Wichtigste Elemente um HL herzustellen

istdasSilizium

jedes Siliziumatum bildeteine KovalenteBindung mit vier Nachbaratome

wie wirddie Bände bzw Valenzbandund leitungsband festgestellt

Um jeden Atomker läuft negative Elektronen aufsog SchulenBahnen

Jedes Elektronbildet eine Potentiale Energie gegenüber dem Atomkern

Jeder Schule ist ein Energieniveauzuzuordnen

aus dem schalenatomlässt sichausden Elektronbahnen direkteinegrafische DarstellungderElektronenergieableiten

den

Der EnergiewerteinesElektrons kanndurch Aufnahme oderAbgabe vonEnergiegeändertwerden hierdurchkönnen

Elektronauch ineine andere SchuleÜbergehen

Werden Zwei Atome nahe zusammengebracht werdendiese miteinander elektrisch wechselwirken

Nach pauliprinzip nicht erlaubte ist dassZwei Elektronen dengleichen Energiezustand annehmen

aufgrund dieserTatsache verschieben sich beide Energiezustände leicht

Zusammengesagt ZweiAtum werden nahe voneinander zusammengeschoben spalten sichdasUrsprüngliche

Energieniveau auf in Zwei etwas versetzte Energieniveaus dieAnzahlderelaubten Energiezustände verdoppelt sich

Daraus ergibt sich durch die Anzahl an Atom welche vorhanden sind auchdieAnzahl an Energiezuständen

Die Energiezustände liegt sich sehr dicht voneinander Bände

0 0001 Er
Ä _Er
 Valenzband
indemdie Elektronen inder Nähe ihrerAtomebleiben und an Kovalenten
Bindung beteiligtsind

leitungsband in dem die Elektronen genug Energie haben um sichereim Festkörper zubewegen elektrischerStrom

Bandlücke dies Bandliegt zwischen die zweiBände undindem sindkeine erlaubten Energiestand Vorhand

Metall In Metall Überlappen valent und leitungsband sodass Elektronen sich leicht frei bewegen können Chcheleitfähig

Empty

I Filled
EL
Halbleiter InHhgibtes eineKleine BandlükeBei RaumtempKönnen einige Elektronen in das Leitungsband gehoben

Werden und damit strom leitet

LEE

Isolator In Isolatoren ist die Bandlürkesehrgroßsodass kaumElektronendieEnergie haben um vom VB in LB

Zuspringen

F
EgSev

Kl Kl Ec

Anzahl der Elektronen Besetzung

unterscheidet die leitfähigkeit bzw MetallIsolator oder HI

Bandstruktur ist ein Diagrammdas die Energie Enkelals Funktiondes Wellenvektor 1K darstelltjeder
Punk

h diesem Diagramm repräsentiert

1 Einen Wellenvektor
K derdie BewegungdesElektronen imKristall beschreibt

2 Eine Energie Enik dieangibtwelche EnergiedasElektron beidieserspeziellen Wellenfunktion undWellenzahl

 Direkter und indirekter Halbleiter nach Bandstruktur

1 Direkt
En leitungshend Minimum derLeitungsbandliegt imKRaumüberd

Maximum des Valenzband

Bandlücke
ums
Valenzband Anregung einesElektrondura Photon möglich dasPhoto

erzeugt direkt ein Elektron Loch_paar

2 indirekt

En leitungshend leitungsbandMinima liegtninhdirektüberValenzbandMaxima

a im K Raum
m Bandliche
Direktes LBMinimum energetisch höher alsindirektes
Valenzband

LBMinimum daherÜbergang unwahrscheinlich

Anregung eines Elektrons durch photon möglichaber unwahr

einlich Buch

Ladungstransport freieund fehlende Elektronen

1 Elektronen imLB Elektronen die ins LBgehoben werden trageneinenegative Ladung undkönnen sichunte

einen elektrischen Feld in Richtung derpositiven Spannung bewegen wa einen elektrischenStromerzeugt

2Löcher imUB Die Löcher sind fehlende Elektronen Sie bewegen sich in Richtunggegendie Elektronen

dadurch
tragen die positive Ladung DieseBewegungim NB kann zur Stromleitung
beitragen

Ee tn iEn 2n EEn
 Zustandsdichte
Die Zustandsdinkte gibt an wie Viele Zustände für Elektronen beieinerbestimmtenEnergie existie

Bespiel Im HL befindet sichalleElektronen imUB Woalle zuständebesitztsind Im LBgibt es freieZustän

höhe Zustandsdichte
wenn dieElektronen angeregt werden können sie in LBspringen

Hh die Majoritätsladüngänger
ist dieLB

m Metall gibt es immer Elektronen im LB weildie Zustandsdichtebei der FermiEnergie ist unddiese

ektronen leichtangeregt werden

FermiDirac Statistik beschreibt die Verteilung derElektronen in verschiedenen Energieniveau Tempund

abhängig von E

f ET
exp
4H
l die Wahrscheinlichkeit dass einZustandderEnergieEbeiTemp T besetztist

KB Blotzmann Konstante

f4 So Wenn Energie der Zustand

EfundTemperaturhochist Sowas istwww.msn.at

f 1 Wenn ECEf und Tok

141 0 wenn E Ef und Tok

Fermiefunktion
abhängigvon Energie für verschiedeneTemp

FEf beiabsoluten Nullpunkt sindalleZuständebiszurEevollständ

besetzt und darüber sindkeine Zuständebesetzt

Tsteigt Kurve wird flacher dieWahrscheinlichkeitdasshoheEnergiemit

besetzt sind nimmt zu beihöhere T habeneinige ElektronengenugEnergie

in höher liegende Zustände zu wechseln

 Indotierte HL

EL
Es hier ist die Fermienergie inderMittederBandlücke
Ey
Er

Nachder Dotierung

PHI NHL

mmmm
EL EL FEMMEEf

FEI Bx
sri 4 4
fb.diak.tt Bundzustände
Igen
 Cent
Eff
Elektronendichte
n Neexp

Ne 2 27mnKT
Zustandsdichte

Löcherdichte
f Nrexp Effy

intrinsische
HL HL der immer noch nichleiten können undotierte

Nienip NcNuexp Ec Ec Er ni MinPth ni Eigenleitungsträgerdichte

ni Ten er E
LadungträgerZahl n in thermischen Gleichgewicht hängtvon Bandabstand
Wa deneffektiven Massen der Band

wegen NaNut und derTempab

ni beschreibt die Anzahl der freien Elektronenundlöcher ineinemundotierten HI imthermischen Gleichgewicht

T steigt ni nimmt zu mehrElektronen haben genugende Energieum unsLB

DamitdieEigenleitung derdominanteEffektfürden Stromtransport ist muss die Dichte der Fremdatome geringerals nisein

Zwei Methoden um Leitfähigkeit des HL zu steigen

1 durch
Erhöhung
derTemp

2 n oder durch EinbaueinesAtomsmit3Valenzelektronen Ga

PDotierung pDatierung nDotierung durchEinbaueines

Atomsmit 5 Valenzatomen As
LB

EsAkzeptünergie

Donatoratom
ist das Atom dasdurch nDotierung erzeugt wird zusätzliche Elektronen
die thermischleicht angere
Werden Phosphor

Zusätzliche Löcher
Akzeptoratom istdas Atum das durch
PDotierung erzeugt wird Bor
Ioniesieung der Donaturstelle Elektron von Donatorniveau ins leitungsbunübergeht Donatorwirdzueinempositivgelade

Ion

Ionisierung der Aktzeptorstelle Elektron von Valenzband ins Akzeptorniveau übergeht undhiterlässtein Loch DerAkzepto

Wird zu einem negativen geladenen Ion

Ionisierte Störstellen

Manbetrachtet denFaktor2aufgrund
1 2
Ggg
derEntartung

Nd
NÄ
1 2exp Ea

Die Ionisierte Störstellen hängt von derTemp ab leitfähigkeit ist auch temperaturabhängig

TOK T Book

I I 9 9 2 E 99 29999 2

Er Er Er

HL EL EL EL

Er y i 5_Er 9 5555 Er
TemdamitElektronen von
keinegenuge hier haben siedie

unnturniveau
insLR Zu oder
gelangen Genugende Energie

au UBins Anzeptornineau zu springen

 FermiNiveau

Fermienergie beschreibt das höchste Energielevel das vonElektron ineinemMaterialbeiok besetzt ist

Stellung der Fermienergie nachdem Material

1 Metall Fermienergie liegt innerhalb des leitungsbands

Undatierte HL Inder MittederBandlücke

Pdotierte Hl oberhalb des Valentbandes ndotierteHL unterhalbdes Leitungsband

Isolator Tief innerhalb der Bandlücke

Ladungsträger freieElektronendie können elektrischen Stromleiten

leitfähigkeit hängt davonab 1 Beweglichkeitder Ladungsträger Mhängt vonTempabundobHLdotiertist

2 Ladungsträgerdichte N hängtauch vonTemp

leitfähigkeit

1 beiundotierten HL
Leitfähig
spezi

Temp

beigeringenTemperaturen leitet die HLgarnicht

Wird die Temperatur erhöht ist die leitfähigkeit immer noch gering

Abeinem bestimmten punktsteigtdie leitfähigkeit stark an in diesem punkt ist dieTemp erreicht beiwelchersie

Elektronen
ausdem Gitter Lösen und zufreinElektronwerden Eigenleitungdes HL
2 beidotierte Hl

störstellenerschöpfung

f Eis

sooo

SehrgernigeTemp leitet dieHL nicht spezifische leitfähigkeit ist minimum

Tempwird etwas erhöht löstsichdieElektronen sofortab beginnt dieHLzuleiten

je heißtes wird desto mehrElektronenlösensichvonihrenAtomen ab

alle Elektronen werden sich vondotierten Atom abgelöst Temperhöht wirdsteigtdieleitfähigkei

alsoegalwievielmehrdie

nich daikeinmehr Elektron gibt zusätzlich Elektronen

Ab einem bestimmten Temp beginnt sichdieElektronen ausderGitterstrukturzu Lösen steigtdie leitfähigkeitmehrab

Driftstrom EinElektrisches Feld wirdinHh angelegt undübt einKraft auf Ladungsträger aus

Elektronen bewegen sich in entgegen Richtung desFelds und Löcherin der gleichen Richtung

Drifststrom hängt davonab 1 Anzahl der Ladungsträger

2 Ihrer Beweglichkeit

3 Stärke des Felds

g 6E wobei 6 eMen App

Gebiet mit
Diffusionsstrom
Die Elektronen oder Löcher bewegen sich von hohe Konzentration zu niedrige Konzentration

Diese Bewegung versucht einen Stromeinfluss auchohne äußeres elektrisehe Feld

Diffusionsstrom
hängt von Konzentrationsgradienten der Ladungsträger Und ihrer Diffusionskonstante ab
 Fermienergie gibtan bei welcherEnergie ein erlaubter Bandzustandmit so Wahrscheinlichkeit besetzt ist

Pn Übergang
gp MTU
E

EF.EE n.EFEIIT.EE

Dn MET Dp MEI
Generation beschreibtdenProzess
dochPaareentstehen Also ElektroneninsLB undlöcherin VB
dasseinElektron Elektronloch_paar

ArtenThermischeGenerationoptischeGeneration und Störstellenbedingte Generation

Rekombination
ist derGegenteilderGeneration DerElektrongehtzurückinsLochalsoElektron und lol verschwinden

Arten Direkte Rekombination indirekte Rekombinationund Stoßionisation

In thermische Gleichgewicht Konzentration von Elektronen undLöcherbleibtstabil gilt ger undeinzelgier

HL im Nichtgleichgewicht PR ni

ZweiArten vonInjektion

1 schwache Injektion Die Übersehussträgerdichte ist kleineralsdie Majoritätsträgerdichte im thermische Gleichgewicht

MHL D ninth P P Pth

2 StarkeInjektion Übersehüssträgerdichte ist größer alsdie Majoritätsträgerdikte n p nihtPth

Erzeugung von Übersehussträgerdichte

Pund n oderInjektionführtzu
erhöhte
1 Rekombination

2 Verschiebung des Fermienergie

 Elektrische Methode

Wir messen die leitfähigkeitdurch Messungvoneinlaufenden

lastwiderstand
Strom in RL WennStrom
groß ist heißtdasdass wirviel

Ladungsträger habenbzw viel n und damit die Leitfähigkeit

ist groß aber wielangeLebendie Ladungsträger insolchen HL

Metall Wirbeleuchten den Hl Hlgeht indynamische Gleichgewinkt

HL
Metall
dass die Generationirate gleich dieRekombinationirate ist
engage decrees
da undein _statten wir
liegt
Überschuss

Uberstne gegengeschlechtlichen
das Licht an bei Paid und überlegen unswas

passiert wenn das linkt ausgestaltet wird

Die Übernhunkdungsträgerdichte wird jetzt

wied rkriege
auf e Gleichgwichtladungsträgerdinhte zurück

Pn Pro
Die
differ
mathematische
Beschreibung
Ep
Lösung Pa Pro Pn Pro exp

Mechanische Methode

wir benutzen Zweioptische pullemiterstenoptichenPat erzeugen wir

die Ladungsträger mitdem zweiten guckenwir nachobdie

Ladungsträger immer noch da sind

er an
 PnDiode
otherdiffundieren Pdotierte Hh A Dotierte.tl

p.tlund nettund hinterlassen

hinterlassen Elektronen diffundierenaus

gutivegeladene Elektro Positivegeladene Donatoren

Zeptoren Duteratom Dotoratom

Wirbringen Zwei HLeiner Pdotierte und ander ndotierte Zusammen

Es bildet sich dazwischen eine RLZ wo Rekombination passiert

In DdotierteHL sind Elektronen mehr alsLöcher

In p dotierteHL sind die Löcher mehr

Nach der Zusammenfügung werden dieElektronen in p.NLgezogen und dieLöcher in nHlgezogen

an RLZ rekombinieren die Elektronen undlicher verschwinden

Bleibt damit die Dotoratome also Ladungen die nichtmehr neutralisiertwerden

Wir haben Zwei unterschiedliche Ladungen welche sich gegenüberstehen

Es baut sich ein elektrischesFeld vonpositiveladungCneszu ortsfesten Dotiertum des n Htund

Ladungpopischen PHI an
Loch bewegt sich in Rihtungdas Feld während Elektron entgegen
Richtung

Hierdurch stellt sichein Gleichgewicht ein

Zurückbleiben

ohne dasGleichgewicht würden alle Ladungsträger rekombinieren undwürde nur noch ionisiertStörstellen

1 Typ
 Diffusionsspannung ergibtsichaus energetiseheDifferenz der Leitbandunterkannten
weitwegvon PnÜbergang

eup Wil D Wild

Un Ihn Tff Uten ATF nict nnaeapl.IE

hängtschwach vonTemp und Dotierung ab

mitwachsenderDotierung Us Egle

EsgibtzweiMethoden zur D Dotierung

1 Gasphasendotierung mitDotiergas wie PH oderPools

2 Dotierungdurch Flüssigkeitsquellen beidenen inflüssigerForm verwendet

Dotierstoffe werden

in RLZ Sto PositiveRLZ wenn 8 0 in DH2

negativeRLZ wenn So imPHL
Durch die neue Ladungsverteilung wird einE Feld aufgebaut daseinen Driftstromder Ladungsträger bewirkt der

wiederum dem Diffusionstrom entgegenwirkt

Elektronenaus dem DGebiet diffundierenin das PGebietwo

sieaufLöchertreffen und rekombinieren

Löcher
ausdem PGebiet diffundieren in das nGebiet und

rekombinieren
mit Elektronen
Diese Austausch führt zur Bildungeiner RLZ an derGrenzfläche

diekeine freie Ladungsträgermehr enthält Esbildet jedochSta

nare positive und negative Ionenzurnadie ein elektrischestel

 erzeugenDurchdiesesFeld dieEnergieniveau
verschiebensich

LBundVB biegensichobenim Plebietundnachunten

iminGebietDiesführtzueinemKontinuierlichenAntieg derBandstrukturübern

Herleitung Bandverlauf pnÜbergang

Plan
l

nip en wiestarkesdotiert istdieBereit der

E RLZ Kleiner istalsbei pdotierte
en
eng Beispiel In
WenndieLänge Kleinerist und lp
größer solldie dotierungeng höherseinals Dotierung eng

da die Fläche gleichbleiben sollen

94 _eng 1pctto

fend oxen
0 Sonst

Pn Übergang unter Vorspannung

Ptyp ntyp

hne Durchlassrichtung

Nach der Durchlassrichtung 1 dieBändeaufrechtenSeite

Ei nachoben um Energie er verenhieben

2 Anhebung die Fermieengie

 3 Raumladungszone verringtsich Dotierung RU deswegen Rekumhunwichtig
fähig
4 Aufspaltung derFermieenergie in zweiQuasi fermieenryie

bInjektion von Elektronenvonder rechtenseite

6 Injektion von Löchern von der linken Seite

7 Stark Dotierung geringer

Widerstand sodass dieSpannungabfallkeineRollespieltspannung

abfallinRLZ kein elektrisches Feld keinenDriftstrom alsoalleStröme diefließensi

Diffusionsströme

TE V.v
Bereit der RLZ b
FEY
Ladungsdichte 1 ohneangeliegte spannung

Pt PLZ
a ntyp
ggg In ptyp sinddielöcherdieMajoritätsla
II
gsträgerals PNA

In ntypsinddieElektronendieMajalso

D Np
n In
In derRLZ verringtsiehstarkdieMajoritätsladun

träger aufgrundder Rekombination

2 angelegte Vorspannung

P N
 O
Ptyp piz ntyp
P NA n Np

no0 Pro

Die Vorspannung
hebtdieQuasi_fermieniveau derMinor amRand
der PLZ um er an
Sperrichtung

Endest D Na

4 911
no Po

RLZ

1 1 AP
Jr
NachderÄnderung der Minoritätsladungsträgerdichte

nl up neun exp noexp

i un Pl aplexp ÄH P er

KeinDriftstrom an den Stellen up und un

Kein Diffusionsstrom der Majoritäten an den Stellen upundan Achtung

Keine Rekombinations
in derRIZ dasheißt die Stromdichte dieindieRIZ hinfließt fließ ander anderen
 Seite auch wieder hinan

J jeLap jainnt 1
2 not B xp
Tsisperr
sättigungsstromdichte

Kennlinie deridealen Diode ShockleyModell

i a nach I Ii expl.EE 1
halten

Starke temperaturanhhängigkeit

Eine erhöhte Temperatur führt zu Reduktionder schwellspannung

Vorwärtsspannung
 3 Haupverlustmechanismendie die Effizienz der Solarzelle begrenzen

dieEnergieaus photonstrahlung

1 Thermalisierung Thermalizationlosses Elektron hat genuegend Energie diegrößerals Egist

einTeildieses Energie hilftdemElektron beim springen insLB DieÜbrige Energie wirddieElektronen

heißt undals Wärmeabgegeben also nicht als Stromerzeugung Effizientder Solarzelle verringt

Transmission Transmission Losses Die Energie von photonstrahlung ist kleiner als Bandlücke alsonicht

genug damit Elektron von UBin LB zu springen dh eswird keinen ElektronLoch_paar erzeugt

DieEnergie dieser photon geht für Stromerzeugung Vollständig Verloren

3 Rekombination Rekombination bedeutetdass Elektronen und Löcher WiederZusammentreffen Und ihreEier

begeben ohne Strom erzeugt wird als Rekombination reduziert derAnzahl der Ladungsträger die

Stromerzeugung beitragen Können

Stromfluss
in einer solarzelle

5 Top Jo exp 2 e lethalOtto exp 1

Top photogenerierte Strom der durch lichtanfall erzeugt wird

Jo Sättigungsstrom derauch bei Dunkelheit fließt und der vonthermischen Ladungsträger abhängt
 derStrom ist negativ da er indie entgegengesetzte Richtung der leerlaufstromfließt

G Generation
Zeigt uns Wie Viel ladungsträger ProSekunde erzeugt wird jemehr Sonnenlichtdie

SZeintrifftdesto größer ist die Generation

Solarzelle ohneund mit optischer Genernt

4 EIN 1

StromSpannungKennlinie einer SZ

entleelllerfelle

meeee one

DieSolarzelle als Erzeuger

top u
 ESBvon Solarzellen

1 IdealeSolarzelle 2 Reale solarzelle

i Ä 1 Fay
FFlätten
desto kürzerdieWellenlänge dessonnenlichts wird desto höher ist die photonenergieund destomehr wirddiese
Ene

nicht benutzt

Die Solarzelle wirddurch Reiheschaltung da manmöchte geringeströmeund höhe spannungdamithabeich

aufgebaut

wenigere ohmische Verlust

Rekombinationsarten

1 Strahlende Rekombination
We

EinElektro reflektiertvon 1Bim VR ÄH

ndgibtdieEnergiedifferenz alsPhoton an e w

gewünscht prozess
für Leuchtdiode

Schockley Read Hall RekombinationSRH WL

SRHbeschreibtdieRekombination Über Störstellemeisttiefinder

Bandlücke DieEnergie wird nichtals Strahlungabgegeben sondern Wo

als Wärmeentwicklung in FormvonPhononen nichtgewünschtfür Leutdiode

EinElektronfällt vomLB inSogDefekt
ZustandwireitÄeignetepositionfindet
ein Loch vonUBgehtjedochauchund

die beide treffensich zusammund undrekombinieren EnergiealsWärmefreigegeben

DieseRekombination ist geignet wenn wir niedrigeTemp haben

DieRate derSRHRekombination hängt von Lebensdauer der Ladungsträger denDefekt
dichten und derpositiv

der Defektzustände im Bandabstand

ab
RRH Encptp
Ep

mit n Ncexpl
Fif p Noap Eu Er
n und P sind die Effektkonzentration die durchdie Energiedifferenz zwischen den Deffektzustä

en Und den Bändern bestimmt werden

Auger Rekombination In diesemFall wirdbeim Übergang s We

eingegebene Energie an weiteres Elektron abgegeben welche

f ein höheres Energieniveauabgehoben wirdBeider Ue Wir

eflextion zurück ins LB wird Energieals Wärmean dasGitter

gegeben Ungewünschter prozessfür leuchtdiode

Ranger C MP GMP C Angerrekombinationskonstante

 In Solarzelle und LEDs kanndieSRH Rekombination eine wichtige Rollespielenda
SRH Verursuch Verluste dasführt zu Reduzierte derAnzahlder Ladungsträger
Verringerung derEffizien

des Bauelements

Auger Rekombination ist relevant wenn die ladungsträgerdichte sehr groß ist
Rrad
Ice
Quantenausbeutel
Ran Rad Rang

Durchbruchverphalten
inRückwärtsrichtung wirddurchzwei Vollkommen unterschiedliche
Effekte bestimmt ZennerEffekt

Dieser Effekt basiert aufdie PhänomedassElektronenvomUBin PBern

im ich durchdie Barriere innen

DieserEffektritt aufwenn 1 DieBarriersehrdünn ist

B 9 sind

3 Sperrspannung
hoch ist

Wu

AvalancheEffekt Lawineneffekt Elektronen werden starkbeschleunigt und haben

beiStöße mit anderenAtomen ausreichenden

Energie

zu lösen DieerzeugentenElektronen werdenebenfalls

beschleunigt und es kommt zu einerrapiden Multiplaktion

des Strom Es b 41
w

Diese Effekt tritt aufwenn Feldstärkensehhach

ist
 BdE 6.39

LL in

Antem.TT
andrsderLEDunddenIdealfaktornangibt.wiestark.EE'rätenbi nYEfY

iii
inaaiiiiiiiiiiiiiiiiiiii
i
üüiiiiiiiiiiiiiiiiifiii
är
Quelle: Osram OS

EEeEYEYEEY mwi
 ZenerDiode ist Diode mit genau spezifischer Durchbruchspannung diefürden Dauerbetrieb im Durchbruchbereich

ausgelegt sind

2Diode ist notwendig bei Spannungsstabilisierung unddie ist stark temperaturabhängig

Tc
Ff.ae Ip sonst

Oftausgelegt alsbesonderes dotierte SiDiodemitgeringer sperrschichtdicke dann ergibtsich beiUz SVeine

Mischung aus Tunnel und Lawinendurchbruch

mit einer nahezu temperaturunabhängiger Durchbruchspannung

CStarkeDotierung mehr freibewegliche Ladungsträger Diodekannbeiniedrigen spannung in den Durchbruchgehen

Sperrschicht
istdieschichtdieden Stromfluss bei Rückspannung blockiert wennsiedünnist kanndieDiodebeiniedriger

Spannung in den Durchbruch gehen

Bei SVtrittauf 1 Tunneleffekt Elektronentunneln durchdie dünne Sperrschichtauchbeiniedrigen

Spannung

2 Lawinendurchbruch Elektronengewinnen
genug Energieum
denStr
weitere Elektronen herauszuschlagenwas

Verstärkt

Laserdiode LASER Light Amplification

by Stimulated Emission of Radiation iwie411 d SIEH
2 EinElektron wird mitHilfe vonangelegten Lichtphot
HäL
mit Löcher rekombiniert Damit wirddieEnergieabgegeben

nie
gespug
g g
ggf Energie gegen aus zwei punen

1photonvon Rekombination

2Photon vonausgeübte Licht

Wirddie Licht Verstärker

 Photodiode
DieKennlinie einerPhotodiodeist dieKennlinie einer solarzelle dabeide Bauelemente aufdemgleichen
prinzip derPnÜbergang basieren
 MetallHLKontakte

ohne Kontakte
mit Kontakte
Vakuum Vakuum

1 14
a G

etal NHL Metal

EmdieEnergiedieElektronbraucht umvommetall NachderKontaktierung ins

1Vakuumzuspringen gleichenEbenevonEfm

Und verbiegen sichdieandereBändedesHlnachunten

DieElektronen gehenvon NHLzumMetall und hinter

lassen eine positivegelade Ladung

Es bildsich ein RLZ W

Nachder Kontakt haben wir 3 Zustände

1 Gleichgewichtzustand U o

Metin
ftp.E.gg
4m Eswirdkeineexternespannung angelegt

I E Ins Io Is mit
DaIms habensichdieStrömegegenseitigunde
Gesamtstrom
Is

Ig
m

gibtkeineNettoStromfluss

Dieser Zustand Zeigt dass im Gleichgewichtzustand dieElektronenflüsse i

beide Richtung gleichsind waszu einemStabilen Zustand ohneNettostom

2 Vorwärts Basis

Eine positive Spannung wird amMetallangelegtwoda

98m
IE mjy dasMetal positiverals AL ist

Em
t Im s Io Is jedochexpotent
m steigt

an an uns ist wie grape a um yqmpypy.gg

Gesamtstrom da Is mb Im al gibtes einennettostromfluss

in Vorwärtrichtung

istdem Elektronen inHLerleichter dieBarrierzu überwinden

weildie Barriere Verringtsich 90

Die vorwärtsBasisführt zu einemstarken Anstieg desStrominRi

tung de HI was die schottcky Diode indenleitendenzustand Verse

Rückwärts Basis

Es wird einenegative Spannung im Metalangelegtwodurch

790 das Metal negativer istals HL

901

Ins Io Is m
nährt sichnahm null dadieBar

90 erhöht ist

s kleine Rückwärtsstromderdurch
zmggyfligjmnmyrsewh.gg

wegen der ist derElektronen

erhöhten Barriere nochschwieriger

dieBarrier zu überwinden
 DerZiel des ohmische Kontakt
ist dassdie Elektronen sich ungehindert zwischen Metalund HL bewegen im Gegeniat

Zum SchottkyKontakt beidem Hindernis gibt

Umdas zuerreichen wird der HLstarkdotiertwaszu schmalen BarriereRL führt damitbewegen sichdieElektronenfree

Mit zunehmenden Dotierung beginnt die

Stromfluss mehrundmehrdurch Tunneleffekt
zudominieren daRLzschmaler

wird und Elektronen leichter durch die Barriere tunneln können

FET Feldeffekttransistor

tamilicateisteangentumanarenem
M n
angelegtwird

Eiji 2 Source eingungselektrode durchdie derStrominTrans fließt

PHL Grundsubstrat
3 DrainAusgungselektrode durch die derStrom ausTransfließt

4Kanal ermöglicht den Stromeinfluß

von SourcezumDrain

EinelektrischesFeldwirdaufgrund der anCate angelegten Spannung innerhalbdesGrundstrats erzeugt Dieses Feldsorgtfür

Bewegung und Rekombination von Ladungsträger und dassführtzur Bildung desKanalswodurchderMosfetleitendwird

Vorteile desFETS 1geringer Sperrstrom 2geringer

in
verlustleistung leistungslase
L
Ansteuerung

MOSFET ist ein Art von FET DerIsolatorbeidem ist einenOxidschichtdiesführt zu einemsehrhohe

EingangswiderstandwasMosfftbesonderseffizient macht

Mosfetgibt in Zwei Varianten 1 nKanal MOSFET Der Stromfließt vonDrain source wenndieangelegte

Spannung positiv ist

2 PKanal Mosfet DerStrom fließt von source nach Drainwenndieangeleg

spannung negativ ist

MOSFET ist ein spannungsgesteuerter widerstand

kanndenWiderstandswert verkleinern damit viel Stromfließenkönnen

oder Vergrößer damit weniger Stromfließenkönnen

Kann in dem die ladungsträger bewegen kann großsein dannfließt

mehrstrom

oderklein dannfließt wenigerStrom

Entstehung desKanals 1 Eine positive spannung an Cateanley

son Interprain
2 Es wird daseinelektrischesFeld im Grundsubstrat erzeugt

EFEE.EE 3 dieses Feld zieht desElektronen in RichtungdesOxidschicht nachob

4 dort findet die Elektronen Löcher undrekombinieren

5 eine dünne negativeRLZ entstehen

6 Elektron könnenjetz von Source zumDrain fließen

spannungerhöhen mehr Elektronen rekombinieren Kanalbereiter

Diemaximalespannung nennt man Schwellspannung abdergibteskeine

Löcher zurVerfügung mehr

Esgibt zwei Arten vom NMos 1 Areicherungstyp DerKanal wird erstleitetwenn einebestimmte Spannung am

Gate anliegt

2 Verarmungstyp DerKanal ist im Ruhezustand leitend undeine Spannung kannden

Kanal schließen
 Banddiagram eines MosKapzität Flachbahnspannung Venue

If
mm
edm Es _Äh
Veb
EuEr

Metall
oxid
PHL Metall
ai
PHL

E istdieEnergie beiderdiezuständeimGleichgewichthalbbesetztein

Vf 10m 9
DieunterschiedzwischenMosund MosKapazität dass dieMosKapazität keine sourceundDrainAnschlüsse hat

Wir haben 3 Fälle Betriebsmodelle

fürMosKapazität

1Akkumulation
Eswirdeinenegative spannung andasMetallangelegt

Ef
Waco
In Die Bänder im HL werden nachunten Verschoben

4 Die Löcher können sich an zuIsolationanreichern

Grenzflähe

gezogen unddortsichsammeln

Elektronen werdengleichzeitig aus dieseZoneIso Verdrängt

jäten
s
Ähm no

z
2 Verarmung

Eswirdeinepositivespannungan Metall angeliegt

Die Bänder imHL werden nachoben verschoben

Löcher positiveLadung werden weggrdrickt deshalbnimmt der

eu
Er
AnzahlderLöcher
an Grenzfläche
ab
A Grenzflaschgesam
can
Elektronen
negativeLadung werden inRichtung Isolation gezogen un

ihreAnzahl werden zugenommen

d Esentsteht nochkeinleitfähigerKanal

3 Inversion Diespannungwird weiter erhöht

AlleLöcher werdenvon Grenzfläche WeggedrücktsodasskeineLücke

mehrübrig bleiben

Er AndiesemPunkt sprichtmanvon InversionDasbedeutetdasssich

ey
Ell jetzt zusätzliche Elektronen an derGrenzfläche ansammeln

Es jetzt die
Elektronendichte
ist größerals Löcherdikte Erhand

sichwieeine ndotierteHL dadurch wirdein leitfähigerKanal entstand

Bei InversionWächst die BreitederRLZ nichtmehrdasichdieElektronen mit hoherDichte direkt an der

renzfläche Zum Isolator aufbauen

 Wmax
FEIN
Us Mai Ein

EE no

Qin
YI In Inversionspotential

Inversionsbedingung Mo Pa NA

c
IEEEE
w.es
l 1
EE
In einfachen MOSFETwird ein UGangelegtdamit die bewegliche Ladungsträgererzeugt werden

Die Ladungsträger ist erst verfügbar wenndieInversion erreicht wird Hierfür mussdieSpannung Vthangelegt werden

Vth Vfb in
 Hauptaufgaben des Bipolartransistor 1 Ströme zu verstärken
AH

2 Digetalschaltung realisieren
npr

Schaltzeichen

NPN will die pfeile sichvonderBasistrennenhandeltsich'sumNpr

Bly
E

prop Tutder PfeilederBasis Wehrhandeltessichum PNP

Aufbaueines Bipolartransistor 1 Zwei n dotierte Bereiche Emitterund Kollektor liegt einem Pdotier
dazwischen

BereicheBasis

Mt 2 Ic der Gesamtstrom

P 4 Ic dergroßte Ausgangsstrom

ptt s Emitter ist stärkerdotiert all Kollektor

Npr ist zwei PNDiodediegegeneinandergebunden sind

T
egalwievieldiespannung hoch istfließtkeinenStromdaDiode insperricht
Annahme Weg 70 und Up.eu die machen keineÄnderung daDerist imSperrrichtung undDBEimDurchlas

B C E iststarkdotiert dh es gibt viel Elektronen Die Elektronengehen

VomEmitterzumBasis Einigen sehrkleineAnzahl vonElektron

rekombiniere der
größereTeildesElektronen gehen schnell vom BasiszumKollektor

aufgrunddemdünnenSchicht des Basisund der

Spannung UndiedieseElektron
angezogen Die Rekombination Verursacht den BasisstrumI

Elektronen im Bassis wurdenvonKollektorabgesaugen

Essollimmer dicke
Basis Diffusionslänge

B BasisTransportfaktor sagtuns wie viel der vonEmitter hinein injiziertenElektronengehtdurchBasis durch

FI
BC1

Emitter Wirkungsgrad
Icp
α Bk
Gleichstromverstärker
1
β Stromverstärkungsfaktor

1Sättigungsbereich 1 tritt beigeringerWerte von Veeauf

1 2Diebeide Dioden sind in Durchlassrihtung

3 IcnimmtÄ ErhöhungvonVee zu dh

alleElektronendieindieBasis injiziert werden

Zum Kollektor fließen

4Transistor verhältsich alsgeschlossenerSihalterdu I Stark

fließt obwohl Uce

gering ist
2 AktiverBereich 1 Basis EmitterDiode ist in Durchlassrichtung BasisKollektorDiode in sperrichtung

2 I hängt stark von IB und gilt Ic BIB

3 Dielinien sind fasthorizontalWasZeigtdass Ic weitergehend unabhängigvonVeeistsolange In Kunst

bleibt

3Sperrrichtung 1 Die BasisEmitter Übergang ist insperrrichtung

2 Is to Ic ist sehrgering undTransistor leitetnicht

3 Transistor verhältsich als geöffenterSchalter da keineStromdurch Kollektorfließt

Betriebsmodi des Bipolartransistor

säÄgung 1 Basis Emitter Übergang und BasisKollektorÜbergang sind in Vorwärtsrichtung

Vorgespannt

2 Transistor Vollstänigleitet alsStromvomE zu Kdurchfließt

3 Anwendung Schalter Volleingeschaltet

rwärts aktiv 1 BE übergung Vorwärtsrichtung BCÜbergang Rückwärtrichtung Vorgespann

2 Kleiner
IB steuert gripe Ic verstärker
Sperrzustand 1 BEundBC Sperrrichtung vorgespannt

2Trans ist ausgeschaltetsodass Ito

3Verwendung Schalter
Vollständig ausgeschaltet