dipolmoment entsteht. Bezogen auf das Kristallvolumen wird eine elektrische Polarisa-
tion erzeugt, die ihrerseits Oberflächenladungen bildet.
Bild 4.2.1-5 a) Technische Anwendungen des direkten und reziproken piezoelektrischen Ef-
fekts (nach [4.34])
b) Sensoranwendungen des piezoelektrischen Effekts bei verschiedenen Frequen-
zen (nach [4.7])

Die quantitative Beschreibung des piezoelektrischen Effekts erfolgt analog zum py-
roelektrischen Effekt in (3.5-1) durch eine Relation zwischen der dielektrischen Ver-
schiebungsdichte und den Einflußgrößen. Anstelle der skalaren Temperatur treten
jetzt aber die sechs Komponenten des Spannungstensors, die als Spannungsvektor
Bild 4.2.1-4 Piezoelektrischer Effekt am Beispiel des rechtsdrehenden Quarzes (nach [4.34]): der
geschrieben werden können ([Link] 4.1.3). Bei Anwesenheit elektrischer Felder
Zustand vor der Krafteinwirkung ist gestrichelt, derjenige nach der Krafteinwirkung
durchgezogen gezeichnet. gilt dann insgesamt:
a) direkter piezoelektrischer Effekt wie in Bild 4.2.1-3c: Die elastische mechanische
Verzerrung führt zur Entstehung einer elektrischen Polarisation P.
b) reziproker piezoelektrischer Effekt: Das Anlegen eines elektrischen Feldes E
führt zu einer elastischen mechanischen Verzerrung
 Seite 101

200 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.1 Piezoelektrischer Effekt 201

In Tab. 4.2.1-1 werden piezoelektrische Grundgrößen verschiedener Materialien mit-

einander verglichen.

Tab. 4.2.1-1 Übersicht über die Werkstoffeigenschaften wichtiger piezoelektrischer Materia-

lien. Die Größen kij beziehen sich auf piezoelektrische Kopplungsfaktoren, sie
charakterisieren den Wirkungsgrad der piezoelektrischen Umwandlung (nach [4.7])

mit den Tensoren ((ε)) der Dielektrizitätskonstanten und ((d)) der piezoelektrischen
Koeffizienten (Einheit Coulomb/Newton). Die einzelnen Komponenten des zuletzt
genannten Tensors können wie die des Tensors der piezoresistiven Koeffizienten (Ab-
schnitt 4.1.3) dadurch bestimmt werden, daß an einen Probekörper spezifische Span-
nungszustände angelegt werden, bei denen jeweils nur eine der Komponenten des Span-
nungsvektors ungleich Null ist (Bild 4.2.1-6).

Bild 4.2.1-7 gibt eine Zusammenstellung der grundlegenden Daten für die in der Praxis
wichtigsten piezoelektrischen Werkstoffe. Die Tensorbeziehung (1) läßt sich auch über
die Verzerrungen ε ausdrücken

Bild 4.2.1-6 Messung der piezoelektrischen Konstanten (nach [4.34]) wodurch der Tensor der piezoelektrischen Moduln ((e)) (Dimension Coulomb/m2)
a) mechanische Spannungszustände am Probekörper zur Messung der piezoelek- definiert wird. Diese Definitionen der piezoelektrischen Koeffizienten und Moduln
trischen Koeffizienten werden (wie die der entsprechenden elastischen Konstanten auch) in der Praxis nicht mit
b) Bestimmung der Komponenten des Tensors der piezeelektrischen Koeffizien- einheitlicher Bedeutung verwendet, im Zweifelsfall ist eine Orientierung an der Einheit
ten über die Spannungszustände in a) erforderlich.
 Seite 102

202 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.1 Piezoelektrischer Effekt 203

Bild 4.2.1-7 Werkstoffeigenschaften piezoelektrischer Materialien für Drucksensoren (nach [4.34])

a) α−Quarz (Linksquarz, Bezeichnung über die Drehung der Polarisationsebene)
 Seite 103

204 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.1 Piezoelektrischer Effekt 205

Bild 4.2.1-7 b) PZT Bild 4.2.1-7 c) Turmalin (Aluminiumborosilikat), Lithiumniobat und -tantalat

Ein piezoelektrischer Effekt kann auch bei elektrisch geladenen Polymeren, den Elek-
treten auftreten, weiterhin bei polaren Polymeren mit ausgerichteten elektrischen Dipo-
len. In Tab. 4.2.1-2 sind die Eigenschaften des polaren Polymers Polyvinylidenfluorid
(PVDF) zusammengestellt.
Eine ausführlichere Behandlung der piezoelektrischen Effekte erfolgt im Band 5, Ab-
schnitt 4.
 Seite 104

206 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.2 Aufbau piezoelektrischer Kraft- und Drucksensoren 207

Tab. 4.2.1-2 Eigenschaften piezoelektrischer Polymerfolien aus PVDF (nach [4.35])

4.2.2 Aufbau piezoelektrischer Kraft- und Drucksensoren

Der piezoelektrische Effekt wird zur Herstellung von Druck-, Kraft und Beschleuni-
gungssensoren ausgenutzt. Dabei kommen sowohl der longitudinale, wie auch der
transversale piezoelektrische Effekt zur Anwendung (Bild 4.2.2-1).

Bild 4.2.2-1 Anwendung des longitudinalen (a) und transversalen (b ) piezoelektrischen Ef-
fekts in Quarz (SiO2) bei Kraftaufnehmern (nach [4.28]): Dargestellt ist jeweils
die Lage der Silizium- und Sauerstoffatome vor und nach Einwirkung der mecha-
nischen Kraft F: Die Verschiebung bewirkt eine Trennung der Ladungsschwer-
punkte und damit die Entstehung von Oberflächenladungen. Weiterhin ist darge-
stellt der typische Aufbau von Kraftsensoren:
c) Mehrere piezoelektrische Elemente werden an den Stirnflächen mit Hilfe einer
Metallschicht kontaktiert und in einer Polung hintereinandergeschaltet, bei der an
gemeinsamen Elektroden jeweils gleiche Oberflächenladungen abgegriffen wer-
den können. Dieser Aufbau führt zu einer mechanisch sehr stabilen Konstruktion
mit einem einfachen elektrischen Abgriff der Signale, weiterhin addieren sich die
Sensorsignale der piezoelektrische Elemente.
b) Der Abgriff der Ladungen erfolgt an den leicht zugänglichen Seitenflächen des
Quarzkristalls.
 Seite 105

208 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.2 Aufbau piezoelektrischer Kraft- und Drucksensoren 209

Piezoelektrische Kraftsensoren haben bei einem mechanischen Aufbau wie in Bild

4.2.2-1 gegenüber anderen Sensorprinzipien mehrere grundsätzliche Vorteile:
– Der Sensor ist mechanisch starr aufgebaut, d.h. es findet nur eine äußerst geringe Tab. 4.2.2-1 Oberflächenladungen an piezoelektrischen Sensoren können nur präzise bestimmt
Auslenkung einer Membran oder Halterung (deren Eigenschaften die Messung selbst werden bei Anwendung einer sehr hochohmigen Isolation und Verstärkerstufen mit
niedrigen Eingangs-Leckströmen (nach [4.34])
nicht beeinflussen) in der Größenordnung der elastischen Verformung des piezoelek-
a) Isolationswiderstände von Werkstoffen, welche für die Isolation piezoelektri-
trischen Elements statt. Ein solcher Aufbau führt zu einer mechanisch sehr stabilen scher Sensoren eingesetzt werden können, sowie andere Anwendungen dieser
Konstruktion mit einer geringen Neigung zu mechanischen Eigenschwingungen Werkstoffe
oder Nachschwingeffekten bei kurzzeitiger Belastung, sowie einer sehr geringen Hy- b) Leckströme verschiedener Ladungsverstärker-Eingangsstufen.
sterese. a)
– der piezoelektrische Effekt selber hat einen vergleichsweise niedrigen Tempera-
turkoeffizienten
– der Sensor benötigt keine äußere Spannungsversorgung, er erfordert aber eine
empfindliche elektronische Weiterverarbeitung (Integration kleiner Ladungen bis
zur Spannungskompensation auf Null, s. auch Abschnitt 3.5)
– der Wirkungsgrad der Energieumwandlung (mechanische in elektrische Energie)
ist besonders hoch.

Dagegen steht ein typischer Nachteil bei piezoelektrischen Sensoren, der auch schon bei
den pyroelektrischen aufgetreten war:
– Eine Kraftänderung führt zu einer Änderung der induzierten Oberflächenladung,
b)
die auf den angeschlossenen Metallelektroden eine Differenz der Fermienergien
(von außen meßbare Spannung oder EMK, s. Abschnitt C1) erzeugt. Diese Spannung
kann aber durch den Fluß relativ geringer Elektronenzahlen abgebaut werden, d.h.
zur Aufrechterhaltung der Spannung ist eine extrem hochohmige Isolation und
Signalverstärkung erforderlich (Tab. 4.2.2-1). Auch in diesem Fall wird die Span-
nung gewöhnlich innerhalb von Sekunden bis Stunden abgebaut, so daß die Ladungs-
integration kurzzeitig erfolgen muß. Piezoelektrische Sensoren eignen sich daher be-
sonders zur Messung von Kraft-, Druck- oder Beschleunigungsänderungen, weni-
ger zur Messung statischer Größen.

Piezoelektrische Sensoren messen grundsätzlich nur Kräfte. Bei Anwendungen in der

Druckmeßtechnik muß der Druck erst – z.B. durch eine Membran – proportional in eine
Kraft umgewandelt werden. Während Dehnungsmeßstreifen grundsätzlich Oberflä-
chenspannungen messen, ist bei piezoelektrischen Sensoren der Spannungszustand im
gesamten Sensorvolumen maßgebend. Eventuell vorhandene örtliche Schwankungen
der Kraftverteilung werden gemittelt. Bild 4.2.2-2 zeigt technische Ausführungsformen
von piezoelektrischen Kraft- und Drucksensoren. Bei den Kraftsensoren wird meistens
der longitudinale piezoelektrischer Effekt ausgenutzt, bei den Drucksensoren der trans-
versale.
 Seite 106

210 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.2 Aufbau piezoelektrischer Kraft- und Drucksensoren 211

Bild 4.2.2-3 zeigt Datenblätter industriell hergestellter piezoelektrischer Druckaufneh-

mer sowie verschiedene Adapter für den Einbau in die Meßsysteme (z.B. zur Messung
des Zylinder- und Einspritzdrucks in Verbrennungsmotoren).
Piezoelektrische Kraftsensoren eignen sich hervorragend zur Herstellung von Be-
schleunigungssensoren, da die Beschleunigung (Abbremsung) bei vielen Anwendun-
gen innerhalb kurzer Zeiten abläuft (dynamischer Vorgang). In Bild 4.2.2-4 werden
zwei Ausführungsformen beschrieben.

Bild 4.2.2-4 a) Beschleunigungssensor mit piezoelektrischen Kraftaufnehmern (nach [4.37])

b) Integrierter Beschleunigungssensor mit piezoelektrischem PZT-Element als
Bild 4.2.2-2 Technische Ausführungen piezoelektrischer Kraft- und Drucksensoren. Der Ein- Klopfsensor zur Motorüberwachung und dazugehörige Auswerteschaltung: Der
bau der Sensorelemente erfolgt meist unter mechanischer Vorspannung (nach [4.34 Sensor ist so empfindlich, daß die Eigenmasse des PZT-Elements als seismische
und 36]) Masse ausreicht (nach [4.38])
a) Kraftsensoren auf der Basis des longitudinalen piezoelektrischen Effekts:
Aufbau I: Bei Verwendung eines einzigen piezoelektrischen Elements ist eine Der Frequenzbereich für den Einsatz piezoelektrischer Sensoren erstreckt sich bis in den
hochwertige Isolation zwischen Element und Gehäuse erforderlich.
MHz-Bereich (Bild 4.2.1-5), so daß neben den erwähnten Sensoranwendungen zusätzli-
Aufbau II: Die Isolation beim Aufbau I entfällt bei Hintereinanderschaltung
che hinzukommen wie ein Einsatz als Schallaufnehmer (Mikrofon), Schallecho-Signa-
zweier piezoelektrischer Elemente mit entgegengesetzter Polarisationsrichtung
entsprechend Bild 4.2.2-1c. Gleichzeitig wird die induzierte Ladung verdoppelt. laufnehmer usw.
b) Drucksensoren auf der Basis des transversalen piezoelektrischen Effekts: Der Für Präzisionssensoren werden heute noch vielfach natürlich gewachsene oder synthe-
Ladungsabgriff erfolgt auf einer Seitenfläche des piezoelektrischen Elements mit
tisch hergestellte Quarzeinkristalle verwendet, Turmalin (meist werden natürlich ge-
Hilfe einer spiralförmigen Elektrode
wachsene Kristalle verwendet) hat den Vorteil einer geringeren Anisotropie der pie-
 Seite 107

212 4.2 Piezoelektrische Kraft- und Drucksensoren 4.2.2 Aufbau piezoelektrischer Kraft- und Drucksensoren 213

Bild 4.2.2-3 Daten kommerzieller piezoelektrischer Drucksensoren (nach [4.36])

 Seite 108

214 4.3 Induktive und kapazitive Kraft- und Drucksensoren 4.3 Induktive und kapazitive Kraft- und Drucksensoren 215

zoelektrischen Eigenschaften, d.h. bei Beschleunigungssensoren ist die Abhängigkeit duktive Druckaufnehmer, Bild 4.3-2).
von der Richtung der Beschleunigung geringer. Mischkeramiken wie PZT haben in der
Regel eine größere Empfindlichkeit bei weit niedrigeren Materialkosten, nachteilig ist
jedoch die geringere Reproduzierbarkeit und Langzeitstabilität der piezoelektrischen
Eigenschaften, sowie ein größerer parasitärer pyroelektrischer Effekt.
Die Elektroden auf piezoelektrischen Elementen werden häufig über dünne Goldschich-
ten, sowie über Edelstahlkontakte hergestellt, als Isolationswerkstoff wird Teflon, Kap-
ton oder eine isolierende Keramik eingesetzt. Im Forschungsstadium befinden sich auch
Sensoren mit aufgesputterten (Band 2, Abschnitt 8.2.3) piezoelektrischen Schichten
(Bild 4.2.2-5).

Bild 4.3-1: Kapazitive Wegaufnehmer (nach [4.40]): Die Kapazität eines Plattenkondensators
wird bestimmt durch die Formel

Beim Aufbau a) wird der Plattenabstand x, beim Aufbau b) die Fläche A variiert.
Bild 4.2.2-5 Aufbau eines Sensors mit aufgesputterter piezoelektrischer Dünnschicht (Alumi- c) Aufbau eines keramischen Drucksensors (nach [4.42])
niumnitrid) auf einer Siliziummembran (nach [4.39])

Bei den induktiven und kapazitiven Sensoren gibt es eine große Vielfalt von mechani-
schen Ausführungen und elektrischen Meßtechniken, die häufig auf die speziellen Be-
dingungen bei der Anwendung angepaßt sind.
Bei den kapazitiven Sensoren bieten mikromechanische Verfahren für den Werkstoff
Silizium (s. Abschnitt 4.2.6) neue Möglichkeiten zur Herstellung extrem empfindlicher
und dennoch kostengünstig zu produzierender Ausführungen [4.43 und 44]. Diese
Technik ermöglicht die Fertigung sehr dünner und damit mechanisch leicht und schnell
auslenkbarer Siliziummembranen mit reproduzierbaren Eigenschaften. Die Auslen-
4.3 Induktive und kapazitive Kraft- und Drucksensoren
kung der Membran läßt sich auf einfache Weise kapazitiv erfassen (Bild 4.3-3).
Mechanische Kräfte oder Drücke können die reversible (elastische Verformung) oder ir-
reversible (Verschiebung ohne rücktreibende Kraft) Verlagerung von Körpern verursa-
chen. Wird auf diese Weise die Plattengröße oder der Plattenabstand von Kondensator-
platten in definierter Weise verändert, dann läßt sich die einwirkende Kraft über eine
Kapazitätsänderung messen (kapazitive Drucksensoren, Bild 4.3-1). Alternativ dazu
bewirkt die Verschiebung eines hochpermeablen Kerns innerhalb oder außerhalb einer
Spulenwicklung die Veränderung der Induktivität der Spule (Band 1, Abschnitt 7.2, in-
 Seite 109

216 4.3 Induktive und kapazitive Kraft- und Drucksensoren 4.3 Induktive und kapazitive Kraft- und Drucksensoren 217

Bild 4.3-2 Induktive Wegaufnehmer (nach [4.40])

I) Wegaufnehmer nach dem Drosselprinzip: Eine Veränderung des Luftspaltes
x in einem weichmagnetischen Kreis verändert die Induktivität des Kreises:
a) Drosselsystem mit einem Luftspalt der Breite x
b) Schalenkernsystem
c) Doppeldrossel (Differenzprinzip)
II) Wegaufnehmer nach dem Tauchkernprinzip: Die Verschiebung eines
weichmagnetischen Kerns in einer Spule verändert die Induktivität des Systems
oder die magnetische Kopplung zwischen zwei Spulen:
a) einfacher Tauchkernaufnehmer
b) Doppelspulen-Tauchkernsystem
c) Differentialtransformator-Tauchkernsystem
III) Mechanischer Aufbau eines induktiven Niederdruckaufnehmers (nach [4.41])

Bild 4.3-3 Kapazitiver Drucksensor mit Siliziummembran (nach [4.44])

a) Aufbau des Sensors mit quadratischer Membran und verstärktem Bereich in
der Mitte (ähnlich Kreisringmembran in den Bildern 4.1.5-8 und 11)
b) Druckabhängigkeit der Sensorkapazität
 Seite 110

218 4.3 Induktive und kapazitive Kraft- und Drucksensoren 4.4 Andere Kraft- und Drucksensortechniken 219

Den Vorteilen eines einfachen Aufbaus und der guten mechanischen und elektrischen
Stabilität kapazitiver Sensoren stehen gravierende Nachteile gegenüber.
– Die Messung einer Kapazität ist grundsätzlich aufwendiger als die eines Wider-
stands.
4.4 Andere Kraft- und Drucksensortechniken
Neben den beschriebenen Drucksensorprinzipien gibt es eine große Vielfalt weiterer
– das Ausgangssignal ist bei einfachen kapazitiven Sensoren (nicht bei Sensoren mit
Verfahren, die auf Spezialgebieten der Meßtechnik durchaus eine große Bedeutung ha-
Differentialkondensatoren) in der Regel nichtlinear.
ben können. Im folgenden werden einige typische Beispiele hierfür aufgeführt.
Möglicherweise kann die Integration elektrischer Funktionen auf Silizium-Sensorchips
Elektrodynamische Kraftkompensation (Anwendung Präzisionswaage): Die zu
(integrierte Sensoren) langfristig diese Nachteile überwinden. In der Tabelle 4.3-1
messende Kraft F (Gewicht) wird durch eine elektrodynamisch (Tauchspule in einem
werden die Leistungsdaten verschiedener Kraft- und Drucksensortechniken miteinan-
Topfmagneten) erzeugte Gegenkraft exakt kompensiert. Die Einstellung der Gegen-
der verglichen.
kraft erfolgt über die Stromstärke in der Tauchspule, sie wird in der Weise geregelt,
daß eine durch die Kraft bewirkte Stabauslenkung durch die Gegenkraft exakt auf Null
Tab. 4.3-1 Vergleich verschiedener Techniken für den Aufbau von Kraft- und Drucksensoren zurückgeführt wird (Bild 4.4-1). Dieses Verfahren wird überwiegend in der Wägetech-
(nach [4.50]) nik eingesetzt, es hat einen außerordentlich großen Dynamikbereich (Milli- bis Kilo-
gramm) bei einer Meßgenauigkeit, die in einem eingeschränkten Temperaturbereich 10-
6 erreichen kann.

Bild 4.4-1 Kraftmessung durch elektrodynamische Kompensation (nach [4.46])

Durch die Kraft F wird ein Ferritkern auf einem Stab, der an Biegefedern aufge-
hängt ist, in seiner Höhe verschoben. Die Größe der Verschiebung kann über Drossel-
spulen gemessen werden; hierüber wird der Strom in einer Tauchspule geregelt, die in
einem Topfkern so angeordnet ist, daß eine Gegenkraft auf den Stab erzeugt werden
kann. Die Regelung ist so ausgelegt, daß die durch die Drosselspulen gemessene Ver-
schiebung exakt auf Null zurückgeführt wird. In diesem Fall ist der Tauchspulen-
strom ein exaktes Maß für die wirkende Kraft F.
 Seite 111

220 4.4 Andere Kraft- und Drucksensortechniken 4.4 Andere Kraft- und Drucksensortechniken 221

Magnetoelastischer Kraftsensor: In einer Meßfeder aus parallelen Transformatorble- Kraftsensoren mit akustischen Oberflächenwellen (SAW = surface acoustic wa-
chen ist eine Erreger-Spulenwicklung zusammen mit einer senkrecht dazu angeordne- ve)-Filtern: Bei Kristallen aus piezoelektrischen und anderen Werkstoffen lassen
ten Meß-Spulenwicklung angeordnet. Nur bei einer durch Kraftwirkung induzierten sich mit Hilfe von Kammstruktur-Elektroden (Bild 4.4-3) über eine Wechselspannungs-
Anisotropie der Magnetisierbarkeit der Feder wird beim Wechselstrombetrieb der ansteuerung mechanische Schwingungen (Gitterschwingungen oder Phononen) der
Erregerspule in die Meßspule eine kraftabhängige Meßspannung induziert (Bild 4.4-2). darunter angeordneten Atome und Ionen anregen, welche sich in Form von Volu-
Dieses Verfahren läßt den Aufbau einfacher und robuster Meßzellen zu und liefert eine men- und Oberflächenwellen ausbreiten. Über die Kristallorientierung, sowie die
beachtliche Genauigkeit. Form und Anordnung der Elektroden kann die Entstehung speziell von Oberflächenwel-
len begünstigt werden. Die Eigenschaften solcher Wellen können empfindlich von der
Ein induktiver Kraftsensor auf der Basis des magnetostriktiven Effekts wird in Ab-
atomaren Zusammensetzung und dem Gitterzustand an der Oberfläche abhängen, so
schnitt 5.3 beschrieben.
daß sich Oberflächenwellen für Sensoranwendungen nutzen lassen. Stellt die akustisch
angeregte Oberfläche z.B. gleichzeitig die Ober- oder Unterseite eines gebogenen Bal-
kens dar, dann kann die Größe einer Biegelast F gemessen werden (Bild 4.4-3).

Bild 4.4-2 Magneto-elastischer Kraftaufnehmer (nach [4.46])

a) Eine Feder, die aus parallel angeordneten Transformatorblechen besteht, wird
mit der Kraft F belastet, so daß sie sich in Kraftrichtung dehnt. Eingelagert sind in
die Feder eine Erregerspule und eine senkrecht dazu angeordnete Meßspule. Bild 4.4-3 Kraftsensor mit akustischem Oberflächenwellen (SAW)-Resonator (nach [4.46]):
b) ohne Wirkung einer äußeren Kraft wird wegen der symmetrischen Anordnung Über zwei kammförmige Elektroden auf der Oberfläche eines Biegebalkens, der
in die Meßspulenwicklung keine Meßspannung induziert. aus einem piezoelektrischen Werkstoff aufgebaut ist, werden akustische Oberflä-
c) bei elastischer Dehnung der Feder entstehen Vorzugsrichtungen für die chenwellen erzeugt und detektiert (jeweils ein Kamm ist der Sender oder Empfän-
Magnetisierung der Feder, d.h. die Magnetisierung um die Erregerspule wird ver- ger). Durch Rückkoppelung über einen phasenstarren Verstärker entsteht eine frei-
ändert. Aufgrund der jetzt unsymmetrisch verlaufenden Feldlinien wird eine schwingende Oszillation, deren Eigenfrequenz (im Bereich von 50 bis 800 MHz) von
Spannung in die Meßspule induziert. dem Zustand der Oberfläche abhängt. Im dargestellten Fall hängt die Eigenfrequenz
ab von der Oberflächendehnung des Biegebalkens, die ihrerseits durch die zu mes-
sende Kraft F bestimmt wird.
 Seite 112

222 4.4 Andere Kraft- und Drucksensortechniken 223

Quarz-Druckaufnehmer: Wie bei der Temperaturmessung liefert auch in der Druck-

meßtechnik der Einsatz frequenzanaloger Verfahren mit Hilfe von Quarzen Vorteile in
der elektronischen Weiterverarbeitung und der Meßgenauigkeit. Dabei werden Quarz-
kristall-Resonatoren verwendet, deren Eigenfrequenz sich bei Druckbelastung ändert
(Bild 4.4-4). Typische Resonatorfrequenzen liegen im Bereich von 40 kHz, die sich bei
maximal zulässiger Last um ca. 10% ändern. Der Zusammenhang zwischen Druck p
und der Periodendauer τ der Resonanzschwingung wird beschrieben durch die Glei-
chung [4.47]:

wobei τo die Periodendauer ohne Einwirkung eines Drucks beschreibt; C und D sind
Kalibrierkoeffizienten. Die Temperatur kann durch einen zweiten Quarz-Temperatur-
sensor sehr genau bestimmt und zur Korrektur des Drucksensorsignals eingesetzt
werden.

Bild 4.4-4 Quarz-Druckaufnehmer (nach [4.47])

a) Anordnung des Quarzkristall-Resonators in einer Halterung
b) Anregung der Resonatorschwingung durch Ansteuerung von Oberflächen-
Elektroden
 Seite 112

222

5 Magnetsensoren

5.1 Halleffekt-Sensoren
5.1.1 Halleffekt
Der Halleffekt wurde 1879 von dem amerikanischen Physiker Edwin Herbert Hall ent-
deckt. Er ist eine Konsequenz der Bewegung von Ladungsträgern (Masse m, Ladung
q) unter Einfluß einer magnetischen Induktionsflußdichte , die durch die Wirkung
der Lorentz-Kraft FB (Band 2, Abschnitt 2.2.3, Band 11, Abschnitt 1.2.3)

bestimmt wird. Das Magnetfeld wirkt sich nach (1) nur dann auf die Teilchenbe-
wegung aus, wenn die Geschwindigkeit eine Komponente senkrecht zu besitzt.
In diesem Fall führt die allgemeine Lösung der Bewegungsgleichung (1) auf eine Bewe-
gung der Ladungsträger entlang einer Spiralbahn (Toroidbahn) mit der Richtung der
magnetischen Induktionsflußdichte als Achse (Band 11, Abschnitt 1.2.3, Bild 5.1.1-1b)

Bild 5.1.1-1 Bewegung freier geladener Teilchen in einem Magnetfeld (magnetische Indukti-
onsflußdichte ): Es wird vorausgesetzt, daß die Bewegung ohne Wechselwirkung
mit anderen Teilchen stattfindet, d.h. sie erfolgt beschleunigt (ballistisch). In Festkör-
pern erfolgt die Bewegung in Richtung der wirkenden Kraft, [Link] Lösung der Vek-
torgleichung (4), s. Band 11, Abschnitt 1.2.3 und Bild 5.1.1-2.
a) Richtung der Lorentz-Kraft
b) Spiralförmige Bewegung der Ladungsträger aufgrund der Lorentzkraft
 Seite 113

224 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.1.1 Halleffekt 225

Wirkt zusätzlich zu dem Magnetfeld ein elektrisches Feld , dann wird (1) erweitert
zu:

(2) beschreibt die Feldkraft auf die Ladungsträger, zu der im allgemeinen (Band 1,
Abschnitt 4.1.1, Band 2, Abschnitt 4.3.2) eine Diffusionskraft diff aufgrund von La-
dungsträger-Dichtegradienten tritt; als Summe von beiden ergibt sich die chemische
Kraft chem. Die Wechselwirkung der Ladungsträger untereinander läßt sich durch
Einführung einer Reibungskraft beschreiben; nach Band 11, Abschnitt 1.2.3 ergibt
sich dann auch bei Anwesenheit von Magnetfeldern als gemittelte Ladungsträgerge-
schwindigkeit < > aufgrund einer chemischen Kraft die Summe aus der (gemittel-
ten) Drift ( dr)- und Diffusionsgeschwindigkeit ( diff):

mit der Ladungsträgerbeweglichkeit µ. Bisher wurde µ nur für die Wirkung elek-
trischer Feld- und Diffusionskräfte betrachtet, bei Anwesenheit magnetischer Felder
kann sich die Ladungsträgerbeweglichkeit ändern ([5.1], s.u.).
Als Ladungsträger werden im folgenden zunächst Elektronen (später auch Löcher, s.
Band 2, Abschnitt 2.2.3) betrachtet. Wenn wir bei Abwesenheit von Ladungsträgergra-
dienten die Diffusionskräfte und -geschwindigkeiten vernachlässigen können, dann
folgt aus (2) und (3):
Bild 5.1.1-2 Entstehung des Hallfeldes bei einem stabförmigen Widerstand in x-Richtung
a) Elektronenbahnen aufgrund des angelegten elektrischen Feldes ax bei Abwesen-
heit eines Magnetfeldes B
b) Elektronenbahnen kurz nach dem Einschalten eines Magnetfeldes B (es hat sich
Es ergibt sich also eine Vektorgleichung für dr. Die aus der Teilchengeschwindig- noch kein Hallfeld aufgebaut): Der Elektronenstrom fließt auf einer um den Hall-
keit resultierende elektrische Stromdichte (Band 11 oder Anhänge in den Bänden 1 und winkel θH geneigten Bahn (freie Elektronen würden sich auf Spiralbahnen, die
2) ist definiert (Volumendichte ρn= Teilchenzahl N pro Volumen Vol): gestrichelt eingezeichnet sind, bewegen) zu den Seiten des Stabes hin, die Ablen-
kung wird bewirkt durch die Lorentzkraft F = -|q| x . Da die Elektronen an den
Seitenflächen nicht nach außen abfließen können, baut sich dort eine Oberflächenla-
dung auf, welche das Hallfeld EH erzeugt, die hierdurch erzeugte zusätzliche
und damit für den Fall der Lorentz-Feldkraft: Kraft ist der Lorentzkraft entgegengerichtet (d.h. das durch die Ablenkung von Elek-
tronen entstehende Hallfeld zeigt in Richtung der Lorentzkraft).
c) Auf die im Leiter fließenden Elektronen wirken nebeneinander die ablenkende
Kräfte des Magnetfeldes und des Hallfeldes. Beide kompensieren sich gegenseitig,
mit der spezifischen Leitfähigkeit für Elektronen σspn. so daß sich die Elektronen bei langgestreckten Widerständen näherungsweise (s.
Abschnitt 5.1.2) in der durch den geometrischen Aufbau des Stabes festgelegten
Aus Gleichung (6) folgt eine wichtige Konsequenz (Bild 5.1.1-2): Wir betrachten den Richtung bewegen.
Stromfluß durch einen Leiter in x-Richtung aufgrund eines in derselben Richtung
wirkenden von außen angelegten Feldes ax. Aus Gleichung (6) folgt unmittelbar
legten Feldes ax verdreht sind (Bild 5.1.1-2b), wobei gilt:
(Anhang C2), daß bei unendlich ausgedehnten Leitern die Stromdichtevektoren n
um einen definierten Hallwinkel θH gegenüber der Richtung des von außen ange
 Seite 114

226 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.1.1 Halleffekt 227

Dabei werden die entsprechenden Komponenten der Vektoren T und n verwen-

n dr

det. Bei endlich ausgedehnten, z.B. stabförmigen Widerständen wie in Bild 5.1.1-2,
führt die Stromflußkomponente j Tny in Richtung der y-Achse, also senkrecht zur Wi-
derstandsachse, zu einer elektrostatischen Aufladung an den Seitenflächen des Wider-
standes: Dadurch entsteht ein elektrisches Hallfeld H in der Richtung der negativen
y-Achse.
Die Wirkung dieses Feldes ist, daß eine Hallstromdichte fließt, welche die y-Kompo-
nente nyT der Stromdichte nT exakt kompensiert (Anhang C2):

Bild 5.1.1-3 Darstellung der Vektorgrößen beim Halleffekt für Elektronen: Eingezeichnet sind
das von außen angelegte elektrische Feld ax, aufgrund dessen ein Strom durch
den Stab fließt. Die Lorentzkraft B wird bestimmt durch den Vektor dr x z, der
d.h. aufgrund des Hallfeldes wird der Strom wieder in die ursprüngliche (Bild 5.1.1- in positiver y-Richtung verläuft, und die negative Ladung der Elektronen, sie zeigt
2a), durch die Widerstandsgeometrie vorgegebene Richtung abgelenkt (Bild 5.1.1- damit in die Richtung der negativen y-Achse. In dieser Richtung zeigt auch nach
2c). (11) das Hallfeld, das eine Kraft H auf die Elektronen in die Richtung der positi-
ven y-Achse bewirkt, die damit der Lorentzkraft entgegengerichtet ist.
Das elektrische Feld setzt sich dann insgesamt aus zwei Anteilen zusammen (Bild [Link]):
Das von außen angelegte Feld ax addiert sich vektoriell mit dem Hallfeld H zu
einem Gesamtfeld , welches senkrecht auf der magnetischen Induktionsflußdichte
z steht. Der Hallwinkel θH zwischen elektrischem Feld und angelegtem Feld
ax hat dieselbe Größe wie der Winkel zwischen dem Stromdichtevektor n und
angelegtem Feld ax bei unendlich ausgedehnten Widerständen (Anhang C2).

n
mit dem spezifischen Widerstand des n-Leiters ρsp. Bei einer genaueren Betrach-
tung muß die Magnetfeldabhängigkeit der spezifischen Leitfähigkeit berücksichtigt
werden (magnetische Widerstandsänderung, [Link] 5.2).
Mit (5) kann man in (11) die Driftgeschwindigkeit durch die Stromdichte ersetzen. Für
einen stabförmigen Widerstand und eine Orientierung des Magnetfeldes wie in Bild
5.1.1-2 und 3 folgt dann
mit der Hallkonstanten RHn für Elektronen:

Die Projektion auf die y-Achse ergibt dann mit den Einheitsvektoren x, y, z in
Richtung der Koordinatenachsen erwartungsgemäß einen negativen Wert, da das Hall- Eine aufwendigere Berechnung über die Boltzmanngleichung führt nur zu einem zu-
feld (13) in Richtung der negativen x-Achse zeigt: sätzlichen statistischen Faktor der Größenordnung 1.
 Seite 115

228 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.1.1 Halleffekt 229

Unbesetzte Elektronenzustände an der Valenzbandkante (Löcher) können wie posi- Analog zu (13) und (14) folgt aus (17) und (18)
tiv geladene Ladungsträger behandelt werden (Band 2, Abschnitt 2.2.3). Anstelle von
(4) bis (5) gilt dann für Löcher:

Im Unterschied zu (5) haben jetzt die elektrische Stromdichte und die Löchergeschwin-
digkeit dieselbe Richtung. Wiederum baut sich bei geometrisch begrenzten Widerstän-
den ein Hallfeld wie in (11) auf

(d.h. (11) gilt unabhängig vom Ladungsträgertyp!), so daß für den Stromfluß analog zu
(12) gilt:
d.h. für positiv geladene Ladungsträger wie Löcher ist die Hallkonstante positiv:

Bild 5.1.1-4 zeigt die Vektordarstellung dieser Größen.

Der Winkel zwischen dem elektrischen Feldvektor und dem Vektor des von außen
angelegten elektrischen Feldes ax ergibt sich nach den Bildern 5.1.1-3 und 4 aus
dem Verhältnis der Feldstärken in transversaler (Hallfeld) und longitudinaler Richtung
(angelegtes äußeres Feld) über die Beziehung

Einsetzen der Beziehungen (14) und (15) bzw. (21) und (22) erbringt
Bild 5.1.1-4 Darstellung der Vektorgrößen beim Halleffekt für Löcher: Im Gegensatz zu den
Verhältnissen bei Elektronen in Bild 5.1.1-3 zeigt jetzt die Driftgeschwindigkeit in
dieselbe Richtung wie die Stromdichte, damit zeigt der Vektor dr x z in Rich-
tung der negativen y-Achse, das Hallfeld EH hingegen in Richtung der positiven
y-Achse.
Die Kräfte B und H auf die Löcher haben aber dieselbe Richtung wie bei den
Elektronen, weil sich bei Elektronen die negativen Vorzeichen von Ladung und Ge-
schwindigkeit gegenseitig aufheben. Bei gleichzeitiger Anwesenheit von Elektronen
und Löcher kompensieren sich daher die Flächenladungen an den Seitenflächen des Mit den Beziehungen (12) und (19) für die elektrischen Stromdichten für Elektronen und
Stabes (Magnetokonzentrationseffekt, s. Bild 5.5.5-1), d.h. die Größe des Hallfeldes Löcher ergibt sich
nimmt ab.
 Seite 116

230 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.1.1 Halleffekt 231

Eingesetzt in (14) oder (21) ergibt sich für einen Stabquerschnitt b·d (s. Bild 5.1.1-
2c)

wobei die Hallbeweglichkeit µH (und damit auch die spezifische Leitfähigkeit σspH)
wegen der bereits erwähnten magnetischen Widerstandsänderung von der Driftbeweg- Je nach Wahl des Bezugspunktes für die Spannungsmessung kann UH auch das um-
lichkeit abweichen kann. Eingesetzt in (24) folgt schließlich gekehrte Vorzeichen zugeordnet werden, das Vorzeichen des Hallfeldes hingegen ist
eindeutig festgelegt.
Aus den Bildern 5.1.1-3 und 4 ging hervor, daß die Feldstärke im Leiter bei An-
wesenheit eines Magnetfeldes aus der Richtung des Stromflusses herausgedreht wird
(weil sich dem angelegten Feld ein Hallfeld überlagert). Diesem Verlauf der Feldstärke
entsprechen definitionsgemäß geneigte planare Äquipotentialflächen (Flächen gleichen
d.h. es ergibt sich derselbe Wert wie bei dem für unendlich ausgedehnte Widerstände be- elektrischen Potentials ϕ), da allgemein gilt
stimmten Hallwinkel in (7) oder Anhang C2.
In die Definition der spezifischen Leitfähigkeit auf der rechten Seite von (26) können
auch die expliziten Ausdrücke für die Hallkoeffizienten nach (15) und (22) eingesetzt Nach einem allgemeinen Satz aus der Vektoranalysis steht der Vektor immer senk-
werden, so daß sich ergibt: recht auf der dazugehörigen Äquipotentialfläche (Bild 5.1.1-5).

Über das Vorzeichen des Hallfeldes H kann nach (14,15) oder (21,22) entschieden
werden, ob in einem Leiter die p- oder n-Leitung überwiegt, dieses ist ein in der Praxis
häufig angewendetes Verfahren, das allerdings mehr Aufwand erfordert als die in Bild
3.2.1-2 beschriebene thermoelektrische Messung. Die Größe des Hallfeldes ergibt bei
bekanntem Probenstrom jx weiterhin Auskunft über die Ladungsträgerdichten ρn
oder ρp. Schließlich kann bei bekanntem Probenstrom die Größe σspH über (26) di-
rekt ermittelt und daraus über (28) die Hallbeweglichkeit bestimmt werden. Die Mes-
sung des Halleffekts erlaubt also eine getrennte Bestimmung der beiden unabhängigen
physikalischen Größen, die in die spezifische Leitfähigkeit eingehen: der Ladungsträ-
gerdichte und -beweglichkeit. Dieses ist bei anderen Meßverfahren nicht ohne weiteres
möglich; hieraus resultiert die große Bedeutung des Halleffekts bei der Analyse der Bild 5.1.1-5 Verlauf der elektrischen Feldstärke , die sich aus der Vektorsumme von ange-
legter Feldstärke ax und Hallfeldstärke H ergibt mit den dazugehörigen Äqui-
elektrischen Eigenschaften von Werkstoffen. potentialflächen (genauer: Flächen gleicher Fermienergie geteilt durch -|q|). Ohne
Bei bekannter Breite b des Stabes (Bild 5.1.1-2c) kann aus dem Hallfeld die Hall- Magnetfeld liegen die Äquipotentialflächen senkrecht zur Stromrichtung x = xA
(gestrichelte Linien, A = Querschnitt des Leiters), bei Anwesenheit eines Magnet-
spannung ermittelt werden über feldes sind sie dagegen um den Hallwinkel θH geneigt (durchgezogene Linien).
An den Meßpunkten 1 und 2 wird als Hallspannung die Differenz der (chemischen)
Potentiale (= Fermienergien) abgegriffen, die den durch 1 und 2 verlaufenden Äqui-
potentialflächen entsprechen. Eine exakte Messung setzt voraus, daß die beiden
Punkte 1 und 2 genau gegenüberliegen (sonst wird auch beim Magnetfeld Null eine
 Seite 117

232 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.1.1 Halleffekt 233

Spannung [ohmsche Komponente] gemessen). schen Widerstandsänderung, sie werden im Abschnitt 5.2.1 und im Anhang C3 ausführ-
Aus den Formeln (14) und (21) folgt, daß der Halleffekt besonders groß ist bei Werkstof- lich behandelt.
fen mit niedrigen Ladungsträgerdichten, wie sie z.B. in Halbleitern, vielen elektronisch Bei einer Widerstandsgeometrie wie in Bild 5.1.1-6 ist die gemessene Hallspannung
leitenden keramischen Werkstoffen, und Ionenleitern vorzufinden sind. Die Einspei- vom Ort der Messung auf dem Stab abhängig, sie hat allenfalls in einem mittleren
sung des Stroms erfolgt dann gewöhnlich über flächenhafte Metallkontakte an den En- Bereich des Widerstands den theoretisch berechneten Wert und nimmt zu den Stirnflä-
den des Stabes. Dort ist die Leitfähigkeit so groß, daß die Metallkontakte in guter Nähe- chen des Stabes hin ab. Für exakte Hallmessungen ist deshalb ein Geometrieverhältnis
rung als Äquipotentialflächen betrachtet werden können, deren Lage durch die Stabgeo- von l/b (Stablänge/Stabbreite) > 2 bei Abgriff der Hallspannung in der Stabmitte
metrie vorgegeben ist und nicht vom äußeren Magnetfeld abhängt. Die Feldstärke muß empfehlenswert. In Bild 5.1.1-7 sind gebräuchliche Probenformen für die Messung des
dann zwangsläufig auf der Fläche der Metallkontakte senkrecht stehen, bei stabförmi- Halleffekts dargestellt.
gen Widerständen wie in den Bildern 5.1.1-2 und 5 hat sie dann die Richtung des ange-
legten Feldes ax. Das ist gleichbedeutend damit, daß das Hallfeld H am Ort der
Metallkontakte aufgrund der Widerstandsgeometrie unterdrückt wird, so daß der
Stromfluß wie beim unendlich ausgedehnten Widerstand nach (7) mit einer durch den
Hallwinkel bestimmten Neigung relativ zur Widerstandsachse austritt (Bild 5.1.1-6).
Erst in größerem Abstand von den Metallkontakten kann die Feldstärke die in Bild 5.1.1-
6 dargestellte zur Widerstandsachse geneigte Richtung annehmen, gleichzeitig nimmt
der Stromflußvektor die Richtung der Probenachse an. Bild 5.1.1-6 zeigt den berechne-
ten Verlauf.

Bild 5.1.1-6 Strombahnen (definiert durch die ortsabhängigen Richtungen des Stromdichte-
vektors, durchgezogen eingezeichnet) und Äquipotentiallinien (gestrichelt) in einem
Widerstand
a) ohne äußeres Magnetfeld
b) mit äußerem Magnetfeld Bild 5.1.1-7 Bauelemente zur Messung des Halleffekts
Erst in einem größeren Abstand von den Kontaktflächen werden die in Bild 5.1.1- a) Meßfiguren: In die Kontakte CC wird der Strom eingespeist, bei SC die Sen-
5 dargestellten Verhältnisse angenommen, so daß dort die in (14) und (21) sorspannung abgegriffen. SC/CC bedeutet, daß Strom- und Sensorkontakte ver-
berechneten Hallfeldstärken gemessen werden können (nach [5.2]). tauscht werden können (nach [5.3])
b) Schaltsymbol von Hallsonden (nach [5.2])

Effekte dieser Art spielen eine große Rolle bei der geometrisch bestimmten magneti-
 Seite 118

234 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.1.2 Hallgeneratoren 235

5.1.2 Hallgeneratoren Tab. 5.1.2-1 zeigt eine Übersicht über die Ladungsträgerbeweglichkeiten verschiedener
Element- und Verbindungshalbleiter.
Der Halleffekt läßt sich zur Messung von Magnetfeldern einsetzen, die entsprechenden
Sensoren werden als Hallgeneratoren bezeichnet. Ausgangspunkt für den Aufbau sol-
cher Sensoren sind die Beziehungen (5.1.1-14 und 21), die sich zusammengefaßt in der Tab. 5.1.2-1 Eigenschaften verschiedener Element- und Verbindungshalbleiter (nach [5.4]):
folgenden Weise darstellen lassen: Von besonderer Bedeutung für Hallgeneratoren und Feldplatten (Abschnitt 5.2.1) ist
eine große Ladungsträgerbeweglichkeit µn oder µp, da diese direkt in die Empfind-
lichkeit (4) des Sensors eingeht. Die Beweglichkeit bestimmt auch direkt die Größe
des Hallwinkels nach (5.1.1-7 und 27). An dieser Stelle sei an die Dimension der
magnetischen Induktionsflußdichte erinnert:

d.h. die Dimension der magnetischen Induktionsflußdichte entspricht der reziproken Dimension der
Ladungsträgerbeweglichkeit.
Wird die durch das Hallfeld bewirkte Leistungsabgabe vernachlässigt (stromlose Mes-
sung der Hallspannung) dann ist die am Sensor abfallenden Leistungsdichte

so daß aus (1) und (2) folgt

Als Forderungen an einen Hallsensor ergeben sich damit:

1. Für eine vorgegebene Leistungsdichte ρP soll das Verhältnis EH/Bz maximal sein,
d.h. RH muß möglichst groß sein. Nach (5.1.1-15 und 22) ergibt sich hieraus die
Forderung nach möglichst niedrigen Elektronen- oder Löcherdichten (bei gleich-
zeitiger Anwesenheit vermindert sich der Halleffekt, s. Bild 5.1.1-2c), d.h. hochoh-
mige Halbleiter sind als Grundmaterial für Hallgeneratoren weit besser geeignet als
Metalle. Um eine gute Temperaturkonstanz des Hallkoeffizienten zu erreichen, soll-
te die Ladungsträgerdichte im eingesetzten Temperaturbereich möglichst konstant
sein, d.h. der Halbleiter sich im Sättigungsbereich (Bilder 3.3.1-2b und 5.1.2-1)
befinden.
2. Zur Maximierung von EH/Bz muß weiterhin eine möglichst große Ladungsträ-
ger(Hall-)Beweglichkeit µH angestrebt werden, d.h. die eingesetzten Halbleiter-
werkstoffe werden nach diesem Kriterium bestimmt.
3. Die Leistungsdichte selber sollte möglichst klein gehalten werden, um die Eigen-
erwärmung nach (3.1-1) niedrig zu halten. Demselben Zweck dient ein kleiner Wär-
mewiderstand Rth.
 Seite 119

236 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.1.2 Hallgeneratoren 237

Bild 5.1.2-1 Temperaturabhängigkeit von Hallkoeffizienten bei unterschiedlich dotiertem Sili-

zium (nach [5.3])

Man erkennt, daß die hohe Ladungsträgerbeweglichkeit der III-V-Halbleiter Indiuman-

timonid (InSb) und Indiumarsenid (InAs) verbunden ist mit einem relativ kleinen Band-
abstand Wg . In diesem Fall setzt die intrinsische Elektron-Lochpaarerzeugung (Band
2, Abschnitt 2.2.4), die den Halleffekt stark vermindert (Bilder 5.1.1-4 und 5.1.2-1), bei
relativ niedrigen Temperaturen ein. Dieses kann nur durch eine starke Dotierung verhin-
dert werden, die ihrerseits den Hallkoeffizienten herabsetzt. Tab. 5.1.2-2 zeigte einen
Überblick über die zur Herstellung von Hallsensoren eingesetzten Werkstoffe, deren
Anwendungsbereich und wesentliche Merkmale.

Tab. 5.1.2-2 Einsatz verschiedener Halbleiterwerkstoffe als Hallgeneratoren (nach [5.5])

Bild 5.1.2-2 Aufbau von Halbleiter-Hallgeneratoren mit umdotierten aktiven Schichten (nach
[5.2, 5.8]):
a) Wegen der starken Abhängigkeit des Hallkoeffizienten von der Ladungsträ-
gerdichte wird die Dotierung der Sensorschicht (schwach implantierter Bereich)
häufig über Ionenimplantation (Band 2, Abschnitt 8.2-5) eingestellt, auch Epita-
xieverfahren können angewendet werden. Die ohmsche Kontaktierung über eine
Metallschicht erfolgt in Bereichen, bei denen die Dotierung vergrößert worden ist
(stark implantierte Bereiche, s. Band 2, Abschnitt 9.2)
b) Fertigung eines GaAs-Hallsensors in Planartechnologie

Hallgeneratoren aus den mono- oder polykristallinen Werkstoffen Indiumarsenid und -

 Seite 120

238 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.1.2 Hallgeneratoren 239

antimonid – oder Legierungen davon – werden durch Zersägen und Dünnschleifen und - zium als Werkstoff grundsätzlich überlegen, die Bilder 5.1.2-4 und 5 zeigen den Aufbau
ätzen (auf 10 bis 100 µm) der entsprechenden Kristalle mit anschließender Kontak- und die Leistungsdaten solcher Sensoren.
tierung durch Metalle hergestellt. Polykristalline Halbleiterschichten lassen sich durch
Aufdampfen (Schichtdicke 2 bis 3 µm) auf ein isolierendes Substrat oder andere Dünn-
schichtverfahren (s. Band 2, Abschnitt 8.2) herstellen.
Hallgeneratoren auf der Basis der technologisch besser beherrschten Werkstoffe Silizi-
um und Galliumarsenid bestehen meist aus dünnen Schichten, deren Dotierung über
Epitaxie- und Ionenimplantationsverfahren (s. Band 2, Abschnitt 8) innerhalb enger To-
leranzen eingestellt worden ist. Die Isolation zwischen der Sensorschicht (z.B. p-lei-
tend) und dem Substrat (z.B. n-leitend) erfolgt bei Silizium in der Regel durch die Raum-
ladungszone des pn-Übergangs, bei Galliumarsenid kann auch ein semiisolierendes
Substrat verwendet werden. Bild 5.1.2-2 zeigt den Aufbau und die Herstellung solcher
Halbleiter-Hallgeneratoren.
Bei Silizium- und Galliumarsenidsensoren bietet es sich an, den Fertigungsprozeß mit
der gleichzeitigen Herstellung von aktiven Bauelementen auf demselben Chip zu ver-
binden, so daß ein integrierter Sensor entsteht, bei dem das Meßsignal auf dem Chip ver- Bild 5.1.2-4 Galliumarsenid-Hallgeneratoren (nach [5.6,5.8])
stärkt und weiterverarbeitet (z.B. linearisiert) wird. In Bild 5.1.2-3 ist die vereinfachte a) Abhängigkeit der Sensorempfindlichkeit (Volt pro Ampere und Tesla) von der
Schaltung eines integrierten Silizium-Hall-Magnetfeldsensors wiedergegeben, in Bild Implantationsdosis
5.1.2-4 die Daten eines kommerziell erhältlichen Typs in Galliumarsenid-Technologie. b) Gehäuseform und Leistungsdaten eines diskreten (d.h. nicht integrierten) Hall-
sensors aus dem Halbleiterwerkstoff Galliumarsenid

Bild 5.1.2-3 Schaltung eines integrierten Silizium-Hallsensors (nach [3.39]): Hallgenerator

und Differenzverstärkerstufen sind auf demselben Chip integriert.

Wegen der höheren Ladungsträgerbeweglichkeit ist Galliumarsenid gegenüber Sili-

 Seite 121

240 5.1 Halleffekt-Sensoren 5.2.1 Feldplatten 241

um-Hallgeneratoren. Die Ursache dafür liegt in dem außerordentlichen oder Pseudo-

Halleffekt (Bild 4.2.2-4c und d) aufgrund des piezoresistiven Effekts, der bei Silizi-
um-Drucksensoren gezielt zur Messung mechanischer Spannungen eingesetzt wer-
den kann (Bild 4.2.6-4): Dieser Effekt erzeugt wie der Halleffekt ein transversales elek-
trisches Feld, d.h. beide Effekte können bei der Messung nicht voneinander getrennt
werden. Bei integrierten Hallsensoren treten fast immer parasitäre mechanische Span-
nungen auf, welche durch die Fertigungsprozesse auf dem Halbleiterchip, sowie durch
die Kontaktierung und Montage des Chips im Gehäuse eingeführt werden. Hierdurch
wird der Nullpunkt der Messung (Meßsignal ohne äußeres Magnetfeld) in schwer zu be-
herrschender Weise verschoben. Langzeiteffekte, wie der Aufbau oder Abbau mechani-
scher Spannungen durch Nachgeben von Klebe- oder Legierungsverbindungen (Wafer-
bondverbindungen), Bimetalleffekte usw. führen zu Verschiebungen in der Sensor-
kennlinie, welche die Einsatzmöglichkeiten dieser Sensoren erheblich einschränken
können. Wegen des kleineren piezoresistiven Effekts in Galliumarsenid ist dieser Stör-
effekt bei GaAs-Hallsensoren weitaus geringer.

5.2 Magnetoresistive Sensoren

5.2.1 Feldplatten
Bild 5.1.2-5 Integration zusätzlicher elektrischer Funktionen auf demselben Chip mit dem in
Bild 5.1.2-4 charakterisierten diskreten Hallsensor in verschiedenen Integrationsstu- Magnetoresistive Sensoren haben den Vorteil, daß sie eine besonders einfache Zwei-
fen (nach [5.7]) punktmessung ermöglichen, im Gegensatz zu den vier notwendigen Anschlüssen bei
a) diskreter Sensor Hallgeneratoren. Wie bei den piezoresistiven Sensoren gibt es – wenn auch aus völlig
b) a) mit integrierter MESFET(s. Band 2, Abschnitt 10.3.2)-Konstantstromquelle unterschiedlichen Gründen – einen werkstoff- (magnetische Widerstandsänderung)
c) wie b), zusätzlich mit integrierter Nullspannungskompensation und einen geometriebedingten (geometrischer Magnetowiderstandseffekt, s. An-
d) wie b), zusätzlich mit integriertem Differenzverstärker hang C3) Effekt.
Die Änderung des elektrischen Widerstandes eines Werkstoffes mit der Größe eines an-
Die Magnetfeldmessung über Hallsensoren hat eine Reihe von Vorteilen wie gelegten äußeren Magnetfelds ist eines der wichtigen grundlegenden Probleme der Fest-
– hohe Empfindlichkeit körperphysik [5.1]. In stark vereinfachter Form ergibt sich für Elektronenleiter (Beweg-
– eine Messung von Magnetfeldstärke und -richtung ist möglich lichkeit µn) als magnetische Widerstandsänderung [5.2 und 9]:
– relativ einfache Herstellung integrierter Sensoren,
denen aber gravierende Nachteile gegenüberstehen:
– Nullpunktstabilität ist kritisch
– relativ große Temperaturabhängigkeit, insbesondere bei Silizium-Hallgeneratoren
– bei Silizium-Hallgeneratoren gibt es eine relativ starke Querempfindlichkeit ge-
genüber mechanischen Spannungen
Der letzte Gesichtspunkt erweist sich als besonders gravierender Nachteil für Silizi-
 Seite 122

242 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.1 Feldplatten 243

Dabei ist B⊥ die Komponente des Magnetfeldes senkrecht zum Stromdichtevektor. l/b = 0 erreichen (Kurve D).

Die geometrische Magnetowiderstandsänderung wird durch die Formel (C3-6) Kurze Widerstände mit einem kleinen l/b-Verhältnisse haben relativ niedrige Wider-
beschrieben: standswerte, so daß eine Vergrößerung durch Hintereinanderschaltung vieler gleicharti-
ger Widerstände erforderlich wird. Technologisch läßt sich das bei Dünnschichtwider-
ständen durch Herstellung paralleler metallischer Kurzschlußstreifen (metallischeKon-
taktstreifen, die nach Möglichkeit durch die gesamte Halbleiterschicht legieren sollten)
Beide Formeln (1) und (2) zeigen, daß im Gegensatz zu den Hallgeneratoren nur die über einen Lithographieprozeß (Bild 5.2.1-2a) oder durch gerichtete Ausscheidung einer
Stärke des Magnetfeldes, nicht aber deren Richtung bestimmt werden kann. Weiter- gut leitfähigen zweiten Phase erreichen (Bild 5.2.1-2b).
hin folgt, daß die magnetische Widerstandsänderung mit steigender Beweglichkeit zu-
nimmt. Aus diesem Grunde werden für magnetoresistive Halbleitersensoren (Feld-
platten) grundsätzlich Werkstoffe mit einer besonders großen Ladungsträgerbeweg-
lichkeit eingesetzt, d.h. nach Tab. 5.1.2-1 vorzugsweise der Verbindungshalbleiter Indi-
umantimonid. Auch bei diesem Werkstoff ist der werkstoffbedingte magnetoresistive
Effekt relativ gering (z.B. 55% bei 1 T), er kann jedoch über den geometriebedingten
Magnetowiderstandseffekt (Anhang C3) erheblich verstärkt werden (Bild 5.2.1-1).

Bild 5.2.1-2 Herstellung hochohmiger magnetfeldabhängiger Widerstände durch Hintereinan-

derschaltung vieler gleichartiger Widerstände mit einem großen Verhältnis von Brei-
te b zu Länge l. Die Widerstandslänge l wird durch Kurzschlußstreifen zur Her-
stellung von Äquipotentialflächen senkrecht zur Stromrichtung (s. Anhang C3) defi-
niert (Feldplatten, nach [5.2]):
a) Halbleiterdünnschichten: Die Kurzschlußstreifen werden durch parallele me-
tallische Leiterbahnen erzeugt, welche nach einem Legierungsprozeß in die
Dünnschicht eindringen
b) Gerichtete Ausscheidungen einer gut leitfähigen NiSb-Phase in halbleitender
InSb-Matrix nach Unterschreiten der eutektischen Temperatur einer ternären In-
NiSb-Legierung (Ausscheidungskinetik s. Band 1, Abschnitt 2.8). Die parallelen
Bild 5.2.1-1 Abhängigkeit der magnetischen Widerstandsänderung von den geometrischen Ab- nadelförmigen Ausscheidungen übernehmen die Funktion der Kurzschlußstrei-
messungen des Widerstands (geometrischer Magnetowiderstandseffekt, s. Anhang fen
C3, nach [5.9]):
Bei großen Verhältnissen l/b von Länge l zu Breite b (langgestreckte Widerstän-
de) werden die Strombahnen nur unwesentlich verlängert, d.h. der Widerstandsan- Ein kompakter Aufbau von Feldplatten wird durch mäanderförmige Widerstandbah-
stieg ist relativ gering (Kurve A), bei kurzen Widerständen (l/b klein) hingegen nen erreicht (Bild 5.2.1-3). Tab. 5.2.1-1 zeigt typische Werkstoffeigenschaften von
stark (Kurve C). Die Ursache dafür liegt darin, daß an den Randgebieten zu den Me- Halbleitern, die für die Herstellung von Feldplatten eingesetzt werden, Bild 5.2.1-4 die
tallkontakten die Bahnverlängerung besonders ausgeprägt ist (die Feldstärke muß Sensorkennlinien und deren Temperaturabhängigkeit von zwei Feldplatten mit unter-
nahezu senkrecht auf den Kontaktflächen stehen, da diese näherungsweise Äquipo-
schiedlicher Dotierung.
tentialflächen bilden) und in der Mitte des Widerstandes das Hallfeld einer Bahnver-
schiebung entgegenwirkt.
Der maximal mögliche Effekt läßt sich mit der Corbinoscheibe (Anhang C3) mit
 Seite 123

244 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.1 Feldplatten 245

Bild 5.2.1-4 Sensorkennlinie (a) und Temperaturabhängigkeit (b) des Widerstandes für zwei
verschieden dotierte InSb/NiSb-Feldplatten: Die höher dotierten Halbleiter haben
zwar eine geringere Empfindlichkeit, aber auch einen niedrigeren Temperaturkoeffi-
zienten (nach [5.5, 5.7])

Ein grundsätzliches Problem bei Feldplatten, welches nur durch sorgfältige Material-
auswahl minimiert werden kann, entsteht durch die Temperaturabhängigkeit des Wider-
standes (Bild 5.2.1-5).

Bild 5.2.1-3 Feldplatten-Magnetsensoren (nach [5.5])

a) Aufbau einer Feldplatte auf einem Substrat (TAB-Bauform)
b) verschiedene Mäanderformen
Tab. 5.2.1-1 Typische physikalische Eigenschaften von Werkstoffen, die für Feldplatten einge-
setzt werden (nach [5.9])

Bild 5.2.1-5 Temperaturabhängigkeit des normierten Widerstands R(T)/R(20oC) für verschie-

dene Halbleiterwerkstoffe (nach [5.9])
 Seite 124

246 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 247

Wegen des Minimums der Sensorkurve in Bild 5.2.1-4a ist die Empfindlichkeit bei nie-
drigen magnetischen Induktionsflußdichten gering, eine Vergrößerung kann durch Ver-
schiebung des Arbeitspunktes über eine Vormagnetisierung erfolgen (Bild 5.2.1-6).
Wie in Bild 5.2.1-6b zu erkennen, kann bei vormagnetisierten Feldplatten auch die Rich-
tung der magnetischen Induktionsflußdichte erfaßt werden. In diesem Fall können zwei
verschiedene Feldplatten, die auf ein äußeres Magnetfeld mit unterschiedlichem Vor-
zeichen der Widerstandsänderung reagieren, in einer Brückenschaltung zusammenge-
faßt werden (Differentialfeldplatte). Damit kann die Wirkung der bei beiden Feld-
platten in derselben Richtung verlaufenden Temperaturabhängigkeit reduziert werden
(Bild 5.2.1-7).

5.2.2 Permalloy-Sensoren
Wie im Anhang C2 erläutert, besteht die Wirkung des Hallfeldes darin, daß die ur-
Bild 5.2.1-6 Zur Vergrößerung der Empfindlichkeit (∆R/∆Β) gegenüber kleinen Änderungen sprünglich aufgrund der Lorentzkraft abgelenkten Ladungsträger wieder in die durch
der magnetischen Induktionsflußdichte wird der Arbeitspunkt aus dem Bereich mit die Geometrie des Widerstandes vorgeschriebenen Bahnen zurückgedrängt werden
der Steigung Null bei B = 0 (a) in einen Bereich mit größerer Steigung verschoben (veranschaulicht in Bild 5.1.1-2). Hierdurch werden in der Regel die ursprünglich (und
(b): Dieses läßt sich erreichen durch eine Vormagnetisierung mit Hilfe eines kleinen Per-
weiterhin in den Randbereichen an den Kontakten, s. Anhang C3) geometrisch verlän-
manentmagneten (c), der fest mit der Feldplatte verbunden ist (nach [5.5]).
gerten Strombahnen wieder verkürzt: Die Wirkung des Hallfeldes besteht also darin,
daß der magnetoresistive Effekt verkleinert wird.
Bei Werkstoffen mit kleinen Hallkoeffizienten und -winkeln, wie [Link] Metallen, lie-
fert auch die Elimination des (verallgemeinerten) Hallfeldes keine wesentliche Vergrö-
ßerung des geometrisch bedingten magnetfeldabhängigen Widerstands, da in den Glei-
chungen (5.1.2-1) nur sehr kleine transversale Feldstärken EH auftreten. Erst bei Wir-
kung extrem großer magnetischer Feldstärken, z.B. in der Größenordnung 1T=1 Tesla =
10 000 Gauß, lassen sich nach einem anderen Mechanismus – über den magnetischen
Widerstandseffekt – gut meßbare Widerstandsänderungen im Prozentbereich erreichen.
Induktionsflußdichten dieser Größenordnung können durch voluminöse elektrisch er-
regte oder supraleitende Magnete erzeugt werden, bei ferromagnetischen Werkstoffen
treten sie aber in Form einer Sättigungspolarisation (s.u.) "von selbst" auf (Band 1, Ab-
schnitt 7): Bei einigen Elementen des Periodensystems ist das Energiespektrum der
Elektronen so beschaffen, daß Elektronen in bestimmten Unterschalen zur Minimierung
ihrer freien Energie eine parallele Spinausrichtung annehmen (Band 1, Abschnitt 7.1.4).
In diesem Fall können sich die magnetischen Momente der Elektronen zu einem Ge-
Bild 5.2.1-7 a) Brückenschaltung einer Differentialfeldplatte samtmoment erheblicher Größe aufaddieren. Bezogen auf das Werkstoffvolumen wird
b) Magnetfeldabhängigkeit der Sensorempfindlichkeit für die beiden Dotierun- das magnetische Moment als Sättigungsmagnetisierung s (Einheit wie die der
gen in Bild 5.2.1-4 und zwei Temperaturen in Abhängigkeit von der magnetischen
Induktionsflußdichte. Um bei der Messung kleiner Feldstärken eine maximale magnetischen Feldstärke, A/m) bezeichnet. Dieser entspricht eine Sättigungspolari-
Empfindlichkeit zu erhalten, ist eine Vormagnetisierung von ca. 0,2 T durch einen sation s der Größe
Permanentmagneten notwendig (nach [5.10]).
 Seite 125

248 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 249

flußdichte. Bemerkenswert dabei ist die Größenordnung der spontanen

mit derselben Einheit wie die Induktionsflußdichte (T). Setzt man einen weich-
magnetischen Werkstoff (Band 1, Abschnitt 7.2) einem äußeren Magnetfeld aus,
dann wird der Polarisationsvektor auch bei sehr kleinen Werten von in die Rich-
tung von gedreht und erzeugt eine Induktionsflußdichte der Größe

mit der dimensionslosen relativen Permeabilität µr. Bei guten weichmagnetischen

Werkstoffen hat µr Werte im Bereich mehrerer Tausend, so daß der Beitrag aufgrund
des äußeren Feldes im allgemeinen vernachlässigt werden kann. In der Hysteresekurve
von Einbereichsteilchen (keine Kompensation der Gesamtpolarisation durch magne-
tisch unterschiedlich orientierte Weißsche Bereiche, s. Band 1, Bild 7.1.5-4) hat die In-
duktionsflußdichte daher praktisch den konstanten Wert der Sättigungspolarisation
(Bild 5.2.2-1).

Bild 5.2.2-1 Hysteresekurven weichmagnetischer Eisen-Nickel-Legierungen (Einbereichsteil-

chen, d.h. bei der Feldstärke H = 0 tritt keine Kompensation der Induktionsfluß- Bild 5.2.2-2 Anisotroper Magnetowiderstandseffekt (nach [5.12])
dichte durch Weißsche Bezirke unterschiedlicher Magnetisierungsrichtung auf, nach a) Meßanordnung zur Bestimmung des longitudinalen und transversalen spezifi-
[5.11]). Zum Vergleich: Das Erdmagnetfeld beträgt ca. 16 A/m. schen Widerstandes
b) Abhängigkeit des longitudinalen und transversalen Magnetowiderstands bei
Raumtemperatur von der Größe eines angelegten äußeren Magnetfeldes bis
Handelt es sich bei den weichmagnetischen Werkstoffen um elektrische Leiter, wie es hin zu extrem hohen Feldstärken
bei den metallischen Weichmagneten immer der Fall ist, dann treten die Elektronen c) Abhängigkeit der relativen Widerstandsänderung:
bei einem Stromfluß (aufgrund einer Feld- oder Diffusionskraft) in Wechselwirkung
mit der durch Ferromagnetismus spontan erzeugten Induktionsflußdichte, welche sich
in vergleichbarer Weise auswirkt wie eine durch ein äußeres Feld erzeugte Induktions-
 Seite 126

250 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 251

von der Legierungszusammensetzung bei Nickel-Eisen- und Nickel-Kobalt-Legierungen.

Polarisation: Wie aus Bild 5.2.2-1 zu entnehmen, liegt die Sättigungspolarisation bei Ni-
Fe-Legierungen (Daten anderer Werkstoffe in Band 1, Abschnitt 7.2.1 und 7.2.2) in der
Größenordnung von 1 T, d.h. sie entspricht der obengenannten Induktionsflußdichte be-
achtlich großer induktiv betriebener Magnete! Das Bemerkenswerte ist, daß diese gro-
ßen Induktionsflußdichten bei guten Weichmagneten durch außerordentlich kleine Fel-
der – wie das Erdmagnetfeld – gesteuert werden können, d.h. kleine magnetische Steuer-
felder können eine meßbare magnetische Widerstandsänderung hervorrufen, die aller-
dings auch unter diesen Voraussetzungen selten über einige Prozent hinausgeht. Der be-
schriebene Effekt wird für die Herstellung von Magnetsensoren aus ferromagneti-
schen Leitern, wie z.B. Nickel-Eisen-Legierungen (Permalloy-Legierungen, s.
Band 1, Abschnitt 7.2.2) ausgenutzt.
Die magnetische Widerstandsänderung hängt stark von der relativen Orientierung zwi-
schen dem Stromdichtevektor und der Magnetisierungsrichtung s (oder Richtung
der magnetischen Polarisation Js, bzw. der damit verbundenen magnetischen Induk-
tionsflußdichte B) ab (anisotroper Magnetowiderstandseffekt): In der Regel ist der
Widerstand parallel zur Richtung der Magnetisierung größer als der senkrecht dazu
(Bild 5.2.2-2).
Zur Berechnung des Effekts gehen wir aus von Bild 5.2.2-3. Eine typische Konsequenz
Bild 5.2.2-3 a) Größen zur Messung des longitudinalen und transversalen anisotropen Wider-
der anisotropen Leitfähigkeit ist – wie beim piezoresistiven Effekt –, daß bei unend- standseffekts: Wegen des unterschiedlich großen spezifischen Widerstandes in Rich-
lich ausgedehnten Widerständen die Richtung der elektrischen Feldstärke nicht mit der tung der Magnetisierung und senkrecht dazu wird die Richtung der Feldstärke aus
Stromrichtung zusammenfällt. Bei geometrisch begrenzten Widerständen führt dieser der Richtung der Stromdichte parallel zur Widerstandsachse x herausgedreht (An-
Effekt zur Entstehung eines Transversalfeldes (Pseudo-Halleffekt, s. Anhang C2). hang C2): Es entsteht eine transversale Komponente Ey von senkrecht zu
(Pseudo-Halleffekt). Da die relative Widerstandsänderung ∆ρsp/ρsp klein ist (ma-
Der Transversaleffekt ist wegen der kleinen Hallwinkel relativ schwach, d.h. die Feld- ximal einige Prozent), hat der Betrag des Transversalfeldes Ey jedoch viel kleinere
komponente in Richtung des Stroms wird hierdurch nur in vernachlässigbarem Maße Werte als der des Longitudinalfeldes Ex in Stromrichtung, so daß er bei der Be-
rechnung des longitudinalen (natürlich nicht des transversalen) Widerstandseffekts
beeinflußt. Deshalb kann mit den Bezeichnungen in Bild 5.2.2-3 geschrieben werden
vernachlässigt werden kann.
Für die folgende Berechnung ist eine Zerlegung des elektrischen Feldes in eine
Komponente E|| entlang der Magnetisierungsrichtung und eine Komponente E⊥
senkrecht dazu vorteilhaft. Die Richtung der Magnetisierung ist durch ein äußeres
Der Zusammenhang zwischen Feldstärke und Stromdichte ist in den Richtungen paral- Magnetfeld, gekennzeichnet durch die Nord- und Südpole eines Magneten, festgelegt.
lel und senkrecht zur Magnetisierung durch die entsprechenden spezifischen Widerstän- b) Der betrachtete Winkelbereich von θ kann auf Werte zwischen -90o und +90o ein-
de gemäß Bild 5.2.2-2 festgelegt: geschränkt werden, da ρsp || unabhängig vom Vorzeichen der Magnetisie-
⊥ und ρsp
rungsrichtung sind.

In der Näherung θ ≈ θ ' lassen sich auch die Komponenten des Stromdichtevektors
darstellen durch
 Seite 127

252 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 253

transversal gemessene verallgemeinerte Hallspannung Uy ergibt analog zu (8):

Im Gegensatz zur longitudinal gemessenen Spannung Ux ist Uy abhängig vom Vor-

zeichen von θ und geht wie in allen Fällen des verallgemeinerten Halleffekts bei Ab-
wesenheit der Anisotropie (θ = 0) gegen Null.
Die beschriebenen Effekte lassen eine Messung der Richtung (charakterisiert durch
den Winkel zwischen äußerem Magnetfeld und der longitudinalen Richtung des Per-
malloy-Widerstandes) zu, aber keine Messung der Größe und auch nicht des Vorzei-
chens des Magnetfeldes. Für einige Anwendungen ist diese Eigenschaft bereits hinrei-
chend, wobei als Vorteil die große Empfindlichkeit des Verfahrens gewertet werden
Dabei kann in (7a) die relative Widerstandsänderung ∆ρsp/ρsp nach (Bild 5.2.2-2c) kann: Bereits minimale Felder in der Größenordnung des Erdmagnetfeldes erzeugen ei-
eingesetzt werden. Gehen wir über auf die entlang des Widerstandes (Länge l) abfal- ne vollständige Ausrichtung der spontanen Magnetisierung. In diesem Bereich der
lende Spannung Ux, dann gilt mit dem Strom I durch den Widerstand in Bild 5.2.2- magnetischen Feldstärke können magnetoresistive Sensoren weit empfindlicher ge-
2a [5.13]: macht werden als Hallsensoren. Bei größeren Feldstärken hingegen liegt die Hallspan-
nung meist erheblich über den Werten aus (11).
Um auch die Größe eines Magnetfeldes (genauer: der Komponente Hy senkrecht
zur Widerstandsachse) messen zu können, muß die Winkelauslenkung θ abhängig
gemacht werden von Hy, d.h. es muß eine rücktreibende Kraft für die Ausrichtung
Bei festliegendem Betrag der Stromdichte kann also der Winkel θ zwischen der der Magnetisierung geschaffen werden, welche gegen das zu messende Feld Hy
longitudinalen Achse des Widerstandes (gleichzeitig Stromrichtung) und der Richtung arbeitet. Ein geeignetes Verfahren dazu ist die Erzeugung einer magnetischen For-
der Magnetisierung, welche durch ein (schwaches) äußeres Magnetfeld ausgerichtet manisotropie (Band 1, Abschnitt 7.3.1) im Permalloy-Widerstand, aufgrund welcher
werden kann, über die Größe von Ux bestimmt werden. Das Vorzeichen von θ kann die Magnetisierung auch bei Abwesenheit äußerer Felder eine Vorzugsrichtung (Rich-
allerdings wegen der quadratischen cos-Funktion nicht bestimmt werden. tung leichter Magnetisierung) annimmt. Dabei soll die große Empfindlichkeit des
Das Transversalfeld Ey ergibt sich durch die Projektion des -Feldes auf die y-Ach- Magnetsensors nach Möglichkeit erhalten bleiben. Das Vorhandensein und Größe einer
se, diese entspricht der Differenz der Projektionen der parallelen und der senkrechten Formanisotropie kann bei Schichtwiderständen technologisch auf einfache Weise ge-
Komponente von (Bild 5.2.2-3a): steuert werden: Wenn die Permalloywiderstände eine langgestreckte geometrische
Form haben, dann liegt die energetisch günstigste Ausrichtung der durch Ferromagne-
tismus erzeugten Magnetisierung im allgemeinen in einer Richtung entlang der Wider-
Näherungsweise können bei kleinen Winkeldifferenzen ∆θ die Beziehungen (4) und standsachse. Dieses ist das Ergebnis einer Energiebetrachtung, bei der die gesamte
(6) eingesetzt werden, so daß folgt [5.13]: Wechselwirkungsenergie zwischen dem weichmagnetischen Werkstoff und einem äu-
ßeren Magnetfeld bestimmt wird (Entropiegesichtspunkte werden meistens vernachläs-
sigt): Die Wechselwirkungsenergie setzt sich aus drei Beiträgen zusammen:
– der potentiellen Energie der magnetischen Dipole im äußeren Magnetfeld
– der Anisotropieenergie (Wechselwirkung der magnetischen Dipole mit seiner
Umgebung im Kristall)

Das Transversalfeld ist also in der Größenordnung des θ-abhängigen Terms in (7) – der Entmagnetisierungsenergie aufgrund der Erzeugung freier magnetischer Pole
und beträgt damit einige Prozent des longitudinalen Feldes. Die Umrechnung auf die an den Rändern des Widerstandes
 Seite 128

254 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 255

Bild 5.2.2-4 Koordinatensystem für die Berechnung der Abhängigkeit Magnetisierungsrich-

tung von der Richtung des äußeren Magnetfeldes (nach [5.14])
Die tatsächlich angenommene Magnetisierungsrichtung entspricht dem Minimum der
Summe aller Beiträge zur Wechselwirkungsenergie. Für die in Bild 5.2.2-4 definierten Bild 5.2.2-5 Magnetische Eigenschaften eines Widerstandes aus einem leitfähigen weich-
magnetischen Werkstoff, dem durch eine langgestreckte Form (l >> b,d) eine For-
Winkel und Widerstandsgeometrie (Ellipsoid, eine rechteckige Widerstandsform führt manisotropie (magnetisch "leichte" Richtung entlang l) eingeprägt wurde (nach
zu einer Modifikation) gilt die Beziehung [5.14]: [5.13]).
a) Aufbau des Widerstandes
b) Hysteresekurve für äußere Magnetfelder entlang der magnetisch leichten
(Widerstands-)Achse: Die Magnetisierung hat nur zwei stabile Ausrichtungen:
Mx= ±Ms. Zur Umkehrung des Vorzeichens der Magnetisierung muß die
Koerzitivfeldstärke Hc (Band 1, Abschnitt 7.1.5) aufgebracht werden. Dabei
wird angenommen, daß beim äußeren Magnetfeld Null die volle Magnetisierung
in einer der beiden Richtungen erhalten bleibt, d.h. es sollen keine Weißschen Be-
zirke mit entgegengesetzt orientierter Magnetisierung vorhanden sein (Einbe-
reichsteilchen). In der Praxis werden häufig kleinere Koerzitivfeldstärken als Hk
gemessen, weiterhin können – begünstigt durch Inhomogenitäten in der Wider-
Dabei ist Hk eine systembedingte Konstante, deren Bedeutung sich leicht ableiten standsschicht – mehrere Weißsche Bezirke auftreten [5.14].
läßt: Für den Fall Hx = 0 entspricht Hk gerade derjenigen Feldstärke Hy in y-Rich- c) Hysteresekurve für äußere Magnetfelder entlang einer magnetisch harten Ach-
se senkrecht zur magnetisch leichten Achse (in y-Richtung): Bei Auslenkung
tung, die erforderlich ist, um die Magnetisierung vollständig in y-Richtung zu dre- der Magnetisierung in y-Richtung müssen die durch Formanisotropie erzeugten
hen; eine weitere Vergrößerung von Hy bewirkt keine zusätzliche Veränderung der rücktreibenden Kräfte überwunden werden, die Steigung der Hysteresekurve ent-
Magnetisierungsrichtung. In der Praxis wird meistens der einfache Fall Hx/cosθ >> spricht der magnetischen Suszeptibilität χ (Band 1, Abschnitt 7.1.3) für Magnet-
felder entlang der magnetisch harten Achse, die näherungsweise als konstant ange-
Hk betrachtet. Dann reduziert sich (12a) auf die einfache Form: nommen werden kann. Bei Permalloy-Werkstoffen kann χ in der Größenordnung
von einigen Tausend liegen. Bei einem äußeren Magnetfeld der Größe Hy = Hk ist
die Magnetisierung vollständig in y-Richtung gedreht, d.h. eine weitere Vergrö-
ßerung des äußeren Feldes kann sich nicht auswirken, so daß die Hysteresekurve in
einen Sättigungswert Ms einmündet. Die Funktion der Hysteresekurve kann un-
ter diesen Voraussetzungen beschrieben werden durch:

d.h. die Magnetisierung hat dieselbe Richtung wie das äußere Magnetfeld. Bei Anwe-
senheit einer Anisotropie haben die Hysteresekurven der Widerstände für Feldstärken
 Seite 129

256 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 257

parallel (Bild 5.2.2-5b) und senkrecht (Bild 5.2.2-5c) zur Achse leichter Magnetisierung
eine signifikant unterschiedliche Form.
Auch die Form der Hysteresekurven kann aus der Minimierung der Wechselwirkungs-
energie bestimmt werden, wobei aber zusätzliche Effekte wie die rechteckige Wider-
standform, das unerwünschte Auftreten mehrerer Weißscher Bezirke, magnetische
Streufelder u.a. berücksichtigt werden müssen [5.14].
Für die weitere Betrachtung wird die theoretisch und experimentell näherungsweise er-
füllte Beziehung (13a) verwendet. Unter der Voraussetzung (12b), daß die Magnetisie-
rung dieselbe Richtung hat wie das äußere Magnetfeld , gilt:

Für den Wert des longitudinalen ohmschen Widerstands erhalten wir mit (8) und (14):

Bild 5.2.2-6 a) Abhängigkeit des longitudinalen (entlang der Widerstandsachse in x-Rich-

tung) Widerstandes eines magnetoresistiven Permalloy-Magnetsensors von der
Größe des transversalen Magnetfeldes y (nach [5.14 und 15]). Bei y = 0 ist
der Sensorwiderstand maximal, bei y = k ist die Komponente des Magnet-
feldes senkrecht zur Widerstandsachse so groß, daß die Magnetisierung des Per-
malloy-Widerstandes senkrecht zur Probenachse gedreht worden ist: Dann
Der Widerstand hat einen Maximalwert Rmax für Hy=0 und nimmt bei Anlegen eines nimmt der Sensorwiderstand seinen minimalen Wert an.
Magnetfeldes in y-Richtung ab, bis er bei Hy=Hk einen Minimalwert Rmin erreicht: Die dazugehörige Sensorkennlinie wird durch Gleichung (17a) beschrieben.
b) Der Sensorwiderstand hängt nicht von der vorgegebenen Orientierung (bzw.
dem Vorzeichen) der durch Formanisotropie festgelegten Magnetisierungsrich-
tung ab: Bei beiden Orientierungsmöglichkeiten ergeben sich nach Bild 5.2.2-3b
äquivalente Werte von θ. Diese Aussage gilt nicht für die Pseudo-Hallspan-
nung nach (17b), vgl. Bild 5.2.2-8.

Eingesetzt in (15) ergibt sich damit

 Seite 130

258 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 259

nearität und die geringe Sensorempfindlichkeit dR/dHy bei kleinen Hy . Ein erhebli-
cher Vorteil liegt aber in der Tatsache, daß die Kennlinie nicht von der Richtung der Aus-
gangsmagnetisierung entlang der magnetisch leichten Achse abhängt (Bild 5.2.2-6b).
Die aufgeführten Nachteile lassen sich beheben, wenn bei Abwesenheit eines äußeren
Magnetfeldes die Magnetisierung nicht mit der Stromrichtung zusammenfällt. Diese
Randbedingung läßt sich z.B. dadurch erreichen, daß durch geometrische Maßnah-
men aus der Richtung der leichten Magnetisierung herausgedreht wird (Bild 5.2.2-7).

Zur Berechnung schreiben wir die Beziehung (8) mit den Definitionen in (15b) und
(16b) um in die Form:
Bild 5.2.2-7 Magnetoresistiver Sensor, bei dem die Stromrichtung aus der Richtung der leichten
Magnetisierung entlang der Widerstandsachse x herausgedreht worden ist. Der
Winkel zwischen Magnetisierungs- und Stromrichtung wird nach wie vor mit θ
bezeichnet, der Winkel zwischen Magnetisierungsrichtung und Widerstandsachse
beträgt jetzt aber ϕ = θ + 45o. In die Beziehung (13b) geht jetzt aber nach Bild 5.2.2-7 der Winkel ϕ ein:

Die Abhängigkeit des longitudinalen Widerstandes Rx von dem Verhältnis Hy/Hk ist
in Bild 5.2.2-6a dargestellt. Die Pseudo-Hallspannung Uy nach (11) läßt sich mit Hil-
fe von (13) und (14) ausdrücken durch Ist die Stromrichtung gegenüber der Widerstandsachse um 45° geneigt, dann gilt mit den
Definitionen in Bild 5.2.2-7:

Im Gegensatz zu (17a) beschreibt (17b) für den Grenzfall Hy << Hk eine lineare Be-
ziehung.
Diese Beziehungen gelten nach der Voraussetzung von (12b) nur für die Randbedin-
gung Hx /cosθ >>Hk .
Die Feldstärke Hk hängt bei Formanisotropie ab von den Abmessungen des Wider-
stands. Für langgestreckte Widerstände wie in Bild 5.2.2-5a gilt näherungsweise
[5.16]: Eingesetzt in (19) folgt mit dem Winkel ϕ als Variable:

Aus diesem einfachen Zusammenhang ergibt sich ein großer Vorteil der magnetoresisti-
ven Permalloy-Sensoren: Die Empfindlichkeit des Sensors kann einfach durch die geo-
metrischen Abmessungen der Widerstandsschicht festgelegt werden. Durch Variation
z.B. der Breite b kann mit derselben Fertigungstechnologie und nur veränderten geo-
metriebestimmenden Masken in der Lithographie (Band 2, Abschnitt 8.2.6) eine ganze Der maximale Widerstand wird jetzt angenommen bei ϕ = 45o, dieses beschreibt wieder
Sensor-Typenreihe hergestellt werden! einen Zustand mit der Magnetisierung parallel zur Stromrichtung. Der minimale Wider-
stand bei einer Magnetisierung senkrecht zur Stromrichtung ergibt sich entsprechend
Typisch für einen Sensor mit dem Aufbau wie in Bild 5.2.2-5a und einer Sensorkennlinie
für ϕ =- 45o.
nach (17a) ist die Spiegelsymmetrie, d.h. der Sensor kann nicht das Vorzeichen von
Hy erkennen, da Hy in (17) quadratisch eingeht. Nachteilig ist weiterhin die Nichtli- Drücken wir den Winkel ϕ nach (20) aus durch die Feldstärke Hy, dann folgt:
 Seite 131

260 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 261

Diese Sensorkennlinie hat erhebliche Vorteile gegenüber der Kennlinie (17a): Bei Hy =
0 und Hy= Hk hat sie denselben Widerstandswert Ro. Um die Magnetisierung in die
Richtung des Stroms zu drehen und damit den maximalen Widerstand zu erreichen, muß
also eine positive Feldstärke

angelegt werden, zur Minimierung des Widerstandes (die Magnetisierung steht senk-
recht auf der Stromrichtung) eine negative Feldstärke derselben Größe.
Bild 5.2.2-8a zeigt den Verlauf der symmetrischen Sensorkennlinie (23b), die im Grenz-
fall Hy << Hk einen linearen Verlauf hat. Wie (17b) zeigt, hat auch die Hallspannung
Uy dieselbe Charakteristik. Bild 5.2.2-8 a) Kennlinie eines magnetoresistiven Sensors nach Gleichung (12), bei dem die
Im Gegensatz zu dem symmetrischen Magnetsensor in Bild 5.2.2-6 ergibt sich aber ein Richtung der leichten Magnetisierung und die Stromrichtung gegeneinander um
wichtiger Unterschied (Bild 5.2.2-8b): Die Sensorkennlinie wird abhängig von der 45o verdreht sind (nach [5.14 und 15]). Im Gegensatz zu der Kennlinie in Bild
5.2.2-6 kann bei dieser Anordnung das Vorzeichen des Magnetfeldes gemessen
Richtung der spontanen Magnetisierung entlang der Widerstandsachse. Die Rich- werden, weiterhin ist die Kennlinie bei kleinen Werten Hy<<Hk linear.
tung der Magnetisierung muß also festgelegt sein. Das bedeutet, daß in Bild 5.2.2-5b die b) Abhängigkeit der Sensorkennlinie a) von der Richtung der spontanen Magneti-
Koerzitivfeldstärke Hc nicht überschritten werden darf. Da dieses in der Praxis nicht sierung : Im oberen Fall wird der maximale Widerstand angenommen bei positi-
immer gewährleistet werden kann, ist es erforderlich, an dem Sensor einen kleinen Per- ven Feldstärken Hy der Größe (25), bei einer Magnetisierungsrichtung wie im
unteren Fall hingegen bei negativen, d.h. in der Kennlinie a) muß das Vorzeichen
manentmagneten fest anzubringen. Dieser kann dann auch gleichzeitig die Funktion der
umgekehrt werden.
rücktreibenden Kraft übernehmen, so daß Hk nicht über Formanisotropie aufgrund der
Widerstandsgeometrie nach (18), sondern durch die Stärke des Permanentmagneten
festgelegt wird. Dieser ist dann auch maßgebend für die Sensorempfindlichkeit. Die Verdrehung der Stromflußrichtung auf dem magnetoresistiven Sensor kann durch
einen barber-pole-Aufbau (benannt nach den charakteristischen Pfosten vor den Fri-
seurläden in einigen Ländern) erreicht werden (Bild 5.2.2-9).
 Seite 132

262 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 263

Bild 5.2.2-9 Verdrehung der Stromrichtung auf einem magnetoresistiven Widerstand aus der Bild 5.2.2-10 Bestimmung der Offsetspannungen von Meßbrücken mit Permalloy-Sensoren
Widerstandsachse heraus (barber-pole-Struktur, nach [5.14 und 15]): durch Vorzeichenumkehr der spontanen Magnetisierung (nach [5.27])
a) Auf der relativ hochohmigen Widerstandsschicht werden streifenförmige Me- a) Die Sensormeßbrücke wird in einer Zylinderspule angebracht. Über Strompul-
talleiterbahnen angebracht: Diese erzeugen schrägliegende Äquipotentialflä- se unterschiedlichen Vorzeichens kann innerhalb der Spule ein Magnetfeld unter-
chen, so daß die (senkrecht darauf stehenden) Feldlinien relativ zur Widerstand- schiedlichen Vorzeichens erzeugt werden, das die spontane Magnetisierung der
sachse geneigt sind. Der Stromfluß folgt dann den Feldlinien. Permalloy-Sensoren (ohne Permanentmagneten!) in kontrollierter Weise um-
b) Hintereinanderschaltung von magnetoresistiven Widerstandsstreifen zur Ver- kehrt.
größerung des Sensorwiderstandes b) Sensorkennlinien gemäß Bild 5.2.2-8a mit unterschiedlichen Richtungen der
c) Zusammenschaltung von vier magnetoresistiven Sensoren zu einer Brücken- spontanen Magnetisierung: Es ergibt sich nach Bild 5.2.2-8b eine Vorzeichen-
schaltung. Jeweils gegenüberliegende Widerstände haben eine gleichsinnige umkehr der Sensorkennlinie. Aus dem Schnittpunkt oder dem Mittelwert beider
Verdrehung der Stromrichtung um + 45o oder 45o. Kennlinien kann die Offsetzspannung bestimmt werden.
c) Zeitliche Abfolge der Steuergrößen (Strom und Magnetisierung) bei der perio-
Bei Brückenschaltungen wie in Bild 5.2.2-9c sind Offsetspannungen (Brückenspan- dischen Umkehr der Magnetisierung und Bestimmung der Offsetspannung aus
nungen ungleich Null auch bei äußerem Feld Hy = 0) herstellungsbedingt nicht zu ver- dem Ausgangssignal.
meiden, deshalb werden im Sensor meistens auch Korrekturwiderstände integriert, die
über eine Lasertrimmung (Veränderung der Widerstandsgeometrie durch Verdamp-
fung mittels eines Laserstrahls) individuell abgeglichen werden können. Zu einer noch Durch Offsetkorrektur kann die Meßgenauigkeit bei sehr kleinen Magnetfeldern (An-
feineren Offsetunterdrückung kann die Abhängigkeit der Sensorkennlinie von der Rich- wendung elektronischer Kompaß) außerordentlich gesteigert werden.
tung der spontanen Magnetisierung nach Bild 5.2.2-8a herangezogen werden (Bild Eine Temperaturabhängigkeit ergibt sich in der Größe des Ausgangssignals, nicht aber
5.2.2-10). im relativen Verlauf der Sensorkennlinie, so daß eine Temperaturkompensation über die
 Seite 133

264 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 265

Brückenspannung möglich ist. Typische Werte sind [5.27]: Temperaturkoeffizient der

Empfindlichkeit ca. -0,4%/oC, Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) ca. +
0,3%/oC, insgesamt wirkt sich die Differenz beider aus.
Anstelle von Permalloylegierungen können für magnetoresistive Sensoren auch
Schichten aus anderen weichmagnetischen Legierungen mit Bestandteilen aus Kobalt,
Gadolinium und anderen ferromagnetischen Elementen eingesetzt werden. Zunehmen-
de Bedeutung gewinnen weichmagnetische Metalle, die durch schnelle Abschreckver-
fahren in einem amorphem Zustand hergestellt worden sind (amorphe Metalle). Diese
Werkstoffe haben häufig sehr niedrige Anisotropiefeldstärken und damit hervorragende
weichmagnetische Eigenschaften, relativ zu den Permalloylegierungen ergibt sich aber
eine größere mechanische Festigkeit. In Tab. 5.2.2-1 sind wichtige Kenndaten zusam-
mengestellt.

Tab. 5.2.2-1 Kenndaten kristalliner und amorpher weichmagnetischer Werkstoffe (nach [5.17])

Im folgenden sind die Kenndaten eines resistiven Permalloy-Magnetfeldsensors wie-

dergegeben.
 Seite 134

266 5.2 Magnetosensitive Sensoren 5.2.2 Permalloy-Sensoren 267

Datenblatt KZM 10 B Datenblatt KZM 10 B

 Seite 135

268 5.2 Magnetosensitive Sensoren 269

Datenblatt KZM 10 B
 Seite 135

268 5.3.1 Induktionsspulen 269

5.3 Spulen
5.3.1 Induktionsspulen
Ändert sich in einer geschlossenen Drahtschlaufe die dort wirkende Induktionsflußdich-
te , dann wird in die Anschlüsse der Spule eine Spannung Uind induziert (Band 1,
Abschnitt 7.1.1) der Größe

Eine gleichsinnig gewickelte Spule besteht aus einer Hintereinanderschaltung von

Drahtschlaufen: In diesem Fall vergrößert sich die induzierte Spannung um den Faktor
der Windungszahl. Aus (1) geht hervor, daß nur zeitliche Änderungen des Magnetfeldes
zu einer induzierten Spannung führen, d.h. nach diesem Prinzip können bevorzugt
magnetische Wechselfelder erfaßt werden. Bei inhomogenen Gleichfeldern führt eine
Relativbewegung zwischen Spule und Magnetfeld zu einer induzierten Spannung.
Bei einer kreisförmigen Luftspule mit dem Durchmesser D und der Windungszahl
n, innerhalb der ein periodisch oszillierendes Magnetfeld senkrecht zur Spulenebene
wirkt, ist die induzierte Spannung:

mit der Frequenz f des Wechselfeldes. Als Spulenempfindlichkeit wird definiert

[5.28]:

Die Eigenschaften einer Spule werden maßgeblich von parasitären elektrischen Eigen-
schaften mitbestimmt: Bild 5.3.1-1 zeigt das dazugehörige Ersatzschaltbild.
 Seite 136

270 5.3 Spulen 5.3.1 Induktionsspulen 271

hochpermeablem Magnetkern. Zur Vermeidung der kostenaufwendigen Wickeltechnik

lassen sich diese Sensoren auch in einer Planartechnik herstellen (Bild 5.3.1-4).

Bild 5.3.1-1 Ersatzschaltbild einer Luftspule (nach [5.28])

Bild 5.3.1-3 Magnetfeldsensor mit einer Zylinderspule, in die ein weichmagnetischer Kern
Der Gleichstrom-Serienwiderstand RDC verursacht das thermische Rauschen (Band eingelagert ist (nach [5.29]). Ein schwaches äußeres Magnetfeld in Richtung der Spu-
2, Abschnitt 14.1) der Spule, welches die Empfindlichkeit begrenzt. Der Wechselstrom- lenachse ändert die Richtung der Induktionsflußdichte des Spulenkerns und induziert
widerstand RAC wird z.B. durch den Skineffekt und durch Wirbelströme hervorgeru- damit nach (1) eine Spannung an den Spulenanschlüssen. Bei Verwendung hochper-
meabler Spulenkerne können Magnetfelder in der Größenordnung des Erdmagnet-
fen. feldes detektiert werden. Zur Messung dreidimensional orientierter Feldstärken müs-
Die Wirkung von hochpermeablen Spulenkernen ist die Konzentration des magneti- sen drei getrennte Sensoren verwendet werden, die in den drei Raumrichtungen aus-
gerichtet sind.
schen Flusses in das Innere der Spule (Bild 5.3.1-2), so daß – bei gleichbleibender Emp-
findlichkeit – die Spulenabmessungen erheblich reduziert werden können.

Bild 5.3.1-4 Herstellung von Induktionsspulen mit hochpermeablem Spulenkern in einer

Planartechnik: Wie bei den Halbleiterbauelementen ergibt sich bei der Fertigung eine
Kostenersparnis dadurch, daß in einem Fertigungsprozeß eine große Anzahl von
Sensoren parallel hergestellt werden kann.
Ausgegangen wird von einem isolierenden Keramiksubstrat (a), das zunächst mit
einer Haftschicht (b) und dann einer gut leitenden Metallschicht (c, z.B. Kupfer) be-
Bild 5.3.1-2 Verlauf der magnetische Feldlinien, wenn eine Spule mit einem hochpermeablen deckt wird. Über einen Lithographieschritt wird diese Schicht so strukturiert, daß pa-
Spulenkern in ein homogenes Magnetfeld (rechts) eingebracht wird (nach [5.28]) rallele Leiterbahnen übrigbleiben (d), unterer Teil der Induktionsspule). Anschlie-
ßend werden die Leiterbahnen mit einer Isolierschicht bedeckt (f), auf der eine weich-
magnetische Schicht abgeschieden wird (g), welche den Spulenkern bildet. Nach
Bild 5.3.1-3 zeigt den Aufbau eines Magnetfeldsensors mit einer Zylinderspule und Herstellung einer weiteren Isolationsschicht (h) werden Kontaktlöcher zu den bereits
 Seite 137

272 5.3 Spulen 5.3.2 Sättigungskernverfahren 273

vorhandenen Leiterbahnen durchgeätzt. Im nächsten Schritt wird wieder eine Metall- des für die periodische Aussteuerung der Magnetisierung des Kerns bis in den
schicht für die obere Verdrahtungsebene abgeschieden (i) und in Leiterbahnen so
strukturiert, daß beide Verdrahtungsebenen zusammen eine Spule bilden (j und k),
d.h. die Kontaktflächen der oberen und unteren Leiterbahnen werden versetzt mitein-
ander verbunden.

Der Aufbau von Sensorspulen mit hochpermeablem Kern führt – im Vergleich zu Luft-
spulen – zu kürzeren Drahtlängen und damit zu einem geringeren Rauschen. Sekundär-
eigenschaften der Permeabilität, sowie der geometrischen Aufbau des Spulenkerns kön-
nen zu einer Nichtlinearität der Sensorkennlinie und einer zusätzlichen Frequenz- und
Temperaturabhängigkeit führen.
Bei Anwesenheit eines Spulenkerns der relativen Permeabilität µrc wird die magneti-
sche Induktionsflußdichte (2) um den Faktor µrc verstärkt, d.h. als Amplitude Uo der
induzierten Spannung ergibt sich analog zu (3) und (4):
Bild 5.3.2-1 Prinzipieller Aufbau eines Sensors nach dem Sättigungskernverfahren (nach [5.18])

Mit dem Durchmesser Dc des Spulenkerns und der Magnetfeldamplitude Hi im Kern.

Dabei muß berücksichtigt werden, daß der magnetisierte Kern ein Entmagnetisierungs-
feld erzeugt, welches dem äußeren Feld H entgegenwirkt, so daß nur eine "effektive"
Permeabilität µrc wirken kann. Nur bei langgestreckten Stäben mit einem großen Ver-
hältnis von Länge zu Durchmesser geht das Entmagnetisierungsfeld gegen Null, so daß
diese Stabform häufig bevorzugt wird. Analog zu (5) ergibt sich als Empfindlichkeit des
Spulensensors mit Magnetkern:

d.h. für D ≈ Dc ergibt sich relativ zur Luftspule eine Vergrößerung der Empfindlichkeit
um den Faktor µrc. Im Ersatzschaltbild 5.3.1-1 treten bei Anwesenheit von Spulen-
kernen zu den Serienwiderständen noch weitere hinzu aufgrund von Wirbelströmen und
Hystereseverlusten.
Induktionsspulen finden vielfältige Anwendungen, wenn es auf große Empfindlichkeit
und Zuverlässigkeit ankommt und keine große Ortsauflösung gefordert wird. Messun-
gen des Erdmagnetfeldes, sowie magnetischer Felder in der Astronomie werden häufig
in dieser Technik ausgeführt. In anderen Anwendungsbereichen erfolgt lediglich die
Anzeige bewegter magnetisierter Materie, z.B. bei Sicherungssystemen im Eisenbahn-
verkehr. Bild 5.3.2-2 Sättigungskernverfahren mit Auswertung der zweiten Harmonischen einer sinusför-
migen Aussteuerung des Kerns (nach [5.18]): Betrachtet werden die Signalformen ohne
äußeres Magnetfeld (durchgezogen) und bei Wirkung eines Magnetfeldes Hext(ge-
5.3.2 Sättigungskernverfahren strichelt).
a) Magnetfeld der Ansteuerungsspule
Bei den Sättigungskernverfahren (Saturationskernverfahren, Flux Gate Magneto- b) Hysteresekennlinie des hochpermeablen Spulenkerns
meter) sind zwei getrennte Wicklungen um einen hochpermeablen Spulenkern ange c) Induktionsflußdichte im Kern aufgrund der Ansteuerung
ordnet (Bild 5.3.2-1). Während eine der Wicklungen zur Erzeugung eines Magnetfel- d) induzierte elektrische Spannung in der Aufnahmespule
 Seite 138

274 5.3 Spulen 5.3.2 Sättigungskernverfahren 275

e) bis g) Oberwellenanalyse der induzierten elektrischen Spannung nach d): (Ausführung I: mit zusätzlicher Wicklung im Sensor, Ausführung II: ohne zusätz-
e) Grundwelle liche Wicklung): Im Vergleich zu a) und b) ergibt sich eine verbesserte Linearität.
f) 2. Harmonische
g) 3. Harmonische Die Fourieranalyse ergibt, daß bei einer sinusförmigen Ansteuerung des Magnetkerns
ohne äußeres Magnetfeld nur ungeradzahlige Oberwellen auftreten, bei Wirkung ei-
Sättigungsbereich dient, wirkt die zweite als Induktionsspule und mißt die resultie- nes äußeren Feldes Hext jedoch auch geradzahlige. Die Amplitude der zweiten Har-
rende Änderung der Induktionsflußdichte im Kern. Die Abhängigkeit ( ) wird monischen kann also als Maß für die Stärke des äußeren Magnetfeldes herangezogen
durch eine Hysteresekurve wie z.B. in Bild 5.2.2-1 beschrieben (schematisch in Bild werden. In Bild 5.3.2-3 sind verschiedene Prinzipschaltbilder für den Aufbau von Sätti-
5.3.2-2b), sie ist deutlich nichtlinear. Es wird sich zeigen, daß die Signalform der indu- gungskernsensoren dargestellt.
zierten Spannung sehr empfindlich von der Anwesenheit äußerer Magnetfelder ab-
hängt, so daß die ursprünglich eingegebene Zeitabhängigkeit des Magnetfeldes in Neben dem beschriebenen Verfahren mit Auswertung der 2. Harmonischen gibt es eine
charakteristischer Weise verzerrt wird. Die Art und Stärke der Verzerrung läßt sich Vielzahl weiterentwickelter Verfahren. Bild 5.3.2-4 zeigt einen Sättigungskernsensor
durch eine Oberwellenanalyse bestimmen. mit Auswertung von Impulshöhen, Bild 5.3.2-5 den entsprechenden Schaltungsaufbau.

Die verschiedenen Sättigungskernverfahren unterscheiden sich in der Signalform der

periodischen Ansteuerung des Kerns, sowie in der Signalauswertung. In Bild 5.3.2-2 ist
das Prinzip des Sättigungskernverfahrens mit Auswertung der zweiten Harmonischen
einer sinusförmigen Ansteuerung erläutert.

Bild 5.3.2-4 Pulshöhenauswertung von sinusförmig angesteuerten Sättigungskernsensoren

(nach [5.18]): Betrachtet werden die Signalformen ohne äußeres Magnetfeld (durch-
gezogen) und bei Wirkung eines Magnetfeldes Hext.
a) Hysteresekurve des Magnetkerns
b) Induzierte Spannung: Bei Aussteuerung des Magnetfeldes H bis weit in die
Sättigung hinein ändert sich in den Amplitudenspitzen die magnetische Indukti-
onsflußdichte B nur noch wenig mit der Zeit, so daß nach (1) die induzierte Span-
nung ui abnimmt. Die Differenz der Pulshöhen

ist dann ein Maß für die Größe des äußeren Feldes.

Bild 5.3.2-3 Schaltungsrealisierungen für Sättigungskernsensoren mit Auswertung der 2. Harmoni-

schen (nach [5.18]):
a) mit frequenzabgestimmtem Verstärker
b) mit phasenempfindlichem Gleichrichter Bild 5.3.2-5 Blockschaltbild eines Impulshöhen-Magnetometers (nach [5.19])
c) mit Rückkopplung zur Kompensation des äußeren Magnetfeldes in der Sensorspule
 Seite 139

276 5.4 Wiegand- und Impulsdrahtsensoren 5.4 Wiegand- und Impulsdrahtsensoren 277

Sättigungskernverfahren ermöglichen eine außerordentlich genaue Messung von

Magnetfeldern, sie gelten – bei vertretbarem Meßaufwand – als besonders zuverlässig
und wirtschaftlich. Vielfältige Einsatzmöglichkeiten ergeben sich für die Messung von
Erdmagnetfeldern (z.B. zur Ermittlung von Fundstätten für Rohstoffe), in der Welt-
raumtechnik und bei militärischen Anwendungen, weiterhin in der Werkstoffkontrolle
zur Identifikation von Inhomogenitäten (z.B. schweißnahtlose Rohre für Pipelines etc.).

5.4 Wiegand- und Impulsdrahtsensoren

Typisch für weichmagnetische Werkstoffe mit einer Hysteresekurve, welche z. B. die in
Bild 5.3.2-4a dargestellte Form hat, ist die Ausbildung mehrerer Domänen (Weiß-
scher Bereiche, s. Band 1, Abschnitt 7.1.5) mit unterschiedlich orientierter spontaner
Magnetisierung. Die Remanenz r (Induktionsflußdichte bei der Feldstärke = 0)
ergibt sich durch eine unvollständige gegenseitige Kompensation der magnetischen Po-
larisation dieser Bereiche. Im Gegensatz dazu haben Bauelemente, in denen sich auf-
grund einer Form- oder Kristallanisotropie (Band 1, Abschnitt 7.3.1) nur ein einzi-
ger Weißscher Bezirk ausbilden kann, fast rechteckig ausgebildete Hysteresekurven
wie in Bild 5.2.2-5b. In diesem Fall ist die Remanenz nur unwesentlich kleiner als die
Sättigungsmagnetisierung. Erst wenn ein äußeres Magnetfeld die Koerzitivfeldstärke
überschreitet, springt die Magnetisierung – und damit auch die Induktionsflußdichte –
spontan (d.h. unabhängig von der Änderungsgeschwindigkeit des äußeren Magnetfel-
des) um und nimmt einen entgegengerichtet gleichen Betrag an. Befindet sich der
magnetische Werkstoff innerhalb einer Induktionsspule, dann wird in diese nach (5.3.1-
1) eine erhebliche Spannung induziert, da die Sättigungsmagnetisierung s gewöhn-
lich einen großen Wert hat und damit eine Veränderung der Sättigungsinduktionsfluß-
Bild 5.4-1 Prinzip der Wiegand-und Impulsdrahtsensoren (nach [5.20])
dichte Bs eintritt, die von sich aus innerhalb einer sehr kurzen Zeit erfolgt.
a) Aufbau des Sensors aus einem Draht D innerhalb einer Induktionsspule Ss , in
Der geschilderte Effekt bildet die Grundlage für Wiegand- und Impulsdrahtsenso- welche bei einer Umkehr der Drahtmagnetisierung eine Spannung U induziert
ren, welche in digitaler Form die Änderung äußerer Magnetfelder anzeigen können. wird. An den Draht wird eine mechanische Zugspannung σ gelegt.
Ausgegangen wird von Drähten aus magnetischen Werkstoffen, die a priori eine Forma- b) Hysteresekurve: Dargestellt ist die magnetische Polarisation J = µo in Ab-
hängigkeit von der Feldstärke des äußeren Magnetfeldes. Zur Bildung eines
nisotropie aufgrund des langgestreckten Aufbaus besitzen, welche durch Anlegen me- Ummagnetisierungskeims (durch dessen Vergrößerung die Ummagnetisierung
chanischer Zugspannungen noch erheblich verstärkt werden kann (Magnetostriktion, erfolgt) ist eine Feldstärke s oberhalb der Koerzitivfeldstärke c erforderlich.
s. Abschnitt 5.5.2 und Band1,Abschnitt 7.2.2). Bild 5.4-1 zeigt den prinzipiellen Auf- c) Zeitlicher Verlauf der induzierten Spannung in einer Induktionsspule bei Um-
bau, die Hysteresekurve und den zeitlichen Verlauf der induzierten Spannung bei diesen klappen der Polarisation aufgrund eines äußeren Magnetfeldes bei verschiedenen
Sensoren. Zugspannungen σ.
d) Zunahme der Impulsspannung (Maximalspannung in c)) mit der mechanischen
Zugspannung σ.
 Seite 140

278 5.4 Wiegand- und Impulsdrahtsensoren 5.4 Wiegand- und Impulsdrahtsensoren 279

In Tab. 5.4-2 sind die Leistungsdaten von Wieganddrähten zusammengestellt.

Tab. 5.4-1 Eigenschaften der Legierung VACOFLUX 50 für die Herstellung von Impuls-
drähten (nach [5.20])

Tab. 5.4-2 Typische Eigenschaften eines Wieganddrahtes bei optimaler Ansteuerung (Typ
PN 30020, Echlin Sensor Co. , USA-Branford CT, nach [5.20]))

Bild 5.4-2 Wiegand-Effekt am Vicalloy-Draht (52Co-10V-Fe, nach [5.20 bis 22]): Der weich-
magnetische Drahtkern ist von einem magnetisch härteren Mantel umgeben, dem eine
festgelegte Magnetisierungsrichtung eingeprägt ist. Diese Eigenschaften werden durch
eine mechanische Behandlung des Drahtes (Tordieren und Drehen) eingestellt. Die
Magnetisierung des Kerns hat zwei stabile Ausrichtungen entlang und entgegengesetzt
der äußeren Magnetisierungsrichtung.
a) Ausgangszustand: Drahtkern und -mantel haben dieselbe Magnetisierungsrich-
tung
b) Durch ein äußeres Magnetfeld wird die Magnetisierung des Kerns umgepolt. Der
in die Spule induzierte Spannungsimpuls hat eine relativ geringe Amplitude (die
Feldstärken von Mantel und äußerem Feld wirken gegeneinander, s– c klein ).
c) Durch ein entgegengesetzt gepoltes äußeres Magnetfeld wird der Ausgangszu-
stand wieder hergestellt: Die Richtungen des äußeren und des Mantel-Magnetfel-
des stimmen überein, es ergibt sich ein großer induzierter Spannungspuls ( s– c
groß).

Typisch für das Verhalten der Sensoren ist, daß eine äußere Magnetfeldstärke s
oberhalb der Koerzitivfeldstärke c angelegt werden muß, um die Polarisationsände-
rung einzuleiten. Hohe Werte für die treibende Kraft s – c erhält man durch ein
feinkörniges Gefüge im Draht und hohe Zugspannungen. Tab. 5.4-1 gibt die typischen
Eigenschaften einer magnetischen Legierung wieder, aus der Impulsdrähte hergestellt
werden können.
Bild 5.4-2 zeigt den Aufbau und die Funktionsweise eines Wieganddrahtes.
Das spezielle Herstellungsverfahren des Wieganddrahtes führt zu einer komplexen Ab- Bild 5.4-3 Abhängigkeit der Eigenschaften von Wieganddrähten von der Größe der Rück-
hängigkeit des Impulsverlaufs und der Impulsamplitude von der Ansteuerung (Bild 5.4- setzfeldstärke r (nach [5.20]):
3). a) Hysteresekurven
b) Schaltamplitude in Abhängigkeit von der Schaltfeldstärke s.
 Seite 141

280 5.4 Wiegand- und Impulsdrahtsensoren 5.4 Wiegand- und Impulsdrahtsensoren 281

Die komplizierte Abhängigkeit des Schaltverhaltens von Wieganddrähten entsteht

durch magnetische Abschlußbezirke an den Drahtenden, deren Wirkung nur bei optima-
ler Rücksetzfeldstärke reduziert werden kann. Problematisch ist auch die relativ geringe
Koerzitivfeldstärke des Mantelbereichs von ca. 30 A/cm, die bei größeren Rücksetz-
feldstärken überschritten wird: In diesem Fall werden die Verhältnisse in Bild 5.4-2
umgedreht, so daß der Schaltimpuls stark abnimmt (Bild 5.4-3b).
Aufgrund der Unsicherheiten im Schaltverhalten von Wieganddrähten ist es wün-
schenswert, die Koerzitivfeldstärke des Mantelbereichs so weit zu vergrößern, daß sie
mindestens eine Größenordnung über der Schaltfeldstärke des Kerns liegt. Außerdem
ist ein einfacheres Herstellungsverfahren vorzuziehen; beides ist bei den Impuls-
drähten realisiert (Bild 5.4-4): Dabei wird von Schaltkernen aus VACOFLUX (s.
Tab. 5.4-1) ausgegangen, die mit einem Mantel aus 28Ni-18Co-Fe (VACON 10) umge-
ben sind. Bei einer starken Dehnung dieses Verbunddrahtes wird nur der Außenmantel,
nicht aber der Kernbereich plastisch verformt, d.h. bei Zugentspannung hat der Man-
tel eine größere Länge als der Kern, so daß der Kern einer bleibenden elastischen Zug-
spannung unterworfen ist. Da es kein Dauermagnetmaterial mit den für den Mantel ge-
wünschten mechanischen Eigenschaften gibt, muß zur Festlegung der Magnetisie-
Bild 5.4-5 Impulsspannung (a) und Hystereseschleife (b) des Impulsdrahtsensors MSE 590/
rungsrichtung ein zweiter permanentmagnetischer Draht neben dem Impulsdraht ange- 003 (nach [5.20]): Wie beim Wiegandsensor entsteht ein signifikanter Impuls nur
ordnet werden. beim Einschalten (Bild 5.4-2c) des Sensors (gestrichelte Kurve in b).

Im Gegensatz zum Wieganddraht ist der Impulsdraht symmetrisch ansteuerbar und be-
nötigt nur eine Feldstärke von 30 A/cm. Die Koerzitivkraft des Dauermagnetdrahts be-
trägt 450 A/cm und liegt damit weit außerhalb des kritischen Bereichs. Unterhalb von
100 Hz ist die Impulshöhe frequenzunabhängig. Naturgemäß nimmt die Impulsam-
plitude mit kleiner werdendem Lastwiderstand ab; ein typischer Innenwiderstand liegt
bei 300 Ω.

Bild 5.4-4 Aufbau eines Impulsdrahtes (nach [5.20]): Neben dem mechanisch verformten Bei anderen Ausführungsformen von Impulsdrahtsensoren für kleine Ansteuerfelder
Verbunddraht mit permanenter elastischer Vorspannung ist zur Festlegung der können permanentmagnetische Mantellegierungen verwendet werden, die Zugspan-
Magnetisierungsrichtung ein weiterer permanentmagnetischer Draht angeordnet. nung wird in diesem Fall durch unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten
der beiden Werkstoffe bewirkt
In Tab. 5.4-2 und Bild 5.4-5 sind die Eigenschaften eines Impulsdrahtes nach Bild 5.4-4
zusammengefaßt. Im Gegensatz zu den Hall- und Permalloysensoren erfordern Wiegand- und Impuls-
Tab. 5.4-2 Typische Eigenschaften eines Impulsdrahtes, nach [5.20]) drahtsensoren keine Stromversorgung. Das große Impulssignal läßt sich problemlos stö-
rungsfrei über große Strecken übertragen. Sie sind anwendbar auch für niedrigste
Schaltfrequenzen und einsetzbar bis zu Temperaturen um 200oC. Bild 5.4-6 zeigt ei-
ne für Impulsdrahtsensoren typische Anordnung von Schalt- und Rücksetzmagneten,
z.B. auf einem Rad, dessen Umdrehungszahl magnetisch bestimmt werden soll.
 Seite 142

282 5.4 Wiegand- und Impulsdrahtsensoren 5.5.1 Reed-Sensoren 283

über Glasfasern weitergeleitet wird. Auf diese Weise können auch Messungen an
schwer zugänglichen Stellen durchgeführt werden (nach [5.21]).

5.5 Andere Magnetsensortechniken

5.5.1 Reed-Sensoren
Die Impulsdrahtsensoren sind ein Beispiel für einen Sensortyp, der nicht ein kontinu-
ierliches Spektrum einer Meßgröße erfassen kann, sondern nur zwei diskrete Zustän-
de: Nur die Richtung des äußeren Feldes kann erfaßt werden, nicht aber deren Grö-
ße. In dieselbe Kategorie eines digital anzeigenden Sensors fallen – wenn auch phy-
sikalisch aus einem anderen Grund – auch die Reed-Dioden: Zwei metallische Kon-
takte können durch eine mechanische Auslenkung aufgrund eines Magnetfeldes ge-
schlossen werden, nach Wegnahme des Magnetfeldes trennen sie sich wieder durch
Wirkung mechanischer Federkräfte (Bild 5.5.1-1).

Bild 5.4-6 Anwendungen von Impulsdrahtsensoren mit einer abwechselnden Folge von Schalt-
(SM) und Rückstellmagneten (RM) (nach [5.23]):
Bei der Anordnung auf einem Rad ist die Impulsfrequenz des Impulsdrahtsensors
ein Maß für die Umdrehungszahl. Der Sensor selbst benötigt keine Spannungsver-
sorgung

Besonders vorteilhafte Einsatzmöglichkeiten des Impulsdrahtsensors ergeben sich da-

durch, daß keine Spannungsversorgung erforderlich ist, z.B. an unzugänglichen Stellen, Bild 5.5.1-1 Aufbau und Wirkungsweise eines Reed-Schalters (nach [5.24]):
in Bereichen hoher elektrischer Spannungen u.a. Die erzeugte Energie reicht zum Be- Zwei Blattfedern aus einem mittelharten magnetischen Werkstoff sind so ange-
trieb von Leuchtdioden aus, deren Signal über Glasfasern weitergeleitet werden kann ordnet, daß sie sich bei einer Verbiegung der Federn berühren und damit einen Kon-
(Bild 5.4-7) takt schließen können. Die Verbiegung tritt ein bei Anlegen eines äußeren Magnetfel-
des: In das magnetisierbare Material werden Nord- und Südpole induziert, die sich
gegenseitig magnetostatisch anziehen und deshalb die Blattfedern auslenken.
Wird das Magnetfeld durch eine Spule erzeugt, dann spricht man von Reed-Re-
lais, bei Ansteuerung durch einen Permanentmagneten von Reed-Kontakten,
Reed-Schaltern oder Reed-Sensoren.

Reed-Kontakte stellen sehr hochwertige Schalter mit vollständiger galvanischer Tren-

nung dar, die ohne mechanische Berührung von außen betätigt werden können und keine
wesentlichen Abnutzungs- und Alterungserscheinungen aufweisen. Sie sind z. B. für
1010 Schaltspiele (Schaltvorgänge) ausgelegt; bei starker Strombelastung reduziert
Bild 5.4-7 Optische Weiterleitung der Signale eines Impulsdrahtsensors: sich dieser Wert auf 107. Da die Relais in einem Schutzgas betrieben und von der
Über den Spannungspuls wird eine Lumineszenzdiode betrieben, deren Strahlung Außenwelt hermetisch abgeschlossen werden können, spielt die Oberflächenkorrosion,
 Seite 143

284 5.5 Andere Sensoren 5.5.2 Magnetoelastische Sensoren 285

welche den Kontaktwiderstand erheblich vergrößern kann (Band 1, Abschnitt 4.2.2),

nur eine untergeordnete Rolle. Darüber hinaus lassen sie sich sehr preiswert herstellen.
Bei den genannten Eigenschaften ergeben sich viele Anwendungsmöglichkeiten in der
Computertechnik,Telekommunikation, Automobiltechnik und Gebrauchselektronik.
In der Sensorik können Reed-Sensoren auf einfache und zuverlässige Weise die Anwe-
senheit von Magnetfeldern anzeigen. Typische Anwendungsbeispiele sind
– Füllstandssensoren mit Magnetschwimmer
– hochwertige Schalter, die durch mechanisches Verschieben eines kleinen Magne-
ten betätigt werden
– Automatische Brems-Systeme (ABS): Die Schaltmagnete sind mit einer trägen
Masse verbunden
– Beleuchtungsüberwachung durch Einfügen einer Spule in den Stromkreis der
Lichtquelle, welche ein Reed-Relais schaltet
– Positionssensoren, Tachogenerator u.a., s. Abschnitt 5.7
Die Werkstoffanforderungen an Reedsensoren unterscheiden sich von denen anderer
Magnetsensoren: Die Sensoren müssen mechanisch gut verarbeitet werden können,
d.h. hinreichend duktil (Band 1, Abschnitt 3.2.1) für einen Drahtziehprozeß sein und gu-
te Federeigenschaften haben. Für eine starke magnetostatische Anziehung der Feder-
kontakte ist eine hohe Sättigungspolarisation s erforderlich. Die Koerzitivkraft soll-
te nicht zu klein sein, um Fehlschaltungen durch parasitäre Magnetfelder zu vermei-
den. In Tab. 5.5.1-1 sind Eigenschaften geeigneter magnetischer Werkstoffe für Reed-
Relais zusammengestellt, in Bild 5.5.1-2 die Daten einer kommerziellen Reed-Diode.

Tab. 5.5.1-1 Eigenschaften von Werkstoffen für Reed-Kontakte (nach [5.25])

Bild 5.5.1-2 Daten eines kommerziellen Reedschalters (nach [5.24])

5.5.2 Magnetoelastische Sensoren

Ein Kennzeichen vieler weichmagnetischer Werkstoffe ist, daß sie unter Einfluß einer
mechanischen Spannung anisotrop werden, d.h. daß die ursprünglich S-förmige Hy-
steresekurve, die typisch ist für eine geringe Kristallanisotropie und eine hohe Bloch-
wandbeweglichkeit (Band 1, Abschnitt 7.1.5), übergeht in die Hysteresekurve eines
magnetisch härteren Werkstoffs wie in Bild 5.2.2-5b und c. Beispiele hierfür sind in Bild
 Seite 144

286 5.5 Andere Sensoren 5.5.2 Magnetoelastische Sensoren 287

5.5.2-1 zusammengestellt. Die Ursache für diesen Effekt liegt in dem Zusammenhang verschiedenen äußeren mechanischen Spannung wieder.
zwischen elastischer Gitterdehnung und einer Vorzugsorientierung der Magnetisierung
(Magnetostriktion, s. Band 1, Abschnitt 7.2.2).

Bild 5.5.2-2 Abhängigkeit der Magnetisierungskurve der magnetischen Polarisation Js von der
mechanischen Spannung σ für eine amorphe Co-Legierung (nach [5.30])

Wird durch einen Spulenstrom ein konstantes Magnetfeld erzeugt, dann führt eine Än-
derung der mechanischen Spannung zu einer induzierten elektrischen Spannung, d.h.
das System kann zur Messung von Kraft- oder Spannungsänderungen eingesetzt wer-
den (Bild 5.5.2-3).

Bild 5.5.2-3 Der Spulenkern eines induktiven Magnetsensors dient gleichzeitig als Federkör-
per für eine Kraftmessung: Eine Dehnung führt bei vorgegebenem Magnetfeld H
Bild 5.5.2-1 Hysteresekurven verschiedener Werkstoffe (charakterisiert durch die longitudinale (eingestellt über den Strom I) über den magnetostriktiven Effekt zu einer Änderung
Sättigungsmagnetostriktion λs, s. Band 1, Abschnitt 7.2.2) ohne (durchgezogen) der Magnetisierung, welche eine Spannung Uind in die Induktionsspule induziert.
und mit (gestrichelt) Einwirkung einer mechanischen Spannung σ (nach [5.30]) Als Spulenkerne für Zug-, Druck- und Torsionsbelastung eignen sich z.B. amorphe
Metalle, die eine erhebliche mechanische Festigkeit (Tab. 5.2.2-1) aufweisen können
a) kristallines NiFe, λs= +25·10-6
(nach [5.31]).
b) kristallines reines Ni, λs = –35·10-6
c) amorphe Co-Legierung, λs = –3,5·10-6
In ähnlicher Weise können auch Sensoren für eine mechanische Belastung durch Bie-
Bild 5.5.2-2 gibt die Feldstärke-Abhängigkeit der magnetischen Polarisation Js bei gung, Torsion (Drehmomentsensor) u.a. aufgebaut werden. Auch der in Bild 4.4-2
 Seite 145

288 5.5 Andere Sensoren 5.5.3 Wirbelstromverfahren 289

beschriebene Kraftaufnehmer basiert grundsätzlich auf dem beschriebenen Effekt. folgt aus (8):

5.5.3 Wirbelstromverfahren
Zeitlich veränderliche Magnetfelder erzeugen in leitenden Werkstoffen Wirbelströ- Das Vektorpotential muß für die genannten Voraussetzungen dieselbe Differentialglei-
me. Zur Berechnung gehen wir aus von dem vollständigen Satz der Maxwellschen Glei- chung erfüllen wie das elektrische Feld im Sonderfall langsam veränderlicher Fel-
chungen (Band 1, Abschnitt 6.4; dabei werden nur Feld-, aber keine Diffusionsströ- der (Fall vernachlässigbarer Verschiebungsströme, s. Band 1, Abschnitt 6.4, Band 11,
me berücksichtigt): Abschnitt 3.1) Wird durch äußere Randbedingungen die Zeitabhängigkeit einer Si-
nusschwingung gegeben gemäß

dann ergibt sich schließlich aus (10) die Vektor-Differentialgleichung

Diese Differentialgleichung kann für viele praktisch vorkommende Fälle nur numerisch
gelöst werden.

Drücken wir die magnetische Induktionsflußdichte durch ein Vektorpotential

aus über die Definition (Band 11, Abschnitt 2)

Dann folgt zusammen mit (1):

Daraus resultiert ein Beitrag zum Feldstrom, der als Wirbelstrom bezeichnet wird:

Zur Berechnung des Wirbelstroms muß also die Zeit- und Ortsabhängigkeit des Vektor-
potentials berechnet werden. Wir ersetzen in (2) die magnetische Feldstärke
durch die Induktionsflußdichte und erhalten für den Fall, daß neben den Wirbelströ- Bild 5.5.3-1 Wirbelstromtachometer (Kraftfahrzeug-Geschwindigkeitsmesser, nach [5.32]):
Auf einer rotierenden Welle 6 ist eine Scheibe 7 befestigt, an deren Außenseite ein
men keine anderen Ströme fließen: Multipol-Permanentmagnet angeordnet ist. Die Scheibe wird eingeschlossen von ei-
nem drehbaren Metallbecher 5, in den durch die rotierenden Magnete Wirbelströme
induziert werden. Diese erzeugen ihrerseits ein Magnetfeld, das mit dem der rotieren-
den Scheibe wechselwirkt, so daß auf den Becher 5 ein Drehmoment in Richtung der
Rotationsbewegung entsteht. Die Größe des Drehmoments ist proportional zur Um-
Mit der sich aus den Grundlagen der Vektoranalysis ergebenden Beziehung
drehungszahl der Welle, sie wird gemessen durch einen Zeiger, der fest mit dem Be-
cher verbunden ist, wobei eine Torsionsfeder 10 für die rücktreibende Kraft sorgt.
Die weiteren Elemente des Tachometers sind: 1 – Spindel für die Verbindung von
Wirbelstrombecher und Zeiger, 2 – Lagerdurchführung für die Spindel, 3 – Halte-
rungsfeder, 4 – Eisenjoch, 6 – Magnetschaft, 8 – Temperaturkompensation.
 Seite 146

290 5.5 Andere Sensoren 5.5.4 SQUIDs 291

Eine wichtige und weitverbreitete Anwendung der Eigenschaften von Wirbelströmen in

der Sensortechnik ist der Wirbelstromtachometer (Bild 5.5.3-1), der in der Kraft-
fahrzeugtechnik routinemäßig eingesetzt wird.
Bei Wirbelstrom-Näherungssensoren ist die Spule eines Hochfrequenz-Resonanz-
kreises so ausgelegt, daß ihr Magnetfeld nach außen dringt. Befindet sich ein metalli-
scher Körper im Bereich des Magnetfeldes, dann werden dort Wirbelströme induziert,
welche den Resonanzkreis dämpfen (Bild 5.5.3-2).

Bild 5.5.3-3 Optimierung des Spulenaufbaus für einen Wirbelstrom-Näherungssensor mit Hilfe
eines E-förmigen oder Topfkerns (Band 5: "Weichmagnetische Keramiken") aus ei-
nem weichferritischen Werkstoff: Eingezeichnet ist der resultierende Verlauf der
magnetischen Feldlinien (nach [5.32]).

5.5.4 SQUIDs
SQUIDs (superconducting quantum interference devices) erlauben die Messung au-
ßerordentlich kleiner Magnetfelder bis in den fT(Femtotesla)-Bereich. Sie lassen sich
herstellen aus ringförmig strukturierten supraleitenden Werkstoffen (Band 1, Ab-
schnitt 4.2.1). In diesen Materialien kondensieren die Elektronen bei Temperaturen un-
terhalb einer Sprungtemperatur Tc und unterhalb einer kritischen Feldstärke Hc
zu Cooper-Paaren mit entgegengesetzt gerichtetem Spin. Bei metallischen Supralei-
tern liegen die Sprungtemperaturen gewöhnlich unterhalb 20 K, bei keramischen kön-
nen sie bis auf 120 K – in Zukunft möglicherweise auf noch höhere Werte – ansteigen (s.
Tabellen in Band 1, Abschnitt 4.2.1). Die Cooper-Paare ermöglichen einen Ladungs-
transport ohne jeden Energieverlust, sie führen damit zu einer unendlich großen Gleich-
Bild 5.5.3-2 Wirbelstrom-Näherungssensor (nach [5.32]) stromleitfähigkeit. Weiterhin führt der Meißner-Effekt dazu, daß in kompakten Su-
a) Ein Oszillator wird mit einer Spule betrieben, deren Magnetfeld sich nach au- praleitern bei Anlegen einer magnetischen Feldstärke unterhalb von Hc (bei Supra-
ßen ausbreitet. Befindet sich dort ein leitfähiges Werkstück, dann werden Wirbel-
ströme induziert, welche die Oszillation dämpfen, so daß die Ausgangsspannung ab-
leitern 2. Art Hc1 (Band 1, Abschnitt 4.2.1)) die resultierende Magnetisierung (bzw.
nimmt; sie kann im Extremfall vollständig zusammenbrechen. Polarisation oder die magnetische Induktionsflußdichte) vollständig aus dem Supralei-
b) Abhängigkeit des Ausgangsstroms eines Wirbelstrom-Näherungssensors von ter verdrängt wird, d.h. der Werkstoff nimmt eine magnetische Suszeptibilität χ = –1
dem Abstand zu einem elektrisch leitfähigen Werkstück. (vollständiger Diamagnetismus) an. Eine ausführliche Behandlung der Theorie und
Technik supraleitender Bauelemente würde über den Rahmen dieses Buch weit hinaus-
Mit Hilfe eines weichmagnetischen Kerns (Band 5 dieser Reihe) kann das Magnetfeld
führen, es muß daher auf die umfangreiche Spezialliteratur ([5.33], [5.35 bis 37]) ver-
der Spule eines Wirbelstrom-Näherungssensors für spezifische Anwendungen opti-
wiesen werden.
miert werden (Bild 5.5.3-3).
 Seite 147

292 5.5 Andere Sensoren 5.5.4 SQUIDs 293

Im Gegensatz zu den geschlossenen kann in ringförmig strukturierten Supraleitern ein

Induktionsfluß φ (= Induktionsflußdichte · wirkende Fläche) aufgrund eines von au-
ßen wirkenden Induktionsflußdichtefeldes Bext eingeschlossen werden: Für die Grö-
ße von φ sind aber nach den Regeln der Quantentheorie nur ganzzahlige Vielfache
eines (sehr kleinen) Flußquantums φo = 2,07·10-14 Vs zulässig ((4) in Bild 5.5.4-1).
Dieser Zustand wird z.B. dann erreicht, wenn ein supraleitender Ring bei Einwirkung ei-
nes äußeren Feldes Bext vom normalleitenden in den supraleitenden Zustand über-
führt wird. Die Differenz φs zwischen dem äußeren Fluß und dem eingebauten (also
mit einem Wert (n–1)φo < φs < nφo) muß durch durch einen Kreisstrom im Supralei-
Bild 5.5.4-1 Supraleitender Ring, auf den eine von außen angelegte Induktionsflußdichte Bext
wirkt, so daß ein Induktionsfluß (Produkt aus Flußdichte und Fläche) φ einge- ter abgeschirmt werden (Bild 5.5.4-2), da nach dem Maxwellschen Gesetz (5.5.3-4) kei-
schlossen wird. Für das Phasen-Kreisintegral (Integral des Wellenzahlvektors [Im- ne Gradienten der magnetischen Induktionsflußdichte zulässig sind (sonst müßten die
pulses geteilt durch h/2π] über einen vorgegebenen geschlossenen Weg, s. Band bisher experimentell nicht nachgewiesenen magnetischen Monopole existieren).
11 oder Standardliteratur zur Quantentheorie) der dazugehörigen Wellenfunktion
muß – wie beim Bohrschen Atommodell – die Quantisierungsbedingung gelten [5.33
und 36]:

Dabei ist das dazugehörige Vektorpotential nach (5.5.3-5) verwendet worden. Der Impuls 2me
eines Cooperpaares kann nach Band 11, Abschnitt 3, in eine Stromdichte umge-
rechnet werden. Bei einer Wahl des Integrationsweges im Innern des Supraleiters
kann der erste Term im Integral vernachlässigt werden, da dort im Idealfall wegen des
Meißner-Effekts keine Induktionsflußdichte – und damit auch kein Stromfluß – zu-
gelassen ist:

Diese Beziehung läßt sich nach dem Satz von Stokes (Band 1, Abschnitt 7.1.1) in ein Flächenintegral
über die eingeschlossene Fläche S (um Verwechslungen mit dem Vektorpotential
zu vermeiden, wird die Fläche an dieser Stelle nicht mit A bezeichnet) umwan-
deln, so daß gilt: Bild 5.5.4-2 Wird ein supraleitender Ring unter Einwirkung eines äußeren Magnetfeldes Bext
durch Abkühlung unter die Sprungtemperatur Tc vom normalleitenden in den su-
praleitenden Zustand überführt, dann kann der Fluß nur als ganzzahliges Vielfaches
des Flußquants φo innerhalb des Rings existieren (a). Die Differenz zwischen (un-
gequanteltem) äußeren und dem eingebauten Fluß muß der Supraleiter durch Kreis-
ströme Ikreis ausgleichen (abschirmen), wobei gilt:

Dabei ist L die Induktivität des supraleitenden Rings (nach [5.33]).

Bei Squid-Sensoren müssen zusätzliche Forderungen an den supraleitenden Ring ge-

stellt werden:
Der eingeschlossene Induktionsfluß kann nur ganzzahlige Vielfache eines Flußquantums annehmen.
– der durch Supraleitung erzeugte Strom innerhalb des Rings muß auf endliche
 Seite 148

294 5.5 Andere Sensoren 5.5.5 Magnetodioden und Magnetotransistoren 295

Werte begrenzt werden, sephson-Kontakten) bestehen. Der äußere Strom Ig in Bild 5.5.4-3a kann dann wie
bei einer Parallelschaltung zweier Josephson-Elemente (Schichtfolge Supraleiter – dün-
– der Induktionsfluß muß auch während des supraleitenden Betriebs in den Ring
ner Isolator – Supraleiter) berechnet werden, dabei ergibt sich eine magnetfeldabhängi-
eindringen können.
ge Strom-Spannungskennlinie wie in Bild 5.5.4-3b. Alternativ dazu können Koppelstel-
Beides wird erreicht durch Einbau von schwachen Koppelstellen (weak links) in len auch aus sehr schmalen (unterhalb der Londonschen Eindringtiefe) Einschnürun-
den supraleitenden Ring (Bild 5.5.4-3). gen im Querschnitt der supraleitenden Schleife erzeugt werden, die z.B. durch hochauf-
lösende Lithographie- und Ätzverfahren (Band 2, Abschnitt 8) erzeugt werden können.
Wechselstrom-SQUIDs benötigen nur eine einzige Koppelstelle (Bild 5.5.4-4):

Bild 5.5.4-4 Wechselstrom-SQUID: Die periodische Abhängigkeit des maximalen supraleiten-

den Stroms im Ring vom Induktionsfluß belastet einen angekoppelten Resonanzkreis
(Eigenfrequenz z.B. 30 MHz), so daß die dort abfallende Wechselspannung dieselbe
periodische Abhängigkeit zeigt.
Bild 5.5.4-3 Gleichstrom-SQUID (nach [5.36 und 37]):
a) Der durch Supraleitung bestimmte Stromfluß durch den Ring wird durch Kop-
pelstellen begrenzt; von außen eingespeist wird ein konstanter Gleichstrom Ig.
Gemessen wird die über dem SQUID abfallende Spannung U.
b) Strom-Spannungskennlinie des Gleichstrom-SQUIDs: Die über dem Ring ab-
fallende Spannung ist beim Gleichstrom-SQUID periodisch vom äußeren Fluß 5.5.5 Magnetodioden und Magnetotransistoren
abhängig. Bei einer präzisen Messung der Spannungsamplitude läßt sich das Auf- Durch Magnetfelder kann der Stromfluß von Elektronen und Löchern in Halbleiter-
lösungsvermögen des Verfahrens zur Messung des magnetischen Flusses auf
Werte weit unterhalb des Flußquants steigern.
bauelementen beeinflußt werden, so daß sich die entsprechenden Bauelementkennli-
nien in charakteristischer Weise ändern. Hierfür sind in Forschungsarbeiten vielfälti-
ge Vorschläge erarbeitet worden, die allerdings bisher wenig praktische Bedeutung er-
Die Anwesenheit der beiden Koppelstellen bewirkt eine Phasenverschiebung im Pha- langt haben. Im folgenden werden einige Beispiele hierfür erläutert.
senintegral um die Werte ϕ1 und ϕ2, so daß die Phasenbedingung (2) mit den Defini-
tionen (3) und (4) ergänzt werden muß zu Magnetodiode: Werden in ein Halbleitergebiet (z.B. die i-Zone einer pin-Diode
[Band 2, Abschnitt 9.3.4]) gleichzeitig Elektronen und Löcher injiziert, dann erfolgt bei
Wirkung eines äußeren Magnetfeldes aufgrund des Halleffekts eine Ablenkung beider
Ladungsträgersorten in dieselbe Randzone des Widerstands (Magnetokonzentrati-
onseffekt, Bild 5.5.5-1, s. auch Bild 5.1.1-4) .
Die Koppelstellen können aus nur wenige Atomlagen dicken Isolatorbarrieren (Jo-
 Seite 149

296 5.5 Andere Sensoren 5.5.5 Magnetodioden und Magnetotransistoren 297

Bild 5.5.5-2 Aufbau einer Magnetodiode: Die beiden Oberflächen S1 und S2 im i-Bereich einer
pin-Diode haben aufgrund ihrer technologischen Vorbehandlung unterschiedliche
Rekombinationslebensdauern (groß für oxidierte, klein für aufgerauhte Oberflä-
chen). Werden injizierte Ladungsträger aufgrund des Magnetokonzentrationseffekts
auf eine der beiden Oberflächen abgelenkt, dann ändert sich die Lebensdauer – und
damit der Diodenstrom – in charakteristischer Weise (s. Band 2, Abschnitt 9.3.4, nach
[5.9])

Werden die Ladungsträger im i-Bereich einer pin-Diode aufgrund des Magnetokonzen-

trationseffekts an die Oberflächen des intrinsischen Bereichs gelenkt, dann können dort
aufgrund einer Oberflächenrekombination (die durch technologische Maßnahmen be-
einflußt werden kann) die Trägerlebensdauern erheblich abnehmen, d.h. der Widerstand
der pin-Diode ändert sich in Abhängigkeit von der Größe und dem Vorzeichen eines
angelegten Magnetfelds.
Magnetotransistor (Magnistor): Magnetfelder können in sehr verschiedener Weise
auf die Funktionsweise von Transistoren einwirken [5.9]: durch eine Ladungsträger-
ablenkung, eine Beeinflussung der Injektion, eine Beeinflussung des Basis-Transport-
faktors (Band 2, Abschnitt 10.2) und durch den Magnetokonzentrationseffekt. Über die-
Bild 5.5.5-1 Magnetokonzentrationseffekt in einem fast intrinsischen Siliziumwiderstand mit se Effekte – und weitere – können im Prinzip Transistoren als Magnetsensoren einge-
einem Längen-zu-Breiten-Verhältnis von [Link] Aufgrund der Elektronen- und Lö- setzt werden.
cherkonzentration an der Seitenfläche mit x = W nimmt dort die Stromdichte zu
(nach [5.26]). Eine weitere Abhängigkeit kann durch die magnetfeldabhängige Verteilung der Transi-
a) Stromlinien (etwa parallel zur y-Achse) und Äquipotentiallinien (etwa parallel storströme entstehen: Ein vertikal aufgebauter bipolarer Transistor (Band 2, Abschnitt
zur x-Achse) 10.2) besitzt zwei symmetrisch angeordnete Kollektoranschlüsse (Bild 5.5.5-3). Bei
b) Ortsabhängigkeit der Löcherkonzentration Abwesenheit eines Magnetfeldes fließt durch beide Kollektorelektroden der gleiche
c) Ortsabhängigkeit der Raumladung Kollektorstrom. Wirkt aber eine Lorentzkraft, dann werden die aus der Basis kom-
d) Ortsabhängigkeit der Elektronenkonzentration menden Ladungsträger auf ihrem Weg zum Kollektoranschluß abgelenkt, so daß sich
Die Magnetodiode besteht aus einer pin-Diode mit zwei Oberflächen S1 und S2 , die die Kollektorströme in Abhängigkeit von der Richtung und Stärke des Magnetfeldes
aufgrund ihrer technologischen Vorbehandlung sehr unterschiedliche Oberflächenre- unterscheiden.
kombinationsraten haben (Bild 5.5.5-2).
 Seite 150

298 5.5.5 Magnetodioden und Magnetotransistoren 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 299

magnetischer Feldstärken (nach [5.34])

a) Anwendungsbereiche der in den vorangegangenen Abschnitten beschriebenen
Sensoren

Bild 5.5.5-3 Magnetotransistor (nach [5.9]): Die Induktionsflußdichte bewirkt aufgrund der
Lorentzkraft eine Ablenkung der Elektronen im Kollektorgebiet. Dadurch treffen
mehr Elektronen auf der Elektrode C2 auf als auf der Elektrode C1, d.h. der Kol-
lektorstrom aus C2 ist größer als der aus C1.

5.6 Anwendungen von Magnetsensoren

b) Anwendungsspezifische Kennzeichen der verschiedenen Sensortypen
Magnetsensoren dienen primär zur Messung von Magnetfeldstärken. Tab. 5.6-1 gibt ei-
nen Überblick über die Anwendungsbereiche der verschiedenen Sensorverfahren,
zusammen mit Kriterien, die für die Anwendung von Bedeutung sind.
Neben ihrer Funktion zur Messung von Magnetfeldern haben Magnetfeldsensoren auch
eine große Bedeutung bei der Messung weiterer Sensorparameter. Grundsätzliche Ar-
gumente hierfür sind
– In vielen Meßsystemen kommen a priori keine oder nur schwache Magnetfelder
vor. Durch gezieltes Einbringen von Permanentmagneten können daher spezifische
örtliche Markierungspunkte gesetzt werden, die durch Magnetsensoren in einfacher
Weise erkannt werden können. Damit ist eine empfindliche Bestimmung der Anwe-
senheit, Position und Bewegung von Maschinenteilen, produzierten Gegenständen,
u.a. möglich.
– Magnetfelder sind weitgehend unempfindlich gegenüber Störeinflüssen, hohen
elektrischen Störpegeln, etc.
– Bei Anwendung empfindlicher Magnetsensoren sind relativ große Abstände zwi- a) typische lineare Abmessung e) von außen aufgebrachte Leistung
schen Gebermagnet und Sensor zugelassen, beide können mechanisch voneinan- b) relaive Kosten f) rotierende Induktionsspule
der getrennt werden, sogar durch mechanische Halterungen oder gasdichte Wandun- c) obere Grenze für GaAs g) Sensorleistung Milliwatt, Kühlleistung nicht berücksichtigt
d) wegen Drahtisolation h) mit Kühleinrichtung
gen aus nicht magnetisierbarem Material (z.B. Kupfer, Kunststoffe etc.).
Tab. 5.6-1 Eigenschaften und Anwendungsbereiche von Magnetsensoren zur Messung
 Seite 151

300 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 301

Aufgrund dieser Eigenschaften können mit Hilfe von Magnetsensoren weitere Sensor-
funktionen für die Messung nichtmagnetischer Größen abgeleitet werden, wie z.B. eine
Druck- oder Beschleunigungsmessung über induktive Druckaufnehmer (Abschnitt 4.3)
und viele andere (Tab. 5.6-2).

Tab. 5.6-2 Messung nichtmagnetischer Umweltgrößen mit Magnetsensoren (nach [5.34]):

P (primärer Effekt) kennzeichnet eine direkte Messung magnetischer Größen,
S (sekundärer Effekt) eine abgeleitete.

Bild 5.6-1 Messung des Magnetfeldes im Luftspalt eines Eisenkerns (nach [5.9]): Durch
Verwendung kleiner Luftspaltbreiten δ kann die magnetische Induktionsflußdich-
te im Luftspalt vergrößert werden. Die Anwendung des Durchflutungsgesetzes
(Band 1, Abschnitt 7.1.1 oder Band 11) ergibt für n Windungen, die von einem Strom
I durchflossen werden, die Beziehung

Dabei läuft die geschlossene Kurve C durch den Ringkern (Weglänge lFe, dort hat die magnetische
Feldstärke den Wert HFe) und den Luftspalt (Feldstärke HL). Die magnetische In-
duktionsflußdichte ist im Kern und Luftspalt konstant (Abwesenheit magnetischer
Monopole nach (5.5.3-4)), d.h. es gilt mit den Ergebnissen aus Band 1, Abschnitt
7.1.5:

Aus der großen Vielfalt der Anwendungsmöglichkeiten für Magnetsensoren werden

im folgenden einige typische aus dem Bereich der Industrie- und Verbraucherelektronik
ausführlicher besprochen. Die meisten Anwendungen sind nicht sensorspezifisch, d.h.
es können z. B. ebenso Hallsensoren wie magnetoresistive Permalloy-Sensoren oder an-
dere eingesetzt werden, sofern deren Empfindlichkeit vergleichbar ist.
Magnetfeld- und Strommessung: Für die exakte Messung von hinreichend großen
Magnetfeldern werden wegen ihrer Linearität und Vorzeichenabhängigkeit überwie-
gend Hallsensoren eingesetzt (Bild 5.6-1). Magnetfelder in hochpermeablen Eisenker-
nen können sehr empfindlich gemessen werden, wenn sich die Hallsonde in einem Luft-
spalt befindet, weil dort das Magnetfeld außerordentlich verstärkt wird (Gleichung 3).
Weiterhin ist eine sehr empfindliche Messung des Spulenstroms I möglich (Gleichung
Eingesetzt in (1) ergibt sich nach Auflösung nach BL:
4), bei welcher die Stromleitung nicht aufgetrennt zu werden braucht (kontaktfreie
Strommessung).
 Seite 152

302 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 303

Permanentmagneten markiert, dessen Anwesenheit durch den Sensor angezeigt wird.

Eine relative Bewegung zwischen Magnet und Magnetsensor verändert die Richtung
(der Permalloy-Sensor mißt nur die Feldstärke Hy!) und Feldstärke des Magnetfeldes
am Ort des Sensors und kann dadurch quantitativ erfaßt werden (Bild 5.6-3):
Eine überschlägige Messung relativ großer elektrischer Ströme (z.B. An- oder Abwe-
senheit hoher Ströme) kann über ein Magnetfeld um einen stromdurchflossenen Leiter
mit Hilfe eines empfindlichen Magnetsensor erfolgen (Bild 5.6-2). Die naturgemäß star-
ke Abhängigkeit der Messung von dem relativen Abstand von Leiter und Sensor läßt
sich durch Anbringen eines weichmagnetischen Ferritkerns am Sensor reduzieren, der
das Magnetfeld am Ort des Sensors konzentriert. Ein grundsätzlicher Vorteil ist, daß bei
dieser Strommessung der Leiter nicht aufgetrennt zu werden braucht.

Bild 5.6-3 Positionsmessung mit einem Magnetsensor: Sensorsignal in Abhängigkeit von der
Verschiebung x bei unterschiedlichem Abstand d zwischen Sensor und Permanent-
magnet (nach [5.27]). Bei nicht zu großen Verschiebungen ergibt sich ein nahezu li-
neares Ausgangssignal.

Ähnlich wie bei der Positionsmessung erfolgt auch bei der Winkelmessung eine gegen-
seitige Verschiebung (in diesem Fall Verdrehung) von Sensor und Permanentmagnet
(Bild 5.6-4).

Bild 5.6-2 Strommessung mit einem Magnetsensor (nach [5.27])

a) Anordnung von stromdurchflossenem Leiter und Magnetsensor
b) Meßkurve

In den folgenden Anwendungsbeispiele werden magnetoresistive Permalloy-Sensoren

verwendet. Im Prinzip können hierfür – bei entsprechender Modifikation des Meßauf-
baus – auch Feldplatten oder Hallsensoren eingesetzt werden.
Positionsmessung: Die Position des zu messenden Gegenstandes wird durch einen
 Seite 153

304 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 305

Bild 5.6-4 Winkelmessung (nach [5.27]) 5.6-5). Dieses Verfahren kann auch zur Drehzahlmessung eingesetzt werden (Bild
a) Ein Permanentmagnet wird kreisförmig um einen Magnetsensor herumgeführt 5.6-6).

Bild 5.6-5 Anwesenheitserkennung eines Eisen- oder Stahlteils (nach [5.27])

a) Meßaufbau: Das durch einen Permanentmagneten am Sensor erzeugte
Magnetfeld wird durch die Anwesenheit magnetisierbarer Materie gestört, die
Bild 5.6-4 b) Abhängigkeit des Sensorsignals vom Winkel Veränderung durch den Sensor gemessen
c) Meßschaltung b) Meßkurve

Die Anwesenheit magnetisierbarer Werkstoffe, z.B. Eisen- oder Stahlteile, kann auch
dadurch detektiert werden, daß direkt am Sensor ein Permanentmagnet befestigt wird
und die durch Fremdeinflüsse bestimmte Störung des Magnetfeldes erfaßt wird (Bild
 Seite 154

306 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 5.6 Anwendungen von Magnetsensoren 307

Bild 5.6-6 Drehzahlmessung (nach [5.27]):

a) Als Meßobjekte gemäß dem Prinzip aus Bild 5.6-5 dienen die Zähne eines
Zahnrades, dessen Umdrehungsgeschwindigkeit gemessen werden soll
b) Meßkurve
c) Sensorschaltung
 Seite 154

306

6 Optische Sensoren (Photosensoren)

6.1 Wirkung optischer Strahlung auf Festkörper

Bei der physikalischen Beschreibung der optischen Strahlung und der Materie innerhalb
der Quantentheorie gibt es einige Analogien: In beiden Fällen können den betrachteten
Größen sowohl Teilchen- wie Welleneigenschaften zugeordnet werden (Welle-Teil-
chen-Dualismus). Die experimentell beobachteten Eigenschaften sind in einigen Fäl-
len typische Welleneigenschaften (z.B. Beugung und Interferenz, bei Lichtstrahlen
auch die elektrische Polarisation), andere hingegen Teilcheneigenschaften (z.B. die
Anregung eines Teilchens von einem niedrigen auf ein höher liegendes Energieniveau
mit einer durch den Abstand der Energieniveaus vorgegebenen "quantisierten" Anre-
gungsenergie).
Lichtwellen sind zeit- und ortsabhängige elektromagnetische Wellen hoher Fre-
quenz, die sich als Lösung der Maxwellschen Gleichungen – auch in Abwesenheit von
Materie – ergeben (Band 1, Abschnitt 6.4, Band 11, Abschnitt 3). Für die x-Kompo-
nente des elektrischen Feldes einer ebenen Lichtwelle in der Ausbreitungsrichtung
z erhält man

Die erste Exponentialfunktion beschreibt eine harmonische Schwingung mit einer Wel-
lenlänge λdi, welche im betrachteten Werkstoff (Dielektrikum) die Größe hat:

wobei λvak die Wellenlänge im Vakuum darstellt. Letztere hängt mit der Lichtge-
schwindigkeit cvak im Vakuum und der dazugehörigen Frequenz ν (daraus ergibt
sich die Kreisfrequenz ω durch ω = 2πν) zusammen über

In (2) ist n ist der Brechungsindex oder die Brechzahl, diese Größe ergibt sich zu-
sammen mit der Dämpfungskonstanten κ aus der Gleichung (Band 1, Abschnitt
6.4):
 Seite 155

308 6.1 Wirkung optischer Strahlung auf Festkörper 6.1 Wirkung optischer Strahlung auf Festkörper 309

Als Gruppen- oder Ausbreitungsgeschwindigkeit (s. Band 2, Abschnitt 1.1.2) cdi Für die ebene Welle (1) ergibt sich damit bei zeitunabhängigen Dielektrizitätskonstan-
im Dielektrikum ergibt sich damit ten als Verschiebungsstromdichte

so daß die Gesamtstromdichte die Form erhält:

also eine Geschwindigkeit, die kleiner ist als im Vakuum.
Die zweite Exponentialfunktion in (1) hat einen reellen Exponenten, d.h. sie beschreibt
einen Abfall der Amplitude der elektrischen Feldstärke beim Eindringen in den Werk-
stoff (Bild 6.1-1) mit der Abfallkonstanten κω/cvak.

Im Werkstoff erzeugt das ortsabhängige elektrische Feld der Lichtwelle für alle Ladun-
gen Gradienten der potentiellen Energie, so daß diese mit Entropiegewinn energetisch
günstigere Zustände annehmen können. Die dabei freiwerdende Energie wird in Form
von Joulescher Wärme P an den Werkstoff abgegeben, als örtliche Dichte ρP davon
ergibt sich nach Band 11, Abschnitt 1.1.6:

Für die Lichtwelle (1) ergibt sich dann mit (10)

Der Ortsverlauf der freiwerdenden Energie wird also bestimmt durch das Quadrat der
Funktion (1) – dieses charakterisiert nach Band 11, Abschnitt 1.3.3 die elektrische Feld-
energie – und damit durch das Quadrat der exponentiell abnehmenden Funktion in (1),
Bild 6.1-1 Trifft eine elektromagnetische Welle Eein senkrecht auf die Oberfläche eines d.h. die Energieabnahme im Dielektrikum kann charakterisiert werden durch den
Werkstoffs, dann wird sie beim Eindringen in den Werkstoff exponentiell mit einer
Abfallkonstanten κω/cvak abgeschwächt. Ein anderer Teil Erefl der einfallenden Absorptionskoeffizienten
Welle wird reflektiert.

Im Werkstoff erzeugt die eindringende Welle eine elektrische Stromdichte ges, die Zusätzlich zu den hier betrachteten Absorptionseffekten, welche durch die Dielektrizi-
sich aus der Verschiebungsstromdichte di (Band 11, Abschnitt 2.1.5) aufgrund ei- tätskonstante εr und die spezifische Leitfähigkeit σsp charakterisiert werden, können
ner elektrischen Polarisation des Werkstoffs und den durch (2.2-18) beschriebenen elek- noch weitere auftreten, die durch Störstellen, Inhomogenitäten etc., verursacht werden.
trischen Driftstromdichten aufgrund eines Elektronen- und Löcherflusses zusammen- Solche Effekte lassen sich aber besser durch das Teilchenmodell beschreiben.
setzt (zur Erinnerung: Bei der Herleitung von (1) waren nur die Driftstrom- und keine
Im Teilchenmodell wirkt eine optische Strahlung wie ein Teilchenstrom aus Photo-
Diffusionsstromdichten berücksichtigt worden):
nen (Band 11, Abschnitt 1.1.5) mit der Energie Wn pro Teilchen

so daß sich die Energiestromdichte hν, die mit der optischen Strahlung verbunden
ist, mit der Photonen-Teilchenstromdichte jphotT ergibt aus der Beziehung (zur bes-
seren Unterscheidung zur Frequenz ν wird die Variable v im Gegensatz zur Konven-
 Seite 156

310 6.1 Wirkung optischer Strahlung auf Festkörper 6.1 Wirkung optischer Strahlung auf Festkörper 311

tion steil [v] gedruckt): Das Wellenmodell des Lichts eignet sich besonders zur Beschreibung der Lichtab-
sorption aufgrund einer elektrischen Polarisation des Dielektrikums (Joulesche Wärme
aufgrund des Verschiebungsstroms). Im Gegensatz dazu eignet sich das Teilchenmo-
dell in besonderem Maße zur Beschreibung einer anderen Form der Lichtabsorption,
nämlich derjenigen durch Elektronenübergänge innerhalb des Festkörpers (innerer
Phototoeffekt, Band 2, Abschnitt 6.2.1) oder aus dem Festkörper heraus (äußerer
Photoeffekt), beide Effekte werden in Bild 6.1-2 näher erläutert.
Die Erzeugung optisch angeregter Elektronen läßt sich im einfachsten Fall wie die Re-
d.h. die Energiestromdichte hat die Bedeutung einer Flächendichte der Strahlungslei- kombinationskinetik in Band 2, Abschnitte 6.2.2 und 6.3, über ein Modell aus der kineti-
stung P. Bei gleichbleibender Leistungsdichte σP der Strahlung nimmt also nach schen Gastheorie (Band 1, Abschnitt 4.1.3) berechnen. Wir gehen aus von einer Vo-
(15a) die Photonenstromdichte Tphot mit zunehmendem ν oder abnehmendem λ ab! lumen-Photonendichte ρphot und einer Volumendichte ρT von Einfangzentren, bei
denen eine optische Absorption stattfinden kann und erhalten als zeitliche Abnahme der
Photonendichte (= zeitliche Zunahme der Dichte der angeregten Elektronen) die op-
tische Generationsrate Gn für Elektronen:

mit der Übergangswahrscheinlichkeit r. Jedes Photon hat eine Geschwindigkeit mit

dem Betrag v, bezüglich der optischen Anregung eines Elektrons möge der Wirkungs-
querschnitt den Wert σoptWQ haben (d.h. bei der Bewegung des Photons erfolgt eine
optische Anregung aller Zentren, die in dem aus der Photonenbahn und dem Wirkungs-
querschnitt gebildeten Volumen liegen; bei der Berechnung in Band 1 entsprach der
Wirkungsquerschnitt dem Wert πD2 bei einem Teilchendurchmesser D). Unter den
gegebenen Voraussetzungen überstreicht jedes Photon pro Sekunde einen Volumenbe-
Bild 6.1-2 Absorption optischer Strahlung in einem Werkstoff in Verbindung mit der Anre-
gung von Elektronen. Beim Übergang von der niedrigen auf die hohe Quasifermie- reich vσoptWQ. Bei einer Photonendichte ρphot im Festkörper ist das von allen Photo-
nergie (die eingezeichneten Werte sind Beispiele) wird die Entropie verkleinert nen pro Sekunde und Einheitsvolumen überstrichene Volumen ρphotv· σoptWQ. Alle
(vgl. Band 2, Abschnitt 6.2). Zentren, die sich in diesem von den Photonen überstrichenen Volumen befinden, wer-
a) innerer Photoeffekt: den durch die Photonen energetisch angeregt, d.h. die Dichte der optischen Anregungs-
Elektronen werden innerhalb des Werkstoffs (in diesem Fall ein Halbleiter) ange- vorgänge pro Sekunde (optische Generationsrate) ist
regt. Dabei wird unterschieden zwischen intrinsischer Absorption (Elektronen
werden vom Valenz- in das Leitungsband angeregt) und extrinsischer Absorpti-
on (Elektronen werden z.B. von einem Fremdatomzustand in das Leitungsband
angeregt, so daß für den Fremdatomzustand und das Leitungsband verschiedene
Quasifermienergien angenommen werden).
b) äußerer Photoeffekt:
Elektronen werden von der Werkstoffoberfläche weg in den freien Raum angeregt.
Bei allen optischen Übergängen müssen die Energie- und Impulserhaltung ge-
währleistet sein (Band 2, Abschnitt 6.2.1).
 Seite 157

312 6.1 Wirkung optischer Strahlung auf Festkörper 6.2 Kenngrößen optischer Sensoren 313

Die Gleichungen (16) bis (18) führen auf die Differentialgleichung nimmt also wie in (12) nach einem Exponentialgesetz ab:

Die Integration dieser Differentialgleichung führt zu einem exponentiellen Abfall der

Photonendichte mit der Zeit: Aus (24) ergibt sich weiterhin für den Ortsverlauf der Photonenstromdichte

bzw. nach (15b) eine Ortsabhängigkeit der Photonenenergie-Stromdichte oder

Strahlungsleistung

mit dem Energie-Absorptionskoeffizienten

τphot wird als Photonenlebensdauer bezeichnet.

Auch für Photonen in einem vorgegebenen Volumen gilt ein Erhaltungsgesetz: Im
allgemeinsten Fall ergibt sich die Änderung der Volumen-Photonendichte aus der Sum-
me von Photonengenerationsrate Gphot (z.B. durch eine strahlende Rekombination
im Festkörper), der Photonenvernichtungsrate (= negativer Generationsrate Gn für
angeregte Elektronen) nach (21) und dem Beitrag heraus- und hereinfließender Photo-
nen. Die mathematische Formulierung des Erhaltungsgesetzes entspricht der Kontinui-
tätsgleichung (Band 2, Abschnitt 6.3 oder Band 11, Abschnitt 1.1.2):
6.2 Kenngrößen optischer Sensoren
In (6.1-15b) wurde als wichtige Kenngröße der optischen Strahlung die Strahlungslei-
stung σP definiert. Bei Strahlungsquellen, deren räumliche Ausdehnung klein ist im
Vergleich zum bestrahlten Volumen, ergibt sich für die in den Raumwinkel Ω (defi-
Bei Abwesenheit einer Photonenerzeugung ergibt sich daher im stationären Gleichge- niert durch die auf einer Einheitskugel durch den Raumwinkel festgelegte Oberfläche,
wicht (zeitlich konstante Photonendichte): geteilt durch 4π) abgestrahlte Leistung die von dem betrachteten Lichtwellenlängen-
intervall abhängige spektrale Strahlungsdichte Kλ:

Bild 6.2-1 gibt Kenngrößen an für die Wärmestrahlung schwarzer Körper. Diese Wär-
mestrahlung ist bei jedem Objekt für T > 0 grundsätzlich parasitär vorhanden.

Mit der Diffusionslänge für Photonen Lphot. Die Energie der optischen Strahlung
 Seite 158

314 6.2 Kenngrößen optischer Sensoren 6.2 Kenngrößen optischer Sensoren 315

In vielen Fällen werden die elektrischen Größen Usens und Isens durch die Teilchen-
stromdichten jsensT optisch generierter Elektronen oder Löcher bestimmt, welche bei
der Absorption von Photonen entstehen (entsprechend Abschnitt 6.1 ist dann z.B. die
Photonenvernichtungsrate proportional zur Erzeugungsrate Gn optisch angeregter Elek-
tronen). In diesem Fall gilt die Beziehung

Die Proportionalitätskonstante η heißt Quantenausbeute oder Quantenwirkungs-

grad. Sensoren, deren Verhalten durch Gleichungen des Typs (6) beschrieben wer-
den, heißen Quantenzähler, weil das Sensorsignal proportional zur Dichte der ab-
sorbierten Lichtquanten ist. Bei konstanter absorbierter Strahlungsleistung σP ergibt
sich in (6) eine Proportionalität des Sensorsignals zur Wellenlänge des Lichts, da in (6.1-
15) bei konstanter Strahlungsleistung die Anzahl der Photonen mit zunehmender
Wellenlänge (d.h. abnehmender Photonenenergie) ansteigt. Als spektrale Empfindlich-
Bild 6.2-1 Photoemittivität (Anzahl der pro s emittierten Photonen pro cm2 strahlender Flä- keit nach (5) erhält man dann:
che und Wellenlängenintervall in µm) schwarzer Körper (nach [6.1]):
Als maximale Strahlungsdichte ergibt sich für eine Wellenlänge λmax (Temperatu-
ren T in Kelvin).

In den Kurven A und B in Bild 6.2-2 sind die Funktion (7), die das Verhalten eines idea-
len Quantenzählers beschreibt, sowie eine typische experimentell gefundene Abhän-
gigkeit graphisch dargestellt.
Die integrierte Strahlungsleistung über eine Halbkugel (Raumwinkel Ω = 2π) beträgt:

σ wird als Stefan-Boltzmannkonstante bezeichnet

Typisch für eine Vielzahl optischer Sensoren ist, daß sich ein Sensorstrom Isens oder
eine Sensorspannung Usens in Abhängigkeit von der Strahlungsleistung P

ändert (A = Sensorfläche). Eine grundlegende Kenngröße für jeden Sensor ist dann
die spektrale Empfindlichkeit (responsivity) des Sensors:
Bild 6.2-2 Quantenzähler und thermische Zähler
Kurve A: Linearer Anstieg der spektralen Empfindlichkeit mit der Wellenlänge λ
nach (7). In der Praxis wird die Kurve häufig begrenzt durch die minimale Photonene-
nergie, bei der noch eine optische Absorption stattfindet, diese kann z.B. dem Band-
abstand von Halbleiterwerkstoffen entsprechen.
Kurve B: Bei experimentell gemessenen Abhängigkeiten ist die Wellenlängen-
abhängigkeit des idealen Quantenzählers gemäß Kurve A qualitativ noch zu erken-
nen.
 Seite 159

316 6.2 Kenngrößen optischer Sensoren 6.2 Kenngrößen optischer Sensoren 317

Kurve C: Bei idealen thermischen Zählern liegt keine Wellenlängenabhängigkeit tenrauschen, das durch Schwankungen der Photonendichte entsteht. Bei großen Wel-
der spektralen Empfindlichkeit vor. lenlängen überwiegt das thermische Rauschen aufgrund der Wärmestrahlung (Bild
6.2-1).
Eine ganz andere Wellenlängenabhängigkeit zeigen optische Sensoren auf der Basis Bei optischen Halbleitersensoren kann eine Vielzahl von Rauschquellen die Nach-
von thermischen Zählern (Bolometern). In diesem Fall ist das Sensorsignal nicht weisempfindlichkeit der Sensoren einschränken (Band 2, Abschnitt 14.1, [6.3 und 4]).
proportional zur Photonenflußdichte jphotT, sondern zur Energieflußdichte jhν nach Bild 6.2-3b zeigt das Ersatzschaltbild eines Photodetektors mit den einzelnen
Rauschquellen.
(6.1-15). Damit gilt

d.h. es ergibt sich eine von der Wellenlänge unabhängige spektrale Empfindlichkeit
(Kurve C in Bild 6.2-2).
Bild 6.2-3b Ersatzschaltbild eines Photodetektors mit Rausch-Stromquellen (nach [6.4]):
Eine weitere wichtige Kenngröße für optische Sensoren ist die Ansprechzeit τ, die
i = Signalstrom
z.B. charakterisiert werden kann durch die maximale gerade noch zu detektierende Mo- 2 = Generations-Rekombinationsrauschen:
i S2 = Schrotrauschen, iGR
dulationsfrequenz fmax der Lichtintensität: Beide können zusammengefaßt werden zu [6.3]:

Die Nachweisgrenze optischer Sensoren ergibt sich als minimale optische Strahlungs- mit der Frequenzbandbreite B des betrachteten Systems und einem Multiplikationsfaktor (s.u.)
M
leistung, die vom Sensor gerade noch detektiert werden kann, sie wird maßgeblich durch
i 2th= thermisches oder Widerstandsrauschen am Widerstand Ri = 1/Gi [6.4]:
das Sensorrauschen bestimmt. Bei der optischen Strahlungsquelle selber entstehen
Rauschquellen durch das Quantenrauschen, sowie durch das thermische Rau-
schen (Band 2, Abschnitt 14) des Hintergrunds, aus dem die Strahlung emittiert wird
(Bild 6.2-3a).
Als spektrales Nachweisvermögen oder Detektivität D wird das Verhältnis von spek-
traler Empfindlichkeit zur normierten Rauschspannung gewählt. Da die Rauschspan-
nung UN im allgemeinen proportional ist zur Wurzel aus der Frequenzbandbreite B
und der Sensorfläche A:

definiert man als normierte Rauschspannung

so daß man als Detektivität erhält:

Bild 6.2-3a Rauschursachen in optischen Signalquellen (nach [6.2]): Aufgetragen ist die spektra-
le Leistungsdichte des Rauschens in Abhängigkeit von der Lichtwellenlänge.
Im Bereich großer Photonenenergien (kurze Wellenlängen) dominiert das Quan-
 Seite 160

318 6.2 Kenngrößen optischer Sensoren 6.2 Kenngrößen optischer Sensoren 319

Das Verhältnis von Rauschspannung zu spektraler Empfindlichkeit wird auch als äqui-
valente Rauschleistung (NEP aus noise equivalent power) bezeichnet:

Diese Bezeichnung wird unmittelbar aus der Beziehung (9) verständlich: UN/RλU ent-
spricht gerade der Strahlungsleistung Pmin, bei der die Sensorspannung Usens gleich
der Rauschspannung UN ist, d.h.

Häufig wird ein meßtechnisch begründeter Faktor 1/√

2 hinzugefügt. Nach (17) be-
kommt insgesamt die Detektivität die Form

Bild 6.2-4 a) Wellenlängenabhängigkeit der spektralen Detektivität optischer Halbleitersen-

soren (nach [6.5]). Sensoren, die als Photodioden aufgebaut sind, werden gekenn-
Die Bilder 6.2-4, sowie die Tabellen 6.2-1 und 2 zeigen einen Vergleich der spektralen zeichnet mit PD, alle anderen Sensoren werden als Photoleiter betrieben.
Nachweisvermögen und anderer optischer Kenngrößen verschiedener Bei der großen Vielzahl von Werkstoffen, die im Wellenlängenbereich der In-
frarotstrahlung eingesetzt werden können, haben zum gegenwärtigen Zeitpunkt
Halbleitersensoren. das Cadmium-Quecksilbertellurid CdHgTe und dotiertes Silizium die größte
technische Bedeutung. Von besonderem Interesse sind Sensoren mit einer hohen
Empfindlichkeit in einem Wellenlängenbereich, wo die Absorption in der Luftat-
mosphäre gering ist:
b) Durchlässigkeit T der Luftatmosphäre im Bereich infraroter Strahlung (nach
[6.6]). Von besonderer Bedeutung sind die Bänder zwischen 3 und 5 und 8 und 13
µm. In den dazwischenliegenden Bereichen tritt eine starke Lichtabsorption
auf, z.B. über Wassermoleküle.

Tab. 6.2-1 Kenndaten optischer Sensoren aus verschiedenen Halbleiterwerkstoffen

(nach [6.1])
 Seite 161

320 6.2 Kenngrößen optischer Sensoren 6.3 Thermische Photosensoren (Bolometer) 321

Tab. 6.2-2 Kenndaten optischer Halbleitersensoren in verschiedenen Bauelementtechniken

(nach [6.2])

Bild 6.2-5 Abkühlungsverfahren für optische Sensoren (nach [6.6]):

a) vierstufige thermoelektrische Kühler (Peltier-Effekt) erreichen 193 K in ca.
25 s mit einigen Watt Betriebsleistung
b) Joule-Thomson-Kühler werden aus Gasflaschen (die von einem Kompressor
kontinuierlich gefüllt werden können) mit hochkomprimiertem Gas (z.B. Argon)
betrieben, sie erreichen 80 K.
c) Stirling-Kältemaschinen werden mit Heliumgas betrieben, sie erreichen inzwi-
schen Temperaturen unterhalb von 50 K.
d) Für Laboraufbauten können Thermogefäße (Dewars) verwendet werden, die
mit flüssigem Stickstoff, Argon oder Helium gefüllt werden.

Aus den vorangegangenen Bildern und Tabellen geht hervor, daß verschiedene optische
Sensoren bei niedrigen Temperaturen weit unterhalb 0° Celsius betrieben werden
müssen, um brauchbare Sensoreigenschaften zu erhalten. Praktisch eingesetzte Kühl-
6.3 Thermische Photosensoren (Bolometer)
verfahren sind in Bild 6.2-5 zusammengestellt: Bei thermischen Photosensoren bewirkt die Absorption einer optischer Strahlungslei-
stung P eine Temperaturerhöhung, die ihrerseits charakteristische Meßgrößen des Sen-
 Seite 162

322 6.3 Thermische Photosensoren (Bolometer) 6.4 Photokathoden und -multiplier 323

sors, wie z.B. seinen Widerstand, ändert. Dabei kann die Energieaufnahme durch die Er- Bei Bolometern mit Thermoelementen werden Werkstoffkombinationen mit hoher
zeugung Joulescher Wärme (Band 11, Abschnitt 1.1.6) erfolgen, aber auch aufgrund an- Thermospannung (Abschnitt 3.2.2) bevorzugt. Die Optimierung auf Empfindlichkeit
derer Mechanismen, wie z.B. dadurch, daß optisch angeregte Elektronen nichtstrah- ergibt Werte von 5 bis 25 V/W bei Ansprechzeiten von 10 bis 100 ms. Die Verwen-
lend rekombinieren, indem sie ihre Energie an das Festkörpergitter abgeben. dung sehr dünner (0,1µm) Folien aus Silber und Wismut auf einem Berylliumsub-
Die zeitliche Änderung der Temperatur T bei Aufnahme der Strahlungsleistung P strat hoher Wärmeleitung führt zwar zu niedrigen Empfindlichkeiten (5·10-4V/W),
wird durch die bereits (3.3.4-11) behandelte Differentialgleichung mit der Lösung aber Ansprechzeiten mit weniger als 15ns [6.7]. Ein empfindlicher Sensor mit Halb-
(3.3.4-12) beschrieben: leiter-Thermoelementen wurde in Bild 3.2.2-2 beschrieben.
In resistiven Bolometern werden vor allem Werkstoffe mit besonders großem TCR
eingesetzt. Hierfür eignen sich Heiß- und Kaltleiter (Abschnitt 3.3.4), die sich auf relativ
einfache Weise (Sintertechnik) mit geringen Wärmekapazitäten herstellen lassen. Noch
weit höhere Temperaturkoeffizienten und damit Sensorempfindlichkeiten ergeben sich
in der Umgebung der Sprungtemperatur vom supra- in den normalleitenden Zustand von
Supraleitern (Band 1, Bild 4.2.1-9), diese erfordern aber eine Kühlung auf sehr niedrige
Temperaturen. Die Anwendung keramischer Hochtemperatursupraleiter (Band 1, Bild
4.2.1-12) wird in der Zukunft den Meßaufwand bei supraleitenden Bolometern wesent-
lich vereinfachen, Sensorempfindlichkeiten von 103V/W sind bereits berichtet wor-
den [6.8].

Dabei bezeichnet Tu die Umgebungstemperatur, Gth=1/Rth ist der Wärmeableitungs- Neben einer Vielzahl weiterer spezieller Ausführungsformen sei hier der Putley-De-
koeffizient, Cth die Wärmekapazität und τth die thermische Zeitkonstante. Schnelle tektor erwähnt: Bei sehr niedrigen Temperaturen (4K) führt in Indiumantimonid die
thermische Sensoren erfordern also nach (2b) niedrige Wärmekapazitäten (z.B. durch Absorption thermischer Energie zur Bildung angeregter (heißer) Elektronen im Lei-
Verwendung sehr kleiner oder dünner Sensoren) und hohe Wärmeableitungskoeffizien- tungsband, deren Leitfähigkeit auf diese Weise vergrößert wird. Hierdurch erhält man
ten (Verwendung stark wärmeleitender Substrate). Große Temperaturerhöhungen und eine quadratische Abweichung vom ohmschen Gesetz [6.2]:
damit große Empfindlichkeiten lassen sich hingegen nach (2a) mit kleinen Wärmeablei-
tungskoeffizienten erzeugen, so daß bei thermischen Photosensoren ein Kompromiß
zwischen Empfindlichkeit und Ansprechzeit gefunden werden muß. die sich gezielt auswerten läßt. Der Einsatzbereich dieser Sensoren liegt bevorzugt ober-
halb von 100µm Wellenlänge.
Die Messung (Auslesung) der Temperaturerhöhung ist besonders empfindlich bei
Sensoren mit einer Ausgangsgröße x, die mit einem hohen Temperaturkoeffizienten
nach (3.1-2)

verbunden ist. Charakteristisch für thermische Sensoren ist eine wellenlängenunab- 6.4 Photokathoden und -multiplier
hängige Empfindlichkeit (thermischer Zähler in Bild 6.2-2). Sie werden bevorzugt in Bei Photozellen wird der in Bild 6.1-2b beschriebene äußere Photoeffekt ausgenutzt
solchen Wellenlängenbereichen eingesetzt, in denen der Aufbau geeigneter Quanten- (Bild 6.4-1).
detektoren (die im allgemeinen empfindlicher sind) einen zu großen Aufwand erfordert
Eine Photoemission in das Vakuum wird dadurch erreicht, daß die Elektronen im Werk-
oder praktisch kaum durchführbar ist, z.B. im Bereich des fernen Infrarotlichts oder der
stoff der Photokathode durch eine Absorption der Photonenenergie so stark angeregt
Submillimeterwellen.
werden, daß sie anschließend ein Energieniveau oberhalb der Vakuumenergie be-
Zu den thermischen Sensoren zählen auch die im Abschnitt 3.5 behandelten pyro- setzen (Bild 6.4-2).
elektrischen Sensoren. Weitere Ausführungsformen ergeben sich bei Anwendung von
Thermoelementen, sowie generell von temperaturabhängigen Widerständen. Durch eine starke Absenkung der Vakuumenergie an der Oberfläche kann bei NEA-
Kathoden (Bild 6.4-2d) erreicht werden, daß im Prinzip alle optisch generierten Lei-
 Seite 163

324 6.4 Photokathoden und -multiplier 6.4 Photokathoden und -multiplier 325

tungsbandelektronen, welche die Oberfläche erreichen, den Festkörper verlassen und in

das Vakuum austreten können. Die Herstellung dieser Kathoden erfordert die Ausbil-
dung von stark n-dotierten Schichten an der Halbleiteroberfläche: Dieses läßt sich tech-
nologisch durch Abscheidung sehr dünner Cs- oder Cs2O-Oberflächenschichten rea-
lisieren. Tab. 6.4-1 zeigt die Eigenschaften verschiedener Photokathodenwerkstoffe,
Bild 6.4-3 die Abhängigkeit des Quantenwirkungsgrades verschiedener Photokathoden
von der Wellenlänge der optischen Strahlung.

Bild 6.4-1 Prinzip der Photozelle: Bei optischer Bestrahlung der Photokathode in einer Va-
kuumröhre werden Elektronen emittiert, die elektrostatisch von einer Anode angezo- Bild 6.4-2 Photoemission von Elektronen aus unterschiedlich aufgebauten Photokathoden:
gen werden. Der Anodenstrom ist ein Maß für die pro Zeiteinheit erzeugte Anzahl der Durch Absorption eines Photons mit einer Energie, die größer ist als die Elektrone-
Elektronen. Die spektrale Empfindlichkeit der Photokathode ist proportional zur naffinität |qχ|, werden Elektronen auf ein Energieniveau oberhalb der Vakuume-
Quantenausbeute η für die Photoemission bei der entsprechenden Wellenlänge. nergie angehoben und können dann den Festkörper verlassen.
a) Photoemission aus einem Metall
b) Photoemission aus einem Halbleiter
Tab. 6.4-1 Eigenschaften verschiedener Werkstoffe für Photokathoden (nach [6.4]) c) Absenkung der Vakuumenergie an der Oberfläche eines p-Halbleiters durch
Elektronenanreicherung oder Abschwächung (Kompensation) der p-Dotierung:
Die wirksame Elektronenaffinität |qχeff| wird im Vergleich zu b) verkleinert,
es gilt aber weiterhin |qχeff | = Wvak (Oberfläche)-WL (Halbleitervolumen) > 0.
d) Absenkung der Vakuumenergie an der Oberfläche eines p-Halbleiters durch
Inversion oder Umdotierung auf n-Leitfähigkeit: Jetzt gilt Wvak (Oberfläche)-
WL (Halbleitervolumen) < 0, diesem Zustand wird eine negative Elektronen-
affinität |q|χeff zugeordnet (NEA-Kathode).

Um die Dunkelströme niedrig zu halten, werden ausschließlich p-Halbleiter mit niedri-

gen Gleichgewichts-Elektronenkonzentrationen eingesetzt. Photokathoden können
sehr kurze Ansprechzeiten haben und sind einsetzbar für Frequenzen bis hin zu 10 GHz.
Der aus Photokathoden emittierte Elektronenstrom kann verstärkt werden, wenn eine
Kette von Sekundärelektronenmultipliern oder -vervielfachern (die entsprechen-
den Elektroden heißen Dynoden) angeschlossen wird (Bild 6.4-4).
 Seite 164

326 6.4 Photokathoden und -multiplier 6.5 Photoleiter 327

6.5 Photoleiter
Photoleiter sind elektrische Widerstände, deren Wert durch optische Bestrahlung verän-
dert und damit zur Messung der Bestrahlungsstärke herangezogen werden kann. Beson-
ders große relative Empfindlichkeiten ergeben sich bei Verwendung von niedrigdotier-
ten Halbleitern als Widerstandswerkstoffe, die im folgenden ausführlich behandelt wer-
den. Die Berechnungen erfolgen ohne Beschränkung der Allgemeinheit für einen n-
Halbleiter (Bild 6.5-1)

Bild 6.4-3 Abhängigkeit der Quantenausbeute η verschiedener Werkstoffe für Photokatho-

den von der Wellenlänge der einfallenden Strahlung (nach [6.9])

Bild 6.5.-1: Photoleiter

a) Ein gleichmäßig dotierter n-Halbleiter wird homogen optisch bestrahlt, so daß
im aktiven Gebiet des Sensors eine konstante Überschußkonzentration von Elek-
tron-Loch-Paaren erzeugt wird. Die relative Änderung der Majoritätsträgerdichte
(Elektronen) ist dann viel kleiner als die der Minoritätsträgerdichte (Löcher).
Bild 6.4-4 Verstärkung des Stroms aus Photokathoden durch Sekundärelektronenvervielfa- b) Zeitliche Abhängigkeit der Löcherkonzentration: Wird bei t = 0 eine optische
chung (Photomultiplier): Die emittierten Elektronen werden in einem elektrischen Bestrahlung konstanter Intensität (d.h. konstanter Generationsrate G) eingeschal-
Spannungsfeld auf eine kinetische Energie der Größe We beschleunigt und treffen tet, dann steigt die Minoritätsträgerdichte innerhalb eines Zeitraums der Größen-
damit auf eine Dynode auf. Dort geben sie ihre Energie ab durch Erzeugung von ordnung τp (Minoritätsträgerlebensdauer) auf den stationären Gleichgewichts-
Sekundärelektroden, die ihrerseits die Dynode verlassen und weiter beschleunigt wert ρpo+ Gpτp an. Beim Abschalten der Bestrahlung bei t1 geht sie innerhalb
werden. derselben Zeitspanne auf den Wert ρpo zurück.
a) zwei Ausführungen von Photovervielfachern (nach [6.4])
b) Abhängigkeit der Sekundärelektronenmultiplikation (Multiplikationsfaktor
Ms) von der Energie We bei einer Beschichtung der Reflexionsdynoden mit Die quantitative Behandlung der Photoleitung erfolgt durch Lösung der Kontinuitäts-
verschiedenen Werkstoffen (nach [6.4]). gleichungen (Band 2, Abschnitt 6.3, Band 11, Abschnitt 1.1.2), welche für Elektronen
 Seite 165

328 6.5 Photoleiter 6.5 Photoleiter 329

und Löcher die allgemeine Form haben:

Die Anzahl ∂ Nsens /∂

t der durch Lichtabsorption in einem Photoleiter der Fläche A =
Dabei sind Gn und Gp die bereits im Abschnitt 6.1 verwendeten Generationsraten für b · l pro Zeit erzeugten Elektron-Loch-Paare ist nach (6.2-6):
optisch erzeugte Elektronen und Löcher, τn und τp die entsprechenden Trägerlebens-
dauern. Entlang der aktiven Fläche des Photoleiters in Bild 6.5-1a ergibt sich keine Orts-
abhängigkeit der Ladungsträgerdichten ρn und ρp sowie der elektrischen Feldstärke,
so daß sich die Gleichung (1b) für Minoritätsträger in n-Halbleitern (Löcher) redu- so daß sich die Generationsrate GN der Elektron-Lochpaare – ausgedrückt durch die
ziert auf: Leistungsdichte σP der optischen Strahlung – bestimmen läßt über (d = Dicke des
Photoleiters):

Dabei haben wir die Löcherkonzentration in einen konstanten Gleichgewichtswert ρpo Andererseits ergibt sich eine Darstellung der Generationsrate GN für Elektron-Loch-
und einen durch die Elektron-Loch-Paare erzeugten zeitabhängigen Überschußwert ∆ρp
paare aus (3), im zeitlich eingeschwungenen (stationären) Zustand (t1>t >> τp) folgt
aufgeteilt. Als Einschaltverhalten gemäß den Randbedingungen in Bild 6.5-1b ergibt
nämlich:
sich als typische Lösung der Kontinuitätsgleichung unter diesen Voraussetzungen
(Band 11, Anhang):
da die Lebensdauer der Elektronen-Loch-Paare der Minoritätsträgerlebensdauer τp
entspricht. Wir betrachten jetzt den Stromfluß durch den Photoleiter, bezogen auf den
Leiterquerschnitt b · d: Die Änderung der Stromdichte ∆j ist dann nach (Band 2, Ab-
Nach einer Einschwingzeit in der Größenordnung von τp wird eine zeitlich konstante schnitt 4.3.2, σ nsp und σ psp sind die spezifischen Widerstände für Elektronen und
Löcher-Überschußkonzentration Gpτp erreicht. Dieses Verhalten läßt sich anschau- Löcher):
lich erklären: Die Rekombinationsrate U nimmt mit steigender Überschuß-Ladungs-
trägerkonzentration zu. Bis zum Erreichen des stationären Gleichgewichts steigt daher
die Überschuß-Ladungsträgerkonzentration so lange an, bis die dazugehörige Rekom-
Für die Driftgeschwindigkeiten (= Länge l des Photoleiters, geteilt durch die Lauf-
binationsrate gerade denselben Wert wie die Generationsrate erreicht hat.
oder Transitzeiten t ntr und t ptr von Elektronen und Löchern) gilt mit Band 2, (4.3.3-
Nach Abschalten der optischen Bestrahlung bei t = t1 wird die Generationsrate Gp = 0. In
diesem Falle reduziert sich die Kontinuitätsgleichung (2) auf die Beziehung 1):
 Seite 166

330 6.5 Photoleiter 6.5 Photoleiter 331

ttr ist eine zusammengesetzte Transitzeit; bei Ladungsträgern unterschiedlicher Be-

weglichkeit wird sie im wesentlichen festgelegt durch die Transitzeit der schnelleren
(beweglicheren) Ladungsträgersorte. Das Einsetzen von (6) und (9) in (8) erbringt:
Empfindliche Photoleiter haben daher große Minoritätsträgerlebensdauern, dafür müs-
sen aber hohe Zeitkonstanten, d.h. eine geringe Bandbreite der Frequenz, in Kauf ge-
nommen werden.
Als spektrale Empfindlichkeit des Photoleiters gemäß der Definition (6.2-5) ergibt sich
Häufig geht man von den flächenbezogenen Größen auf die absoluten über:

d.h. die Charakteristik eines idealen Quantenzählers gemäß Bild 6.2-2. Die spektrale
Empfindlichkeit bezüglich der Spannungsänderung bei konstantem Strom über dem
d.h. die geometrischen Größen des Photoleiters fallen heraus. Würde jedes Elektron- Photoleiter folgt einfach aus
Loch-Paar genau einen Ladungsträger erzeugen, welcher der Photoleitung über die
gesamte Länge l zur Verfügung steht, dann wäre die Änderung des Photostroms gleich
der Elektronenladung, multipliziert mit der Anzahl der pro Zeit erzeugten Ladungsträ-
ger, also mit (5): Beim Übergang auf eine zeitlich periodische Bestrahlung können wir das Ergebnis aus
Band 2, Abschnitt 6.3, übernehmen: die Form der Kontinuitätsgleichung bleibt im
Wechselstromfall erhalten, wenn wir die Minoritätsträgerlebensdauer τp ersetzen
durch die komplexe Größe (ω = Kreisfrequenz der periodischen Anregung)
Das Verhältnis von Minoritätsträgerlebensdauer zur Transitzeit hat also die Bedeutung
eines Verstärkungs- oder Multiplikationsfaktors Mo:

Aus (16) folgt daraus für die spektrale Empfindlichkeit im Wechselstromfall:

Dieser hängt bei Anliegen elektrischer Felder unterhalb der Sättigungsfeldstärke von
der wirkenden Spannung U ab. Aus (9) folgt:

Tab. 6.5-1 zeigt die Kenndaten wichtiger photoleitender Sensoren.

Bei großen elektrischen Feldstärken oberhalb des Sättigungswertes geht die Driftge- Tab. 6.5-1 Kenndaten von Ausführungen wichtiger photoleitender Sensoren (nach [6.2])
schwindigkeit nach Band 2, Bild 4.3.3-5, in eine Sättigungsgeschwindigkeit vs über,
die in der Größenordnung von 107 cm/s liegt. Damit folgt aus (13):
 Seite 167

332 6.5 Photoleiter 6.5 Photoleiter 333

Bild 6.5-2 Spektrale Empfindlichkeit verschiedener Bleisalze (Blei-Halbleiterverbindungen),

die als Photoleiter eingesetzt werden können (nach [3.39, 6.1])

Bemerkenswert ist die große Empfindlichkeit photoleitender Sensoren aus vielen Halb-
leiterverbindungen, die natürlich durchweg mit großen Ansprechzeiten verknüpft ist.
Industrielle Bedeutung haben insbesondere Photoleiter aus Kadmiumverbindungen
(Bild 6.5-2 und 3), mit weitverbreiteten Anwendungsmöglichkeiten als preiswerte Sen-
soren für die Flammenüberwachung in Heizanlagen, als Belichtungsmesser in der Pho-
tographie, und bei vielfältigen Kontrollaufgaben in der Industrie und
Umweltüberwachung.
 Seite 168

334 6.5 Photoleiter 6.5 Photoleiter 335

Bild 6.5-3 Aufbau und Kennlinie eines Kadmiumsulfid-Photowiderstands (nach [3.39])

Photoleitende Sensoren werden häufig eingesetzt, wenn aus übergeordneten Gesichts-

punkten Werkstoffe (z.B. einem kleinen Bandabstand bei Infrarotsensoren) verwendet
werden müssen, die technologisch noch zu wenig beherrscht werden, um die wirtschaft-
liche Fertigung höherentwickelte Bauelemente (z.B. mit pn-Übergängen) zu ermögli-
chen. Einige Beispiele für solche Werkstoffe sind in Tab. 6.5-1 zu finden.
Eine überragende Bedeutung haben Mischkristalle der Legierungen Quecksilber-Tellu-
rid (HgTe) und Kadmiumtellurid (CdTe), bei denen sich über die Zusammensetzung die
Breite der Bandlücke kontinuierlich – bis zur Bandlücke Null – einstellen läßt (Bild 6.5-
4).

Bild 6.5-5 Photoleitende Infrarotsensoren aus Hg1-xCdxTe (nach [6.1]):

I.) Ausschnitt aus einer Sensorzeile
II.)Fertigung von Sensorzeilen mit dem Aufbau wie in I.):
Bild 6.5-4 Größe der Bandlücke von Mischkristallen der Legierungen HgTe und CdTe in a) Ausgegangen wird von einem Hg1-xCdxTe-Kristall, der auf ein Saphirsub-
Abhängigkeit von der Zusammensetzung (nach [6.1]) strat aufgeklebt wird (b). Anschließend wird der Hg1-xCdxTe-Kristall durch
Ätzen in die Form (c) strukturiert. Die Metallisierung erfolgt auf den schraffierten
Gebieten in (d). Die Sensorflächen zwischen den Metallkontakten werden
Mit solchen Legierungen lassen sich Infrarotsensoren herstellen, deren maximale schließlich mit einer durchsichtigen Passivierung geschützt.
Empfindlichkeit im Bereich sehr langer Wellenlängen – also im tiefen Infraroten – lie-
gen kann. Die Herstellung vieler Sensoren in eindimensionalen oder zweidimensiona- Um mit einer Sensorzeile wie in Bild 6.5-5 ein zweidimensionales Bild aufnehmen zu
len Anordnungen (Arrays) erlaubt die Aufnahme von Infrarotbildern. Bild 6.5-5/I. können, muß die optische Abbildung des Aufnahmeobjektes über der Zeile hin- und her-
zeigt einen Ausschnitt aus einer Zeile von Photoleitern, Bild 6.5-5/II. die entsprechende geführt (gescannt) werden (Bild 6.5-6). Ein Verfahren zur seriellen Auslesung der
Fertigungstechnologie. Zeileninformation mit Integration der optisch generierten Ladungsträger bei einer
Scan-Richtung entlang der Zeile (Sprite-Detektor) wird in Bild 6.5-7 beschrieben.
Beim heutigen Stand der Technik können mit großem Aufwand und relativ geringer Fer-
 Seite 169

336 6.5 Photoleiter 6.5 Photoleiter 337

tigungsausbeute auch aktive Infrarotbauelemente, insbesondere Infrarot-CCDs (Ab-

schnitt 6.7), aus dem Werkstoff Hg1-xCdxTe hergestellt werden. Ein günstigeres
Preis-Leistungsverhältnis ergibt sich allerdings bei Verwendung von dotiertem Silizi-
um als Ausgangswerkstoff.

Bild 6.5-7 Sprite(signal processing in the element)-Sensorelement (nach [6.6])

a) Prinzip: Die Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger wird durch Vorgabe der
elektrischen Feldstärke genauso groß eingestellt wie die Scangeschwindigkeit.
Auf diese Weise belichtet derselbe Bildpunkt über die gesamte Driftzeit denjeni-
gen Bereich im Photoleiter, der diesem Bildpunkt zugeordnet wird. Am Ort der
Auslesung wird daher das über die Driftzeit integrierte Photosignal abgeführt.
b) Ausführung eines 8-Element SPRITE-Arrays.

Bild 6.5-6 Erzeugung zweidimensionaler Abbildungen mit Hilfe von Zeilensensoren (nach
[6.6]):
Das Infrarotbild wird mit einem doppelt halbdurchsichtig verspiegelten Glas zei-
lenförmig über die Sensorzeile hinweggeführt. Das verstärkte Sensorsignal steuert
eine Zeile von Leuchtdioden (LEDs) an. Bei der dargestellte Anordnung kann der Be-
trachter gleichzeitig das Originalbild und das verstärkte Infrarotbild betrachten.
6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren
6.6.1 pn-Photodioden
Bei den Photoleitern wird ein erheblicher Anteil der Energie der absorbierten optischen
Strahlung für die Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren aufgewendet (das ist ein alter-
nativer Prozeß zur Erzeugung unmittelbarer Joulescher Wärme z.B. durch Anregung ei-
ner vergrößerten Wärmebewegung von Elektronen und Gitteratomen). Auf beide La-
 Seite 170

338 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 6.6.1 pn-Photodioden 339

dungsträgersorten wirken die chemischen Kräfte (Band 2, 4.3.2-4 und 5):

Die physikalischen Ursachen für das Auftreten von Kräften können sehr unterschiedlich
sein. Liegen keine Konzentrationsgradienten (homogener Halbleiter) vor, dann redu-
zieren sich (1) und (2) bei Verwendung der elektrischen Feldstärke E nach Band 2,
Gleichung 4.3.2-8, auf

Bild 6.6.1-1 Entstehung einer Photospannung bei optischer Bestrahlung des pn-Übergangs (Bänder-
modell s. Band 2, Bild 5.2.2-2): In der Raumladungszone möge – z.B. durch Absorpti-
on optischer Strahlung – ein Elektron-Loch-Paar gebildet werden, das durch Einwirkung
des elektrischen Feldes (Konsequenz der Bandverbiegung) getrennt wird. Das Elektron
bewegt sich in das n-Gebiet, das Loch in das p-Gebiet. Auf diese Weise verkleinert
Die chemische Kraft wirkt auf Elektronen und Löcher zwar mit dem gleichen Betrag, sich auf beiden Seiten des pn-Übergangs die Breite und Ladung der Raumladungszone.
Die Integration der Poissongleichung (s. Band 2, Abschnitt 5.2.2) ergibt dann eine Abnah-
aber – wegen des unterschiedlichen Vorzeichens der Ladung – in entgegengesetzter me der elektrischen Feldstärke und damit der Barrierenhöhe im Bändermodell. Da außer-
Richtung: Die Elektronen-Lochpaare werden damit durch ein vorhandenes elektrisches halb der Raumladungszone der energetische Abstand zwischen den Bandkanten und den
Feld E elektrostatisch auseinandergezogen, d.h. die Ladungsträger voneinander ge- Fermienergien durch die Dotierung festgelegt ist, stellt sich als Konsequenz der Elektron-
trennt. Loch-Paarbildung eine Verschiebung der Fermienergien von p- und n-Material gegenein-
ander ein: Es entsteht – wie beim Thermoelement, wenn auch aus grundsätzlich verschie-
Das Auftreten von elektrischen Feldern in (3) und (4) ist bei homogenen Halbleitern mit denen Ursachen – eine von außen meßbare Spannung (EMK, s. Anhang C1), d.h. es liegt
einem Gradienten der Fermienergie verbunden, d.h. am Bauelement liegt eine äußere ein spannungserzeugender (galvanischer) Effekt vor (Prinzip der Solarzelle). In den
Spannung an, so daß – bei hinreichend großer Ladungsträgerbeweglichkeit – ein elek- Darstellungen sind die Größen ohne (durchgezogen) und nach (gestrichelt) der Erzeu-
trischer Strom fließt. gung und Trennung von Elektron-Lochpaaren graphisch dargestellt:
a) Ortsabhängigkeit der Raumladungen (ρD und ρA sind die Konzentrationen der
Auch bei Abwesenheit von Gradienten der Fermienergie, d.h. im stromlosen Fall, kön- Donatoren und Akzeptoren im n- und p-Halbleiter)
nen elektrische Felder erzeugt werden, wenn gleichzeitig Gradienten der Ladungsträ- b) Ortsabhängigkeit der elektrischen Feldstärke E
gerdichten (inhomogener Halbleiter) vorliegen. Aus den allgemeineren Gleichungen c) Ortsabhängigkeit des elektrischen Potentials ϕ
(1) und (2) folgt dann: d) Bändermodell

Dieser Fall ist beispielsweise bei einem pn-Übergang realisiert, der durch Elektronen-
übergänge vom n- in das p-Gebiet nach Band 2, Bild 5.2.2-1 (z.B. durch einen äußeren
elektrischen Kurzschluß beider Seiten), in ein thermischen Gleichgewicht gebracht
worden ist (Bild 6.6.1-1).
Werden nun innerhalb der Raumladungzone Elektronen-Loch-Paare erzeugt (oder ge-
langen diese von außerhalb in die Raumladungszone) und durch Einwirkung des elektri-
schen Feldes voneinander getrennt, dann verändert sich die Größe der Raumladungen
 Seite 171

340 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 6.6.1 pn-Photodioden 341

auf beiden Seiten des pn-Übergangs. Wie aus Bild 6.6.1-1 zu erkennen, ist die Konse-
quenz eine Verschiebung der (im thermischen Gleichgewicht auf gleicher Höhe liegen-
den) Fermienergien der Halbleiterbereiche gegeneinander, also die Generation einer
von außen meßbaren elektrischen Spannung (photovoltaischer Effekt). Dieses ist ein
Spezialfall einer viel allgemeineren Aussage, die durch Integration der Poissonglei-
chung in einfacher Weise bewiesen werden kann (Anhang C1): Werden zwei Systeme
durch eine elektrische Ladungsdoppel- oder Dipolschicht voneinander getrennt,
dann bewirkt eine Veränderung der Ladungen auf beiden Seiten der Schicht eine
Verschiebung der Fermienergien der Systeme gegeneinander. Hierdurch können
z.B. zwei ursprünglich nicht im Gleichgewicht befindlichen Systeme (mit unterschiedli-
chen Fermienergien) in ein Gleichgewicht (mit gleichen Fermienergien) gebracht wer-
den (Band 1, Abschnitt 2.8.3). Alternativ dazu kann ein System aus dem Gleichge-
wichtszustand in einen Nichtgleichgewichtszustand mit unterschiedlichen Fermiener- Bild 6.6.1-3 Zur Berechnung der spektralen Empfindlichkeit der Photodiode gehen wir aus
von einem pn-Übergang, auf den eine optische Strahlung mit der Leistung P(0) senk-
gien überführt werden, wenn es gelingt, durch einen äußeren Einfluß die Ladung der Di-
recht auftrifft. Die Raumladungszone des pn-Übergangs möge zwischen den Flächen
polschicht zu verändern. Hieraus kann eines der allgemeinen Prinzipien zur Generation bei x =xp und x = xp + dn + dp liegen. Auch Elektron-Lochpaare, die außerhalb der
einer elektromotorischen Kraft (EMK = Differenz der Fermienergien bei gleicher Tem- Raumladungszone generiert werden, tragen zum Photostrom bei, sofern die Genera-
peratur) abgeleitet werden. Auch die Spannungserzeugung über den piezo- und pyroe- tion in einem Abstand von der Raumladungszone erfolgt, der nicht mehr als die mitt-
lektrischen Effekt (Abschnitte 3.5 und 4.2.1), bei dem Oberflächenladungen (die zusam- leren Diffusionslängen Ln und Lp beträgt. Damit beträgt die Dicke der optisch ak-
tiven Schicht insgesamt d = dn+ dp + Ln + Lp.
mengenommen als Dipolschicht betrachtet werden können) durch einen Temperatur-
gradienten oder eine mechanische Spannung verändert werden, fällt in dieselbe Katego-
rie. Zur Berechnung der spektralen Empfindlichkeit gehen wir aus von einem Aufbau der
Photodiode wie in Bild 6.6.1-3.
Beim photovoltaischen Effekt ergibt sich die maximale generierbare äußere Spannung
durch die Flachbandbedingung: In diesem Fall verschwindet das elektrische Feld, so Innerhalb der optisch aktiven Schicht mit der Dicke d hat die Generationsrate GN
daß keine Ladungstrennung mehr erfolgt (Bild 6.6.1-2). (= Anzahl der erzeugten Elektron-Lochpaare pro Zeit und Volumen) nach (6.5-6) den
Wert:

Jedes erzeugte Elektron-Lochpaar soll mit einer Elektronenladung zum Photostrom

IL in x-Richtung beitragen, d.h. die aus dem Absorptionsgebiet pro Zeit herausflie-
ßende Ladungsmenge (= IL) ist wie in (6.5-12):

Bild 6.6.1-2 Maximale Photospannung Umax: Bei Erzeugung und Trennung einer hinreichend
großen Anzahl von Elektron-Lochpaaren in Bild 6.6.1-1 wird die Raumladung
schließlich vollständig kompensiert, d.h. die Bandkanten werden so weit gegenein-
ander verschoben, bis der oben dargestellte Flachbandfall (s. auch Band 2, Bild 5.2.2- wenn wir die Leistungsdichte σP durch die Strahlungsleistung P ersetzen. Damit er-
1) angenommen wird. In diesem Fall verschwindet das elektrische Feld am pn-Über- gibt sich nach (6.2-9) die spektrale Empfindlichkeit
gang, so daß die erzeugten Elektron-Lochpaare nicht mehr getrennt werden können.
Die maximale Photospannung Umax ergibt sich damit aus der Differenz der Fer-
mienergien für den Flachbandfall, sie entspricht also der Flachbandspannung UaFB.
 Seite 172

342 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 6.6.1 pn-Photodioden 343

Das ist nach (6.5-16) derselbe Wert wie für eine Photoleiter mit Mo = 1, da in beiden
Fällen der Strom durch die optisch erzeugten Elektron-Lochpaare getragen wird. Die
Photodioden weisen also keinen Multiplikationsfaktor auf. Daher sind sie bei einem
Aufbau wie in Bild 6.6.1-3 unempfindlicher als viele Photoleiter, entsprechend können
sie aber auch kürzere Ansprechzeiten haben.
Im folgenden soll die geometrisch bestimmte Quantenausbeute ηgeom für die Photo-
diode berechnet werden. Dabei setzen wir zunächst voraus, daß jedes absorbierte Licht-
quant ein Elektron-Lochpaar erzeugt (werkstoffbedingter Quantenwirkungs-
grad 100%), müssen aber berücksichtigen, daß nur ein Teil der einfallenden Lichtquan-
ten in der optisch aktiven Zone absorbiert wird [6.4]. Wir gehen aus von (6.1-28) und er-
halten für die absoluten (nicht flächenbezogenen) Größen:

In Bild 6.6.1-3 wird also zwischen x = xp– Ln und x = xp + d die folgende Leistung Bild 6.6.1-4 Quantenwirkungsgrade einiger Photodetektoren (nach [6.1])
in eine Elektronen-Lochpaarerzeugung umgewandelt:

Die in den Halbleiter eindringende Strahlungsleistung ergibt sich aus der insgesamt ein-
gestrahlten nach Abzug der reflektierten (Korrektur über den Reflexionskoeffizienten
R, s. Band 11, Abschnitt 3.3), so daß insgesamt gilt

Diese geometriebedingten Quantenwirkungsgrade müssen im allgemeinen Fall mit den

werkstoffbedingten multipliziert werden, Bild 6.6.1-4 zeigt die letzteren für verschie-
dene Werkstoffe. Die photoelektrisch erzeugten Ströme werden belastet durch die Dun-
kelströme (Bild 6.6.1-5).

Bild 6.6.1-5 Typische Dunkelströme von pn-Übergängen aus verschiedenen Halbleiter-

materialien (nach [6.2])

In Bild 6.6.1-6 sind die Kenndaten von Silizium-Photodioden zusammengestellt.

 Seite 173

344 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 6.6.1 pn-Photodioden 345

Durch Verwendung spezieller Bauformen und Bauelementprinzipien lassen sich die Ei-
genschaften von Photodioden weiter verbessern. In der Raumladungszone wird der Be-
reich maximaler Feldstärke (mit maximal effizienter Ladungstrennung) durch Einlage-
rung einer intrinsischen (i-) Zone verbreitert, so daß eine pin-Diode (Bild 6.6.1-7,
Band 2, Abschnitt 9.3.4) entsteht. Hierdurch kann weiterhin der nutzbare Bereich der ab-
sorbierten Strahlung, d.h. der geometrisch bestimmte Quantenwirkungsgrad nach (8)
vergrößert werden.

Bild 6.6.1-7 pin-Photodioden (nach [3.3])

a) Aufbau der pin-Diode
b) Bändermodell bei Anlegen einer Sperrspannung: Eingezeichnet sind die Berei-
che für eine Driftbewegung (bei Anwesenheit eines elektrischen Feldes im Be-
reich der Bandverbiegung) und eine Diffusionsbewegung (kein elektrisches Feld,
d.h. flacher Bandverlauf) von Elektronen und Löchern
c) Ortsverlauf der optischen Strahlungsleistung
d) Ortsverlauf des elektrischen Feldes

In Bild 6.6.1-8 sind einige Kenndaten kommerzieller pin-Photodioden

Bild 6.6.1-6 Kenndaten von Silizium-Photodioden (nach [6.11]) zusammengestellt.
a) Spektrale Empfindlichkeit für verschiedene Standardreihen von Siliziumdio-
den, die sich in der Dotierung und geometrischer Struktur unterscheiden
b) Kenndaten für die Standardreihe -0 in a). Zur Vergrößerung des ladungstren-
nenden Feldes kann an die Dioden auch eine Sperrspannung angelegt werden, s. u.
 Seite 174

346 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 6.6.1 pn-Photodioden 347

Bild 6.6.1-9 zeigt die Wellenlängenabhängigkeit der Quantenausbeute schneller Photo-

dioden, die bei den technologisch gut beherrschten Halbleiterwerkstoffen häufig als pin-
Dioden ausgeführt werden; in Tab. 6.6.1-1 erfolgt ein Vergleich der Kenndaten.

Bild 6.6.1-9 Quantenausbeute schneller Photodioden in Abhängigkeit von der Wellenlänge

(nach [6.4]

Tab. 6.6.1-1 Kenndatenvergleich schneller Photodioden (nach [6.4])

In Bild 6.6.1-10 sind einige spezielle Ausführungsformen von Photodioden – meist opti-
miert auf eine Vergrößerung der Empfindlichkeit – zusammengestellt.
Bild 6.6.1-8 Kenndaten kommerzieller pin-Dioden (nach [3.48])
 Seite 175

348 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 6.6.1 pn-Photodioden 349

Bild 6.6.1-10 Spezielle Ausführungen von Photodioden

a) Dioden mit Mehrfachreflexion (nach [6.4]): Um die Empfindlichkeit der Dio-
de im Wellenlängenbereich mit geringer Absorption zu vergrößern, wird der
Laufweg der Strahlung in der i-Zone durch Reflexion vergrößert.
b) Seitliche Einstrahlung (nach [6.4]): Erfolgt eine Lichteinstrahlung wie in a),
dann können in einem Wellenlängenbereich mit starker Absorption die Verluste
in der obersten (in der Abbildung a) die n+-Schicht) groß werden. Dieser Ef-
fekt läßt sich durch seitliche Einstrahlung vermeiden.
c) Alternativ zu b) läßt sich die Oberflächenabsorption dadurch reduzieren, daß
man die Diode aus einem Halbleiter-Heteroübergang (Band 2, Abschnitt 5.2.3)
herstellt. Dabei ist der Bandabstand der obersten Schicht größer als der in der dar-
unterliegenden (c1), wo die gewünschte Strahlungsabsorption stattfindet. Die
Lichteinspeisung erfolgt bei Ausführung (c2) über eine Glasfaser (nach [6.4]).
d) Zweifarben-Sandwich-Detektoren (nach [3.3]): In einer Halbleiter-Hetero-
struktur werden zwei hintereinanderliegende Dioden hergestellt, wobei der Band-
abstand in den absorbierenden Zonen unterschiedlich ist. Das einfallende Licht
wird zunächst auf die Diode mit dem größeren Bandabstand geleitet: Dort wird
der kurzwellige Anteil des Lichts stärker absorbiert, während der längerwellige
Anteil die erste Diode nur wenig geschwächt durchläuft und durch die zweite hin-
tereinandergeschaltete Diode mit dem kleineren Bandabstand absorbiert wird.
e) Schottky-Photodioden (nach [3.3,6.2]): Sehr dünne Metallschichten können
optisch weitgehend transparent sein, so daß auch die Herstellung von Schottky-
Photodioden möglich wird. Bei diesen Bauelementen trägt auch eine Absorption
unmittelbar an der Oberfläche zum Photostrom bei. Naturgemäß (Band 2, Ab-
schnitt 9.2) haben Schottky-Photodioden eine besonders hohe Ansprechge-
schwindigkeit (z.B. größer als 25 GHz).
Bei Siliziumdioden lassen sich mit einer Silizidmetallisierung besonders niedrige
Schottkybarrieren erzeugen, so daß auch infrarotempfindliche Schottkydioden her-
gestellt werden können.

Eine weitere Möglichkeit, die Empfindlichkeit von Photodioden zu steigern, entsteht

durch die Anwendung des Lawinendurchbruchs (Band 2, Abschnitt 4.3.4): Oberhalb der
elektrischen Durchbruchfeldstärke erzeugen die Ladungsträger durch Stoßionisa
tion neue Elektron-Lochpaare und können damit den Strom beträchtlich verstärken
 Seite 176

350 6.6 Bipolare optische Halbleitersensore 6.6.2 Phototransistoren und -thyristoren 351

(großer Verstärkungs- oder Multiplikationsfaktor Mo). Photodioden, die nach diesem

Prinzip arbeiten, werden als Lawinenphotodioden oder APDs (avalanche photo di-
6.6.2 Phototransistoren und -thyristoren
odes) bezeichnet. Die Durchbruchfeldstärke läßt sich im Bereich maximaler Feldstärke
am pn-Übergang durch Anlegen hinreichend hoher Sperrspannungen erzeugen. Durch In Verbindung mit einer Transistorwirkung kann das Signal von Photodioden unmittel-
Einfügen spezieller Schichtfolgen läßt sich der Ort des Lawinendurchbruchs auch geo- bar verstärkt werden. Wird die Photodiode parallel zum Basis-Kollektorübergang des
metrisch festlegen (Bild 6.6.1-11). Tabelle 6.6.1-2 gibt die Leistungsdaten verschiede- Transistors geschaltet (Bild 6.6.2-1), dann erzeugt der Photostrom IL der Diode einen
ner Lawinen-Photodioden an. gleich großen Basisstrom, der nur dadurch aufrechterhalten werden kann, daß gleich-
zeitig ein um die β−Stromverstärkung (Band 2, Abschnitt 10.2.1) vergrößerter Kol-
lektorstrom fließt.

Bild 6.6.2-1 Aufbau eines Phototransistors: Eine Photodiode wird parallel zum Basis-Kollek-
torübergang eines bipolaren Transistors geschaltet. Bei Bestrahlung erzeugt sie einen
Photostrom IL, der wie ein Basisstrom bei Emitterschaltung wirkt, d.h. durch den
Transistor mit der Stromverstärkung β verstärkt wird.

Die Berechnung des Kollektorstrom erfolgt ähnlich wie die Berechnung des Kollektor-
Bild 6.6.1-11 Geometrische Festlegung des Orts für den Lawinendurchbruch im Bereich niedrig Emitterstroms bei offener Basis in Band 2, Abschnitt 10.2.1, es ergibt sich:
dotierter Schichten (nach [6.2])
a) Lawinenzone mit ansteigender Feldstärke
b) Lawinenzone mit konstanter Feldstärke: Durchgreifdiode (reach through
avalanche photo diode, RAPD)
Die spektrale Empfindlichkeit des Phototransistors ist damit
Tab. 6.6.1-2 Leistungsdaten von Lawinen-Photodioden (nach [6.4])

also relativ zur Photodiode um den Faktor der β-Stromverstärkung vergrößert (Mul-
tiplikationsfaktors Mo = β). Ein Aufbau des Phototransistors wie in Bild 6.6.2-1 kann
hybrid oder integriert (Band 1, Abschnitt 4.2.2) erfolgen. Bei einem Hybridaufbau kön-
nen die Photodiode und der Transistor unabhängig voneinander optimiert werden. Ein-
facher und kostengünstiger ist hingegen ein integrierter Aufbau wie in Bild 6.6.2-2: Die
Photodiode ist in den Transistor monolithisch integriert. Technologisch ist dieses in der
Siliziumtechnologie am einfachsten zu realisieren.
 Seite 177

352 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 6.6.2 Phototransistoren und -thyristoren 353

Bild 6.6.2-4 Kennlinienfeld eines Silizium-Phototransistors für verschiedene Beleuchtungs-

stärken (nach [3.39])

Als Kriterium für das Durchschalten eines Thyristors ergab sich in Band 2, Abschnitt
11.1, die Bedingung, daß die Summe zweier interner α-Stromverstärkungen den
Wert eins annehmen mußte. Durch den Einfluß einer optischen Bestrahlung kann diese
Bedingung bei niedrigeren Thyristorspannungen erreicht werden, d.h. die Schaltspan-
nungen für den Durchbruch des Thyristors (Band 2, Bild 11.1.-3) lassen sich in Abhän-
gigkeit von der optischen Bestrahlungsstärke gezielt absenken (optisches Triggern,
Bild 6.6.2-5c).

Bild 6.6.2-2 Integrierter Phototransistor: Die Photodiode in Bild 6.6.2-1 wird durch eine
vergrößerte Fläche des Basis-Kollektorübergangs erzeugt (nach [3.39]).

Die Bilder 6.6.2-3 und 4 zeigen das Ersatzschaltbild und die Kennlinie eines
Phototransistors.

Bild 6.6.2-3 Dynamisches Ersatzschaltbild eines Phototransistors (nach [6.2])

Bild 6.6.2-5 Photothyristor (nach [6.2])

a) Aufbau des Photothyristors
b) Ersatzschaltbild des Thyristors: Zwei-Transistor-Analogon nach Band 2, Bild
11.1-4, mit integrierter Photodiode
c) Kennlinie des Photothyristors für unterschiedlich starke Leistungen P einer
optischen Bestrahlung

Die Schaltung großer Stromstärken durch optische Zündung von Thyristoren hat in der
Starkstromtechnik an Bedeutung gewonnen. Dabei wird die technische Möglichkeit
ausgenutzt, daß über die hochisolierende Glasfaser optische Signale ohne zusätzlichen
Aufwand auch in Bereiche hoher elektrischer Spannungen geleitet werden können.
 Seite 178

354 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 6.6.3 Ortsauflösende bipolare Halbleitersensoren 355

6.6.3 Ortsauflösende bipolare Halbleitersensoren

Die bisher besprochenen optischen Sensoren konnten zwar die Anwesenheit und
Stärke einer optischen Strahlung detektieren, in nur eingeschränktem Maß aber den Ort,
an dem eine gebündelte Strahlung (z. B. aus LEDs oder Lasern) auftrifft (Ausnahme:
Sensorarrays wie in Abschnitt 6.5). Ein einfaches Verfahren hierfür läßt sich ableiten,
wenn die Größe einer Photospannung oder eines Photostroms monoton abhängt vom
Abstand zwischen dem Ort der Entstehung und der Lage vorgebener Spannungselektro-
den (Bild 6.6.3-1).

Bild 6.6.3-2 Signalauswertung bei einem linearen ortsauflösenden Sensor (nach [3.48]): Die
Auswertung erfolgt über die elektronisch gebildete Funktion (1)

Das Meßverfahren läßt sich auf zwei Dimensionen ausdehnen (Bild 6.6.3-3).

Bild 6.6.3-1 Ortsauflösende Messung einer punktförmigen Lichtquelle (LED, Laser, nach
[3.48]):
a) Fällt der Laserstrahl am Ort x einer langausgedehnten Photodiode auf, dann
entsteht dort die Photospannung. Bei einem Abgriff am Ort der Elektroden A und
B vermindert sich die Photospannung um den Wert des Spannungsabfalls über
der p-Schicht, entsprechend werden die dort gemessenen Ströme IA und IB ver-
kleinert.
b) Ersatzschaltbild von a):
Die Größe der Ströme IA und IB hängt ab von dem Verhältnis der Widerstände
RA und RB, die ihrerseits durch den Ort x festgelegt werden

Ein geeignetes Maß für den Ort der Lichtquelle ist die zusammengesetzte Funktion

die stark vom Ort x der Lichtquelle, weniger stark aber von der Bestrahlungsstärke der Bild 6.6.3-3 Zweidimensionale ortsauflösende Messung einer punktförmigen Lichtquelle
Lichtquelle und der Empfindlichkeit des Sensors abhängt. Die Funktion (1) läßt sich di- (nach [3.48])
rekt elektronisch erzeugen (Bild 6.6.3-2). a) Aufbau des Sensors (links) mit zwei Auswerteschaltungen analog zu Bild
6.6.3-2
b) Linearität der Positionsmessung.
 Seite 179

356 6.6 Bipolare optische Halbleitersensoren 357

Bei Verwendung von optisch hinreichend transparenten zweidimensionalen Sensoren

läßt sich sogar eine dreidimensionale Ortsauflösung erreichen (Bild 6.6.3-4).

Bild 6.6.3-4 Dreidimensionale Ortsauflösung (Bestimmung von Strahlrichtungen) mit zwei op-
tisch semitransparenten zweidimensionalen ortsauflösenden Sensoren (nach [6.12]).
Die Sensoren bestehen aus dünnen wasserstoffdotierten Polysiliziumschichten (a-
Si:H) mit einer optisch transparenten elektrisch gut leitenden Schottky-Metallisie-
rung (z.B. Indium-Zinnoxid – ITO)

Optische Sensoren, welche die ortsauflösende Messung punktförmiger Lichtquellen zu-

lassen, lassen sich für die Justierung von Strahlengängen, aber auch für abgewandelte
Meßverfahren, wie eine Vibrationsmessung (Bild 6.6.3-5), einsetzen.

Bild 6.6.3-5 Vibrationsmessung mit ortsauflösenden optischen Sensoren (nach [3.48])

 Seite 191

380 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.1 Erkennung chemischer Stoffe durch Sensoren 381

8 Chemische Sensoren

8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien

8.1.1 Erkennung chemischer Stoffe durch Sensoren
Nach den Definitionen in Abschnitt 1 enthält ein (bio-)chemischer Sensor ein stoff-
erkennendes Element und einen Transducer, der die Information über die Anwesen-
heit und Konzentration festgelegter chemischer Verbindungen in dem zu messenden
Medium in ein elektrisches Signal umwandelt. Stoffe, die mit (bio-)chemischen Senso-
ren erkannt werden, sind Atome, Ionen oder Moleküle in Gasen, Flüssigkeiten oder
Festkörpern. Häufig werden anstelle der Konzentrationen die Aktivitäten (s. Band 1,
Abschnitt 2.4) gemessen. Die zu messenden Stoffe werden dabei entweder selektiv
(z.B. Moleküle wie CO, NO2, CO2, CH4) oder summarisch (z.B. brennbare oder to-
xische Gase, organische Lösungsmittel, etc) erfaßt.
Eine spezifische Erkennung auf molekularer Basis kann z.B. in der (bio-)chemischen
Sensorik durch spezifische Schlüssel/Schloß-Wechselwirkungen erzielt werden, die
bekannt sind bei natürlichen biologischen Systemen (z.B. für die Identifizierung von
Geruch oder Geschmack über die Rezeptorproteine in Biomembranen der Zunge oder
der Nasenschleimhäute) und die neuerdings auch in Forschungsarbeiten mit synthetisch
hergestellten Werkstoffen angewendet werden. Typische Beispiele hierfür sind in Bild
8.1.1-l zusammengestellt.
Prinzipien der biologischen Detektion, Transduktion und Verstärkung werden in
Bild 8.1.1-1a beispielhaft charakterisiert durch die Bindung eines Effektormoleküls an
ein Rezeptorprotein R, das eine Konformationsänderung bewirkt, die dann einen
Ionenkanal öffnet und dadurch Elektrolytdiffusion und Membrandepolarisation be-
Bild 8.1.1-l: Beispiele für eine Stofferkennung nach dem Schlüssel-Schloß-Prinzip:
wirkt. Alternativ dazu kann durch die Molekülbindung die Bildung eines zweiten Boten- a) Schematische Darstellung der Bindung eines Effektormoleküls an einen Rezep-
moleküls (hier Cycloadenosinmonophosphat (CAMP)) bewirkt werden, wodurch eine tor R (Abbildungen auf der linken Seite) und mit zusätzlicher Wirkung eines Bo-
katalytische Verstärkung und schließlich eine Kanalöffnung induziert wird. tenmoleküls C (Abbildungen auf der rechten Seite). Durch die Bindung wird ein
Transport von Elektrolytteilchen (schwarze Punkte) durch die Membran (Ionenka-
Bild 8.1.1-1b zeigt das Schlüssel-Schloß-Prinzip bei synthetisch hergestellten chemi- nal) möglich. Dieser Prozeß läßt sich durch elektrische (1-3) oder optische (4) De-
schen Sensoren mit Oberflächen und Grenzflächen aus einem anorganischen Werkstoff tektionsprinzipien (Bild links unten) nachweisen. Auf der rechten Seite ist die Ka-
(Beispiel Zinkoxid). Das spezifische Detektionsprinzip basiert z. B. auf einer Oberflä- nalöffnung nach katalytischer Verstärkung schematisch dargestellt.
chen-Leitfähigkeitsänderung des Halbleiters bei Ausbildung eines definierten Oberflä- b) Schematische Darstellung der Wechselwirkung von freien Teilchen (Atomen
oder Molekülen) mit einer Festkörperoberfläche unter Ausbildung von adsor-
chenkomplexes und gleichzeitiger Ladungsübertragung von Elektronen e-. Dieser Ef-
bierten Ionen. Mögliche Wechselwirkungsprozesse sind:
fekt kann ausgenutzt werden, um bestimmte Teilchen selektiv in einer Mi- (1) Volumeneinlagerung der Teilchen,
(2) Grenzflächenreaktionen,
(3) Dreiphasengrenzreaktionen an den Kontakten,
(4) Oberflächenreaktionen,
 Seite 192

382 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.1 Erkennung chemischer Stoffe durch Sensoren 383

(5) Reaktionen an Kontakten und Substratmaterialien (meist unerwünscht). die jeweils in charakteristischen Temperaturbereichen optimal ablaufen (vgl. Abschnitt
Tab. 8.1.1-1: Beispiele für physikalische Größen G, die mit (bio-)chemischen Sensoren zur De- 8.1.3). Typische Untersuchungsverfahren für die Identifikation optimaler Werkstoffe in
tektion chemischer Stoffe erfaßt werden.
Verbindung mit chemischen Sensoren sind in Tab.8.1.1-2 zusammengestellt,
Tab.8.1.1-3 gibt einen Überblick über die gegenwärtig eingesetzten und untersuchten
Werkstoffe (eine ausführliche Behandlung dieser Werkstoffe erfolgt innerhalb dieser
Reihe, wie z.B. in den Bänden "Keramik" und "Polymere").

Tab. 8.1.1-2: Untersuchungen zur Identifikation geeigneter Werkstoffe für den Einsatz in chemi-
schen Sensoren. Zur Erläuterung der Abkürzungen siehe Abschnitt 8.1.5.

schung von vielen anderen nachzuweisen. Anstelle von Leitfähigkeitsänderungen kön-

nen jedoch auch Änderungen anderer Sensoreigenschaften zum Teilchennachweis her-
angezogen werden, die in Tab. 8.1.1-l zusammengestellt sind und die im folgenden näh-
er diskutiert werden.
Bei der Entwicklung technisch einsetzbarer Sensoren wird vorzugsweise nach Syste-
men gesucht, bei denen die gemessenen Größen im thermodynamischen Sinne Zu-
standsfunktionen darstellen und damit – unabhängig von der Vorgeschichte des Sensors
– eindeutig sind. Dies wird im folgenden näher ausgeführt. Weiterhin ist von praktischer
Bedeutung, daß die partielle Ableitung der Größen nach der Konzentration nur einer
Teilchensorte möglichst groß ist, so daß in Bezug auf diese Komponente eine hohe Se-
lektivität des Sensorsignals entsteht. Falls dieses Ziel nicht befriedigend erreicht
werden kann, werden Signale verschiedener Sensoren über Mustererkennung in einer
Multikomponentenanalyse ausgewertet.
Die ausgenutzten Wechselwirkungsprozesse zwischen Teilchen und Sensoren lassen
sich einteilen in
– Physisorption (schwache Bindung, die z.B. durch eine elektrostatische Anzie-
hungskraft zwischen Multipolen in Atomen und Molekülen entsteht, ein Beispiel
hierfür ist die van-der-Waals-Kraft, s. Band 1, Abschnitt 1.3.5)
– Chemisorption (starke chemische Bindung, wie die kovalente, metallische und
ionische Bindung, s. Band 1, Abschnitt 1.3.2 bis1.3.4)
– Oberflächen-,
– Volumen-,
– Korngrenzen-,
– Grenzflächen- und Dreiphasengrenz-Reaktionen
– Reaktionen mit Käfigverbindungen sowie
– spezifische Reaktionen in Biosensoren,
 Seite 193

384 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.1 Erkennung chemischer Stoffe durch Sensoren 385

Tab. 8.1.1-3: Übersicht über gegenwärtig untersuchte Werkstoffe für chemische Sensoren Der Aufbau chemischer Sensoren wird bestimmt durch Anforderungen im praktischen
Einsatz. Er erfolgt wie bei anderen elektronischen Bauelementen vorzugsweise in mini-
aturisierter Form unter Einsatz von Verfahren, die im Zusammenhang mit der Halblei-
tertechnologie (s. Band 2, Abschnitt 8) entwickelt worden sind. Im Gegensatz zu der
sehr verbreiteten Siliziumtechnologie ist aber das Spektrum der eingesetzten Werkstof-
fe und Verfahren weitaus größer. Eine besondere Bedeutung haben dabei die spezifisch
chemischen Eigenschaften der Werkstoffe, wie die folgende Beispiele zeigen.
– In der heterogenen Katalyse werden Katalysatoren optimiert, um beispielsweise
aus giftigen Molekülen wie NO ungiftige Moleküle wie O2 und N2 herzustellen
(vgl. Bild 8.1.1-2) oder um aus kleinen Molekülen wie CO und H2 größere Mole-
küle wie Methanol selektiv zu synthetisieren (vgl. Bild 8.1.1-3). Die Verwendung der
dazu optimierten Katalysatoren in Kombination mit einfachen chemischen Sensoren
zum CO- bzw. H2-Nachweis ermöglicht umgekehrt die selektive Detektion von or-
ganischen Molekülen wie Methan, Methanol oder Benzin nach deren selektriver Zer-
setzung am Katalysator in CO bzw. H2.

Bild 8.1.1-2: Chemisorption und heterogene Katalyse am Beispiel der Reaktion 2NO ∅ O2 + N2.
NO-Gasmoleküle werden an der Oberfläche des Katalysators adsorbiert und nach
Dissoziation atomar gebunden (chemisorbiert). In dieser Form können die adsor-
bierten Teilchen an der Oberfläche Reaktionen eingehen, die in der Gasphase wegen
hoher Aktivierungsenergiebarrieren nicht möglich sind. So können in Oberflä-
chenreaktionen N2 und O2-Moleküle entstehen, die nach Desorption in die Gaspha-
se den heterogen katalysierten Prozeß abschließen. Sensoren auf der Basis von Chemi-
sorptionseffekten sowie der heterogene Katalyse sind in empflndlicher Weise durch
die Oberflächenstruktur und -elementzusammensetzung beeinflußbar. Elementzusät-
ze, welche die Katalyse beschleunigen, werden als Promotoren, Zusätze, welche
diese verlangsamen, als Inhibitoren bezeichnet.
 Seite 194

386 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.2 Thermodynamische und kinetische Aspekte 387

Bild 8.1.1-3: Durch unterschiedliche Wahl von Katalysatoren lassen sich bei gleichen Aus-
gangsstoffen (hier: CO und H2) unterschiedliche Endprodukte herstellen. Umgekehrt
können die verwendeten Katalysatoroberflächen als Sensoren zum Nachweis von Me-
than, Methanol, Benzin bzw. CO oder H2 herangezogen werden.

– Die Enzymimmobilisierung spielt in der Biotechnologie eine entscheidene Rolle,

um die in biotechnologischen Verfahren sehr teure Produkt-/Enzym-Trennung bei
homogen gelösten Enzymen (Bio-Katalysatoren) im Bioreaktor zu vermeiden.
Bei der Immobilisierung muß das katalytisch aktive Zentrum des Enzyms durch ge-
eignete Verfahren (z.B. durch Einlagerung in Membranen) funktionsfähig erhalten
bleiben. In neueren Biosensoren wird nun erprobt, die am Zentrum auftretende Ände-
rung der Enzymeigenschaften bei Produktmolekülanlagerung direkt elektronisch
oder optisch abzuleiten. Darüber hinaus wird die Entwicklung selektiver Membra-
nen in der Biotechnologie entscheidende Impulse für die (Bio-)Sensorik liefern.
– Bei keramischen Werkstoffen ist die Elektronen-, Ionen- oder gemischte Leit-
fähigkeit häufig abhängig von der Konzentration von Teilchen in der Umgebung Bild 8.1.1-4: Ionen- und Elektronenleitung (im Volumen) verschiedener anorganischer Werk-
stoffe.
(s. Band 5 dieser Reihe) und läßt sich daher als Sensoreigenschaft ausnutzen. Bild
8.1.1-4 gibt einen Überblick über die elektrische Leitfähigkeit verschiedener, z.T. als
Keramiken herstellbarer Verbindungen.
Heutige Schwerpunkte bei der Entwicklung (bio-)chemischer Sensoren sind:
– Tests und empirische Optimierung einfacher Teststrukturen,
– Grenzflächenanalytik und systematische Optimierung dieser Strukturen, 8.1.2 Thermodynamische und kinetische Aspekte der chemischen Sensorik
und heterogenen Katalyse
– Theoretische Grundlagen zur schnelleren und gezielteren Optimierung,
– Präparations- und Strukturierungsmethoden neuer Materialien, Ziel der Sensorentwicklung ist es, die Meßgröße G des Sensors als eindeutige und
von der Vorbehandlung unabhängige Funktion der Konzentrationen oder Partialdrucke
– Entwicklung und Optimierung von Sensorsystemen sowie
pi verschiedener chemischer Komponenten und der Temperatur zu erfassen. In die-
– Mustererkennung zur Multikomponentenanalyse. sem Fall hat G die Bedeutung einer Zustandsfunktion, die charakterisiert werden
Wie aus den Beispielen in den Bildern 8.1.1-2 und 3 deutlich wurde, hat die heterogene kann durch das totale Differential:
Katalyse eine besondere Bedeutung, da hier weitgehend ähnliche Materialeigen-
schaften optimiert werden wie bei der chemischen Sensorik. Daher soll dieser Aspekt im
folgenden vertieft werden.
 Seite 195

388 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.2 Thermodynamische und kinetische Aspekte 389

Die Überführung des Systems von einem Zustand G1, charakterisiert durch die Para- genommen, d.h. es gilt:
meter p1, p2,...pi,...,T, in einen anderen Zustand G2 hängt dann nicht ab von der Art
und Weise (ausgedrückt z.B. durch die Orts- oder Zeitabhängigkeit der Parameter), in
welcher die Zustandsänderung durchgeführt wurde. Dieses ist gleichbedeutend mit der
Aussage, daß die Änderung der Zustandsgröße G bei jedem Kreisprozeß Null ist: – Bei der Chemisorption ist beispielsweise ∆H < 0 (es wird Bindungsenergie ge-
wonnen) und dS < 0 (die Anzahl der Anordnungskonfigurationen nimmt ab), d.h.
bei tiefen Temperaturen wird der energetisch günstigere gebundene Zustand der Ab-
Bei hochselektiven Sensoren überwiegt in (1) der Wert einer partiellen Ableitung sorption von Teilchen bevorzugt, während bei höheren Temperaturen der für die
alle anderen. Ist diese Randbedingung nicht erfüllt, dann kann im Prinzip über Musterer- freien Teilchen entropisch begünstigte Zustand (nach Desorption der chemisorbier-
kennung von Sensor-Arrays auch eine Mehrkomponentenanalyse vorgenommen wer- ten Teilchen in die Gasphase) zu einer minimalen freien Enthalpie führt.
den. Diese Ansatz befindet sich aber zur Zeit noch im Forschungsstadium. – Bei der Einführung von Punktdefekten hingegen gilt (Band 1, Abschnitt 2.7.1)
Die gegenüber freien Molekülen veränderten elektronischen und chemischen Eigen- ∆H > 0 und ∆S > 0, d.h. die Defektdichte ist aus energetischen Gründen bei nie-
schaften von Molekülen an und in Festkörpern ermöglichen die Moleküldetektion (wo- drigen Temperaturen vernachlässigbar klein, während sie bei höheren Temperaturen
bei der Festkörper als Sensor wirkt) und bewirken eine veränderte chemische Reakti- aus Entropiegründen drastisch ansteigt und damit u.a. die Festkörperreaktivität be-
vität der Moleküle (wobei der Festkörper als Katalysator wirken kann). Damit ergeben einflußt.
sich die grundlegenden Fragestellungen:
I) Was ist die Ursache der Reaktion zwischen Teilchen und Festkörpern, d.h. was ist
die Triebkraft der chemischen Reaktion? Zu II): Die Geschwindigkeit chemischer Reaktionen wird ähnlich wie die Festkörper-
diffusion in Band 1, Abschnitt 2.7.2 über Aktivierungsbarrieren und entsprechende
II) Wenn Reaktionen möglich sind, wie schnell laufen diese ab, d.h. wie groß ist die Gibbs-Energie-Änderungen zwischen Ausgangs- und Übergangszustand im Rahmen
Geschwindigkeit (Reaktionsrate) der chemischer Reaktionen? der Eyring-Theorie erklärt [8.1].
Der Zusammenhang zwischen Gibbs-Energie G und den quantentheoretisch festge-
legten Energiezuständen Wi des Systems (Band 2, Abschnitt 1.2) von Elektronen, Pho-
Zu I): Die erste Frage wird durch den Kompromiß zwischen der Minimierung der Ener- nonen, Plasmonen etc. wird nach den Gesetzen der statistischen Thermodynamik durch
gie und der Maximierung der Konfigurationsentropie (beide Forderungen sind ent- die Berechnung der Zustandssumme
halten in Maximierung der Gesamtentropie, s. Band 1, Abschnitt 2, und Band 2, Ab-
schnitt 1.2) entschieden, sie führt auf das Prinzip der Minimierung der freien Energie.
Bei Sensorbetrieb unter konstantem Gesamtdruck (Atmosphärendruck) ist es zweckmä-
ßig, das Produkt aus Systemdruck p und -volumen V im Energieterm zu berücksich-
des Systems hergestellt. Es läßt sich zeigen, daß sich die Gibbs-Energie G aus Q di-
tigen (beide zusammen ergeben die Enthalpie H). Damit geht die freie Energie über
rekt berechnen läßt über die Beziehung:
in die freie Enthalpie (Gibbssche Energie):

wobei W die Systemenergie (Summe aus kinetischer und potentieller Energie) und S
die Entropie des Systems beschreibt. Eine Vergrößerung der Gesamtentropie (s. Band 1, Daraus ergeben sich für die Gleichgewichtszustände thermische und kalorische Zu-
Abschnitt 2, und Band 2, Abschnitt 1.2) findet statt, wenn bei einem Prozeß die freie Ent- standsgleichungen, wie z.B. der Bedeckungsgrad adsorbierter Teilchen als Funktion
halpie verkleinert wird, bzw. wenn bei einem isothermen Prozeß mit dT = 0) die dif- von Druck und Temperatur oder die spezifische Exzeßwärme von Adsorptionskom-
ferentielle Änderung plexen.
Die Gleichungen zeigen den engen Zusammenhang zwischen der Spektroskopie von
Systemzuständen – und damit z.T. auch atomaren Energiezuständen Wi –, der Ther-
der freien Enthalpie negativ ist. Im thermischen Gleichgewicht wird ein Minimum an- modynamik von zweidimensionalen Systemen an Festkörperoberflächen und der che-
 Seite 196

390 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.3 Der Begriff des Katalysators 391

mischen Sensorik sowie der heterogenen Katalyse. Durch die schnelle Entwicklung in
der Oberflächen- und Grenzflächenspektroskopie können heute Energiezustände Wi
von freien Oberflächen und Teilchen an Oberflächen experimentell bestimmt werden.
Dies ermöglicht im Prinzip ein sehr detailliertes quantitatives Verständnis von Elemen-
tarprozessen zumindest für einfache Modellsysteme.
Bevor wir im Abschnitt 8.1-4 Ähnlichkeiten – aber auch Unterschiede – zwischen der
chemischen Sensorik und der heterogenen Katalyse diskutieren, sollen im folgenden ei-
nige Grundlagen der heterogenen Katalyse erläutert werden.

8.1.3 Der Begriff des Katalysators

Katalysatoren [8.1] können die Aktivierungsenergie chemischer Reaktionen herabset-
zen, wodurch die Reaktionsgeschwindigkeit erhöht wird, ohne daß das chemische
Bild 8.1.3-1: Schematische Darstellung der potentiellen Energie Wpot längs des Reaktionsweges
Gleichgewicht beeinflußt wird. Der Katalysator selbst tritt im Bruttoumsatz nicht in Er- bei einer chemischen Reaktion (wie sie z.B. in Bild 8.1.1-2 dargestellt ist, dabei ent-
scheinung, greift aber über die Bildung aktiver Zwischenstufen in das Reaktionsgesche- spräche A zwei NO2-Molekülen und B den O2 + N2-Molkülen). Die in der Gas-
hen ein. Man unterscheidet homogene und heterogene Katalyse. Bei ersterer sind die phase vorhandene hohe Aktivierungsenergie WA wird durch geeignete Katalysato-
Katalysatoren im Reaktionsmedium gelöst. Bei letzterer bieten sie ihre große Oberflä- ren herabgesetzt, wobei jeweils eine charakteristische Adsorptionsenergie, Desorp-
che für Reaktionen in der Gas- oder der Flüssigphase an. Bei der heterogenen Katalyse tionsenergie und Oberflächenaktivierungsenergie WA,kat aufgebracht werden muß.
∆HR ist die Wärmetönung (Reaktionsenthalpie, d. h. die freiwerdende und in
liegen Katalysator und Reaktionsprodukt nach Reaktionsablauf getrennt vor, während Wärme umgesetzte Energie bei der chemischen Reaktion.
homogene Katalysatoren in der Regel durch Trennoperationen aus dem Reaktions-
gemisch entfernt werden müssen.
Die hierfür erforderliche Energie wird im allgemeinen aus der Wärmebewegung der
Katalysatoren können nicht nur die Reaktionsgeschwindigkeit einer Reaktion erhöhen, Moleküle gedeckt. Der Anteil der Moleküle, deren Energie groß genug ist, entspricht
sondern sie können auch eine Reaktion, die unter Umständen auf verschiedenen Wegen unter den Voraussetzungen der Boltzmannstatistik (Band 2, Abschnitt 1.2.3):
zu unterschiedlichen Produkten führen kann, bevorzugt in eine bestimmte Richtung len-
ken. Das heißt, die Reaktion verläuft selektiv zu einem unter mehreren möglichen Pro-
dukten.
Damit eine chemische Reaktion zwischen Molekülen ablaufen kann, müssen diese in ei-
Von den Molekülen, die einen zur Überwindung der Potentialschranke (Paß) ausrei-
nen energetisch angeregten Zustand überführt, d.h. energetisch aktiviert werden, um
chenden Energiebetrag besitzen, erreicht jedoch nur ein gewisser Anteil den anderen
die dem Reaktionsablauf entgegenstehenden Barrieren der potentiellen Energie auf dem
stabilen Zustand (Produkte), während der Rest vor der Reaktion seine Energie wieder
Reaktionsweg zu überwinden. Dies ist in Abb.6 veranschaulicht.
abgibt.
Der energetisch leichteste Ubergang von einem stabilen Zustand (Edukte) zu einem
Bei katalysierten Reaktionen wird die für den Reaktionsablauf aufzubringende Aktivie-
anderen stabilen Zustand (Produkte) führt über einen zwischen zwei Tälern liegen-
rungsenergie durch den Katalysator herabgesetzt. Die Reaktion verläuft auf einem ande-
den Paß; um auf dessen Gipfel zu gelangen, ist eine Aktivierungsenergie WA erfor-
ren Weg, der einer kleineren zu überwindenden Potentialbarriere entspricht. Dies wird
derlich. Sie stellt die minimale Energie dar, die den reagierenden Molekülen zugeführt
dadurch erreicht, daß sich am Katalysator andere Zwischenstufen (Übergangszu-
werden muß, um die chemische Reaktion zu ermöglichen, d.h. die Reaktanten in einen
stände) zu bilden vermögen, die ohne ihn nicht möglich sind.
reaktionsfähigen Zustand zu bringen.
Die Aktivität eines Katalysators ist ein Maß dafür, wie schnell die chemische Reaktion
in seiner Gegenwart verläuft; der Zusammenhang zwischen der Reaktionsgeschwin-
digkeit (Reaktionsrate) und den sie beeinflussenden Größen ist durch die Kinetik
gegeben. Die Selektivität sagt etwas darüber aus, in welchem Maße das gewünschte
 Seite 197

392 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.3 Der Begriff des Katalysators 393

Produkt einer katalytischen Reaktion im Vergleich zu anderen möglichen, aber uner- nomen her sinnvoller, die aktive Katalysatoroberfläche S als Bezugsgröße zu verwen-
wünschten Produkten gebildet wird. den.
Die Geschwindigkeit chemischer Reaktionen hängt von den Konzentrationen der Reak- Für die auf die Katalysatoroberfläche bezogene Reaktionsgeschwindigkeit rA,s, er-
tionsteilnehmer A und von der Temperatur T ab. Für eine Reaktion des Typs halten wir dann analog zu (8):

gilt (wenn die Geschwindigkeit der Rückreaktion vernachlässigbar klein ist) für die zeit-
liche Änderung der Molzahl nA der Komponente A mit der Geschwindigkeitskonstanten Für die katalysierte Reaktion ist auch hier die Temperaturabhängigkeit der Geschwin-
digkeitskonstanten k durch Gleichung (9) gegeben. Werden die Aktivierungsenergien
für den Ablauf einer Reaktion in Gegenwart und in Abwesenheit eines Katalysators mit-
einander verglichen, so ist WA für den katalysierten Reaktionsweg kleiner als für den
Wird die dnA/dt auf das Reaktionsvolumen Vol bezogen, so ergibt sich die allgemein nichtkatalysierten Reaktionsablauf. Hierdurch wird die Geschwindigkeit der Reaktion
gebräuchliche Definition der Reaktionsgeschwindigkeit (= Reaktionsrate, s. auch Ge- erhöht.
nerations- und Rekombinationsraten in Band 2, Abschnit 6.2.2) rA Zur vollständigen Ableitung der Kinetik einer katalysierten Reaktion, d.h. des funktio-
nalen Zusammenhangs zwischen der Reaktionsgeschwindigkeit und den sie beeinflus-
senden Variablen (Konzentration der Reaktanten und Temperatur), ist es erforderlich,
den Mechanismus der Reaktion zu kennen. Meist laufen mehrere sogenannte Elemen-
Befindet sich das Reaktionssystem in der Nähe seines thermodynamischen Gleichge- tarschritte hineinander ab, wobei WA der höchsten der dabei auftretenden Aktivie-
wichts, so ist auch die Geschwindigkeit der Rückreaktion (vgl. Rücksprung bei der Dif- rungsbarrieren entspricht (vgl. dazu auch Abschnitt 8.1.4).
fusion in Band 1, Abschnitt 2.7.2), die von den Produktkonzentrationen bestimmt wird,
zu berücksichtigen. Bei heterogen katalysierten Reaktionen erfolgen diese Elementarvorgänge auf der Kata-
lysatoroberfläche; es handelt sich dabei um Adsorption der Edukte, Spaltung und/oder
In den Gleichungen (2) und (3) ist k die Geschwindigkeitskonstante (in Band 1, Ab- Bildung chemischer Bindungen der adsorbierten Reaktanten sowie Desorption der Pro-
schnitt 2.7.2 vergleichbar mit dem Diffusionskoeffizienten), deren Temperaturabhän- dukte. Die Geschwindigkeiten dieser Einzelschritte sind meist sehr unterschiedlich. Da
gigkeit durch die Arrhenius-Beziehung gegeben ist: die Geschwindigkeit der Reaktion durch den langsamsten dieser hintereinander ge-
schalteten Vorgänge bestimmt wird, ist es meist ausreichend, einen kinetischen Ansatz
auf der Grundlage des geschwindigkeitsbestimmenden Elementarschritts zu formulie-
Hierin sind WA (in der Chemie meist angegeben in kJ mol-l, in der Physik und Elek- ren. Dabei werden häufig Beziehungen folgender allgemeiner Form verwendet:
trotechnik dagegen häufig in eV pro Teilchen) die Aktivierungsenergie der Reaktion,
R (in kJ mol-l·K-l) die Gaskonstante, T (in K) die Temperatur und ko der Häufig-
keitsfaktor, dessen Dimension durch f(CA) bestimmt wird.
Bei heterogen katalysierten Reaktionen, die in Gegenwart eines Feststoffkatalysators Hierin sind die Größen KA und KP Konstanten, die das Ausmaß der Adsorption der
schneller als in dessen Abwesenheit ablaufen, gelten im Prinzip dieselben Zusammen- Komponenten A und P auf der Katalysatoroberfläche beschreiben und temperaturab-
hänge, wobei es jedoch oft zweckmäßig ist, die zeitliche Molzahländerung nicht auf den hängig sind. Die Größe m ist die Ordnung der Reaktion (für n = 0), während für den
Reaktionsraum, sondern auf die katalytisch aktive Oberfläche S des Katalystors zu allgemeinen Fall der Gl. (12) der Exponent n im Nenner i. a. von der Zahl der am ge-
beziehen: schwindigkeitsbestimmenden Elementarschritt der Reaktion beteiligten katalytisch
wirksamen Zentren der Katalysatoroberfläche abhängt.
Bei aus Parallel- und Folgereaktionen zusammengesetzten Reaktionsnetzwerken erhält
man ein System von teilweise miteinander gekopppelten Geschwindigkeitsgleichun-
Im allgemeinen besteht eine direkte Proportionalität zwischem dem mit Katalysator ge- gen.
füllten Reaktorvolumen VR und der Katalysatoroberfläche S, so daß VR häufig als In der Praxis wird die Aktivität von Katalysatoren häufig durch die folgenden Größen be-
Bezugsgröße für die Reaktionsgeschwindigkeit verwendet wird. Da die chemische Re- schrieben:
aktion jedoch nur auf der Katalysatoroberfläche abläuft, ist es vom physikalischen Phä-
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394 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.3 Der Begriff des Katalysators 395

– Erzielbarer Umsatz bei vorgegebenen (gleichen) Reaktionsbedingungen, Desorption des Produkts

– erzielbare Ausbeute je Zeiteinheit und Reaktionsraum (Raum-Zeit-Ausbeute),
– erforderliche Temperatur zur Erzielung eines bestimmten Umsatzes bei sonst Die der heterogen katalysierten Reaktion vorgeschaltete Adsorption und ihre Auswir-
gleichen Reaktionsbedingungen. kung auf das adsorbierte Molekül hängt nicht nur von der Art des aktiven Zentrums, son-
Der Begriff der Selektivität soll nun erläutert werden: Neben der Herabsetzung der dern auch von seiner Anordnung auf der Oberfläche ab (sterische Gesichtspunkte) .
Aktivierungsenergie einer Reaktion kommt dem Katalysator die wichtige Aufgabe zu, Energetische Aspekte sollen im folgenden kurz erläutert werden. Bei einer nichtkataly-
den Reaktionsweg so festzulegen, daß möglichst nur das gewünschte Produkt entsteht sierten Reaktion muß eine bestimmte Aktivierungsenergie aufgebracht werden, die im
und daß zugleich die Bildung anderer, thermodynamisch durchaus möglicher, jedoch im Falle der katalytischen Reaktion herabgesetzt wird. Wird wieder der schon oben be-
Ergebnis unerwünschter Produkte unterdrückt wird. Diese Aussage kann auch in der schriebene Fall der heterogen katalysierten Reaktion betrachtet, laufen neben der an der
Weise abgewandelt werden, daß jeweils nur ein Katalysator Ki einen bestimmten Re- Feststoffoberfläche katalysierten Reaktion auch noch vor- und nachgeschaltete Ad- und
aktionsweg zum gewünschten Produkt Pi zuläßt. Diesem Prinzip der Selektivität des Desorptionsvorgänge ab.
Reaktionsablaufs kommt bei der industriellen Anwendung der Katalyse ganz besondere Bei der Adsorption muß zwischen einer dem Kondensationsvorgang ähnlichen Adsorp-
Bedeutung zu. tion (Physisorption) und einer aktivierten Adsorption, bei der es zu einer chemischen
Ausdrücklich sei darauf hingewiesen, daß die Anwesenheit eines Katalysators kei- Wechselwirkung zwischen Katalysator und Reaktant kommt (Chemisorption), unter-
nen Einfluß auf die Thermodynamik einer Reaktion nimmt, die auf unterschiedli- schieden werden. Beide Prozesse laufen exotherm ab, d.h. Wärme wird abgegeben (s.
chen Wegen zu denselben Produkten führen kann, sondern daß lediglich die Ge- Band 1, Abschnitt 5.1).
schwindigkeiten, mit denen die verschiedenen Reaktionen verlaufen, beeinflußt Die Physisorptionswärme liegt meist in der Größenordnung der Kondensationswärme
werden. (s. auch Band 1, Abschnitt 5.1) der zu adsorbierenden Moleküle; üblicherweise er-
Sterische und energetische Aspekte katalysierter Reaktionen sind für das molekulare folgt die Physisorption ohne eine zusätzliche Aktivierung. Die Chemisorptionswärme
Verständnis entscheidend. Bevor die Aktivierungsenergie einer chemischen Reaktion beträgt wegen der stärkeren Wechselwirkung zwischen Reaktant und Katalysator allge-
durch einen Katalysator herabgesetzt werden kann, müssen die Reaktanten zunächst mit mein ein Mehrfaches der Physisorptionswärme, so daß diese in der Größenordnung der
diesem in Wechselwirkung treten. Dies kann am Beispiel einer heterogen katalysierten Reaktionsenthalpien liegt.
Gasreaktion, nämlich dem Stickstoffoxidzerfall, veranschaulicht werden (vgl. Abb.
8.1.1-2).

Das NO muß zunächst aus der den Katalysator umgebenden Gasphase durch Diffusion
an dessen Oberfläche gelangen, wo es adsorbiert wird. Nach der Adsorption erfolgt die
katalytische Reaktion auf der Oberfläche. Anschließend desorbieren die gebildeten Pro-
dukte N2 und O2 und diffundieren in die umgebende Gasphase zurück.
Die mit der Oberfläche verbundenen katalytischen Vorgänge lassen sich für eine einfa-
che Reaktion

in allgemeiner Form durch folgende Reaktionsgleichungen beschreiben, worin das

Symbol z für einen katalytisch aktiven Oberflächenplatz (auch aktives Zentrum
genannt) steht:
Adsorption des Edukts
Bild 8.1.3-2: Einfaches Energiediagramm für unterschiedliche Katalysatoren im Vergleich zum
Energiediagramm ohne Katalysatoren als Funktion des Reaktionsweges.
Katalysierte Reaktion auf der Katalysatoroberfläche
Für die Katalyse ist die aktivierte Adsorption von Bedeutung. Auch die Desorption der
Produke ist ein aktivierter Prozeß, da auch hier zunächst eine gewisse Aktivierungsener-
 Seite 199

396 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.4 Chemische Sensoren und Katalysatoren: Ähnlichkeiten und Unterschiede im Überblick 397

gie aufgebracht werden muß, bevor das Molekül in einen "desorptionsbereiten" Zu-
stand gelangt. Da es sich bei der Desorption um einen der Adsorption entgegengesetzten
Vorgang handelt, ist dieser endothermer Natur, d.h. Wärme wird verbraucht (Band 1,
Abschnitt 5.1).
Die energetischen Verhaltnisse für eine chemische Reaktion mit und ohne Katalysator
sind in den Abb. 8.1.3-1 und 2 schematisch dargestellt.
Es wird wiederum deutlich, daß sowohl die Aktivierungsenergien für die Ad- und Des-
orption als auch für die katalytische Reaktion wesentlich niedriger liegen als die Aktvie-
rungsenergien für die nichtkatalysierte Reaktion.
Es besteht ein indirekter Zusammenhang zwischen Energetik und Kinetik heterogen
katalysierter Reaktionen. Die Aktivität eines Katalysators hängt vom Adsorptionszu-
stand des Reaktanten ab. Eine schwächere adsorptive Bindung führt zu einer höheren
Aktvität; andererseits ist jedoch eine aktivierte Adsorption nötig, damit das Molekül
überhaupt in den reaktionsfähigen Zustand gelangt. Verallgemeinert kann festgestellt
werden, daß weder eine zu geringe noch eine zu starke adsorptive Bindung des Reaktan-
ten seine Reaktionsfähigkeit herbeiführen kann, sondern daß eine gewisse mittlere Bin-
dungsstärke notwendig ist, die es dem Molekül ermöglicht, mit einem zweiten Molekül
zum Zwecke der Reaktion mit genügender Geschwindigkeit in Wechselwirkung zu tre-
ten.
Unter Umständen kann bei einem Katalysator das entstehende Produkt oder ein sich aus-
bildender Übergangszustand zu stark an die katalytische Oberfläche gebunden sein, so Bild 8.1.4-1: Bildungsrate B der CO-Moleküle (Bruchteil von CO2-Molekülen pro CO-Molekül,
daß seine Weiterreaktion beziehungsweise Desorption wegen der dafür erforderlichen die auf die Oberfläche treffen) als Funktion der Temperatur für verschiedene Partial-
hohen Aktivierungsenergie erschwert und damit der Katalysator "vergiftet" wird. druckverhältnisse P(O2)/P(CO) an einem ZnO-Katalysator.
Umsätze und Selektivität zeigen charakteristische Ähnlichkeiten: Bei Katalysatoren ist
die Optimierung des selektiven Reaktionsumsatzes bei minimalen Prozeßkosten ent-
scheidend. Bei Sensoren ist die Optimierung des selektiv ausgelösten Signals bei zuver-
lässiger Reproduzierbarkeit entscheidend.
8.1.4 Chemische Sensoren und Katalysatoren:
Ähnlichkeiten und Unterschiede im Überblick Die Einstellung der optimalen Betriebstemperatur ist in beiden Fällen wichtig. Wie das
Die Einsatzbedingungen von Katalysatoren und chemischen Sensoren sind sehr unter- nachfolgende Bild 8.1.4-1 am Beispiel der CO-Oxidation über ZnO-Einkristall-Kataly-
schiedlich: Katalysatoren werden mit definierten Ausgangsstoffen betrieben und sollen satoren zeigt, findet man typische Temperaturmaxima in der katalytischen Aktivität, die
möglichst nur ein Endprodukt liefern. Chemische Sensoren sollen in beliebig zusam- durch die konkurrierenden Einflüsse von möglichst hohen Bedeckungsgraden der Aus-
mengesetzten Mischungen von Atomen und Molekülen möglichst nur eine Komponente gangsstoffe (hier CO und O2) und andererseits möglichst hohen Desorptionsraten der
selektiv nachweisen. Daher sind die Anforderungen an eine vernachlässigbare Konta- Produkte (hier CO2) bestimmt sind.
minationsanfälligkeit bei chemischen Sensoren erheblich höher als bei Katalysatoren. Wie das nachfolgende Bild 8.1.4-2 zeigt, werden auch für chemische Sensoren charakte-
Bei letzteren wird häufig erheblicher Aufwand bei der Reinigung der Ausgangsstoffe ristische Maxima in der Ansprechtemperatur gefunden.
betrieben für den Fall, daß Katalysatorgifte bei den auf Umsatz optimierten Katalysato-
ren vermieden werden müssen.
 Seite 200

398 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.4 Chemische Sensoren und Katalysatoren: Ähnlichkeiten und Unterschiede im Überblick 399

Metallorganische Verbindungen werden für heterogene Katalysatoren selten, für Sen-

soren zunehmend häufiger eingesetzt. Materialien der Biosensoren sind z.T. als Bioka-
talysatoren (Enzyme) bekannt, so daß auch hier Ähnlichkeiten zu finden sind.
Die Grundprobleme der atomarer Strukturen und der Kinetik von Elementarschritten
der Festkörper/Gas-Wechselwirkung sind in der chemischen Sensorik und heterogenen
Katalyse weitgehend identisch. Sie lassen sich einteilen in

I. Statische Aspekte:
a) Chemische Zusammensetzung der Oberfläche und des Volumens,
b) geometrische und elektronische Struktur der Oberfläche und des Volumens,
c) Bedeckungsgrade adsorbierter Teilchen,
d) Konfiguration adsorbierter Teilchen untereinander und gegenüber dem Sub-
strat,
Bild 8.1.4-2: Relative Leitwertänderung ∆G/Go bei der Wechselwirkung von l00 ppm CO in e) Bindungsenergien adsorbierter Teilchen,
Luft mit SnO2 (Abschnitt 8.5) für verschiedene Edelmetalldotierungen.
f) Wechselwirkungsenergien zwischen den adsorbierten Teilchen,
In dem hier vorliegenden Fall führt der CO-Nachweis am SnO2-Sensor zur Bildung g) Ladungsverteilung im Adsorbatkomplex und Ladungstransfer mit dem Volu-
von CO2 und ist damit direkt mit der katalytischen Aktivität des Sensors gekoppelt. men und
Unter gleichen Bedingungen wird beispielsweise an einem Metalloxid-Sensor gefun- h) Energie und Energieverteilung von Chemisorptions-induzierten Orbitalen.
den, daß sich relative Leitfähigkeitsänderungen ergeben zu
II: Dynamische Aspekte:
i) Bewegungszustände des Adsorbatkomplexes,
j) Oberflächendiffusion,
Dagegen ist die katalytische Bildungsrate von CO2 am gleichen Sensor über
k) Mechanismus und Kinetik der chemischen Reaktion an der Oberfläche,
l) Adsorptions- und Desorptionskinetik und
m) Stofftransportvorgänge.
gegeben. Bei gleichen molekularen Reaktionsmechanismen sind die formalen Be-
schreibungen des Reaktionsumsatzes (erfaßt über die CO2-Bildungsrate B) und die
Sensorempfindlichkeit (erfaßt über die relativen Leitwertänderungen ∆G/Go bezogen 8.1.5 Charakterisierung von Grenzflächen
auf den Standardzustand bei PCO,o und PH2O,o) unterschiedlich. In den vorangegangenen Abschnitten wurde deutlich, daß bei chemischen Sensoren
Die eingesetzten Werkstoffe sind z.T. sehr ähnlich: Katalysatoren sind üblicherweise häufig die Grenzfläche zwischen dem zu messenden Medium und der Festkörperober-
aus Substraten wie Al2O3, SiO2 oder TiO2 aufgebaut, die durch Oxide chemisch mo- fläche des Sensors die entscheidende Rolle spielt. Damit kommt der obersten atomar
difiziert werden. Zur Modifizierung werden Oxide von Rh, Ce, Mo, Cr, Co, o.ä. einge- oder molekular belegten Schicht auf dem Sensor eine besondere Bedeutung zu. Die Bil-
setzt. Die Katalysatoren werden meist mit Promotoren wie Pt, Rh, Ru, Ni, Pd o.ä. der 8.1.5-1 und 2 demonstrieren dieses noch einmal am Beispiel von Halbleiter-Gassen-
optimiert. Daneben finden als Elektrokatalysatoren auch Festkörperelektrolyte, bei- soren (Abschnitt 8.5) und Biosensoren.
spielsweise auf der Basis von ZrO2 oder CeO2 Verwendung. Die Materialien für eine
Reihe von chemischen Sensoren sind diesen weitgehend ähnlich (vgl. Tabelle 8.1.1-3).
Metallorganische Verbindungen werden für heterogene Katalysatoren selten, für Sen-
 Seite 201

400 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.5 Charakterisierung von Grenzflächen 401

Bild 8.1.5-2: Charakteristische Grenzflächen an biologischen Hybridsystemen: Das Beispiel

zeigt schematisch experimentelle Ansätze, um die Funktion modifizierter biologi-
scher Membranen für Biosensoren elektrisch oder optisch zu charakterisieren. Ge-
eignete Kontakte ermöglichen das Messen von Elektronen- und/oder Ionentransport
und von Ladungsverteilungen an den Grenzflächen vor und nach der Wechselwirkung
der zu detektierenden Spezies mit bioaktiven Erkennungsstrukturen [8.4, 8.16].
Bild 8.1.5-1: Charakteristische Beispiele von Oberflächen und Grenzflächen, die bei chemischen
Sensoren ausgenutzt werden. Das spezifische Detektionsprinzip, das hier im Detail an
einem anorganischen Bauelement gezeigt ist (vgl. auch Bild 8.1.1-1b), basiert auf der Bei praktisch eingesetzten Gassensoren, die häufig auf der Basis empirischer Erfahrun-
Änderung der Oberflächen-Leitfähigkeit an einem n-dotierten Halbleiter als Folge der gen entwickelt wurden, ist die Zusammensetzung der Grenzfläche in vielen Fällen äu-
Ausbildung eines Oberflächenkomplexes [8.2, Abschnitt 8.5]. Das Ersatzschaltbild ßerst kompliziert, da vorwiegend polykristalline Legierungen mit einer komplizierten
unten zeigt, daß die Strom-Spannungs-Kennlinien im allgemeinen frequenzabhängig chemischen Zusammensetzung verwendet werden.
sind. Es gibt verschiedene Sensorprinzipien, bei denen die Teilchen an den mit 1-4 ge-
kennzeichneten Stellen wechselwirken [8.2-5, 8.15]. Zur Bestimmung der elementaren Prozesse bei chemischen Sensoren werden dagegen z.
l) Oberfläche, Zt. in der Forschung überwiegend einfachere Prototyp-Bauelemente aus einkristallinen
2) Volumen, Werkstoffen mit eng kontrollierter Zusammensetzung untersucht, die bevorzugt unter
3) Dreiphasengrenze oder Kontakt und Reinstelektrolyt-, Inertgas- oder Ultrahochvakuumbedingungen hergestellt werden
4) Korngrenzen. [8.2]. Zur möglichst umfassenden Charakterisierung von praktischen, aber auch von
Prototyp-Bauelementen ist eine Vielzahl experimentelIer Techniken verfügbar, um
elektronische und ionische Leitfähigkeiten, Potentiale, elektromotorische Kräfte, opti-
sche, magnetische oder katalytische Eigenschaften zu messen [8.2].
Die Messung der charakteristischen Oberflächeneigenschaften wird im allgemeinen als
Funktion der Partialdrücke oder Konzentrationen und der Temperatur entweder unter
Gleichgewichtsbedingungen oder zeitabhängig durchgeführt (siehe Tabelle 8.1.5, Teile
1 und 2).
 Seite 202

402 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.5 Charakterisierung von Grenzflächen 403

Tab. 8.1.5-1: Charakterisierungstechniken für Oberflächenuntersuchungen und praktische

Sensoranwendungen

Bild 8.1.5-3: Elektronen(σe)- und ionenleitende (σion) Kontakte zur Charakterisierung von Lei-
~
tungsmechanismen in Sensoren bei Gleich(=)- und Wechselspannungs(~) betrieb. D
ist der effektive Diffusionskoeffizient [8.6]:

Ein Beispiel ist die Vierspitzenanordnung zur Leitfähigkeitsmessung sowohl für Elek-
tronen- als auch für Ionenleitung (Bild 8.1.5-4) [8.6].

Bild 8.1.5-4: Aufbau von Elektronen- und Ionenleitungsmessungen, die zur Optimierung von
Sensoreffekten eingesetzt werden können, ohne daß Kontakteinflüsse eine Rolle spie-
len
Die einzelnen Beiträge der verschiedenen elektronischen und ionischen Leitfähigkeiten
können voneinander separiert werden, wenn geeignete elektronen- oder ionenleitende
Eine neue Möglichkeit, um phänomenologisch die Kinetik von Grenzflächenreaktionen
Kontakte verwendet und lokale Einflüsse von Kontakten eliminiert werden (Bild.8.1.5-
unter atmosphärischen Druckbedingungen zu bestimmen, ist die frequenzabhängige
3).
Variation von Partialdrucken und elektrischen Potentialen über elektrochemischen
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404 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.5 Charakterisierung von Grenzflächen 405

Zellen [8.7] (Bild 8.1.5-5).

Bild 8.1.5-6: Schematische Darstellung der Multikomponentenanalyse mit Sensorarrays [8.10].

Die Auswertung der Signale ergibt die gesuchten Partialdrücke p1...pn.

Ergebnisse von diesen oder anderen verwandten Techniken, die beispielsweise auch
zeitabhängige Sensorantworten charakterisieren und die als Signale von Sensor-Arrays
verwendet werden können, machen es dann im Prinzip möglich, Parameter zu bestim-
men, die Multikomponentenmischungen charakterisieren. Über Mustererkennung kön-
nen diese Parameter dann ausgewertet werden, um individuelle Komponenten auch in
Mischungen zu identifizieren (Bild 8.1.5-6) [8.10].
Bild 8.1.5-7 zeigt eine Übersicht über die Natur der Grenzflächen, Bild 8.1.5-8 einige ty-
pische Grenzflächenphänomene. Die heute verfügbaren Untersuchungstechniken (s.
auch Tab. 8.1.5-1) sind für eine Charakterisierung der Grenzflächen mit unterschiedli-
Bild 8.1.5-5: Druckmodulationsspektroskopie (PS) und klassische elektrochemische Impedanz- chen Tiefen von der Oberfläche (gemessen in Atomlagen) geeignet.
spektroskopie (EIS) zur Charakterisierung der Antwortkinetik von Elektrodenreak-
tionen (hier: Bei Wechselwirkung mit O2 unter dem Gesamtdruck p(O2)). Der
schematisch experimentelle Aufbau (a) und Details der Porenfeinstruktur für eine
CeO2/Pt/O2-Dreiphasengrenze sind ebenfalls gezeigt, die einerseits mit EIS (b)
und andererseits mit PS (c) untersucht wurden, wobei entsprechende Schaltkreise for-
mal die frequenzabhangigen Antwortfunktionen beider Modulationstechniken be-
schreiben [8.7].

Bild 8.1.5-7: Übersicht verschiedener möglicher Grenzflächen für unterschiedliche Sensorprinzi-

pien.
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406 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.5 Charakterisierung von Grenzflächen 407

mit Hilfe von Elektronen-, Photonen- und Ionenspektroskopien. Dabei müssen ggf. Ul-
trahochvakuumtransfersysteme eingesetzt werden [8.2].

Bild 8.1.5-9: Beispiele für experimentelle Verfahren zur Grenzflächenanalyse mit unterschiedli-
Bild 8.1.5-8: Beispiele für Grenzflächenphänomene mit charakteristischen Tiefen.
chen Informationstiefen:
EMA = Electron Micro Analysis (Mikroprobenanalyse über Emission charak-
Ein atomistisches Verständnis für molekulare Erkennung kann gewonnen werden, teristischer Röntgenstrahlen),
wenn gleichzeitig verschiedene grenzflächenspektroskopische Untersuchungen ange- AES = Auger Elektronenspektroskopie,
wendet werden, von denen die am häufigsten verwendeten in Bild 8.1.5-9 und Tabelle GDOS = Glow Discharge Optical Spectroscopy (Glimmentladungs-optische
Spektroskopie),
8.1.5-1 (Teil 3) aufgelistet sind.
LAMMA = Laser Induced Mass Spectrometric Micro-Analysis (Massenspektro-
Die Präparation und Charakterisierung von Keramik-, Dick- oder Dünnschicht-Struktu- metrische Analyse von Laserdesorbierten Molekülen von Oberflächen),
ren im allgemeinen und von chemischen Sensoren insbesondere wird am besten unter RHEED = Reflexion High Energy Electron Defraction (Beugung schneller Elek-
tronen an Oberflächen). Andere Abkürzungen sind im Text und Tab.
kontrollierten Lösungsmittel-, Inertgas oder Ultrahochvakuum-Bedingungen durchge- 8.1.5-1 erläutert.
führt. Die Ergebnisse von so hergestellten Prototyp-Bauelementen mit wohl-definierten
Grenzflächen werden dann mit denen praktischer Bauelemente verglichen, indem beide
unter realistischen Meßbedingungen getestet und nachfolgend charakterisiert werden Wichtig ist, daß verschiedene Methoden am gleichen Sensor eingesetzt werden können,
um geometrische Atomanordnungen, Elementverteilungen, elektronische, optische und
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408 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.5 Charakterisierung von Grenzflächen 409

dynamische Strukturen erfassen zu können. Ein typischer Aufbau ist in Bild. 8.1.5-10 – Sekundärionen- oder Sekundärneutralteilchenmassenspektroskopie (SIMS oder
gezeigt. SNMS), für Tiefenprofilanalyse zur Elementverteilung,
– Rastertunnelmikroskopien (STM) und verschiedene modifizierte Ausführungen
(SXM) zur lokalen Charakterisierung von Strukturen, Zustandsdichten und Aus-
trittsarbeiten bis hin zu atomarer Auflösung und
– Molekularstrahlstudien zur Charakterisierung der Kinetik von Gas/Sensor-Wech-
selwirkungen.

Drei charakteristische Beispiele für die Bedeutung der Grenzflächencharakterisierung

zur Optimierung chemischer Sensoren sollen hier kurz vorgestellt werden:
– Die Bestimmung von Temperaturbereichen für reversible Sensor/Gas-Wechsel-
wirkungen ist ein wesentliches Optimierungskriterium für viele Sensoren. Dabei
laufen charakteristische Wechselwirkungsprozesse ab, die über die thermische Des-
orptionsspektroskopie erfaßt werden können: Der Sensor wird nach der Gaswechsel-
wirkung aufgeheizt, wobei charakteristische Desorptionsmaxima im Massenspek-
trometer bestimmten Bindungsenergien charakteristischer Sensor/Gas-Wechsel-
wirkungen zugeordnet werden. Sauerstoff spielt dabei bei eine besondere Rolle,
wenn die Sensoren der Luftatmosphäre ausgesetzt sind: Ein Beispiel für entsprechen-
de TDS-Spektren an oxidischen Leitfähigkeits-Sensoren mit Kammstrukturen und
integrierten Heizern (Bild 8.1.5-11) zeigt Bild 8.1.5-12. Aus solchen Untersuchun-
gen ergeben sich optimale Betriebstemperaturen für Sensoren, beidenen definierte
Elementarprozesse der Wechselwirkung ausgenutzt werden.

Bild 8.1.5-10: Schematischer Aufbau eines Multimethodenanalysegeräts zur kontrollierten Her-

stellung, Charakterisierung und Untersuchung von Sensoren auch unter realistischen
Sensor-Einsatzbedingungen. Andere Versuchsaufbauten ermöglichen die Bestim-
mung geometrischer Strukturen bis in den atomaren Bereich. Über Transfersysteme
werden die verschiedenen Versuchsaufbauten miteinander verbunden [8.2].

Häufig verwendete Techniken für spektroskopische Untersuchungen sind [8.2]:

– Röntgenphotoemissionsspektroskopie (XPS oder ESCA) zur Bestimmung von
chemischen Elementen und deren Oxidationszuständen,
– Ultraviolettphotoemissionsspektroskopie (UPS) zur Charakterisierung von Valenz-
bandstrukturen, Elektronenaffinitäten, Bandverbiegungen und Austrittsarbeiten,
– thermische Desorptionsspektroskopie (TDS) zur Charakterisierung von Bindungs-
energien und -Entropien adsorbierter Teilchen,
– Ionenrückstreuspektroskopie (ISS) zur Charakterisierung von Elementzusammen-
setzungen in der ersten Monolage,
– Rasterelektronen- und Augerelektronenmikroskopie (SEM und SAM), zur Cha-
rakterisierung von geometrischen Strukturen, Bild 8.1.5-11: Kammstrukturen und integrierte Heizer auf Al2O3-Substrat für Leitfähigkeits- und
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410 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.5 Charakterisierung von Grenzflächen 411

Kapazitätssensoren mit einer Arbeitstemperatur zwischen Raumtemperatur und aber nur stabil bei tieferen Temperaturen (Bild 8.1.5-15) [8.9]. Details werden in Ka-
700°C [8.17]. pitel 4.7 vorgestellt.

Bild 8.1.5-13: Das System Pd/SnO2, untersucht mit verschiedenen Grenzflächenanalysemethoden

bei unterschiedlicher Probenvorbehandlung [8.9].
Bild 8.1.5-12: Charakteristische Temperaturbereiche, welche die Sensorfunkton von Oxidsenso-
ren bestimmen, ermittelt aus dem thermischen Desorptionsspektrum (Bestimmung
des O2-Massenanstiegs im Massenspektrometer bei linearer Erhöhung der Tempe-
ratur nach Adsorption von Sauerstoffbei tiefen Temperaturen) [8.2].

Analog lassen sich Adsorptions-Desorptionszyklen in der zyklischen Voltammetrie

durch Variation der Elektrodenspannungen und Messen des Stromverlaufs verfol-
gen, um beispielsweise optimale Spannungen für spezifische amperometrische Sen-
soren zu finden.
– Die Bildung von stabilen ohm'schen Kontakten oder Schottky-Barrieren oder all-
gemein von stabilen Dreiphasengrenzflächen zwischen Metallen, Oxiden und der
Gasphase ist ein typisches Problem bei der Entwicklung von elektronen- oder ionen-
leitenden Sensoren. Als Beispiele dienen hier vergleichende spektroskopische und
elektrische Studien der Sensoreigenschaften an Platin- oder Palladium-Metallkont-
akten, die mit Metalloxid-Sensormaterialien wie TiO2 oder SnO2 bei tiefen Tem-
peraturen Schottky-Barrieren bilden. Die Eindiffusion der ionisierten Kontaktme-
talle zwischen die 1. und 2. Atomlage des Substrats produziert drastische Änderun-
gen in den elektrischen Eigenschaften: Die Schottky-Diodencharakteristik geht bei-
spielsweise über in eine ohm'sche Kennlinie bei den Systemen Pd/SnO2 (Bild
8.1.5-13) oder Pt/TiO2 (Bild 8.1.5-14).
Bild 8.1.5-14: Das System Pt/TiO2 mit der Verteilung von Pt-Atomen bzw. -Ionen an der Ober-
Schottky-Barrieren-Sensoren auf der Basis von TiO2 sind zwar sehr empfindlich, fläche [8.9].
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412 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.5 Charakterisierung von Grenzflächen 413

Bild 8.1.5-16: Schematischer Aufbau eines Tantalpentoxid-ISFETS (Abschnitt 8.6) [8.8].

Bild 8.1.5-15: Kennlinien des Pt/TiO2-Sensors mit einer druckabhängigen (p(O2) oder p(CO)) Schott-
ky-Dioden-Kennlinie nach Ausheilung im Bereich tiefer Temperaturen und einer ohm-
schen Kennlinie nach Ausheilung im Bereich hoher Temperaturen [8.9, 8.18].

– Lichtempfindlichkeiten und Driftprobleme in ionensensitiven Feldeffekttransisto-

ren (ISFETs, Abschnitt 8.6) zum Nachweis von pH-Werten (Bild 8.1.5-16) sind ein
allgemeines Problem, das dadurch gelöst werden kann, daß die Preparation des
Schichtsystems im Hinblick auf die Grenzflächenbindungen zwischen Ta2O5 und
SiO2, auf die aluminiumbedeckte Gateelektrode des Feldeffekttransistors (Band 2,
Abschnitt 10.4) und auf die metallischen Grenzflächen zum Schutz der Elektrode vor
lichterzeugenden Ladungsträgern optimiert wird (Bild 8.1.5-17) [8.8].
Bild 8.1.5-17: Tiefenprofilanalyse eines optimierten Gates am Tantalpentoxid-ISFET [8.8].
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414 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.6 Funktionsprinzipien von chemischen Sensoren 415

und kinetische Konzepte der physikalischen Chemie zur Beschreibung allgemeiner che-
mischer Reaktionen verwendet werden. Drei unterschiedliche Typen kann man danach
unterscheiden:
8.1.6 Funktionsprinzipien von chemischen Sensoren a) Gleichgewichtssensoren (beschrieben über thermodynamische Gleichgewichte),
In der Gassensortechnik werden im allgemeinen Bauelemente mit einem ähnlichen Auf- b) umsatzratenbestimmte Sensoren (beschrieben über kinetische Fließgleichgewichts-
bau und ähnlichen elektrischen Ausgangssignalen bevorzugt wie auch sonst in der Sens- bedingungen) und
ortechnik, d.h. der Sensor sollte nach Möglichkeit aus einem Festkörpermaterial beste- c) Einwegsensoren.
hen, dessen Leitfähigkeit, Kapazität, EMK o.ä. sich möglichst linear (zumindest eindeu-
tig) mit der Konzentration eines vorgegebenen chemischen Stoffes ändert. Diese Forde- Bei dem zuletzt genannten Sensortyp braucht keine Reversibilität gefordert zu werden;
rung wird z. T. erfüllt von den Metalloxidsensoren (Abschnitt 8.5) mit einer Potenzfunk- dennoch ist er – häufig mangels einer geeigneten Alternative – in der Praxis weitverbrei-
tion in der Ansprechempfindlichkeit. Wegen der heute noch häufig nicht gewährleiste- tet und gewinnt vor allem bei regenerierbaren Sensoren an Bedeutung.
ten Langzeitstabilität werden diese allerdings im praktischen Einsatz teilweise nur mit
In der praktischen Anwendung haben gegenwärtig noch alle drei Sensortypen Proble-
Vorbehalt eingesetzt. An diesen Sensoren sind aber wichtige Grundprinzipien der mole-
me mit der Langzeitstabilität und sogenannten Memory-Effekten, d.h. einer Abhängig-
kularen Erkennung bereits gut verstanden, so daß derzeit weltweit eine systematische
keit des Sensorsignals von der Vorgeschichte des Sensors. Hierdurch werden häufig die
Optimierung erfolgt. Sie sollen daher im folgenden exemplarisch als Modellsysteme
potentiellen Anwendungsfelder enorm eingeengt. Eine Möglichkeit, diese Schwierig-
ausführlicher behandelt werden.
keit zu lösen, ist die systematische Aufklärung des Sensorprinzips und die systematische
Binäre und ternäre Oxide (wie auch vakuum-sublimierbare organische Substanzen) re- Verbesserung der Teilkomponenten des Sensors.
präsentieren die wichtigste Klasse von Gas-Sensorwerkstoffen, die bei Atmosphären-
Im folgenden werden die grundlegenden Detektionsmechanismen kurz dargestellt.
druck betrieben werden können. Systematische Untersuchungen fangen üblicherweise
mit den undotierten stöchiometrisch zusammengesetzten Verbindungen an, die dann sy-
stematisch verunreinigt werden mit unterschiedlichen Volumen- oder Oberflächendo- Physisorptionssensoren
tierungen und dem Ziel, ihre elektronischen und/oder ionischen Leitfähigkeitseigen- Dieses Funktionsprinzip ist typisch für den Einsatz bei tiefen Temperaturen. Die Physi-
schaften zu optimieren. Dabei müssen zunächst die Elementarschritte der Sauerstoff- sorption beschreibt die schwache Sensor/Teilchen-Wechselwirkung ähnlich wie die in-
wechselwirkungen verstanden werden, bevor die Wechselwirkung des Sensors mit termolekulare Wechselwirkung zwischen zwei Molekulen in nicht-idealen Gasen (z.B.
anderen Gasen erfolgreich untersucht werden kann. Die detailliertesten Ergebnisse lie- über van der Waals-Bindung in Band 1.3.5). Tieftemperatur-Physisorptionssensoren
gen vor für die Prototypmaterialien TiO2, SnO2, ZnO, PbPc und ZrO2 [8.2,8.11,8.12]. messen üblicherweise Änderungen in der Masse oder der Dielektrizitätskonstanten an
Chemische Sensoren für Gasmoleküle können im Prinzip basieren auf Physisorp- Sensoroberflächen, an denen Chemisorptionsbindungen entweder nicht auftreten kön-
tions-, Chemisorptions-, Oberflächendefekt-, Korngrenzen- oder Volumende- nen oder kinetisch behindert sind.
fekt-Reaktionen. Aufgrund der vorwiegend energie-getriebenen Reaktionen bei tie- Da die intermolekularen Kräfte bei der Physisorption im allgemeinen relativ unselektiv
fen Temperaturen und der entropie-getriebenen Reaktionen bei hohen Temperaturen sind, treten grundsätzlich Querempfindlichkeiten mit anderen Gasen auf, die z.B. durch
findet bei tiefen Temperaturen bevorzugt eine Adsorption und bei höheren Tempera- Temperaturvariationen bei der Sensorsignalerfassung reduziert werden können. Feuch-
turen Defektreaktion und Desorption statt. Diese Prozesse müssen bei Sensoren auf tesensoren (Abschnitt 7) sind die am häufigsten verwendeten Physisorptionssensoren,
Partialdruckvariationen in der Gasphase reagieren. Dabei sind reversible Änderungen die entweder Physisorption oder Multilagen-Kondensation von Wasser bei einer festge-
erforderlich zum Betrieb eines zuverlässigen Sensors. Eine sorgfältige Auswahl von legten Temperatur erfassen.
Temperatur- und Partialdruckbereichen ist deshalb extrem wichtig für den Betrieb zu-
verlässig anzeigender und langzeitstabiler Sensoren. Das Ziel ist dabei üblicherweise,
den überwiegenden Einfluß von nur einem Typ der Festkörper/Gas-Wechselwirkung Chemisorptionssensoren
auszunutzen. Selektive Chemisorptionsbindungen können zu sehr spezifischen Änderungen von elek-
Alle unterschiedlichen Sensorprinzipien zur selektiven Detektion von Teilchen können trischen oder optischen Eigenschaften des Sensors führen, wie dies am Beispiel der Che-
phänomenologisch einheitlich beschrieben werden. Dazu müssen thermodynamische misorption einfacher Atome und Moleküle in der Abb. 8.6.1-1 einerseits schematisch
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416 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.6 Grundlagen der molekularen Erkennung in Gassensoren 417

und andererseits an einem konkreten Meßergebnis gezeigt ist.

Bild 8.1.6-1: Chemisorptionssensoren:

a) Donator(D)- und Akzeptor(A)-Wechselwirkung von adsorbierten Atomen mit
Sensoroberflächen: Dargestellt sind das Bändermodell (Band 2, Abschnitt 2) und
das Energie-Abstands-Diagramm (Band 1, Abschnitt 1.3.1) von geladenen (D+ Bild 8.1.6-2: Chemisorption von H, O2 und CO2, simuliert über Clusterrechnungen:
und A-) adsorbierten Atomen an der Oberfläche. Das Substrat – bestehend aus Be-, O-, F- und Li-Atomen wird über die Atoman-
b) Typische Ergebnisse zur Änderung der stationären Oberflächenleitfähigkeit ordnung oben links simuliert [8.2]. Freie Zahlen entsprechen den Atomabständen (in
∆σeq (gemessen mit der Vierspitzen-Methode) und Austrittsarbeit ∆φeq (gemes- 10-10m), Zahlenangaben in Kreisen und Rechtecken entsprechen partiellen Ele-
sen mit der Kelvin-Methode) – jeweils als Funktion des NO2-Partialdrucks – an mentarladungen der Atome vor (Kreise) bzw. nach (Rechtecke) der zusätzlichen La-
SnO2-Chemisorptionssensoren mit schematischer Darstellung der Versuchsan- dungsübertragung. H liegt als Donator (H+), O2 als Akzeptor (O2-) vor.
ordnungen [8.17].

keit und erhöhte Austrittsarbeit an der Oberfläche kann durch den Akzeptortyp der
Veränderte Ladungsverteilungen, Elektronen-Donator- oder Akzeptor-Eigenschaften Wechselwirkung mit einem resultierenden Elektroneneinfang und dem Aufbau eines
des Adsorptionskomplexes, aber auch veränderte optische Eigenschaften können u.a. als Oberflächendipols quantitativ erklärt werden. Dazu dienen entweder Clusterrechnungen
Sensorsignale ausgenutzt werden. Haufig werden Leitfähigkeitseffekte gemessen mit ei- (Bild 8.1.6-2) oder ein Bänderschema, das schematisch in Bild 8.1.6-3 gezeigt ist und in
nem typischen Beispiel in Bild 8.1.6-1b. Die erniedrigte Oberflächenleitfähig- dem die Wechselwirkung der freien im Volumen beweglichen Ladungen mit lokalisier-
ten Oberflächenzuständen durch Donator- und Akzeptorwechselwirkung erfaßt wird.
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418 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.6 Grundlagen der molekularen Erkennung in Gassensoren 419

läßt sich in Pellistoren (Abschnitt 8.2) ausnutzen.

Häufig sind bei der katalytischen Umsetzung Oberflächendefekte beteiligt, so z.B. bei
der katalytischen Umsetzung von CO an TiO2 die Sauerstofflücken (Bild 8.1.6-4). Diese
sogenannten intrinsischen Defekte, aber auch extrinsische Defekte durch Einbau von
Fremdatomen bestimmen ganz wesentlich die katalytischen Sensoreigenschaften und
erklären den empfindlichen Einfluß der Vorgeschichte des Sensors bei der Präparation
oder beim praktischen Einsatz auf die resultierenden Sensoreffekte.

Bild [Link] Bänderschema zur Beschreibung des Elektronentransfers von Chemisorptionssen-

soren an n-Typ-Halbleitem (hier Akzeptortyp der Wechselwirkung) [8.2]: Dabei be-
deuten Wvac das Vakuumniveau (Band 2, Abschnitt 2), Φ die Austrittsarbeit mit Bild 8.1.6-4: Sauerstofflücken an TiO2-(110)-Oberflächen: Geometrische und elektronische Ei-
Austrittsarbeitsänderungen ∆φ durch Elektronenaffinitätsänderungen ∆χ, Bandver- genschaften mit Gesamtzustandsdichten (Band 2, Abschnitt 1.1.3) N(W), bzw. den
biegungen an der Oberfläche |q|∆Us und Verschiebungen des Ferminiveaus relativ Zustandsdichten des Ti(1)-Atoms [8.2].
zur Bandkante im Volumen ∆(WL-WF)b (zur Vereinfachung unten im Bild nicht
eingezeichnet) WL ist die Unterkante des Leitungsbandes, WV die Oberkante des
Valenzbandes, WD1 und WD2 sind Donatorniveaus, WF das Fermi-Niveau, Wsseff das
effektive Fermi-Niveau von Oberflächenakzeptorzuständen, die durch die Wechsel- Volumendefekt-Sensoren
wirkung des n-Halbleiters mit Gasmolekülen Xgas über den Precursor-Zustand
Xphys im Physisorptionzustand unter Ausbildung von negativ geladenen Chemi- Bei tiefen Temperaturen sind Volumendefekte häufig unerwünscht, bei höheren las-
sorptionskomplexen (Xad )δ−gebildet werden. sen sie sich zum selektiven Detektieren von Teilchen ausnutzen. Dabei muß die Tempe-
ratur hoch genug sein, so daß entweder die gemischte (Elektronen- und Ionen-) oder
schnelle Ionenleitung ausgenutzt werden kann. Die Aktivierungsbarriere für die erste
Oberflächendefekt- und Katalysesensoren Reaktion des Teilchens an der Oberfläche während der allgemeinen Festkörper-Gas-
Wechselwirkung muß hinreichend niedrig sein, so daß der Prozeß ratenbestimmend
Bei gleichzeitiger Anwesenheit von Donator- und Akzeptor-Molekülen wie z.B. beim durch Volumeneffekte beeinflußt wird. Ein typisches Beispiel ist die Wechselwirkung
Nachweis von CO (als Donator) in Luft mit O2 (als Akzeptor) laufen katalytische Prozes- von Sauerstoff mit TiO2 unter Einstellung von thermodynamisch stabilen Konzentra-
se an der Halbleiteroberfläche ab, wie dies schematisch in Bild 8.1.6-1a gezeigt ist. Falls tionen von Sauerstofflücken (Bild 8.1.6-5). Selbst mit unterschiedlichen TiO2-Sensor-
Prozesse dieser Art über Leitfähigkeiten erfaßt werden, muß ein kontinuierlicher Gas- materialien können mehr als zwanzig Zehnerpotenzen des Sauerstoffpartialdrucks mit
strom dafür sorgen, daß die Reaktionsprodukte (beispielsweise bei der Wechselwir- vergleichbaren Eichkurven erfaßt werden.
kung von CO in O2 das CO2) als katalytisch gebildete Produkte kontinuierlich abge-
führt werden. Chemisorptionssensoren werden als Typ a) Sensoren, katalytische Senso-
ren als Typ b) Sensoren bezeichnet. Die Reaktionswärme bei dem katalytischen Um-
satz
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420 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.6 Grundlagen der molekularen Erkennung in Gassensoren 421

Bild 8.1.6-6: Schichtdickenabhängige Flächenleitfähigkeit σn von dünnen Bleiphthalocynanin

(PbPc)-Filmen vor und nach der Wechselwirkung mit O2 bzw. NO2 [8.11 und12].

Korngrenzensensoren
In mikrokristallinen Bereichen (Clustern) lassen sich gezielt elektronische Eigen-
schaften einstellen, die zwischen denen der individuellen Atome und Moleküle und de-
nen von Festkörpern liegen (Bild 8.1.6-7).

Bild 8.1.6-5: Volumenleitfähigkeit von verschiedenen TiO2-Sensormaterialien als Funktion des

Sauerstoffpartialdrucks [8.19].

Die Separation der Einflüsse von Volumen- und Oberflächendefekten ist möglich, wenn
schichtdickenabhängig Leitfähigkeiten erfaßt werden. Ein typisches Beispiel zeigt
Bild 8.1.6-6. Die veränderte Steigung läßt sich bei höheren Temperaturen um 470 K re-
versibel über den Sauerstoffpartialdruck einstellen, während der veränderte Achsenab-
schnitt bei tieferen Temperaturen um 300 K zum selektiven Nachweis von NO2 bis in
den ppb-Bereich hinunter ausgenutzt werden kann.

Bild 8.1.6-7: Anorganische Cluster (mikrokristalline Bereiche; hier: kleine Pt-Teilchen) mit spe-
zifischen Oberflächen.

Bei Clustern ist das Oberflächen/Volumenverhältnis sehr groß (s. Abschnitt 8.5), so daß
damit besonders oberflächenempfindliche Sensoren aufgebaut werden konnen. Elektro-
nische Gesamtleitfähigkeiten sind bestimmt durch statistische Perkolationspfade
(vgl. Bild 8.5-2 und Band 5, Abschnitt "Lineare und nichtlineare Widerstände")) über die
verschiedenen, sich berührenden Körner mit einem Engpaß der Leitfähigkeit zwi-
schen zwei Körnern, an denen analog zu den oben diskutierten Bandverbiegungseffekten
symmetrische Bandverbiegungen auftreten, die den Durchtritt durch die Grenzfläche au-
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422 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.6 Grundlagen der molekularen Erkennung in Gassensoren 423

ßerordentlich empfindlich beeinflussen. Die damit um Zehnerpotenzen variierbaren Ge- im TiO2, WL und WV die Leitungsband- bzw. Valenzbandkanten, |q|UCPD die Kon-
samtleitfähigkeiten werden beispielsweise in sogenannten Taguchi-Sensoren (Abschnitt taktpotentialdifferenz, Wvac,Zr das Vakuumniveau von Zirkon, U = WF/ |q| die vor-
gegebene äußere Spannung und Wvac, TPB das Vakuumniveau der Dreiphasengrenze
8.5) zum Nachweis von reduzierbaren Gasen ausgenutzt.
Grenzflächen- und Dreiphasengrenzen-Sensoren
Dieser Sensortyp wird durch drei charakteristische Beispiele beschrieben:
– Ein erstes Beispiel ist der chemisch sensitive Feldeffekt-Transistor (CHEMFET,
Abschnitt 8.6) mit Potentialvariationen an inneren Grenzflächen (Bild 8.1.5-16).
– Ein zweites Beispiel ist die Ausnutzung von gemischter Leitung von PbPc und Io-
nenleitung von AgJ zum elektrochemischen Erfassen von O2- und NO2-Partial-
drucken mit typischen Ergebnissen und einem schematischen Aufbau in Bild 8.1.6-9.
Einzelheiten der chemischen Zusammensetzung, geometrischen Strukturen und Vo-
lumenspezies, Grenzflächenreaktionen mit den eingefangenen Ionen O22- und NO2-
sowie den Bandkanten WV , WL und dem Bandgap Wg, der Austrittsarbeit Φ, sowie
dem Ferminiveau WF folgen aus spektroskopischen Untersuchungen.
– Das dritte Beispiel eines Dreiphasen-Grenzflächensensors ist die Schottky-Diode
(Band 2, Abschnitt 9.2) in Bild 8.6.1-8 an einer Pt/TiO2-Grenzfläche (vgl. Bild 8.1.5-
14). Nach Eindiffusion der Pt-Atome ins TiO2 geht die Diodenkennlinie in eine ohm-
sche Gerade über (vgl. Bild 8.1.5-15). Im ersten Fall erfolgt eine gasspezifische Ver-
schiebung der Kennlinie, im zweiten Fall eine gasspezifische Änderung der Steigung
der Geraden.

Bild 8.1.6-9: Schematischer Aufbau eines elektrochemischen Festkörpersensors zum potentio-

metrischen Nachweis von NO2 und O2 und Darstellung der Funktion dieses Sen-
sors im Bänderschema mit Angabe der verschiedenen elektronen-, ionen- und ge-
mischtleitenden Bereiche [8.11 und 12, s. auch Abschnitt 8.4].
Darin bedeuten WF das Fermi-Niveau, Wg die Bandlücke, φ die Austrittsarbeit,
Wvac das Vakuumniveau. Der Elektronenleiter Ag kontaktiert den Ag+-Ionenleiter
Bild 8.1.6-8: Potentialverhältnisse an der Dreiphasengrenze Pt/Gas/TiO2 (vgl. 8.1.5-14) [8.9]. AgI und dieser den gemischten Leiter (O2-, I2-, h+) Bleiphthalocyanin (PbPc).
Darin bedeuten WF,WF', W'' F die Ferminiveaus bei unterschiedlicher Austrittsarbeit, Letzterer wird durch gasdurchlässigen Kohlenstoff C elektronisch kontaktiert. Die an
eingestellt über unterschiedliche O2-Partialdrücke. ΧTiO2 ist die Elektronenaffinität, dem Sensor auftretende Zellspannung EMK U = (WF´-WF" )/|q| ist proportional zu
ΦSB die Schottky-Barrieren-Höhe an der Grenzfläche, |q|∆Us die Bandverbiegung RT/2F · ln (pO2) bzw. proportional zu RT/2F · ln(pNO2) (s. Abschnitt 8.4). Die po-
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424 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.6 Grundlagen der molekularen Erkennung in Gassensoren 425

tentialbildenden Prozesse werden im Falle der NO2-Detektion an der Phasengrenze

PbPc/C durch NO2--charakterisiert, im Falle des O2-Nachweises durch die Ausbil-
dung von O22-an der inneren Grenfläche AgI/PbPc (jeweils eingerahmte Zone im
Diagramm). Tab. 8.1.6: Einsatzparameter und Entwicklungsstadium von keramischen Gassensoren (nach
[8.30])
– Das vierte Beispiel ist die Pt/ZrO2-Phasengrenze der Lambdasonde (Abschnitt 8.4)
in Bild 8.1.6-10. An dieser Phasengrenze muß eine Umwandlung von elektrisch neu-
tralem O2 (Gasphase) in O2- (ZrO2-Volumen) erfolgen. Das Sensorsignal wird durch
die Nernstspannung (Abschnitt 8.4) zwischen den Elektroden bestimmt. Bei tieferen
Temperaturen wird die Phasengrenzreaktion durch konkurrierende Einflüsse auch
von anderen Gasen beeinträchtigt. Damit lassen sich im Prinzip diese anderen Gase
(wie CO oder NO2 ) auch mit einem Sauerstoffsensor nachweisen.

Käfigverbindungs-Sensoren
Bild 8.1.6-11 zeigt typische anorganische Käfigverbindungen, Bild 8.1.6-12 organi-
sche Käfigverbindungen, die zum selektiven Einbau von Ionen, Atomen oder Mole-
külen und damit zur selektiven molekularen Detektion verwendet werden können.

Bild 8.1.6-10: Potentialverhältnisse an der Dreiphasengrenze Pt/Gas/ZrO2 mit Anwendung der

Sauerstoffionenleitung im ZrO2 als Sensorprinzip [8.20].

Die Beispiele dieses Abschnitts zeigen, daß ein erhebliches Entwicklungspotential darin
liegt, Materialien auszunutzen mit unterschiedlichen elektronischen, ionischen oder ge-
mischtleitenden Eigenschaften unter Anwendung und Optimierung von Dreiphasen-
grenzen. Dies gilt sowohl für Gas- als auch für Flüssigkeits-Sensoren, die jeweils auf Se-
lektivität bzw. gezielte Einstellung von Querempfindlichkeiten optimiert werden. Tab.
8.1.6 zeigt einen Überblick über einige der heute eingesetzten und anwendungsnah ent-
wickelten Gassensoren.

Bild 8.1.6-11: Anorganische Käfigverbindungen (Zeolite).

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426 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.6 Grundlagen der molekularen Erkennung in Gassensoren 427

– selektive Reaktion der nachzuweisenden Spezies (hier: Glukose) am katalytisch

aktiven Zentrum des Enzyms (hier: Glukoseoxidase),
– Auswahl eines geeigneten Mediatorsystems und Mediators (hier: Ferrocen) zur
Kommunikation zwischen katalytisch aktivem Zentrum und der Elektrode und
– Auswahl des geeigneten Elektrodenmaterials und des Elektrodenpotentials für die
spezifische Detektion des Teilchens über den Strom.

Bild 8.1.6-12: Typische organische Einschlußverbindungen für die chemische Sensorik zum Nach-
weis der angegebenen Ionen oder Moleküle.
Bild 8.1.6-13: Typischer Aufbau eines amperometrischen Biosensors [8.21].
Die kontrollierte Signalableitung nach Eintreten der Sensor-Teilchen-Wechselwirkung
ist im allgemeinen problematisch. Diese kann beispielsweise über massensensitive, Deutlich wird auch an diesem Beispiel die zentrale Rolle von Grenzflächenreaktionen.
elektrische oder optische Detektionsverfahren nach Einbetten dieser Verbindungen in
Matrizes oder nach kovalentem Ankoppeln an eine Unterlage erfolgen. Dies sind typi-
sche Probleme, wie sie vor allem auch bei Biosensoren auftreten. Ausblick
Die Verfügbarkeit von Reinstmaterialien, Reinsträumen und Ultrahochvakuumtechno-
logien setzt uns heute in die Lage, nahezu perfekte Grenzf1ächen mit einer Kontrolle bis
Biosensoren
in den atomaren Bereich herzustellen. Methoden der Oberflächenspektroskopie führen
Bei Biosensoren werden verschiedene Detektierungsmechanismen ausgenutzt. Man un- zu detaillierten Informationen über chemische Zusammensetzung, geometrische, elek-
terscheidet dabei prinzipiell zwischen Metabolismussensoren (mit Enzymen, deren tronische und dynamische Strukturen von Grenzflächen, die vor, während und nach dem
Reaktionsprodukte nachgewiesen werden) und Bioaffinitätssensoren (mit selektiven Sensoreinsatz bestimmt werden können. Daraus können Rückschlüsse auf molekulare
Schlüssel-Schloß-Molekülkonfigurationen). Die folgende Abb.8.1.6-13 zeigt als Bei- Detektionsmechanismen gezogen werden. Durch Vergleich von Ergebnissen an realen
spiel den Aufbau eines typischen häufig verwendeten amperometrischen Biosensors praktischen Sensorstrukturen mit denen von Prototypstrukturen werden Ergebnisse aus
(typisches Beispiel für einen Metabolismussensor), bei dem eine Selektivität durch Opti- der Grundlagenforschung übertragbar und für den Anwender verfügbar. Damit lassen
mierung der folgenden Teilkomponenten erzielt werden kann: sich praktische Sensoren systematisch optimieren und neue Sensor-Konzepte entwic-
keln.
– Selektive Diffusion von Molekülen durch die äußere Trennmembran (Abtrennung Kontrollierte Transporteigenschaften in Dünnschichtstrukturen sind von prinzipiellem
von höhermolekularen Spezies etc.), Interesse für zukünftige Anwendungen nicht nur in der chemischen Sensorik, sondern
 Seite 215

428 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 429

auch in der Molekularelektronik oder Bioelektronik. Dies schließt die Kontrolle von
Elektronen-, Ionen- und gemischter Leitung, photobeschleunigter Leitung und von Dif-
fusionseffekten ein.
In den folgenden Abschnitten werden einige der heute technisch verfügbaren chemi-
schen Sensoren ausführlicher beschrieben, gleichzeitig werden auch die grundlegenden
Beziehungen für die Sensorcharakteristiken hergeleitet. Es wird sich zeigen, daß auch
bei chemischen Sensoren im Prinzip dieselben Meßtechniken angewendet werden, wie
bei den anderen Sensoren, allerdings ist der eigentliche Sensoreffekt – die chemische
Wechselwirkung – grundsätzlich verschieden. Aus diesem Grund wurde diese in der
Physik und Elektrotechnik häufig weniger bekannte Grundproblematik im vorliegenden
Abschnitt 8.1 ausführlicher behandelt, als das bei den anderen Sensortypen erforderlich
war.
 Seite 215

428 8.2 Pellistoren 429

8.2 Pellistoren
Geht bei einer einzelnen chemischen Reaktion innerhalb eines Systems ein Teilchen von
einem Zustand 2 mit einer höheren Energie W2n in einen Zustand 1 mit niedrigeren
g
Energie W1n über, dann kann die Energiedifferenz in die kinetische Energie ∆Wkin,n
(hierunter wollen wir allgemein jede Bewegungsenergie, d.h. auch z.B. die Energie von
Molekülrotationen, Molekülschwingungen etc. verstehen, wobei wir wissen, daß bei
elastisch gebundenen Systemen die Bewegung auch mit einer mittleren potentiellen
Energie im Feld der Federkräfte verbunden ist) einer im Mittelwert ungerichteten Bewe-
gung (auch Wärme genannt) aller Teilchen des Systems umgewandelt werden ge-
mäß der Beziehung (Band 2,Abschnitt 1.2.1):

Wir nehmen an, daß einzelne Reaktionen die Systeme in den Zuständen 1 und 2 nicht we-
sentlich ändern, in diesem Fall ergibt sich für n nebeneinander ablaufende Reaktionen:

Bezieht man die Anzahl der ablaufenden Reaktionen auf die Zeit, dann erhält man als
chemisch erzeugte Wärmeleistung Pchem:

mit der Reaktionsrate (Anzahl der Reaktionen pro Zeit, in Abschnitt 8.1.3 Reaktionsge-
schwindigkeit genannt) ∂ n/∂t. Die chemisch erzeugte Wärmeleistung bew irkt w ie die
Joulesche Wärme beim Stromfluß durch einen Widerstand eine Temperaturerhöhung
des Systems analog zu (3.1-1)

wobei Rth den Wärmewiderstand des Systems beschreibt. Die Messung der System-
temperatur kann also – wenn die Parameter in (3) und (4) bekannt sind – zur Messung der
Reaktionsrate herangezogen werden. Diese Größe hängt unter anderem von der Dichte
der vorhandenen Reaktionspartner ab (für die theoretische Behandlung kann ein ähnli-
cher Ansatz gemacht werden wie bei der Festkörperdiffusion in Band 1, Abschnitt 2.7.2
oder bei der Rekombinationsrate von Überschußladungsträgern in Band 2, Abschnitt
6.2.2, s. auch Abschnitt 8.1.3) , d.h. über die Reaktionsrate kann die Anwesenheit und
Konzentration bestimmter chemischer Substanzen nachgewiesen werden, sofern eine
Reaktion des Typs (2) stattfindet.
Da der Ablauf chemischer Reaktionen durch Katalysatoren (Abschnitt 8.1) entschei-
 Seite 216

430 8.2 Pellistoren 8.2 Pellistoren 431

dend gefördert werden kann, liegt es nahe, die Temperatur der Katalysatoren (oder von (Wärmetönung) ergeben. Eine Möglichkeit zur Verbesserung der Selektivität ergibt
Substraten mit Katalysatorzusätzen) selbst zu messen. Dieses ist das Funktionsprinzip sich, wenn nebeneinander mehrere Pellistoren bei unterschiedlichen Reaktionstempera-
der katalytischen Sensoren oder Pellistoren. turen betrieben werden, da die Reaktionsrate häufig bei bestimmten Katalysatoren eine
gasspezifische Temperaturabhängigkeit besitzt (Bild 8.2-2).
Als Sensorkörper dienen bei den Pellistoren häufig porös gesinterte Körper aus einer
chemisch inaktiven Oxidkeramik, in welcher katalytisch aktive Metallatome enthalten
sind (Bild 8.2-1). Die Porösität des Sensors sorgt für eine große Oberfläche des Kataly-
sators, wodurch die Reaktionsrate gesteigert wird.
Die Wirkung vieler Katalysatoren wird erst bei hohen Temperaturen signifikant, so daß
eine Aufheizung des Pellistors während der Messung erforderlich ist. Dieses läßt sich
zweckmäßig mit einer Platin-Heizwendel durchführen, deren Widerstand nach Ab-
schnitt 3.3.2 gleichzeitig zur Temperaturmessung herangezogen werden kann.

Bild 8.2-2 Temperaturabhängigkeit der Reaktionsrate von Katalysatoren (nach [8.22]): Im

Bereich I wird die Reaktionsrate durch die Geschwindigkeit der chemischen Reakti-
on bestimmt, dort nimmt sie in vielen Fällen exponentiell mit der Temperatur zu. Im
Bereich III ist der bestimmende Prozeß die Heranführung des reagierenden Gases an
den Katalysator durch Diffusion.

Weiter entwickelte Ausführungsformen von Pellistoren verwenden anstelle des Heiz-

drahtes Kaltleiter-Keramiksubstrate, die durch Eigenerwärmung bei Stromfluß auf eine
vorgegebene Katalysatortemperatur gebracht werden (Abschnitt 3.3.4 und Bild 8.2-3).
Bei der Auswertung des Widerstandes zur Bestimmung der Gaskonzentration werden
Bild 8.2-1 Aufbau eines Pellistors aus einer porösen Sinterkeramik (inertes Oxid wie ThO2, die in den Bildern 3.3.4-17 und 18 beschriebenen Kaltleitereigenschaften
Al2O3, SnO2 oder andere mit katalytisch aktiven Metallzusätzen, nach [1.1]): Ein- berücksichtigt.
gesintert wird eine Wendel aus einem Platin- oder Iridiumdraht, über die der Pellistor auf
die Reaktionstemperatur des Katalysators (z.B. 500°C) aufgeheizt werden kann. Der
Widerstand des Drahtes dient gleichzeitig zur Temperaturmessung.
Durch den Katalysator kann z.B. die Reaktion 2CO+O2 –> 2CO2 eingeleitet werden,
d.h. der Sensor kann zum Nachweis von CO verwendet werden.

Pellistoren werden vielfach zum Nachweis reduzierender Gase wie Kohlenmonoxid

(CO) oder Methan (CH4) eingesetzt, d.h. sie finden Anwendungen in Feuerwarnanla-
gen und beim Explosionsschutz. Zur Vergrößerung der Meßgenauigkeit werden als Re-
ferenz häufig oberflächenpassivierte chemisch inaktivierte Blindpellistoren einge-
setzt.
Nachteilig bei Pellistoren ist die geringe Empfindlichkeit und mangelnde Selektivität,
Bild 8.2-3 Pellistor mit einem beheizbaren Substrat aus einem Kaltleiterwerkstoff (Barium-
da häufig verschiedene chemische Reaktionen einen Beitrag zur Wärmeentwicklung titanat) mit aufgedampfter Katalysatorschicht (nach [8.22 und 30])
 Seite 217

432 8.3 Elektrochemische Sensoren mit ionensensitiven Elektroden 8.3 Elektrochemische Sensoren mit ionensensitiven Elektroden 433

8.3 Elektrochemische Sensoren mit ionensensitiven Elektroden

Dieser Typ von chemischen Sensoren wendet das im Anhang C1 ausführlich beschrie-
bene Prinzip der Verschiebung von chemischen Potentialen durch Veränderung der La-
dung von Dipolschichten an: Bei ionensensitiven Elektroden (Bild 8.3-1) erfolgt dieser
Prozeß durch eine chemische Reaktion an einer Meßelektrode in einem (meist io-
nen-)leitfähigen Medium (im folgenden: Elektrolyten). Eine Referenzelektrode hat
die Funktion, die Fermienergie des Elektrolyten konstant festzulegen gegenüber dem
Vakuumniveau. Nach den im Anhang C1 entwickelten Gesichtspunkten kann die Mes-
sung grundsätzlich sowohl potentiometrisch (stromlose Spannungsmessung), wie am-
perometrisch (Strommessung bei konstanter Spannung) erfolgen.

Bild 8.3-2 pH-Sensor mit Glaselektrode: Gemessen wird die Wasserstoffionen- (oder Proto-
nen-)Konzentration in der wäßrigen Meßlösung (nach [1.1]).
a) An der Glasmembran entsteht durch Reaktion mit H3O+-Molekülen eine elek-
trische Dipolschicht, welche eine EMK erzeugt, deren Größe von der H3O+-
Konzentration in der Meßlösung und damit vom pH-Wert abhängt. Der Abgriff
der Fermienergien zur Bestimmung der EMK wird jeweils über Bezugselektroly-
ten und Ableitelektroden vorgenommen.
Bild 8.3-1 Schematischer Aufbau eines potentiometrischen elektrochemischen Sensors mit b) Schematischer Verlauf der Raumladung ρQ auf beiden Seiten der Glaselektro-
ionensensitiver Elektrode: Die elektrische Dipolschicht wird an der Grenzfläche zwi- de, zusammen mit dem Ortsverlauf der Vakuumenergie Wvak(x) = -|q|U(x), s.
schen einem elektrochemisch aktiven Material (Membrane, Festkörper u.a.) und dem Anhang C1.
Elektrolyten erzeugt (nach [1.1]).

Bild 8.3-3 zeigt schematisch den allgemein verwendbaren Aufbau eines elektrochemi-
Ein wichtiges Ausführungsbeispiel für den in Bild 8.3-1 beschriebenen Sensor ist ein schen Sensors für beliebige elektroaktive Materialien.
pH-Wert-Sensor zur Messung der H+- oder Protonenkonzentration in einem Elek-
trolyten (Bild 8.3-2).
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434 8.3 Elektrochemische Sensoren mit ionensensitiven Elektroden 8.3 Elektrochemische Sensoren mit ionensensitiven Elektroden 435

Bild 8.3-3 Aufbau der Meßelektrode elektrochemischer Sensoren mit beliebigem elektroakti-
ven Material (hier als "Sensor" bezeichnet) gemäß Bild 8.3-1 (nach [1.1]).

In Bild 8.3-4 ist der Aufbau einer kommerziell erhältlichen Einstab-Meßkette zur Mes-
sung des pH-Wertes dargestellt. Bild 8.3-5 zeigt verschiedene Sensormeßköpfe mit
Membranelektroden.

Bild 8.3-5 Ausführungsformen von Membranelektroden elektrochemischer Sensoren für ver-

schiedene Anwendungen (nach [8.2])

In Tab. 8.3-1 sind verschiedene Kombinationen von Anoden- und Kathodenwerkstoffen

in Verbindung mit verschiedenen chemischen Reaktionen zusammengestellt. Der
Sensoraufbau entspricht dem Prinzip, das in Bild 8.3-6 gezeigt ist.

Tab. 8.3-1 Übersicht über die Elektrodenwerkstoffe und chemischen Reaktionen bei elektro-
chemischen Gassensoren mit einem Aufbau ähnlich wie in Bild 8.3-6 (nach [1.1]).

Bild 8.3-4 Aufbau einer Einstab-Meßkette als pH-Sensor. Eingezeichnet sind die Potential-
beiträge der einzelnen beteiligten Grenzflächen (nach [1.1]).
 Seite 219

436 8.3 Elektrochemische Sensoren mit ionensensitiven Elektroden 8.4 Sensoren mit Feststoffelektrolyten 437

8.4 Sensoren mit Feststoffelektrolyten

Die chemisch erzeugte Dipolschicht als Ursache für die Entstehung der EMK kann auch
auf andere Weise als in Bild 8.3.1 über chemische Reaktionen an einer Dreiphasengren- Die Verwendung von Feststoffelektrolyten oder Ionenleitern (Band 1, Abschnitt
ze (Abschnitt 8.1.6) erzeugt werden (Bild 8.3-6). 2.7.3) ergibt die Möglichkeit zum Aufbau von chemischen Sensoren ohne Flüssigelek-
trolyten. Der große Vorteil von Feststoff- gegenüber Flüssigelektrolyten liegt in der
Möglichkeit, mechanisch robuste Festkörperbauelemente herzustellen und z. T. in der
Selektivität: Feststoffelektrolyten lassen meist nur eine Ionenleitung für eine einzige o-
der sehr wenige Ionensorten zu. Ein Stromtransport ist stets verbunden mit einem Mate-
rialtransport im Sensor und darüber hinaus mit der Nachlieferung von Materie (Anwen-
dung als Gaspumpe, s. Bild 8.4-7) an eine der Oberflächen des Ionenleiters, wenn der
Sensor stationär betrieben wird.
Bild 8.4-1 zeigt den Aufbau eines Sauerstoffsensors mit einem Feststoffelektrolyten aus
Zirkondioxid ZrO2, dessen Ionenleitfähigkeit im Bereich hoher Temperaturen durch
eine Beimengung von Y2O3 eingestellt worden ist (durch Stabilisierung der ionenlei-
tenden Kristallstruktur).

Bild 8.3-6 Trennung von Ladungen in elektrochemischen Sensoren durch zwei katalytisch
begünstigte chemische Reaktionen (nach [1.1]): Die Oxidation des Kohlenmono-
xids zu Kohlendioxid an einer ersten (oberen) Elektrode ist mit der Erzeugung
von Elektronen und Protonen (Wasserstoffkationen) verbunden, wobei die letzteren
in einem schwefelsäurehaltigen Elektrolyten gelöst werden können. Werden an einer
zweiten (unteren) Elektrode im Elektrolyten durch eine andere chemische Reaktion
(Wasserstoffverbrennung) Protonen vernichtet, dann wandern diese im Konzentra-
tionsgradienten kontinuierlich von der ersten zur zweiten Elektrode und transportie-
ren auf diese Weise ihre Ladung durch den Elektrolyten: Die erste Elektrode wird ne-
gativ, die zweite hingegen positiv aufgeladen.
Zwischen beiden Elektroden entsteht eine EMK, die mit dem Aufbau eines Poten- Bild 8.4-1: l-Sonde (nach [1.1]): Oberhalb (z. B. mit Luft als Referenzgas) und unterhalb
tials verbunden ist, welches im stromlosen Zustand die Reaktion schließlich zum (z. B. Auspuffgase als Meßgas) des sauerstoffleitenden Feststoffelektrolyten (ZrO2/
Stillstand bringt (potentiometrischer Sensor). Wird die EMK kontinuierlich durch Y2O3) befinden sich zwei getrennte Bereiche mit unterschiedlichen Sauerstoff-
einen Stromfluß abgebaut, dann ist der fließende Strom proportional zur chemischen partialdrücken. Die unterschiedlichen Sauerstoffkonzentrationen erzeugen über dem
Reaktionsrate (amperometrischer Sensor, wie in der Abbildung dargestellt). Ionenleiter eine Diffusionskraft (Gradient des chemischen Potentials aufgrund der
a) einfacher Aufbau des amperometrischen CO-Sensors unterschiedlichen Teilchenkonzentration, s. Band 1, Abschnitt 2.1), die ihrerseits ei-
b) verbesserte Ausführung mit einer Bezugselektrode zur Einhaltung einer kon- nen Stromfluß von Sauerstoffionen bewirkt. Die Beweglichkeit der Sauerstoffionen
stanten Spannung an der Arbeitselektrode. (O2-) bestimmt die elektrolytische Leitfähigkeit. Dazu ist eine Aufheizung auf min-
destens 500°C erforderlich.
Kennzeichnend ist, daß der Sauerstoff in gasförmigem Zustand elektrisch neutral
ist, aber nur in ionisierter Form (O2-) durch den Feststoffelektrolyten geleitet wer-
den kann, d.h. er muß auf der einen Seite des Sensors negativ aufgeladen, auf der an-
deren hingegen entladen werden. Dadurch baut sich zwischen der inneren und äuße-
ren Elektrode eine Ladungs-Doppelschicht – und damit eine EMK – auf. Diese ist
ein Maß für die Differenz der Sauerstoffpartialdrücke.
 Seite 220

438 8.4 Sensoren mit Feststoffelektrolyten 8.4 Sensoren mit Feststoffelektrolyten 439

Die Ionenleitung im Feststoffelektrolyten führt zur Ausbildung einer Ladungs-Doppel- ladungen σQ.
schicht (Anhang C1), weil die neutralen Sauerstoffatome aus dem Gas erst ionisiert wer- c) Die Flächenladungen erzeugen ein konstantes elektrisches Feld E.
den müssen, bevor sie in den Festkörper eingebaut werden können, gleichzeitig werden d) Der Feldstärkeverlauf E ist verbunden mit einem linearen Anstieg des Potenti-
als ϕ.
sie beim Austritt aus dem Festkörper wieder neutralisiert. Auch in diesem Fall führt die O2- für negativ
e) Aufgrund des Potentialfeldes nimmt die potentielle Energie Wpot
Ausbildung einer Ladungsdoppelschicht zu einer EMK, die als Maß für den Konzentra-
geladene Sauerstoffionen O2- linear ab.
tionsunterschied zwischen beiden Dreiphasengrenzflächen im thermischen Gleichge-
f) Die potentiellen Energien aus e) addieren sich zu den Werten der Energien in
wicht herangezogen werden kann (Bild 8.4-2) a). Die Wirkung ist ein Ausgleich der chemischen Potentiale µO2- aufgrund der
zusätzlichen elektrostatischen Wechselwirkung (d.h. durch Bildung der Dipol-
schicht in b) gehen die O2--Ionen in ein thermisches Gleichgewicht über). Die
physikalische Interpretation ist, daß die Flächenladungen ein elektrisches Feld
bilden, dessen Feldkraft der ursprünglich vorhandenen Diffusionskraft entgegen-
wirkt, bis beide entgegengesetzt gleich groß sind. Da das Potentialfeld d) aber
gleichzeitig auch auf Elektronen wirkt, verschieben sich im thermischen Gleich-
gewicht der O2--Ionen die Fermieenergien WF für Elektronen gegeneinander:
Es entsteht eine Elektronen-EMK, d.h. eine von außen meßbare Spannung der
Größe Ua.

Die Bedingung für das thermische Gleichgewicht ist, daß sich eine Potentialdifferenz ∆ϕ aufbauen
muß der Größe

mit der Ionenladungszahl oder Wertigkeit n, die im obigen Fall zwei (bei Betrachtung vion Sauer-
stoffmolekülen vier) beträgt. Die EMK ist dann

Die neutralen Sauerstoffmoleküle rechts und links vom Ionenleiter verhalten sich näherungsweise wie
ein ideales Gas: Dann ergibt sich als chemisches Potential analog zu der Betrachtung bei Elektronen in
Abschnitt 2.1

Wir nehmen an, daß für die negativ geladenen O2--Ionen eine ähnliche Beziehung gilt (die zu WO2und
Bild 8.4-2: Entstehung der EMK bei einem Sauerstoffsensor mit einem Aufbau wie in den
Neff äquivalenten Größen kürzen sich ohnehin heraus) und erhalten
Bildern 8.1-5 oder 8.4-1.
a) Energiediagramm des Systems Gasraum-Festkörperelektrolyt-Gasraum vor
Beginn der Ionenleitung: Eingetragen sind die chemischen Potentiale µO2- für
O2--Ionen an den gegenüberliegenden Kontaktflächen des Ionenleiters (es wird
angenommen, daß diese proportional sind zu den chemischen Potentialen der
neutralen O2--Moleküle in den beiden Gasräumen rechts und links vom Ionen- Damit ergibt sich als EMK
leiter) und die Fermienergien WF (chemisches Potential für Elektronen). Als Re-
ferenz dient die Vakuumenergie Wvak.
b) Aufgrund des Gradienten von µO2- diffundieren O2--Ionen von rechts nach
linksDurch Ionisation (rechte Seite) der ursprünglich neutralen O2--Moleküle
und Neutralisierung (linke Seite) entstehen die positiven und negativen Flächen- Diese Beziehung wird auch als Nernstsche Gleichung bezeichnet.
 Seite 221

440 8.4 Sensoren mit Feststoffelektrolyten 8.4 Sensoren mit Feststoffelektrolyten 441

Die Nernstsche Gleichung (5) gilt näherungsweise auch für die Partialdrücke pmeß
O2
und pOref2 des Sauerstoffs im Meß- und Referenzgas, so daß man eine EMK der Größe
erhält (das chemische Potential wird auf Sauerstoffmoleküle bezogen)

Diese Beziehung wird experimentell gut bestätigt (Bild 8.4-3).

Bild 8.4-4: Ansprechgeschwindigkeit eines Sauerstoffsensors mit Feststoffelektrolyten bei ei-

nem Wechsel der Gasatmosphäre von Luft (O2/N2-Gemisch von 21:79) auf eine
sauerstoffarme Mischung (O2/N2-Gemisch von 3:97) für verschiedene Tempera-
turen. Wegen der relativ langsamen Festkörperdiffusion ergeben sich schnelle An-
sprechzeiten erst bei sehr hohen Temperaturen (nach [8.24]).

Bild 8.4-3: Abhängigkeit der EMK eines Sauerstoffsensors mit Feststoffelektrolyten vom
Sauerstoffpartialdruck bei verschiedenen Temperaturen. Der Referenzdruck beträgt
pOref2 = 720 mbar (nach [8.24]).

Da die Änderungsgeschwindigkeit der EMK bei Feststoffelektrolytsensoren, die maß-

gebend ist für die Ansprechgeschwindigkeit des Sensors, abhängt von der Diffusionsge-
schwindigkeit des die Leitfähigkeit im Elektrolyten erzeugenden Ions, müssen schnell
reagierende Sensoren bei relativ hohen Temperaturen betrieben werden (Bild 8.4-4).
Sauerstoffsensoren nach dem in Bild 8.4-2 beschriebenen Prinzip finden eine wichtige
Anwendung bei der Abgaskontrolle von Verbrennungsmotoren: Dabei wird als Steuer-
größe das Luft-Kraftstoffverhältnis λ gemäß
Bild 8.4-5 Regelbereich der λ-Sonde und Verringerung des Schadstoffanteils im Abgas von
Verbrennungsmotoren (nach [8.25]); Die gestrichelte Kurve gibt die Motoremission
ohne, die durchgezogene mit katalytischer Nachbehandlung wieder.
mit Hilfe einer l-Sonde auf einen Wert von λ ungefähr bei 1 geregelt, bei dem sich
eine optimale Wirkung des Abgaskatalysators einstellt (Bild 8.4-5):
Ein λ-Wert kleiner oder gleich eins ist gleichbedeutend mit einem starken Abfall der
 Seite 222

442 8.4 Sensoren mit Feststoffelektrolyten 8.4 Sensoren mit Feststoffelektrolyten 443

Sauerstoffkonzentration. Wie auch die elektrochemischen Sensoren können λ-Son- Tab. 8.4-1 Übersicht über den Aufbau von Zellen zur potentiometrischen Messung von Gas-
den sowohl potentiometrisch wie amperometrisch eingesetzt werden (Bild 8.4-6). konzentrationen mit Feststoffelektrolyten (nach [1.1]): ME bezeichnet die Meßelek-
trode, MR die Referenzelektrode: Anstelle über ein Referenzgas mit vorgegebenem
Partialdruck des zu messenden Gases kann der Referenzpartialdruck in vielen Fällen
auch über ein thermisches Gleichgewicht innerhalb der Referenzelektrode einge-
stellt werden.

Bild 8.4-6 Ausführungsformen und Kennlinien der λ-Sonde (nach [8.25])

a) potentiometrischer Sensor (Spannungssonde)
b) amperometrischer Sensor (Stromsonde)

In der Tabelle 8.4-1 ist eine Übersicht über weitere Systeme zur potentiometrischen
Messung von Gaskonzentrationen mit Feststoffelektrolyten zusammengestellt.
In einem Festkörperelektrolyten ist der elektrische Stromfluß stets mit einem Material-
transport der leitenden Ionensorte verbunden, d.h. bei dem System in Bild 8.4-2 ist nur
ein Stromfluß möglich, wenn gleichzeitig Sauerstoff durch den Sensor transportiert
wird. Auf diese Weise kann der Sensor auch als Gaspumpe verwendet werden: Bei
Anlegen einer äußeren Spannung an den Sensor wird ein Stromfluß erzwungen, der nur
durch Abtransport von Sauerstoff von der einen zur anderen Elektrode ermöglicht wird.
Durch kontrolliertes Abpumpen können auf diese Weise die Verhältnisse in einem Refe-
renzgas definiert eingestellt werden (Bild 8.4-7).
 Seite 223

444 8.5 Metalloxidsensoren 8.5 Metalloxidsensoren 445

Bei der katalytischen Oxidation von Gasen wie H2, CH4, CO, C2H5OH oder H2S als
oxidierbare Gase an der Festkörperoberfläche vergrößert sich effektiv die positive
Wertigkeit der Adsorptionskomplexe, d.h. bei der Reaktion werden Elektronen an die
Festkörperoberfläche abgegeben. Dadurch erhöht sich die Elektronenkonzentration an
der Oberfläche (Oberflächeneffekt), so daß in n-leitenden Halbleitern eine Aufla-
dung durch Akkumulation erfolgt, in p-Halbleitern hingegen durch Entleerung. Ent-
sprechend ist auch die Wirkung auf die Elektronenoberflächenleitfähigkeit: Sie ver-
größert sich bei n-Leitern, verkleinert sich jedoch bei p-Leitern.
Bei hinreichend großer Beweglichkeit von Sauerstoffionen im Festkörper (Temperatu-
Bild 8.4-7 Kombination aus einem Gassensor mit Feststoffelektrolyten und einer Gaspumpe: ren oberhalb von ca. 500°C) tritt auch ein Volumeneffekt auf: Die Sauerstoffkon-
Über die letztere kann der Partialdruck in einer abgeschlossenen Referenzkammer zentration eines Gases außerhalb des Festkörpers bestimmt über ein chemisches
definiert eingestellt werden (nach [8.26]) Gleichgewicht mit den Sauerstoffionen des Metalloxids dort die Fehlstellen-, vor allem
häufig die Leerstellendichte. Bei vielen oxidischen Werkstoffen steigt die Elektronen-
volumenleitfähigkeit mit der Konzentration der Sauerstoffleerstellen an (dort lagern
8.5 Metalloxidsensoren sich schwach gebundene – quasifreie – Elektronen an und verursachen eine Donatorwir-
Die Entstehung von Ladungsdoppelschichten bei der Reaktion chemischer Stoffe mit kung der Leerstellen).
Festkörperoberflächen ist in den vorangegangenen Abschnitten ausführlich diskutiert
worden. Bei Halbleitern und Isolatoren erfolgt die Ladungserzeugung auf der Festkör-
pergrenzfläche in vielen Fällen über Prozesse wie die Akkumulation, Entleerung oder
Inversion (Band 2, Abschnitt 4.2), d.h. über eine durch die Werkstoffeigenschaften fest-
gelegte typischeVerbiegung der Valenz- und Leitungsbandkanten im Bändermodell.
Hierdurch wird die Oberflächendichte beweglicher Ladungsträger beeinflußt, d.h. die
elektrische Oberflächenleitfähigkeit σsp verändert sich in charakteristischer Weise. Auf
dieser Basis läßt sich eine Vielzahl resistiver Gassensoren mit wichtigen Anwen-
dungsmöglichkeiten realisieren (s. auch Diskussion in Abschnitt 5.1). Die von der Mole-
külkonzentration des chemischen Stoffes abhängigen Leitfähigkeitsänderungen kön-
nen bei halbleitenden Werkstoffen eine erhebliche Größenordnung annehmen, wobei
insbesondere halbleitende Metalloxide zur Anwendung kommen (Tab. 8.5-1 und 2).

Tab. 8.5-1 Halbleitende Metalloxide für Anwendungen in Gassensoren (nach [1.1])

Bild 8.5-1: Aufbauformen von Gassensoren mit Metalloxidschichten (nach [1.1]):

a) Sinterkörper mit eingeschlossener Heizwendel
b) Sinterkörper mit separater Heizwendel
c) Dick- oder Dünnschichtsensor mit separater Heizschicht.
 Seite 224

446 8.5 Metalloxidsensoren 8.5 Metalloxidsensoren 447

Die chemische Reaktion zwischen Gas und Sensor ermöglicht in den meisten Fällen erst
bei höheren Temperaturen die Einstellung eines Gleichgewichts, so daß im Aufbau des
Sensors (Bild 8.5-2) eine Heizvorrichtung vorgesehen sein muß. Für diesen Sensortyp –
wie für andere chemische Sensoren aus anderen Gründen (s. Bild 8.1.5-12) auch – ist die
Einstellung einer konstanten Betriebstemperatur eine wichtige Voraussetzung für die
Reproduzierbarkeit der Sensoreigenschaften.
Bei Sensoren auf der Basis des Oberflächeneffekts ergibt sich eine besonders hohe Emp-
findlichkeit durch ein günstiges Verhältnis von Oberflächen- zu Volumenleitfähigkeit,
wenn die Sensoren aus porösen Sinterkörpern hergestellt werden, in welche das Gas ein-
dringen kann (Prinzip in Bild 8.5-3, Ausführungsformen in Bild 8.5-1a und b).

Bild 8.5-2 Steigerung der Empfindlichkeit von Gassensoren durch Anwendung poröser Sin-
terkörper.
Bild 8.5-3: Taguchi-Sensor (nach [8.27]): Der Gassensor hat einen ähnlichen Aufbau wie in
Oberflächeneffekt: Die Gasreaktion erfolgt auf einer sehr großen Oberfläche, ein Bild 8.5-1a.
parasitärer Beitrag der Volumenleitfähigkeit wird durch Verwendung kleiner Körner
a) Montage des Sensors in einem Gehäuse
herabgesetzt (großes Verhältnis Oberfläche/Volumen).
b) Einfache Meßschaltung
Volumeneffekt: Bei Verwendung kleiner Körner sind die Abstände von der Ober-
fläche relativ gering, d.h. Sauerstoffleerstellen benötigen nur relativ geringe Diffusi- c) Kalibrier-Kurve für verschiedene Gase (Typ TGS 109)
onslängen, um in das Volumen zu gelangen. Dadurch entsteht eine größere Empfind-
Bei Verwendung von Dick- und Dünnschichtausführungen wie in Bild 8.5-1c sind – im
lichkeit und Ansprechgeschwindigkeit.
Gegensatz zur Sintertechnik – keine Prozesse bei sehr hohen Temperaturen erforderlich.
Bei Verwendung von Dickschichtverfahren können weitgehend dieselben Ausgangs-
Die meisten Gassensoren mit Metalloxidschichten sind aus der empirischen Erfahrung werkstoffe (feinkörniges Pulver aus Werkstoffen bekannter Zusammensetzung) wie bei
heraus entwickelt worden. Verschiedene Zusätze mit den Metallen Pd, Pt, Au, Ag und den Sinterverfahren eingesetzt werden, so daß vorhandene empirische Erfahrungen ge-
Cu können die Empfindlichkeit vergrößern (z. B. durch Katalysatorwirkung), weiterhin nutzt werden können. Bei Dünnschichtverfahren hingegen müssen die aktiven Sen-
können sie die Selektivität, Lebensdauer und Stabilität verbessern aufgrund von Mecha- sorschichten sorgfältig synthetisiert werden, wodurch die Zusammensetzung in der Stö-
nismen, die häufig atomistisch noch nicht im Detail verstanden werden. chiometrie und dem Gitteraufbau besser kontrolliert werden kann. Diese Verfahren
könnten auch – bei einem relativ zum heutigen Wissensstand verbesserten physikali-
In der Anwendung am verbreitetsten ist zur Zeit der Taguchi-Gassensor (Bild 8.5-
schen Verständnis der grundlegenden Mechanismen – langfristig zu definierteren
3), der für vielfältige Anwendungen in der Feuer- und Gaswarntechnik, Verbrennungs-
Werkstoffeigenschaften und damit einer reproduzierbareren Beherrschung der Sensor-
überwachung, etc. eingesetzt werden kann, nur mit Einschränkungen hingegen für
eigenschaften führen.
quantitative Messungen.
 Seite 225

448 8.6 Chemisch sensitive Feldeffekttransistoren (CHEMFETs) 8.6 Chemisch sensitive Feldeffekttransistoren (CHEMFETs) 449

8.6 Chemisch sensitive Feldeffekttransistoren (CHEMFETs)

Es liegt nahe, die Empfindlichkeit von chemischen Sensoren auf der Basis von Oberflä-
cheneffekten dadurch zu steigern, daß sie in Halbleiter-Oberflächenbauelementen inte-
griert werden. Hierfür bieten sich insbesondere die MIS-Techniken (Band 2, Abschnitte
5.3.1 und 10.4) an. Feldeffektbauelemente nach diesem Prinzip werden unter dem Sam-
melbegriff CHEMFET (chemically sensitive field effect transistor) zusammenge-
faßt, mit den speziellen Bezeichnungen ISFET (ion sensitive field effect transistor)
oder GASFET (gas sensitive field effect transistor) für die Detektion von Ionen und
Gasmolekülen. Die Steuerung erfolgt über eine chemisch empfindliche Schicht ober-
halb des Kanalgebiets von Metalloxid-Feldeffekttransistoren (MOSFETs, Bilder 8.6-1
und 2). Bild 8.6-2: Aufbau eines ISFETs zur Messung spezifischer Ionenkonzentrationen in einem
Elektrolyten (nach [1.1]): Die Gatespannung wird durch die EMK zwischen dem
Elektrolyten (verbunden mit der Source) und dem n-Kanal definiert, sie ist nach den
Abschnitten 8.1 und 8.3 abhängig von der Ladungs-Doppelschicht zwischen dem
Elektrolyten und dem Halbleiter. Durch Wahl spezieller ionensensitiver(IS)-Schich-
ten können spezifische Ionenreaktionen begünstigt werden.

Tab. 8.6-1 Werkstoffkombinationen für chemisch sensitive Halbleiter-Oberflächenbauele-

mente (nach [1.1])

Bild 8.6-1: Wasserstoff-GASFET mit Palladium-Gatemetall (nach [8.28 und 29]): Wasser-
stoffmoleküle H2 dissoziieren bereits bei Raumtemperatur an der Oberfläche des
Palladiums zu HA und diffundieren an die Grenzfläche zwischen Gatemetall und
Gateoxid. Dort erzeugen sie als H1 eine Ladungs-Doppelschicht, die sich auswirkt
wie eine Veränderung der Gatespannung (Veränderung der "effektiven" Austrittsar-
beit).
a) Aufbau des GASFETs
b) Entstehung der Ladungs-Doppelschicht durch Anlagerung von Wasserstoffio-
nen an der Grenzfläche Gatemetall-Gateoxid.

In der Tabelle 8.6-1 sind weitere mögliche Werkstoffkombinationen für den Aufbau
chemisch empfindlicher Feldeffekttransistoren zusammengestellt. Auch Schottkydio-
den (Band 2, Abschnitte 5.3.2 und 9.2) lassen sich als gasempfindliche Halbleiter-Ober-
flächenbauelemente aufbauen; in diesem Fall dient die Schottky-Barrierenhöhe als
Steuergröße (s. Abschnitt 8.1.6).
 Seite 226

450 8.6 Chemisch sensitive Feldeffekttransistoren (CHEMFETs) 8.6 Chemisch sensitive Feldeffekttransistoren (CHEMFETs) 451

Der Drainstrom chemisch aktiver MOS-Transistoren oberhalb der Abschnürspannung

(Sättigungsbereich der MOS-Kennlinien) wird durch die Standardtheorie (Band 2, Ab-
schnitt 10.4.1: dort werden auch die einzelnen Größen weiter erläutert) beschrieben:

Bild 8.6-3: CHEMFET mit einem chemisch passiviertem Referenzsystem, in welches das
Meßgas nicht eindringen kann (nach [1.1]).

Eine Reihe von Variationsmöglichkeiten ergibt sich für die Einkopplung der potential-
Die durch die chemische Reaktion gesteuerte elektrische Größe ist dabei in vielen Fällen bildenden Prozesse durch chemisch reagierende Substanzen in die Halbleiteroberflä-
die Gatespannung UG, welche durch die EMK der Ladungsdoppelschicht beeinflußt che. Hierfür können z.B. poröse Gatemetallschichten oder spezielle Gatekonstruktionen
wird. Alternativ dazu können sich aber auch andere Größen, wie die Flachbandspan- verwendet werden wie in Bild 8.6-4.
nung UaFB ändern, die ihrerseits nach (2) von einer Anzahl von Werkstoffparametern Auf dem Gebiet der chemisch sensitiven Halbleiterbauelemente werden zur Zeit noch
(Arbeitsfunktionen, Oxid- und Grenzflächenladungen u.a.) beeinflußt wird. Alle diese umfangreiche Forschungsarbeiten durchgeführt mit den Zielsetzungen:
Größen hängen empfindlich von den Randbedingungen der chemischen Reaktion und
dem Zustand und Reinheitsgrad des Systems Gatemetall-Gateoxid-Halbleiteroberflä- – Entwicklung neuer Systeme und Werkstoffkombinationen mit höherer Stabilität
che ab. und geringerer Anfälligkeit gegenüber Kontamination und Desensibilisierung (z.B.
Aus der empfindlichen Abhängigkeit von vielen – in ihrer Auswirkung sehr unter- durch Einführung von Schutz- und chemischen Sperrschichten)
schiedlichen – Werkstoffgrößen ergibt sich auch die grundsätzliche Schwierigkeit der – Begünstigung vorbestimmter chemischer Reaktionen durch Katalysatorzusätze
CHEMFETs: Der Zustand des Systems ändert sich stark mit dem Kontaminationsgrad,
– Entwicklung von Sensoren mit einer (lokalen) Aufheizung, um bestimmte chemi-
der in den meisten Fällen schwer zu kontrollieren ist, da der einstellbare Temperaturbe-
sche Reaktionen zu fördern
reich aufgrund der Anwesenheit von Flüssigkeiten oder durch den technologischen Auf-
bau der Sensoren stark eingeschränkt ist. Die Sensorkennlinien sind daher in vielen Fäl- – Entwicklung "intelligenter" Sensoren, die aufgrund einer integrierten Datenverar-
len wenig langzeitstabil: Häufig verlieren die Sensoren nach einiger Zeit ihre Empfind- beitung die ermittelten Daten besser auswerten können
lichkeit. Darüber hinaus erfordert die Einführung passiver miniaturisierter Referenzsy-
– Entwicklung von Sensorarrays, d.h. einer Vielzahl gleichzeitig betriebener chemi-
steme (Bild 8.6-3) eine zusätzliche Materialoptimierung.
scher Sensoren mit bevorzugter Empfindlichkeit für bestimmte Reaktionen.
 Seite 227

452 8.6 Chemisch sensitive Feldeffekttransistoren (CHEMFETs)

Anhang A
Dimensionen und Formelzeichen

SI-Einheiten
Als Dimensionen werden die vom International System of Units (SI) zugelassenen ver-
wendet:
Länge m (Meter)
Masse kg (Kilogramm)
Zeit s oder sec (Sekunde)
elektrischer Strom A (Ampere)
thermodynamische Temperatur K (Kelvin)
Materialmenge Mol
Lichtintensität cd (Candela)

Für die Energie ergibt sich die zusammengesetzte Einheit:

1 J (Joule) = 1 N·m = 1 kg·m2/s2 = 1 W·s
mit der zusammengesetzten Einheit für die Kraft:
1 Ν (Newton) = 1 kg·m/s2
Wegen der speziellen Bedeutung in der Physik und Elektrotechnik ist weiterhin als Di-
mension für die Energie zugelassen:
eV (Elektronenvolt), wobei gilt:
1 J = 6,2421·1018eV, 1 eV = 1,602·10-19 J
Bild 8.6-4: Gatemetallisierte CHEMFETs: Die Einkopplung elektronischer Steuergrößen durch
chemisch reagierende Substanzen an das Metall-Isolator-Halbleiter(MIS)-System
wird durch spezielle Gatekonstruktionen gefördert (nach [1.1]) Die Temperaturangabe kann in °C (Grad Celsius) erfolgen, wobei gilt:
a) surface-accessible GASFET mit Adsorption am metallischen Gate 1°C = 1K + 273,2K
b) perforiertes Gate
c) split gate Auf dem Gebiet der Halbleiterphysik erfolgt in der älteren Literatur häufig noch eine
d) aufsuspendiertes Platin-Mikronetz Längenangabe in cm (Zentimeter).
e) Beispiel eines Sensors für aliphatische Alkohole: Weiterhin werden die folgenden zusammengesetzten Größen verwendet:
Ein Platin-Mikronetz wird mit Polypyrrol (elektrisch leitfähig) beschichtet.
 Seite 228

454 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 455

Leistung 1 W (Watt) = 1 J/s = 1 V·A Druckeinheit). In der angelsächsischen Fachliteratur wird auch noch die Einheit psi
(pound per square inch) verwendet:
elektrische Spannung 1 V (Volt) = 1 W/A
1000 psi = 6,89 MPa
elektrische Ladung 1 C (Coulomb) = 1 A·s
Kapazität 1 F (Farad) = 1 C/V
mechanische Spannung 1 Pa = 1 N/m2 Früher verwendete Dimensionen :
Länge 1 A (Angström) = 10-10m
magnetischer Fluß 1 Wb (Weber) = 1 V·s
1 Lichtjahr = 9,461·1015m
magnetische Induktionsflußdichte 1 T (Tesla) = / 1 V·s/m2
1 mil (tausendestel Inch) = 2,54·10-5m
Kraft 1 kp = 1kg·9,81 m/s2= 9,81 N
1 dyn = 10-5N
Präfixe: Multiplikationsfaktor Präfix Symbol
Druck 1 atm (Atmosphäre) = 760 mm Hg = 760 Torr
1018 exa E
1015 peta P = 1,033 kp/cm2= 0,1013 MPa
1012 tera T
1 Torr = 133,3 Pa
109 giga G
106 mega M 1 kp/mm2 = 9,81 N/mm2= 9,81 MPa
103 kilo k
1 bar = 0,1 MPa
102 hecto h
10 deka da 1 mbar = 1 hPa (Hektopascal)
10-1 dezi d 1 psi (pound per square inch) = 6,895·103Pa
10-2 centi c Energie 1 Btu (international) = 1,055·103J
10-3 milli m
10-6 mikro µ 1 erg = 10-7J
10-9 nano n 1 cal (Kalorie) = 4,185 J
10-12 pico p
10-15 femto f 1 eV/Atom ≈ 96 kJ/Mol ≈ 23 kcal/Mol
10-18 atto a 1 kWh (Kilowattstunde) = 3,6 MJ
Leistung 1 PS (Pferdestärke) = 0,745 kW
Beispiel: Viskosität 1 Poise = 0,1 Pa·s
1 MPa = 106 N/m2 =1 N/mm2 magnetische Feldstärke 1 Oe (Oerstedt) = 79,58 A/m
magnetische Induktions- 1 G (Gauß) = 10-4 T
Mit der Erdbeschleunigung g = 9,81 m/s2 gilt: flußdichte

9,81 MPa = 1 g·kg/mm2= 1kp/mm2= 100 at

(kp ist die früher verwendete Krafteinheit Kilopond, at die technische Atmosphäre als
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456 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 457

Formelzeichen DE m2/s Diffusionskoeffizient im Emitter

Dn m2/s Diffusionskoeffizient für Elektronen
Formelzeichen Dimension Bedeutung
Dp m2/s Diffusionskoeffizient für Löcher
a m Gitterabstand D, A·s/m2 dielektrische Verschiebungsdichte
A V·s/m Vektorpotential Dik Pa Komponenten des Tensors der piezoresistiven Mo-
(x,y,z) m Basisvektor im Gitter (in x,y,z-Richtung) duln
A m2 Fläche, Querschnitt dik A·s/N Komponenten des Tensors der piezoelektrischen
Koeffizienten
B m Breite eines Bauelements
Ε Pa Elastizitätsmodul
B 1/s = Hz Bandbreite eines Meßsystems
E, V/m elektrische Feldstärke
B, T magn. Induktionsflußdichte
Ea V/m von außen meßbare oder von außen angelegte elektri-
B m2/eV·s (thermodyn.) Beweglichkeit
sche Feldstärke (=-∆WF/|q|)
Bn m2/eV s (thermodyn.) Elektronenbeweglichkeit
Ebr, br V/m Durchbruchfeldstärke
Bp m2/eV s (thermodyn.) Löcherbeweglichkeit
EH V/m Hall-Feldstärke
cdi m/s Wellengeschwindigkeit im Dielektrikum
Emax, max V/m Maximalfeldstärke (in einer Raumladungszone)
cvac m/s Wellengeschwindigkeit im Vakuum
f 1/s Frequenz
c,CA,.. 1/m3 Volumenkonzentration
fFD(Wn) 1 Fermi-Dirac-Funktion (Besetzungswahrscheinlichkeit
C F Kapazität des Zustandes Wn)
CF F/m2 Kapazität pro Fläche (Flächenkapazität) fB(Wn) 1 Boltzmann-Funktion (Besetzungswahrscheinlichkeit
des Zustandes Wn in Boltzmann-Näherung)
CFox F/m2 Oxidkapazität pro Fläche
fD 1 Besetzungswahrscheinlichkeit für Donatoren
CFHL F/m2 Halbleiterkapazität pro Fläche
fA 1 Besetzungswahrscheinlichkeit für Akzeptoren
CS F Sperrschichtkapazität
F N Kraft
cth W s/K Wärmekapazität
F dB Rauschmaß
Cg F Gehäusekapazität
F(i) eV freie Energie
d m Breite, Abstand, Länge
Fabs g/m3 absolute Feuchte
dn m Breite der Raumladungszone in einem n-Halbleiter
Fsat g/m3 Sättigungsfeuchte
dp m Breite der Raumladungszone in einem p-Halbleiter
Frel % relative Feuchte
D m2/s Diffusionskoeffizient
chem N chemische Kraft auf ein Teilchen
D m·Hz1/2/W (optische) Detektivität, Nachweisvermögen
G 1/m3s Erzeugungs- oder Generationsrate
DC m2/s Diffusionskoeffizient im Kollektor
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458 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 459

G eV freie Enthalpie jn A/m2 elektrische Stromdichte für Elektronen

G unterschiedlich Meßgröße eines Sensors jp A/m2 elektrische Stromdichte für Löcher
Gn 1/m3s Erzeugungs- oder Generationsrate von Elektronen js A/m2 Sättigungsstromdichte
G∆Q 1/m3s thermische Erzeugungs- oder Generationsrate jB A/m2 Basisstromdichte
Gphot 1/m3s Erzeugungs- oder Generationsrate von Photonen jC A/m2 Kollektorstromdichte
Gth J/s·K Wärmeableitungskoeffizient jE A/m2 Emitterstromdichte
gD 1/Ω Kanalleitwert jT 1/m2s Teilchenstromdichte
gm 1/Ω Querleitfähigkeit, Steilheit jnT 1/m2s Teilchenstromdichte für Elektronen
hik unterschiedlich Vierpolparameter in Hybriddarstellung jpT 1/m2s Teilchenstromdichte für Löcher
H, A/m magnetische Feldstärke jTphot 1/m2s Teilchenstromdichte für Photonen
Hc, c A/m Koerzitivkraft J T magnetische Polarisation
IR A Rauschstrom k 1 k-Faktor
I A elektrischer Strom Kλ W/m2·µm spektrale Strahlungsdichte
IA A Anodenstrom L V·s/A, H Induktivität
IE A Emitterstrom L m Kanallänge
IB A Basisstrom LB m Diffusionslänge in der Basis
IC A Kollektorstrom L*B m Wechselstrom-Diffusionslänge in der Basis
ID A Drainstrom LC m Diffusionslänge im Kollektor
IDsat A Sättigungs-Drainstrom LE m Diffusionslänge im Emitter
Ig A Gatestrom Ln m Diffusionslänge für Elektronen
IK A Kathodenstrom Lp m Diffusionslänge für Löcher
IL A optisch erzeugter Strom Lphot m Diffusionslänge für Photonen
In A Elektronenstrom m kg Teilchenmasse
Ip A Löcherstrom m* kg effektive Masse
Ip A Abschnürstrom Mo 1 Multiplikationsfaktor
Isens A Sensorstrom n 1 Teilchenzahl,Umdrehungszahl, Brechungsindex
j A/m2 elektrische Gesamtstromdichte n — n-leitender (mit Donatoren dotierter) Halbleiter
jhν eV/m2s Strahlungs-Energiestromdichte n+ — stark n-dotierter Halbleiter
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460 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 461

n– — schwach n-dotierter Halbleiter re Ω differentieller Eingangswiderstand

n,nA 1 Molzahl re Ω Emitterwiderstand
N W äquivalente Rauschleistung (noise equivalent power) R Ω elektrischer Widerstand
N 1 Teilchenzahl R 1/m3s Rekombinationsrate
N=N(3)(k oder W) 1 (relative) Zustandsdichte: Anzahl der Zustände pro RH m3/A·s Hallkoeffizient
Volumen für den dreidimensionaler Potentialkasten,
RL Ω Lastwiderstand
bezogen auf die Wellenzahl k oder Energie W
RλI A/W spektrale Empfindlichkeit bzgl. des Sensorstroms
NL m-3 effektive Zustandsdichte (des Leitungsbandes) oder
Quantenkonzentration (im Leitungsband) RλU V/W spektrale Empfindlichkeit bzgl. der Sensorspannung
NV m-3 effektive Zustandsdichte (des Valenzbandes) oder Rs Ω Serienwiderstand
Quantenkonzentration (im Valenzband)
RT Ω temperaturabhängiger Widerstand
p Pa Druck
Rth K/W Wärmewiderstand
p A·s/m2K pyroelektrischer Koeffizient Rth j-a K/W Wärmewiderstand zwischen Halbleiterübergang und
p kg m/s Teilchenimpuls Umgebung
p — p-leitender (mit Akzeptoren dotierter) Halbleiter Rp Ω parasitärer Parallelwiderstand
p(X) Pa Partialdruck des Stoffes X S eV/K Entropie
p+ — stark p-dotierter Halbleiter S m2 (katalytisch aktive) Oberfläche
p– — schwach p-dotierter Halbleiter Sn eV/K Entropie pro Elektron
pi bel. Systemparameter Sp eV/K Entropie pro Loch
P, A·s/m2 elektrische Polarisation Sr m/s Oberflächen-Rekombinationsgeschwindigkeit
P W Leistung t s Zeit
Q A·s elektrische Ladung ttr s Transitzeit (Laufzeit von Ladungsträgern durch ein
Bauelement
Q 1 thermodynamische Zustandssumme
T K,°C Temperatur
QB 1/m2 Gummelzahl der Basis
TC K,°C Curie-Temperatur
QB A·s Ladung in der Basis
Tref K,°C Referenztemperatur
QL A·s optisch erzeugte Ladung
Tu K,°C Umgebungstemperatur
r m3/s Übergangswahrscheinlichkeit
TKi, TCi K-1 Temperaturkoeffizient der Größe i
rb Ω Basiswiderstand
uR V Rauschspannung
rc Ω Kollektorwiderstand
U V elektrische Spannung
rd Ω differentieller Widerstand
 Seite 232

462 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 463

U 1/m3 s Rekombinationsrate Wfeld eV Feldenergie pro Teilchen

Ua(i) V angelegte äußere elektrische Spannung oder von au- WA eV Energie eines Akzeptorniveaus
ßen meßbare Spannung (EMK) im System i
WB eV Energiebarriere
UB 1 Betriebsspannung
WBo eV Energiebarriere im thermischen Gleichgewicht
UaFB V angelegte äußere elektrische Spannung zur Einstel- (eingebaute Energiebarriere)
lung des Flachbandzustandes
WBI eV Kenngröße bei MIS-Übergängen, |WFo-Wi|
Uabr V angelegte äußere elektrische Spannung beim Durch-
WBn eV Bandaufbiegung in einem n-Halbleiter
bruch des pn-Übergangs
WBp eV Bandaufbiegung in einem p-Halbleiter
UEB V Spannung zwischen Emitter und Basis
WD eV Energie eines Donatorniveaus
UCE V Spannung zwischen Kollektor und Emitter
Wdiff eV Aktivierungsenergie für den Diffusionsprozeß
UCB V Spannung zwischen Kollektor und Basis
WF eV Fermienergie = chemisches Potential von Elektronen
UD = UDS V Drain-Spannung relativ zur Source-Elektrode
WFo eV Fermienergie im thermischen Gleichgewicht
UG = UGS V Gate-Spannung relativ zur Source-Elektrode
WFB eV Fermienergie am Ort der Barriere
UGFB V Gate-Spannung im Flachbandfall
WFnL eV Fermienergie von Elektronen im Leitungsband
Up V Abschnürpannung
WFnV eV Fermienergie von Löchern im Valenzband in der
US V Substratspannung
Energieskala für Elektronen
Us 1/m2s Oberflächen-Rekombinationsrate
WFn eV Fermienergie im n-Halbleiter
Usens V Sensorspannung
WFp eV Fermienergie im p-Halbleiter
UT V Einsatzspannung
Wg eV Bandabstand
Uth,∆Uth V thermische Spannung
Wn(i) eV (differentielle) Energie pro Teilchen
v m/s Teilchengeschwindigkeit (Elektronen, im System i)
vD m/s Driftgeschwindigkeit Wp eV (differentielle) Energie pro Teilchen (Löcher)
vDn m/s Driftgeschwindigkeit für Elektronen Wi eV Energie der Bandmitte zw. Valenz- und Leitungsband
vDp m/s Driftgeschwindigkeit für Löcher Wgi
kin eV gesamte kinetische Energie pro System i
vg m/s Gruppengeschwindigkeit Wkin,n eV kinetische Energie pro Teilchen;
vn m/s Elektronengeschwindigkeit abgekürzte Schreibweise: Wkin

vp m/s Löchergeschwindigkeit Wkin,n(x,y,z) eV kinetische Energie pro Teilchen (in x,y,z-Richtung);

(x,y,z)
v th
m/s thermische Geschwindigkeit abgekürzte Schreibweise:Wkin

v+x m/s Teilchengeschwindigkeit in Richtung der pos. x-Achse WL=Wpot,n eV potentielle Energie pro Teilchen;Energie der
Leitungsbandkante
V,Vol m3 Volumen abgekürzte Schreibweise:Wpot
(i)
W eV gesamte Energie (des Systems i) WLo eV Energie der Leitungsbandkante im thermischen
Wkr eV Kristallenergie pro Teilchen Gleichgewicht
 Seite 233

464 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 465

WV eV Energie der Valenzbandkante λ A·s/m2K pyroelektrischer Koeffizient

WVo eV Energie [Link] im therm. Gleichgewicht Λ m mittlere freie Weglänge
Wvak eV Vakuumenergie λs 1 Sättigungs-Magnetostriktionskoeffizient
x,y,z, m Länge, Ort
µi eV chemisches Potential des Systems i
xB m Ort einer Barriere
µH m2/V·s Hallbeweglichkeit
xn m Breite der Raumladungszone in einem n-Halbleiter
µn m2/V·s (elektrische) Elektronenbeweglichkeit
xp m Breite der Raumladungszone in einem p-Halbleiter
µp m2/V·s (elektrische) Löcherbeweglichkeit
yik 1/Ω Vierpolparameter in Leitwertdarstellung
µX eV chemisches Potential des Stoffes X
α 1 Wechselstrom-α-Stromverstärkung
ν 1/s optische Frequenz
αn 1/m Ionisationsrate für Elektronen
αo 1 Gleichstrom-α-Stromverstärkung ϕ V elektrisches Potential

αp 1/m Ionisationsrate für Löcher Φm V Arbeitsfunktion im Metall

αT 1 Transportfaktor Φs V Arbeitsfunktion im Halbleiter

αsn V/K Seebeck-Koeffizient für Elektronen Φms V Differenz der Arbeitsfunktionen von Metall und
Halbleiter
αsp V/K Seebeck-Koeffizient für Löcher
αs(i) V/K Seebeck-Koeffizient für das System i χ V Elektronenaffinität

αT* 1 Wechselstrom-Transportfaktor πik 1/Pa Elemente des Tensors der piezoresistiven Koeffizien-
ten
α∆Q W/m2·K Wärmeübergangszahl
πl 1/Pa longitudinaler piezoresistiver Koeffizient
βo 1 Gleichstrom-β-Stromverstärkung
β 1 Wechselstrom-β-Stromverstärkung πt 1/Pa transversaler piezoresistiver Koeffizient

γ 1 Emitterwirkungsgrad ρ 1/m3 Volumendichte (Menge pro Volumen)

∆ Inkrement ρA 1/m3 Akzeptorendichte pro Volumen

∆ Laplace-Operator ρAE 1/m3 Akzeptorendichte im Emitter
δ m Oxiddicke ρD 1/m3 Donatorendichte pro Volumen
εik 1 Element des Verzerrungstensors ρeff 1/m3 effektive Ladungsträgerdichte
εr 1 relative Dielektrizitätskonstante ρDB 1/m3 Donatorendichte in der Basis
η % Quantenausbeute, Quantenwirkungsgrad
ρi 1/m3 intrinsische Ladungsträgerdichte
ηgeom % geometrisch bestimmter Quantenwirkungsgrad
ρn 1/m3 Teilchen-, Elektronendichte pro Volumen
 Seite 234

466 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 467

ρno 1/m3 Teilchen-, Elektronendichte pro Volumen im therm. σhν eV/m2 Flächendichte der Photonenenergie
Gleichgewicht
σik Ν Element des Spannungstensors
ρnn 1/m3 Elektronendichte in der Raumladungszone eines n-
σion 1/Ω m ionische Leitfähigkeit
Halbleiters
σn 1/Ω m spezifische Leitfähigkeit für Elektronen
ρnno 1/m3 Elektronendichte (= Donatorkonzentration) außerhalb
WQ
der Raumladungszone eines n-Halbleiters σopt m2 Wirkungsquerschnitt für den Photoneneinfang
ρnp 1/m3 Elektronendichte in der Raumladungszone eines p- σp 1/Ωm spezifische Leitfähigkeit für Löcher
Halbleiters
σP W/m2 Flächendichte der Strahlungsleistung
ρnpo 1/m3 Elektronendichte außerhalb der Raumladungszone ei-
σQ A s/m2 Flächen-Ladungsdichte
nes p-Halbleiters
σQn A s/m2 Elektronen-Flächen-Ladungsdichte
ρCo
n 1/m3 Elektronendichte im Kollektor im therm. Gleichge-
wicht σQp A s/m2 Löcher-Flächen-Ladungsdichte
ρnEo 1/m3 Elektronendichte im Emitter im therm. Gleichgewicht σQB A s/m2 Flächen-Ladungsdichte in der Basis
ρp 1/m3 Löcherdichte im Volumen σQG,σQf A s/m2 Grenzflächen-Ladungsdichte
ρpo 1/m3 Löcherdichte im Volumen im therm. Gleichgewicht σQI A s/m2 Flächen-Ladungsdichte im Oxid
ρphot 1/m3 Photonendichte im Volumen σQm A s/m2 Flächen-Ladungsdichte im Metall
ρpn 1/m3 Löcherdichte in der Raumladungszone eines n-Halb- σQsp A s/m2 gespeicherte Flächen-Ladungsdichte
leiters WQ
σrek m2 Wirkungsquerschnitt für die Rekombination
ρpno 1/m3 Löcherdichte außerhalb der Raumladungszone eines
σsp 1/Ωm spezifische Leitfähigkeit
n-Halbleiters
ik
σsp 1/Ωm Element des Tensors der spezifische Leitfähigkeit
ρpB 1/m3 Löcherdichte in der Basis
τ s Relaxationszeit, Abklingzeit, Lebensdauer
ρpBo 1/m3 Löcherdichte in der Basis im therm. Gleichgewicht
τ* s Wechselstrom-Lebensdauer
ρQ A s/m3 Volumen-Ladungsdichte
τd s dielektrische Relaxationszeit
ρsp Ωm spezifischer Widerstand
τg s Generations-Lebensdauer
ρT 1/m3 Volumen-Störstellendichte
τlB s Laufzeit in der Basis
σ 1/m2 Flächendichte (Menge pro Fläche)
τn s Minoritätsträgerlebensdauer für Elektronen
σ Ν mechanischer Druck oder Zug
τp s Minoritätsträgerlebensdauer für Löcher
σe 1/Ωm Elektronische Leitfähigkeit
τphot s Photonenlebendauer für Löcher
 Seite 235

468 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen

τr s Rekombinations-Lebensdauer Anhang B
τs s Speicherzeit Naturkonstanten
τth s thermische Zeitkonstante
Loschmidt-Zahl L 6,022·1023/mol
ω 1/s Kreisfrequenz
Boltzmannkonstante k 1,381·10-23W·s/K = 8,62034·10-5 eV/K
<τ> s mittlere Stoßzeit
Ladung des Elektrons |q| 1,602·10-19A·s
<a> — Mittelwert der Größe a
Ruhemasse des freien Elektrons mo 9,108·10-31kg
Influenzkonstante εo 8,854·10-12A·s/(V·m)
Lichtgeschwindigkeit c 2,998·108m/s
Plancksches Wirkungsquantum h 6,626·10-34 W·s2 = 4,13539·10-15eV·s

Zusammengesetzte Größen:
εo/|q| 5,5268 107/(V·m)
kT bei Raumtemperatur (T = 300 K) 25,861·10-3eV = 25,861·meV
|q|/mo 1,758·1011 A·s/kg = 1,758·1011 m2/(s2·V)

Andere Verwendung von ∆: Inkrement (z.B. ist ∆Q die Zunahme der Wärme)

Doppelpunkt: a: = b bedeutet, daß a durch die bekannte Größe b definiert wird.

Eigenschaften von idealen Gasteilchen bei Raumtemperatur:

 Seite 236

Anhang C1: Elektromotorische Kraft 471

oder in eindimensionaler Form

Anhang C
Sensorspezifische Themenkreise

Anhang C 1: Elektromotorische Kraft

Auf die grundsätzliche Bedeutung von elektrischen Ladungsdoppel- und Dipolschich-
ten bei der Einstellung des thermischen Gleichgewichts in Systemen mit beweglichen
elektrisch geladenen Teilchen wurde bereits in Band 1, Abschnitt 2.8.2 hingewiesen.
Dieses Prinzip kann verallgemeinert werden zur der Aussage:
Werden zwei Systeme aus elektrisch geladenen Teilchen (Elektronen oder Ionen)
durch eine elektrische Ladungsdoppel- oder Dipolschicht (definiert durch eine
Verteilung von gegenüberliegenden entgegengesetzt gepolten Netto[innerhalb der
Ladungsverteilung überwiegen jeweils die positiven oder negativen Ladungen]-
Flächenladungen) voneinander getrennt, dann bewirkt eine Veränderung der La-
dungen auf beiden Seiten der Schicht eine Verschiebung der Fermienergien der
Systeme gegeneinander.
Durch die Ladungsdoppelschicht können zwei ursprünglich nicht im Gleichge-
wicht befindlichen Systeme (mit unterschiedlichen Fermienergien) in ein Gleich-
gewicht (mit gleichen Fermienergien) gebracht werden. Alternativ dazu kann ein
System aus dem Gleichgewichtszustand in einen Nichtgleichgewichtszustand mit
unterschiedlichen Fermienergien überführt werden, wenn es gelingt, durch einen
äußeren Einfluß die Ladung der Dipolschicht zu verändern. Hieraus kann eines der
allgemeinen Prinzipien zur Generation einer elektromotorischen Kraft (EMK = Diffe- Bild C1-1 Anwendung der Poissongleichung auf einen Stab mit konstantem Querschnitt, der
renz ∆WF der Fermienergien bei gleicher Temperatur, häufig auch definiert als Span- eine Ladungsdoppelschicht enthält; alle Eigenschaften (Ladung, Feldstärke, usw.)
nung -∆WF/|q|), d.h. für die Herstellung stromerzeugender Bauelemente (Energiezel- mögen über den Querschnitt des Stabes konstant sein und sich nur mit x ändern
(eindimensionale oder planare Symmetrie).
len mit optischer, thermischer, mechanischer und chemischer Energieerzeugung),
a) Aufbau des betrachteten Systems
abgeleitet werden. Beispiele hierfür sind die Solarzellen, piezo- und pyroelektrische b) willkürlich angenommene Netto-Raumladungsverteilung (jeweils Summe der
Energiezellen, Bleiakkumulatoren und viele andere. am Ort vorhandenen positiven und negativen Raumladungen)
Die oben beschriebene allgemeine Aussage läßt sich leicht beweisen: Sie ist eine Konse- c) dazugehörige Feldverteilung nach Gleichung (2), bestimmt durch graphische
Integration. Merkregel: Der Vektor des elektrischen Feldes zeigt immer von der
quenz des spezifischen Verlaufs der elektrischen Feldstärke und des elektrischen Po- positiven zur negativen Ladung.
tentials ϕ (bzw. der potentiellen Energie Wnfeld = Q · ϕ für eine Teilchenladung Q) an d) dazugehöriger Potentialverlauf (graphische Integration). Merkregel: Das
einer Ladungsdoppelschicht. Hierfür muß die Poissongleichung (eine der elektrostatische Potential ist auf der Seite der positiven Ladung am größten.
Maxwell'schen Differentialgleichungen, s. Band 1, Abschnitt 6.4; Band 11, Abschnitte e) dazugehöriger Verlauf der potentiellen Energie. Merkregel: Die potentielle
1 und 2) gelöst werden, welche die allgemeingültige Beziehung zwischen räumlicher Energie ist auf der Seite der negativen Ladung am größten.
Ladungsdichte und elektrischem Feld beschreibt:
Die Dielektrizitätszahl εr ist eine Werkstoffgröße, die in Band 1, Abschnitt 6,
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472 Anhang C1: Elektromotorische Kraft Anhang C1: Elektromotorische Kraft 473

ausführlich diskutiert wird. Bei homogenen Werkstoffen ist εr ortsunabhängig und

kann als Konstante vor das Differential gezogen werden. Die Lösungsfunktionen (x)
und ϕ(x) von (2) für beliebig verteilte Ladungsdoppelschichten ρQ(x) mit entgegen-
gesetzt gleich großer Ladungsdichte haben bei Abwesenheit von äußeren Spannungen
und Feldern die folgenden charakteristischen Merkmale (Bild C1-1):
– Im Bereich der Ladungsdoppelschicht entsteht ein (inneres, von außen nicht meß-
bares) elektrisches Feld, das am Ort des Übergangs von der negativen zur positiven
(Netto-)Ladung ein Maximum annimmt und außerhalb der Ladungsdoppelschicht
auf Null zurückgeht.
– Im Bereich der Ladungsdoppelschicht hat das elektrische Potential, bzw. die po-
tentielle Energie eine Stufen– oder Barrierenform, d.h. sie steigt von einem horizon-
talen Verlauf außerhalb der Ladungsdoppelschicht an und geht nach Durchlaufen
der Ladungsdoppelschicht wieder in einen horizontalen Verlauf über (dabei ent-
steht eine Potential- oder Energiebarriere der Größe WB). Die erwähnten Merk-
male sind unabhängig von der individuellen Ladungsverteilung in der Ladungsdop-
pelschicht, diese bestimmen nur den individuellen Verlauf der Feldstärke und der po-
tentiellen Energie (Form der Energiebarriere). In Bild C1-2 sind verschiedene, in
der Natur vorkommende Ladungsverteilungen zusammengestellt.
Bild C1-3: Beispiel für einen Übergang in das thermische Gleichgewicht durch Bildung einer
Ladungs-Doppelschicht (vgl. Band 1, Abschnitt 2.8.3). Nur die Ionensorte A (z. B.
das Kation mit der positiven Ladung Q) möge beweglich sein, die andere hingegen
(nahezu) unbeweglich.
a) Aufbau des Systems mit dem Ortsverlauf der Kationenkonzentration vor dem Dif-
fusionsprozeß
b) Verlauf des chemischen Potentials µA vor (durchgezogen) und nach (gestrichelt)
Beginn der Diffusion: Das System befindet sich wegen der unterschiedlichen Größe
der chemischen Potentiale nicht in einem Gleichgewicht.
c) Raumladung nach Einsetzen der Diffusion
d) durch die Raumladung erzeugter Beitrag zum Potential– und Energieverlauf (vgl.
Bild C1-1d und e).
e) Die durch die Ladungsdoppelschicht zusätzlich entstandene Anhebung WB der
potentiellen Energie addiert sich (in großem Abstand vom Übergangsbereich bei x =
Bild C1-2: Typische Ladungsverteilungen in Ladungsdoppel- und Dipolschichten. 0) zum chemischen Potential nach b). Die Wirkung ist, daß sich die Differenz der che-
a) Bewegliche Ionen an einer Grenzschicht, s. Abschnitt 8.3, oder an einer semiperme- mischen Potentiale zwischen den Bereichen 1 und 2 verkleinert, bis sie schließlich
ablen Membran (Ausgleich eines osmotischen Drucks durch Ladungsdoppelschicht). auf Null abnimmt. Damit ist auch die chemische Kraft gleich Null, d.h. es findet kein
b) p+n-Übergang (s. Band 1, Abschnitt 2.8.3 und Band 2, Abschnitt 5.2.2). Teilchentransport mehr statt. Auf diese Weise entsteht mit Hilfe der Ladungsdoppel-
c) Durch eine ladungsfreie Zone räumlich voneinander getrennte Flächenladungen schicht ein thermisches Gleichgewicht ohne einen vollständigen Ausgleich der Teil-
(Beispiele: Monopolladungen auf einem Plattenkondensator, s. Band 1, Abschnitt chenkonzentrationen.
6.2; Ladungen auf den Kontaktflächen eines pyroelektrischen oder piezoelektri- Anschaulich kann dieser Prozeß auch so beschrieben werden, daß zunächst ein
schen Sensors, s. Abschnitte 3.5 und 4.2.1 oder eines elektrochemischen oder Fest- Konzentrationsgradient eine Diffusionsbewegung der Kationen von links nach rechts
stoffelektrolyt–Sensors, s. Abschnitt 8.3 und 8.4; permanente Dipolladungen in ei- erzeugt, daß sich dann aber aufgrund der elektrischen Ladung der Kationen nach dem
nem ferroelektrischen Werkstoff, s. Abschnitt 3.3.5). Schema von Bild C1-1 ein elektrisches Feld aufbaut, welches eine Feldkraft auf die Io-
d) Räumlich infinitesimal dicht beieinanderliegende Flächenladungen (Kontaktpo- nen erzeugt, die der Diffusionskraft entgegengerichtet ist. Im Gleichgewicht sind beide
tential, s. z.B. Halbleiter-Heteroübergang in Band 2, Abschnitt 5.2.3) Kräfte gleich groß, d.h. die chemische Kraft insgesamt gleich Null, bzw. das chemische
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474 Anhang C1: Elektromotorische Kraft Anhang C2: Verallgemeinerter Halleffekt 475

Potential konstant. – durch reversible Umladung von Ionen, z.B. bei einer Diffusion durch Feststoff-
elektrolyten (Brennstoffzelle)
Die Verschiebung der chemischen Potentiale oder Fermienergien (Bezeichnung für die Ebenfalls eine EMK liefern die folgenden strombetriebenen Sensoren (die sich daher
chemischen Potentiale in dem Spezialfall, daß die Teilchen aus Elektronen oder Löchern nicht zur Stromerzeugung verwenden lassen)
bestehen) der geladenen Teilchen in den Werkstoffbereichen außerhalb der Ladungs- – magnetogalvanische Sensoren: Halleffekt
doppelschicht folgt direkt aus der Definition dieser Größen (Abschnitt 2.1 und Band 1,
– piezoresistive Sensoren: Pseudo- oder verallgemeinerter Halleffekt
Abschnitt 2.7.3):
– magnetoresistive Sensoren: Pseudo- oder verallgemeinerter Halleffekt

wobei Wnkr den werkstoffbestimmten, Wnfeld hingegen den durch innere oder äußere
elektrische Felder bestimmten Anteil der potentiellen Energie und Wnkin die kineti-
sche Energie bezeichnen. Eine Energiebarriere WB wie in Bild C1-1e und C1-3d
verschiebt damit (im großen Abstand vom Übergangsbereich) stets die chemischen Po- Anhang C2: Verallgemeinerter Halleffekt
tentiale auf beiden Seiten des Ladungsdoppelschicht, WB hängt ihrerseits von der Größe Wir gehen aus von einem langgestreckten Stab mit konstantem Querschnitt, der aus ei-
und der Verteilung der Ladungen in der Doppelschicht ab. Durch diesen Prozeß können nem elektrisch leitfähigen Werkstoff bestehen und an seinen Stirnflächen mit elektri-
zwei wichtige Effekte auftreten: schen Kontakten versehen sein soll (Bild C2-1). Der Stab möge in einem vollständig iso-
1. Zwei Werkstoffe mit ursprünglich unterschiedlich großen chemischen Potentialen lierenden Medium eingebettet sein. Für die Dichte der Ladungsträger (ohne Einschrän-
gehen durch Bildung einer Ladungsdoppelschicht in ein thermisches Gleichgewicht kung der Allgemeinheit werden Elektronen betrachtet) und die durch den Stab fließende
mit gleicher Größe der chemischen Potentiale über (Bild C1-3, s. auch Halbleiterü- Stromdichte gilt allgemein die Kontinuitätsgleichung (Band 1, Anhang C3, Band 11,
bergänge in Band 2, Abschnitt 5) Abschnitt 1.1.2):
2. Durch äußere Einwirkung wird die Größe der Ladung in einer vorhandenen Dop-
pelschicht verändert, entsprechend ändert sich auch die Barrierenhöhe WB und da-
mit die Lage der chemischen Potentiale, d.h. zwischen den Werkstoffen auf beiden
Seiten der Doppelschicht tritt eine Differenz der chemischen Potentiale auf. Diese
Differenz entspricht einer von außen meßbaren elektrischen Spannung, die als
elektromotorische Kraft (EMK) bezeichnet wird.

In der Sensorik gibt es eine große Zahl von Beispielen für die Erzeugung einer EMK. Wir wollen uns zunächst auf stationäre Lösungen beschränken, bei denen die Zeitab-
Diese kann in speziell optimierten Bauelementen auch zur Stromerzeugung eingesetzt hängigkeit (die linke Seite von (1)) verschwindet, d.h. wir betrachten die Verhältnisse
werden, die entsprechenden Bauelemente werden dann als Energiezellen bezeichnet erst nach Abklingen von Einschwingvorgängen nach dem Einsetzen des Stromflusses
(in der folgenden Zusammenstellung in Klammern gesetzt): und erhalten für die Koordinaten x,y und z innerhalb des Stabes:
– durch Änderung der Temperatur: pyroelektrischer Effekt (pyroelektrischer Gene-
rator)
– durch Änderung mechanischer Spannungen: piezoelektrischer Effekt (piezoelek-
trischer Generator) Wir legen die x-Richtung in die Stabachse. In dem umgebenden isolierenden Medi-
um kann kein Strom fließen, so daß dort gilt:
– durch Lichtabsorption mit Elektronen–Lochpaarerzeugung: photovoltaischer Ef-
fekt (Solarzelle)
– durch chemische Wechselwirkung mit Oberflächen: ionensensitive Elektroden,
chemische Reaktionen (Akkumulator, elektrische Batterie) Für die Ortsvektoren am Rand des Widerstandsstabes folgt dann für die gewählten
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476 Anhang C2: Verallgemeinerter Halleffekt Anhang C2: Verallgemeinerter Halleffekt 477

Randbedingungen (Ströme in der Querschnittsebene senkrecht zur Stabachse werden

bei dieser Betrachtung ausgeschlossen) aus (2) und (3):

Innerhalb des Widerstands gelten die Beziehungen:

Die Vereinfachung in (9) gilt, wenn wir von einem homogenen Widerstand ausgehen
und keine Injektionseffekte betrachten.
Bild C2-1 veranschaulicht diesen Sachverhalt.
Im Gegensatz zu dem bisher betrachteten endlich ausgedehnten Widerstand wollen wir
im folgenden jetzt den alternativen Fall behandeln, daß der Widerstand in den y- und
z-Richtungen unendlich ausgedehnt ist (der Widerstand in Bild C2-1 entartet in die
Form einer unendlich ausgedehnten Scheibe), wobei aber weiterhin über die Kontak-
te ein elektrisches Feld Eax in x-Richtung angelegt wird. Bei einer isotropen (von der
Stromflußrichtung im Widerstand unabhängigen) Leitfähigkeit folgt das ohmsche
Gesetz:

Bild C2-1 Stabförmiger Widerstand mit Stromfluß in x-Richtung innerhalb eines isolieren-
den Mediums: Da im Isolator kein Strom fließen kann, müssen die Stromdichten j Tny
mit der skalaren spezifischen elektrischen Leitfähigkeit σsp. Auch in diesem Fall
und j Tnz ebenfalls Null sein, da sonst am Rande des Widerstandes ein Gradient
dieser Stromdichten auftreten würde (kreisförmige Ströme senkrecht zur Stabachse fließt nur ein Strom in x-Richtung, da in y- und z-Richtung kein Feld anliegt.
werden in diesem Beispiel ausgeschlossen). Die geschilderten Verhältnisse ändern sich in signifikanter Weise, wenn die Leitfähig-
keit anisotrop ist, so daß die skalare spezifische Leitfähigkeit und die skalare Elek-
tronenbeweglichkeit jeweils durch Tensoren ersetzt werden müssen. Die lineare Be-
Aus den allgemeinen Stromdichtegleichungen(2.2-17) folgt daraus im isothermen
ziehung (10) geht dann über in die Vektorgleichung:
Fall ( T = 0) für Elektronen

wenn wir die x-, y- und z-Richtungen mit den Indizes 1, 2 und 3 bezeichnen (s. Bild C2-1).
Auch in dieser Schreibweise ist das isotrope ohmsche Gesetz enthalten: z. B. reduziert
sich der Beweglichkeitstensor in diesem Spezialfall einfach auf die
Diagonalkomponenten:

Mit den Beziehungen (3.2.1-1 und 2) folgt daraus schließlich

 Seite 240

478 Anhang C2: Verallgemeinerter Halleffekt Anhang C2: Verallgemeinerter Halleffekt 479

dichtevektors und des Vektors der elektrischen Feldstärke gegeneinander (Abschnitt

5.1.1; ausführlich in Band 11, Abschnitt 1.2.3), wodurch der Hall-Effekt entsteht. Alle
diese Effekte führen zu einem elektrisch sehr ähnlichen Verhalten, nämlich der Entste-
hung einer Transversalspannung (Hall– oder Pseudo-Hallspannung) bei endlich
ausgedehnten Widerständen.
wobei ((1)) den Einheitstensor beschreibt.
Bild C2-2a gibt die geometrischen Verhältnisse bei gegeneinander verdrehten Strom-
Die Tatsache, daß es bei einer anisotropen Leitfähigkeit in (11) außerhalb der Ten- dichte- und Feldvektoren für den Fall eines unendlich ausgedehnten Widerstandes wie-
sordiagonalen Komponenten ungleich Null gibt, hat eine wichtige praktische Konse- der: Dann gilt die Gleichung (13) ohne die Einschränkung durch äußere Randbedingun-
quenz: Der Stromdichtevektor enthält auch Komponenten senkrecht zur Feldrichtung, gen, wie sie bei endlich ausgedehnten Widerständen auftreten: Bei einem endlich
d.h. es fließt auch eine Stromkomponente senkrecht zum elektrischen Feld! Legt man
ausgedehnten stabförmigen Widerstand wie in Bild C2-1b muß nämlich zusätzlich die
das elektrische Feld z.B. in die Richtung 1, dann hat die Komponenten Ea1,0,0.
Randbedingung (7a) erfüllt sein, daß die Stromdichten in y- und z-Richtungen Null
Die Komponente jn2 des Stromdichtevektors in Richtung 2 hat im isotropen Fall (12)
werden. Dieses ist nur möglich, wenn z.B. in y-Richtung ein zu der transversalen Teil-
den Wert Null, im anisotropen Fall (11) aber den Wert |q|ρnµ21nEa1≠0. Auf diese
Weise lassen sich sukzessiv die Komponenten des Beweglichkeitstensors experimentell chenstromdichtekomponente j Tny entgegengesetzt gerichteter gleich großer Teilchen-
bestimmen: µnik ergibt sich durch eine Strommessung in Richtung i bei Anlegen eines strom j TH
ny fließt, so daß gilt:
elektrischen Feldes in Richtung k. Die gemessenen Werte hängen ab von der Wahl
der Richtungen 1, 2 und 3 relativ zu den kristallographischen Achsen des Werkstoffs, sie
lassen sich aber für jede Wahl des Koordinatensystems umrechnen nach den Gesetzen
der Tensortransformation. Die Differenz der Fermienergien zwischen dem oberen und unteren Rand des Wider-
Eine Konsequenz des Auftretens nichtdiagonaler Komponenten im Leitfähigkeits- oder standes führt (bei dem zugrundegelegten isothermen Fall) zu einer von außen meßbaren
Beweglichkeitstensor bei anisotroper Leitung ist eine Verdrehung der Vektoren des elektrischen (Pseudo-)Hallspannung, also einer EMK (s. Anhang C1), die sich auch
elektrischen Feldes a und des Stromdichtevektors n gegeneinander (s. Bild C2-2a). charakterisieren läßt durch ein von außen meßbares elektrisches (Pseudo-) Hallfeld
H
In diesem Fall wirkt nämlich der Tensor wie eine Drehmatrix (Bewegung): Hat bei- ay =: a (Bild C2-2c).
spielsweise das äußere Feld die Richtung der x-Achse, dann führen die nichtverschwin- Anschaulich läßt sich der durch Bild C2-2 beschriebene Halleffekt auf die folgende
denden Komponenten des Stromdichtevektors in y- und z-Richtung dazu, daß der Weise deuten: Der in Richtung der positiven x-Achse verlaufende Elektronen-Teil-
Stromdichtevektor einen Hallwinkel θH (bei Abwesenheit von Magnetfeldern auch chenstrom wird in Richtung der positiven y-Achse abgelenkt, so daß sich der obere
als Pseudo- oder unechter Hallwinkel bezeichnet) relativ zur x-Achse bildet. Bild Rand des stabförmigen Widerstands in Bild C2-2b negativ auflädt, weil dort die Elektro-
C2-2a zeigt die Verhältnisse in der xy-Ebene. Der Hallwinkel θHxy hat dann die nen nicht abfließen können. Gleichzeitig entsteht eine positive Flächenladung am
unteren Rand des Widerstandes, weil dort Elektronen abgezogen werden. Durch die-
Größe: se Ladungsanreicherung, bzw. –entleerung entstehen zwei Effekte:
– aufgrund der entstandenen Ladungsdoppelschicht verschieben sich die chemi-
schen Potentiale (Fermienergien) an den Rändern des räumlich begrenzten Wider-
standes gegeneinander, dadurch entsteht eine EMK bzw. ein von außen meßbares
elektrisches Feld, dessen Richtung von der positiven zur negativen Flächenladung
Anisotrope Leitfähigkeiten können werkstoffbedingt permanent vorhanden sein auf-
zeigt (s. Bild C1-1).
grund einer Kristallanisotropie, andererseits können sie aber auch in Werkstoffen
aber mit isotroper Leitfähigkeit (bzw. spezifischem Widerstand ρsp) induziert wer- – es entsteht ein Elektronendichtegradient von oben nach unten
den durch anisotrope mechanische Spannungen (s. Abschnitt 4.1.3) und den Einfluß an- Beide Effekte bewirken eine Kraft auf die Elektronen, die von oben nach unten gerichtet
derer physikalischer Größen. Auch die Wirkung von Magnetfeldern in elektrischen Lei- ist, diese entspricht der chemischen Kraft (= -∆WF/∆x), die in (14) eingeht.
tern, bei denen die Reibungskraft (welche die Streuung der Ladungsträger beim Strom-
transport beschreibt) berücksichtigt werden muß, führt zu einer Verdrehung des Strom- Kennzeichnend für die oben durchgeführte Betrachtung ist eine Verdrehung zwischen
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480 Anhang C2: Verallgemeinerter Halleffekt Anhang C3: Verallgemeinerter geometrischer Magnetowiderstandseffekt 481

dem angelegten äußeren Feld a und der fließenden Stromdichte , die charakteri- Zur anschaulichen Interpretation zweigen die weiteren Abbildungen die Ortsver-
siert wird durch den Hallwinkel θH. Dabei ist es prinzipiell ohne Bedeutung, wie die- läufe verschiedener Größen in y-Richtung:
d) Elektronendichte: Die nach oben gerichtete Elektronen-Teilchenstromdichte
se Drehung zustande kommt. Neben dem bisher betrachteten Fall einer anisotropen Leit-
erzeugt am oberen Rand des endlich ausgedehnten Widerstandes eine Anhäufung
fähigkeit gibt es – wie oben ausgeführt – auch andere physikalische Effekte, die zu den- von Elektronen mit vergrößerter Dichte, entsprechend wird die Elektronendichte
selben Ausgangsverhältnissen führen und damit die Ursache für eine (Pseudo–)Hall- am unteren Rand abgesenkt
spannung sein können. e) Ladungsdichte zu d): Durch die Elektronenanhäufung bzw. -entleerung wird
eine Ladungsdoppelschicht wie in Bild C1-2c erzeugt, welche nach Anhang C1
eine EMK generiert. Das chemische Potential (bei Elektronen die Fermienergie)
ist nach Bild C1-1e am oberen Rand größer als am unteren.
f) Ladungsverteilung und Bändermodell für einen n-Halbleiter: Die negative La-
dung wird durch Anreicherung, die positive durch Entleerung und Inversion er-
zeugt.
g) Ladungsverteilung und Bändermodell für einen p-Halbleiter: Die positive La-
dung wird durch Anreicherung, die negative durch Entleerung und Inversion er-
zeugt.

Anhang C3:
Verallgemeinerter geometrischer Magnetowiderstandseffekt
Im Anhang C2 wurde ein allgemeiner Zusammenhang gezeigt: Führt ein physikalischer
Effekt dazu, daß in unendlich ausgedehnten Widerständen eine gegenseitige Verdre-
hung der Stromflußrichtung relativ zur Richtung des den Stromfluß erzeugenden ange-
legten elektrischen Feldes um einen Hallwinkel θH stattfindet, dann führt eine Re-
duktion auf die endlichen Abmessungen eines Stabes auf einen galvanischen Effekt: Es
entsteht ein von außen meßbares Feld: Es entsteht ein von außen meßbares Transver-
salfeld, das Hallfeld, welches bewirkt, daß die Verdrehung zwischen Stromdichte-
und Feldvektor rückgängig gemacht wird: Die Stromflußrichtung paßt sich der Form
des Widerstandes an und verläuft entlang der Stabachse. Der Hallwinkel kann also beim
stabförmigen Widerstand nicht direkt bestimmt werden, sondern nur indirekt über die
Größe des Transversalfeldes. Dieser Effekt ist völlig unabhängig davon, auf welche
Weise der Hallwinkel entstanden ist: Er kann durch eine beliebige werkstoff- oder um-
gebungsbedingte anisotrope elektrische Leitfähigkeit entstehen, durch Einwirkung ei-
Bild C2-2 (Pseudo-)Halleffekt in Werkstoffen mit gegeneinander verdrehten Vektoren der
ner Lorentzkraft bei Anwesenheit eines Magnetfeldes oder aus anderen Gründen.
Stromdichte und des elektrischen Feldes:
Betrachtet werden elektrische Stromdichten jn und Teilchenstromdichten j nT in un- Im folgenden wollen wir annehmen, daß es gelingt, das Hallfeld auszuschalten, d.h.
endlich ausgedehnten (a) und räumlich begrenzten stabförmigen Widerständen (b) in durch zusätzliche externe Maßnahmen zu beseitigen. Dafür gibt es verschiedene ex-
der xy-Ebene. Bei den räumlich begrenzten Widerständen (Fall b) muß die Rand-
perimentelle Verfahren (Bild C3-1).
bedingung (7a) aus Bild C2-1 erfüllt werden, d.h. es entsteht eine zusätzliche kom-
pensierende Teilchenstromdichte nach (14), die mit einem entsprechenden Gradien-
ten der Fermienergie verbunden ist. Die y-Abhängigkeit der Fermienergie für Elek-
tronen ist in c) dargestellt. Das hierdurch definierte verallgemeinerte Hallfeld EaH
hat die Richtung der positiven y-Achse (s. Bild 5.1.1-3 mit umgekehrter Strom-
richtung).
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482 Anhang C3: Verallgemeinerter geometrischer Magnetowiderstandseffekt Anhang C3: Verallgemeinerter geometrischer Magnetowiderstandseffekt 483

nimmt der Widerstandswert mit dem Hallwinkel zu (geometrischer Magneto-

widerstandseffekt).
Gehen wir von einem konstanten spezifischen Widerstand ρsp des Werkstoffs aus,
dann ergibt sich für die Anordnung in Bild C3-2 bei Kurzschluß des Hallfeldes ein Wi-
derstandswert der Größe:

Dabei bezeichnet l die Länge der von den Ladungsträgern im Widerstand durchlau-
Bild C3-1 Experimentelle Methoden zur Verminderung oder Beseitigung des Hallfeldes, de-
fenen Bahn und A den Querschnitt eines ausgewählten Bereichs, über den ein Teil
monstriert am Beispiel des magnetischen Halleffekts: Wie in Anhang C2 dargelegt, der Stromdichte fließt. Beträgt die Länge des Widerstandes (Breite der Scheibe) in x-
können vergleichbare Effekte auch aus anderen physikalischen Gründen auftreten Richtung lo, dann gilt bei Vernachlässigung von Randeffekten:
(verallgemeinerter Halleffekt).
a) elektrischer Kurzschluß des Hallfeldes (kurzgeschlossene Hallkontakte)
b) Einführung von Äquipotentialflächen (z.B. durch Einlagerung von Platten ho-
her Leitfähigkeit) senkrecht zur Stromflußrichtung
c) Corbinoscheibe [C3.2]: Bei Wirkung eines Magnetfeldes senkrecht zur Schei-
benebene wird das Hallfeld durch die Widerstandsgeometrie kurzgeschlossen

Bei Kurzschluß des Hallfeldes erfolgt der Stromfluß wie in einem unendlich ausge-
dehnten Widerstand (Bild C2-2a), d.h. mit einem Winkel θH relativ zum äußeren Eingesetzt in (1) folgt:
magnetischen Feld (Bild C3-2).

wobei nach (C2-13) allgemein gilt:

Speziell für den magnetischen Halleffekt bekommt (3) mit (5.1.1-27) in p- und n-Leitern
(Beweglichkeit µ) die Form:

Bild C3-2 Stromfluß in einer Widerstandsscheibe bei Anwesenheit eines verallgemeinerten

Halleffekts mit dem Hallwinkel θH, wobei durch zusätzliche Maßnahmen (Bild
C3-1) das Hallfeld kurzgeschlossenen wurde: Die Stromvektoren bleiben jetzt um
θH relativ zur Richtung des elektrischen Feldes geneigt. Dadurch verlängern sich Die Größe µB kann bei Werkstoffen mit großer Ladungsträgerbeweglichkeit µ dur-
die Strombahnen (Länge l(θH)) im Widerstand, gleichzeitig wird bereichsweise chaus signifikante Werte annehmen. Resistive Magnetfeldsensoren nach dem Prinzip
der Stromquerschnitt von Ao auf A(θH) verkleinert: Aufgrund beider Effekte
 Seite 243

484 Anhang C3: Verallgemeinerter geometrischer Magnetowiderstandseffekt Anhang C3: Verallgemeinerter geometrischer Magnetowiderstandseffekt 485

von Gleichung (6) werden als Feldplatten bezeichnet.

Von den in Bild C3-1 aufgeführten experimentellen Realisierungsmöglichkeiten zur
Unterdrückung des Hallfeldes haben die Varianten b) und c) die größte praktische Be-
deutung. Bei der Ausführung b) werden – z.B. durch Einlagerung von Platten hoher Leit-
fähigkeit (vgl. Bilder 5.2.1-1 und 2) – Äquipotentialflächen mit einer Orientierung
senkrecht zur Widerstandsachse, und damit zur angenommenen Stromrichtung, erzeugt
(s. Diskussion am Schluß von Abschnitt 5.1.1).
Jede Feldkomponente, die auf der hochleitfähigen Äquipotentialfläche liegt (beim stab-
förmigen Widerstand die Transversalkomponente) würde zu einem hohen Stromfluß
führen, der diese Feldkomponente abbaut: Feldstärkevektoren können daher nur sen-
krecht auf der Äquipotentialfläche stehen. Bei einer geometrischen Anordnung wie in
Bild C3-1b sind die Äquipotentialflächen so orientiert, daß das Hallfeld H gerade
auf der Äquipotentialfläche liegt, so daß es vollständig unterdrückt werden kann: Der
Feldstärkevektor senkrecht zur Äquipotentialfläche und hat die Richtung des von außen
angelegten Feldes a. Die Beseitigung des Hallfeldes ist jedoch nur wirksam in der
unmittelbarer Nachbarschaft der leitfähigen Äquipotentialfläche, in größerem Ab-
stand davon setzt sich das Hallfeld zunehmendem Maße durch, so daß der Feldstärke-
vektor (Vektorsumme aus angelegter Feldstärke a und Hallfeldstärke H) insge-
samt aus der Richtung der Widerstandsachse herausgedreht wird: Als Konsequenz der
zunehmenden Wirkung des Hallfeldes wird jetzt der Stromdichtevektor wieder in die
Richtung der Widerstandsachse gedreht (s. Bild 5.1.1-6b, Bild C3-4 II und III, jeweils
mittlere Bereiche des Widerstands). Der zweidimensionale Verlauf der Stromlinien und
Feldrichtungen mit den dazugehörenden Äquipotentialflächen (nicht zu verwechseln
mit den oben besprochenen durch Einlagerung leitfähiger Platten erzwungenen Äquipo-
tentialflächen) hängt offensichtlich stark ab von dem Verhältnis der Länge lo zur
Breite b des Widerstands; in Bild C3-3 sind numerisch berechnete Lösungen darge-
stellt. Die Verlängerung der Strombahnen aufgrund des geometrischen Magnetowider- Bild C3-4 Verlauf der Stromlinien (Stromvektoren entlang der Fortbewegungsrichtung der
Ladungsträger, in den obigen Abbildungen verlaufen sie etwa in horizontaler
standseffektes sind in Bild C3-4 deutlich zu erkennen. Signifikante Effekte treten aber
Richtung) und der Äquipotentiallinien (Verlauf ungefähr in vertikaler Richtung) bei
nach (3) nur auf, wenn die Hallwinkel θH hinreichend große Werte annehmen. verschiedenen Verhältnissen der Länge lo und Breite b von Widerständen. Die
Widerstände sind an ihren Stirnflächen mit einer ohmschen Kontaktschicht hoher
Die Corbinoscheibe als praktische Realisierung eines Widerstandes unendlich großer
Leitfähigkeit (z.B. einer Metallisierung) versehen, so daß dort die Äquipotential-
Breite b in Bild C3-1c läßt sich bei Halbleiterplatten und -schichten durch Aufbrin- flächen mit den Kontaktschichten zusammenfallen (nach [C3.1])
gen einer zentralen und einer ringförmigen Metallelektrode realisieren (Bild C3-3). I) lo/b = 0,25:
a) n-Halbleiter mit einer Dotierung von 1016cm-3 µnB = 0,21
Bild C3-3 Praktische Realisierung einer b) p-Halbleiter mit einer Dotierung von 1016cm-3 µpB = 0,15
Corbinoscheibe auf einer Halb- II) n-Halbleiter mit einer Dotierung von 1016cm-3, lo/b = 1, µnB = 0,21
leiterschicht: Die Kontaktierung III) n-Halbleiter mit einer Dotierung von 1016cm-3, lo/b = 4
erfolgt über eine zentrale und ei- a) µnB = 0,21
ne ringförmige Elektrode. Einge-
zeichnet ist der Verlauf des elek- b) µnB = 0,42
trischen Feldes und der Strom- Diese Ergebnisse sind repräsentativ nur für relativ große Hallwinkel tan θH = µB.
bahnen (nach [5.9]).
 Seite 244

486 Anhang D: Kennwerte von Sensoren Anhang D: Kennwerte von Sensoren 487

unter 1 µV/V reduziert werden.

Der Kennwert oder die Empfindlichkeit C eines resistiven Sensors in Brückenschal-
tung wird durch den Wert Sn nach (1) bei Anlegen eines Drucks, abzüglich des Null-
Anhang D signals, definiert (Bild D2):
Kennwerte (Merkmale) von Sensoren
Zur Minimierung von Störeinflüssen werden resistive Sensoren häufig in einer Wheat-
stoneschen Brückenschaltung verbunden (Bild D1)

Bild D2 Definition des Kennwertes (der Empfindlichkeit) durch die in Gleichung (1) defi-
nierte relative Brückenspannung (nach [4.1])
Bild D1: Widerstände (z.B. Dehnungsmeßstreifen) in einer Brückenschaltung (s. auch Bild
4.1.6-2, nach [4.1])

Die Linearität eines Sensors kann nach drei Verfahren definiert werden (Bild D3).
Die relative Spannungsänderung (gemessen in mV/V) in einer Brückenschaltung ist
dann [4.1]:

wobei die ∆Ri sowohl die angestrebten Widerstandsänderungen (aufgrund von Ände-
rungen der Umweltgröße) beschreiben können, in einem Referenzzustand der Umwelt-
größe aber auch die Streuung der Widerstände um den jeweiligen Nennwert. Der für den
Referenzzustand definierte Wert von S wird als Nullsignal So definiert. In der Praxis
läßt sich ein kleiner Wert für So nur durch Widerstandstrimmen erreichen, z.B. durch
Auftrennen von Abgleichbrücken. Bild D3: Definition der Linearitätsabwseichung Flin= a/C: Die Größe a kann auf drei ver-
Gleichung (1) zeigt, daß gleichsinnige Widerstandsänderungen (z.B. aufgrund gleicher schiedene Arten definiert werden (nach [4.1])
Widerstands-Temperaturkoeffizienten oder einer zeitabhängigen Widerstandsdrift) in
dieser Näherung unterdrückt werden können. Ist die Temperatur über der Meßbrücke
nicht konstant oder driften die Widerstände unterschiedlich stark, dann entsteht eine Ab-
Eine weitere Quelle von Abweichungen des Meßwerts vom Sollwert bei Sensoren ent-
weichung vom Meßwert. Herstellungsbedingte – vor allem temperaturabhängige – Ab-
steht durch Hystereseeffekte (relative Umkehrspanne, Bild D4):
weichungen des Nullsignals von 2 bis 10 µV/V können durch einen Abgleich auf Werte
 Seite 245

488 Anhang D: Kennwerte von Sensoren Literatur 489

Literatur

Abschnitt 1
[1.1] W. Göpel, "Technologien für die chemische und biochemische Sensorik" in
"Technologietrends in der Sensorik", Untersuchung im Auftrag des Bundesmi-
nisteriums für Forschung und Technologie, VDI/VDE Technologiezentrum In-
formationstechnik GmbH(1988)
[1.2] H.R. Tränkler, "Die Schlüsselrolle der Sensortechnik in Meßsystemen",
Technisches Messen 49, 343 (1982)
Bild D4: Definition der Hystereseabweichung durch die Funktion Fu = u/C (nach [4.1])
[1.3] K. Bethe und D. Meyer-Ebrecht, "Sensoren für die Konsumelektronik",
Elektronik 10, 41 (1980)
Ein typisches Kennzeichen von Kriecheffekten (Band 1, Abschnitt 3.2.1) ist, daß sich
die Meßsignale erst nach Ablauf einer gewissen Zeit einstellen; Bild D5 erläutert die De- [1.4] H. U. Gruber und H. Scholl, "Trends in der Kraftfahrzeugelektronik", Elek-
finition des Kriechens. tronik Informationen 4, 176 (1990)
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Index 505

Bandstruktur 150 Brechungsindex 307

barber-pole-Aufbau 260 Brechzahl 307
Bariumtitanat 100, 201, 431 Brückenschaltung 167
Index Basis-Kollektor-Kurzschluß 114 Brückenspannung 189
amplituden-analog 5 Belichtungsmesser 332 Brückenwiderstand 181
2-Leitertechnik 110
anisotroper Berylliumbronze 175
4-Leitertechnik 110 Magnetowiderstandseffekt 249, 250
Beschleunigung 211
Anisotropieenergie 253
α-Quarz 201 Beschleunigungssensor 211 C
Anorganische Cluster 421
Besetzungsstatistik 10 CCD 357
Ansprechzeit 319, 347
Beweglichkeit 19, 235 CHEMFET 448, 451, 452
A Anwendungen von Sensoren 6
Bewegungsmelder 124, 125 chemisch erzeugte Wärmeleistung 426
Abkühlungsverfahren 321 Anwesenheitserkennung 305
Bezugselektrode 433 chemische Kraft 16
Ableitelektrode 433 Arbeitspunkt 370
Bezugselektrolyt 433 chemischer Sensor 380
Absolutdrucksensor 186 Arrays 334
Biegebalken 166 chemischer Temperatursensor 135
Absorptionskoeffizient 309 AT-Schnitt 127
Biegebalkensensor 169 chemisches Potential 9
Abtastimpuls 359 Atomhülle 8
Bildungsrate 397 Chemisorption 382, 417
Abtastsignal 359 Ausbreitungsgeschwindigkeit 308
Bimetallthermometer 135, 138 Chemisorptionssensor 415
adsorbierte Ionen 381 Ausdehnungsthermometer 136
Bimetalleffekt 143 Clusterrechnung 417
Adsorption 385, 395 Ausgleichsleitung 49
Bio-Katalysator 386 Cooper-Paar 291
Aktivierungsenergie 85, 391, 396 äußere elektrische Spannung 25
biologische Detektion 380 Curietemperatur 103, 197
Aktor 4 äußerer Photoeffekt 323, 310, 324
Biosensor 426
Aktuator 4 Austrittsarbeit 324
Bleisalz 333
akustischer Oberflächenwellen- Bleititanat-Bleizirkonat 196
D
Resonator 221 Dampfdruckkurve 136
B Blindpellistor 430
aliphatischer Alkohol 452 Dämpfungskonstante 307
B-Wert 87 Bolometer 39, 321, 316, 323
Alterungsverhalten 46 Datenverarbeitung 4
ballistische Bewegung 18 Boltzmannfunktion 12
amperometrisch 432 Dehnungsmeßstreifen
Bändermodell 8, 17 Boltzmannkonstante 468
amperometrischer Sensor 436 141, 167, 175, 180, 195
Bandlücke 334 Boltzmannstatistik 12
Dekontamination 378
 Seite 254

506 Index Index 507

Tensor des spezifischen. Druckmodulationsspektroskopie 405 elektrischer Widerstand 62 Erschöpfungsbereich 64

Widerstands 152
Drucksensor 139, 181 elektroaktives Material 432
Desorption 385, 395
Drucksensorgehäuse 189 elektrochemische Sensoren 432
Desorptionsspektrum 410
Dunkelkennlinie 358 Elektrodenwerkstoff 435 F
Detektivität 317 Faseroptische
Dunkelstrom 342 Elektrodyn. Kraftkompensation 219
Diamagnetismus 291 Interferometeranordnung 367
Dünnfilm-Elektrode 435 Elektrolyt 432
Diaphragma 433 faseroptischer Temperatursensor 131
Dünnschicht-DMS 146 elektromotorische Kraft 29
Dickschicht -Temperatursensor 74 faseroptisches System 365
Dünnschichttechnik 146 Elektronendichte 20
Dickschichttechnologie 146 Federkörper 141, 144, 166, 181
Durchfluß-Elektrode 435 Elektronen-Driftbeweglichkeit 64
Dielektrikum 307 Federwerkstoff 143, 176
dynamische Druckmessung 141 Elektronengas 16, 20
Differential-Drosselspule 219 Feldplatte 241
Dynode 325 Elektronenleiter 27
Differentialfeldplatte 246 Fermi-Dirac-Funktion 10
Dynodenkette 326 Elektronenleitung 387
Diffusionskoeffizient 85 Fermienergie 9, 25, 26, 31, 37, 122
Elektronenstromdichte 19
Diffusionslänge 112 Fermifläche 20
Elektronentransfer 418
Diffusionsstromdichte 308 Fermikante 20
E Elektronenvolt 453
Dipolschicht 122, 340 Ferritkern 290
Edelmetalldotierung 398 EMK 29, 436, 439
DMS 141, 181 Ferroelektrikum 121
Edukt 395 Empfindlichkeit 341, 398
DMS-Meßbrücke 168 ferroelektrische Sinterkeramik 101
effektive Zustandsdichte 12 Energie 453
Draht-Elektrode 435 Ferroelektrizität 100, 101
Effektormolekül 380 Energiebänder 9
Drahtwendel 72 Festelektrolyt-Sensor 425
Einsatzgebiet der Temp.-Sensoren 24 Energiebarriere 103
Drehmomentsensor 287 Festkörper-
Einsatzspannung 370 Energiespektrum 372 Ausdehnungsthermometer 138
Drehzahlmessung 306
Einschlußverbindung 426 Energiestromdichte 309 Festkörperionisationskammer 371
dreidimensionale Ortsauflösung 356
Einstab-Meßkette 434 Energieumwandlung 2 Feststoffelektrolyt 437
Dreiphasengrenze 422, 424
Elastische Verformung 139 Enthalpie 388 Feuchtesensor 376
Dreipunktsensor 89
Elastizitätskoeffizient 202 Entropie pro Elektron 13 Flachbandbedingung 340
Driftgeschwindigkeit 18, 85
Elastizitätsmodul 160, 183 Enzym-System 384 Flammenüberwachung
Driftstromdichte 308 in Heizanlagen 332
Elektret 119, 205 Enzym 399
Drosselprinzip 217 Fluoreszenzlinie 133
elektrische Leitfähigkeit 65 Erdbeschleunigung 454
 Seite 255

508 Index Index 509

Flußdichte 292 geometrischer Halleffekt 223, 233 ideales Gasteilchen 468

Magnetowiderstandseffekt 241
Flüssigkeits-Federthermometer 135 Halleffekt für Elektronen 227 idealer Quantenzähler 315
Gibbssche Energie 388
Flüssigkeits-Glasthermometer 135 Halleffekt für Löcher 228 Impulsdraht 280
Glasfaserleiter 132
Flußquantum 292 Halleffekt-Sensoren 223 Impulshöhe 275
Glasfasersensor 363
Folien-DMS 148, 185 Hallfeld 226 Impulshöhen-Magnetometer 275
Glasmembran 175, 433
Formanisotropie 253 Hallgenerator 234, 236 Impulsspannung 277
Glimmentladung 368
Formelzeichen 456 Hallkoeffizient 236, 237 Indexreduktion 154
Grenzabweichung
FOS 365 Hallkonstante 227, 229 Induktionsfluß 292
für Thermoelemente 45
Fourieranalyse 275 Hallspannung 230 Induktionsspule 269, 277
Grenzfläche 401
freie Energie 9, 388 Hallwinkel 224, 231, 250 induktiver Drucksensor 214
Grenzflächenanalyse 407
freie Enthalpie 388 Harmonische 273 induktiver Kraftsensor 214
Grenzflächenphänomene 406
frequenz-analog 5, 128 Häufigkeitsfaktor 392 induktiver Wegaufnehmer 217
Grundwerte der Thermospannungen 43
Frequenzbandbreite 317 Haus- und Klimatechnik 6 Influenzkonstante 468
Gruppengeschwindigkeit 308
Frequenzfilter 199 Haushaltgeräte 6 Infrarotbild 334
Frequenzstabilisierung 199 Heißleiter 85, 86 Inhibitoren 385
heterogene Katalyse 390, 385 innere Elektronen 8
H Heterostruktur 348 inneres elektrisches Feld 26
G Haar-Hygrometer 379 hochselektiver Sensor 388 innerer Photoeffekt 310
GaAs-Hallsensor 237 halbleitendes Metalloxid 444 hohe Aktivierungsenergiebarrieren 385 integrierter Heizer 409
Galliumarsenid 238 Halbleiter 11 homogene Katalyse 390 integrierte Optik 364
Galliumarsenid-Hallgenerator 239 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 150 Hookesches Gesetz 183 integrierter Temperatursensor 117, 118
GASFET 448, 452 Halbleiter-Drucksensoren 185 Hybridsystem 401 integrierter Sensor 238
Gasteilchen 18 Halbleiter-Kernstrahlungsdetektor 372 Hygrometer 375 intelligenter Sensor 451
gebundene Elektronen 8 Halbleiter-Thermoelemente 39 Hysterese 185, 218 Interface 4
Geiger-Müller-Plateau 369 Halbleiterdünnschicht 243 Hysteresekurven 248, 286 intrinsischer Berech 64
Generations- Halbleiterwiderstand 75, 111
Rekombinationsrauschen 317 Inversionskanal 361
Halbmetall 11 Ionen-selektiver
Generationsrate 328
gemischter Leiter 402
Hallbeweglichkeit 230 I Feldeffekttransistor 435
 Seite 256

510 Index Index 511

Ionenkristall 198 kapazitiver Kraftsensor 214 Kraftmessung 168 Leistungsthermoelemente 55

Ionenleiter 437 kapazitive Wegaufnehmer 215 Kraftsensor 139, 194 Leitfähigkeitstensor 152
Ionenleitung 387 kapazitiver Feuchtesensor 376 Kreisringmembran 174 Leitungsband 424
ionensensitive Elektrode 432 Katalysator 390 Kreisringmembranstruktur 180 Leitungsbandkanten 11
ionensensitiver Katalysator-Oberfläche 385, 395 Kreisstrom 293 Lichtgeschwindigkeit 307, 468
Feldeffekttransistor 412
Katalysesensor 418 Kupfer-Beryllium 175 Lichtwellen 307
ISFET 435, 448
katalytische Verstärkung 380 Kurzschlußstreifen 243 Lichtwellenleiter 131, 363
Isolationswiderstand 209
katalytischer Sensor 430 Linearisierung 84
Isolator 11
Katheter-Elektrode 435 Linearität 218
isothermer Block 52
Kennlinie 5 Lithiumniobat 201
ITO 356
L
Kennwert 181, 182 Löcherdichten 20
λ-Multiplexer 364
Keramikwiderstände 85, 111 Löcherleitung 27
λ-Sonde 437, 441
J keramischer Dehnungsmeßstreifen 164
Ladung des Elektrons 468
Londonschen Eindringtiefe 295
keramisches Herstellungsverfahren 90 longitudinaler anisotroper
Josephson-Kontakt 295 Ladungsdoppelschicht 340 Widerstandseffekt 251
keramischer Drucksensor 215
Joule-Thomson-Kühler 321 Ladungsinjektion 361 longitudinaler k-Faktor 165
Kernstrahlungsdetektor 371
Joulescher Wärme 22, 309 Ladungsspeicher 357 longitudinaler piezoresistiver
Klärtemperatur 138
Koeffizient 158
K Kohlenmonoxid 436
Ladungsspeicherung 357
Ladungsträgerbeweglichkeit 224 Lorentz-Kraft 223, 297
Kompensationswiderstand 195
k-Faktor 140, 142, 161, 162, 184 Ladungsverschiebung 361 Löschgas 370
Konstantstromspeisung 188
Kadmiumsulfid-Photowiderstand 333 Langzeitkriechen 144 Loschmidt-Zahl 468
Konsumtechnik 3
Käfigverbindungs-Sensor 425 Langzeitstabilität 218 Luft-Kraftstoffverhältnis 440
Kontinuitätsgleichung 328
Kaltleiter 86, 100, 104 Laufzeitverzerrung 131 Luftatmosphäre 319
Koppelstelle 294
Kaltleitereffekt 103 Lawinenphotodioden 350 Luftspule 269
Korngrenzensensor 421
Kammstruktur 409 lead frame 192 Lumineszenzabklingzeit 134
Kostenaufwand 3
Kanalstrahl 368 Leckstrom 209
Kraftfahrzeug 6
Kapazität 454 Leerlauffall 28
Kraftfahrzeug-
kapazitiver Drucksensor 214, 217 Leistung 454
Geschwindigkeitsmesser 289 M
 Seite 257

512 Index Index 513

Mach-Zehnder-Interferometer 364 Meßelektrode 432, 433 Nachrichtentechnik 199

magnetisch harte Achse 255 Meßgenauigkeit 130 Nachweisgrenze 316
magnetisch leichte Achse 255 Metall-DMS 184 NEA-Kathode 324 P
magnetische Induktionsflußdichte 454 negative Elektronenaffinität 325 Palladium-Gatemetall 448
Metall-Drucksensor 180
magnetische Nernstsche Gleichung 439 parasitäre Temperaturabhängigkeit 22
Metall 11
Widerstandsänderung 226, 241, 242 parasitäre Thermospannung 40
Metallfolien-Dehnungsmeßstreifen 141 Nichtlinearität 117
magnetischer Fluß 454 Paß 391
Metalloxidschicht 445 NTC 23, 86
Magnetit 86 Pellistor 429, 430
Metallwiderstand 66, 111 NTC-Temperatursensor 88
Magnetkern 271 Peltier-Effekt 321
Mikroelektrode 435 NTC-Widerstand 86, 91
magneto-elastischer periodisch verkippter Spiegel 336
mikromechanische Herstellung der Nullsignal 181, 182
Kraftaufnehmer 220
Membran 186 Perkolationspfad 421
Magnetodiode 295 O Perlenform 91
mikromechanische
magnetoelastischer Sensor 285 Herstellungsverfahren 195 Oberflächen-Elekrode 435
Permalloy-Legierung 250
magnetoelastischer Effekt 141 Mikrowellenverfahren 379 Oberflächendefekt 418
Permalloy-Magnetsensor 257
Magnetokonzentrationseffekt 296 Minoritätsträger 328 Oberflächeneffekt 445
Permalloy-Sensor 247
magnetoresistiver Sensor 241, 258 Minoritätsträgerkonzentrationen 112 Oberflächenladungen 209
Perovskitstruktur 100
Magnetostriktion 276 Minoritätsträgerlebensdauer 331 Oberwellenanalyse 273
pH-Sensor 434
Magnetotransistor 295 mittlere freie Weglänge 9, 17 Offsetspannungen 262
pH-Wert-Sensor 432
Magnetsensor 223 mittlere Stoßzeit 9, 17 optische Generationsrate 511
Phasenintegral 294
Magnistor 297 Monomode 131 optische Sensoren 307
Phasenmodulator 364
Makroelektrode 435 Multikomponentenanalyse 405 optische Signalübertragung 132
phonon drag 32
Mantelthermoelement 47, 48 Multimethodenanalysegerät 408 optische Verfahren 379
Photoemission 325
maximale Photospannung 340 Multimode 131 optische Strahlung 307
Photoemittivität 314
mechanische Spannung 454 Multiplikationsfaktor 317, 319, 342, 330 optisches Triggern 353
Photokathode 323
mechanischer Temperatursensor 135 Ordnung der Reaktion 394
Photoleiter 327
Meißner-Effekt 291 ortsauflösender bipolarer
Photomultiplier 323, 326
Membran 181, 183 Halbleitersensor 355

Meßdynamik 5
N ortsauflösender
Photonen 309, 368

Nabla-Operator 16 Kernstrahlungsdetektor 373 Photonen-Teilchenstromdichte 309

 Seite 258

514 Index Index 515

Photonengenerationsrate 312 Polarisation 101 pyroelektrischer Koeffizient 120 Reed-Kontakt 283

Photonenlebensdauer 312 Polaronen 86 pyroelektrischer Sensor 322 Reed-Relais 283
Photonenvernichtungsrate 312 polykristalline Siliziumschicht 162 PZT 201 Reed-Sensor 283
Photosensor 307 Polymerfolie 376 Referenzelektrode 432, 433
Photothyristor 351, 353 Polypyrrol 452 Referenzgas 442
Phototransistor 351, 352 Polysilizium 83, 163 Q Referenztemperatur 40
Photovervielfacher 326 Polyvinylidenfluorid 205 Quantenausbeute 315, 324, 325, 326 Reibungskraft 224
photovoltaischer Effekt 340 poröse Sinterkeramik 430 Quantenrauschen 316 Relativdrucksensor 186
Photozelle 325 poröse Keramik 378 Quantenwirkungsgrad 315 relative Luftfeuchtigkeit 376
Physisorption 382 poröser Sinterkörper 446 Quantenzähler 315, 331 relative Permeabilität 248
Physisorptionssensor 415 Positionsmessung 302, 303, 355 Quarz 196, 198 Relaxationstechnik 402
piezoelektrischer Drucksensor 210 potentiometrisch 432 Quarz-Druckaufnehmer 222 resistiver Sensor 110
piezoelektrische Dünnschicht 214 potentiometrischer Sensor 436 Quarz-Temperatursensor 127 resistiver Drucksensor 139
piezoelektr. Effekt 141, 196 , 207, 210 Präfix 454 Quarzkristall 207 resistiver Kraftsensor 139
piezoelektrischer Koeffizient 202 Precursor-Zustand 418 Quarzkristall-Resonator 222 resistiver Temperatursensor 61
piezoelektrischer Kopplungsfaktor 201 Produkt 395 Quasifermienergien 13 resistiver Feuchtesensor 376
piezoelektrischer Kraftsensor 210 Promotor 385, 399 QuaT-Schnitt 127 resistiver Gassensor 444
piezoelektrische Meßtechnik 199 Proportionalbereich 369 Quenchgas 370 Rezeptorprotein 380
piezoelektrischer Modul 202 Pseudo-Hall-Effekt 152, 192 Querempfindlichkeit 2, 23, 81 Richtkoppler 364
piezoresistiver Drucksensor 140 Pseudo-Hallspannung 258 Richtung leichter Magnetisierung 253
piezoresistive Meßtechnik 156 PTC 23 Rücksetzfeldstärke 278
piezoresistiver Effekt 139, 151 PTC-Mikrokalorimeter 425 R Ruhemasse des freien Elektrons 468
Pillenform 91 PTC-Widerstand 63, 86, 100, 104 Reaktionsenthalpie 391, 396
pin-Photodiode 345 Pulshöhenauswertung 275 Reaktionsrate 392
Plancksches Wirkungsquantum 468 Punktdefekt 389 Reaktionsrate von Katalysatoren 431
Platin-Mikronetz 452 Putley-Detektor 323 Reaktionswärme 430
S
Platin-Temperatursensor 71, 72 PVDF 201, 205 Reaktionsweg 391 Sättigungsbereich 31, 64

pn-Photodiode 337 pyroelektrischer Temperatursensor 119 Reed-Diode 283 Sättigungsfeuchte 376

 Seite 259

516 Index Index 517

Sättigungsgeschwindigkeit 330 Sensorkennlinie 94 SPRITE-Detektor 335 Taupunktverfahren 379

Sättigungskernverfahren 272 Sensorrauschen 316 Sprungtemperatur 291 TC 22
Sättigungsmagnetisierung 247 Sensorsignal 3 Spule 269 TCE 143
Sättigungspolarisation 247 Sensorspannung 314 Spulenempfindlichkeit 269 TCR 143

Sättigungsstromdichte 112 Sensorstrom 314 Spulenkern 270 , 287 Teilcheneigenschaften 307

Sauerstofflücke 419 Sensorzeile 335, 336 SQUID 291 Teilchenstrom 19

Sauerstoffpartialdruck 440 Shockley-Gleichung 112 Stabilität 146 Teilchenstromdichte 19

Sauerstoffsensor 441 Sicherungssystem 272 statische Druckmessung 141 Temperatur 453

Schaltamplitude 279 Signalform 4 statische Strom-Spannungskennlinie 96 Temperatur-Flächenwächter 99

Schaltfeldstärke 278 Silizium-Biegebalken 195 Stefan-Boltzmannkonstante 314 Temperaturfehler 117

Schaltspiele 283 Silizium-Drucksensor 186, 187, 192 Stirling-Kältemaschine 321 Temperaturgradienten 26

Schaltsymbol von Hallsonden 233 Silizium-Federkörper 195 Strahlungsdetektor 368 Temperaturkoeffizient 22, 69, 322

Schienenfahrzeug 6 Silizium-Photodiode 344 Strahlungsleistung 308, 341 Temperaturkoeff. des Nullpunktes 163

Schlüssel/Schloß- Silizium-Temperatursensor 83 Streifenleiter 132 Temperaturkompensation 184, 194

Wechselwirkungen 380 Temperaturmeßfarbe 137
Sintertechnologie 90 Strom-Spannungskennlinie 94
schnelle Photodiode 347 Temperaturmessung 23
Software 4 Strombahn 232
Schottky-Barrierenhöhe 448 Temperaturmessung mit
Solarzelle 339 Stromdichtegleichung 15
Schottky-Barrieren–Sensor 410 Thermoelementen 51
Spannungsstabilisierung 98 Strommessung 300
Schottky-Photodiode 349 Temperaturstabilisierung 188
spektrale Empfindlichkeit 314 Stützmagnet 302
Schwingquarz-Hygrometer 379 Tensor der piezoelektr. Moduln 201
spektrale Strahlungsdichte 313 supraleitender Werkstoff 291
Seebeck-Koeffizient Tensor der piezoresist. Konstanten 154
spektrales Nachweisvermögen 317 Symmetriezentrum 198
29, 30, 32, 34, 35, 37, 44 Tensor der piezoresistiven Moduln 160
spezifische Leitfähigkeit 61
Sekundärelektronenmultiplier 325 theoretischer Luftbedarf 440
spezifischer Widerstand 61
Sekundärelektronenvervielfacher 325 thermische Leistung 22
spez. Leitfähigkeit für Elektronen 224 T
Selektivität 382, 392 thermisches Rauschen 316
Spinelle 86 Tablettenform 91
Sensor 1 thermische Zeitkonstanten 81
spontane Magnetisierung 260 Taguchi-Gassensor 446
Sensor-Oszillator 129 thermische Geschwindigkeit 18
spreading-resistance-Aufbau 77, 78 Tantalpentoxid-ISFET 413
Sensoranwendung 7 thermischer Zähler 315
SPRITE-Array 337 Tauchkernprinzip 217
Sensorarray 124, 405, 451 thermoelektrische Messung des
Taupunkt 379 Ladungsträgeryps 30