Physiklaborantenausbildung

Der Transistor
Die amerikanischen Forscher John Bardeen (1908-1992), Walter H.
Brattain (1902-1987) und William B. Shockley (1910-1989) ent-
wickelten im Jahre 1948 in den Bell-Laboratories den Transistor.
1956 erhielten sie dafür den Nobelpreis. Der Transistor ist heute
das meist hergestellte technische Bauteil. Ein Intel Core i5 (Ivy
Bridge) enthält 1.4 Milliarden Transistoren. In Abb. 1 sieht man ein
Nachbau des ersten Transistors. Bipolare Transistoren bestehen
(meistens) aus Silizium. In Einzel-fällen gibt es den Transistor auch
aus Germanium. Jeder bipolare Transistor besteht aus drei dünnen
Halbleiterschichten, welche übereinander gelegen sind. Die mittlere
Schicht ist sehr dünn im Vergleich zu den beiden anderen
Schichten. Die einzelnen Schichten sind mit metallischen
Anschlüssen versehen, welche nach aussen führen. Abb. 1: Erster Transistor

Je nach Schichtaufbau spricht man von einem NPN- oder PNP-Transistor. Das Schaltzeichen
mit den beiden Dioden wird gerne verwendet um den Prinzipaufbau des Transistors zu erklären.
In der Realität stimmt dieses Bild nicht ganz. Das veränderte Verhalten liegt an der sehr dünnen
Basis-Schicht.

NPN-Transistor PNP-Transistor

Abb. 2: NPN-Transistor Abb. 3: PNP-Transistor

Die beiden Transistor-Arten sind sehr ähnlich. Sie werden auch häufig zusammen in einer
Schaltung verwendet (z.B. HiFi-Endstufe). Da wir den NPN-Transistor viel öfter gebrauchen
werden, soll hier vor allem dieser Typ erklärt werden. Für den PNP-Transistor gilt dasselbe,
ausser dass dort die verwendeten Spannungen negativ sind.

Der NPN-Transistor:

Wird über einen Widerstand eine positive Spannung (>0.7V)

an die Basis angelegt, so leitet die Diode zwischen Basis und
Emitter. Es fliesst ein kleiner Strom IB von der Basis zum
Emitter. Die Emitterschicht ist viel stärker dotiert als die
Basisschicht. Die Basisschicht ist sehr dünn (einige µm).
Somit können nur ein geringer Teil der Elektronen mit den
Löchern in der Basis rekombinieren. Die meisten Ladungs-
träger werden in den Collector getrieben. Es kann ein Strom
ICE zwischen Collector und dem Emitter fliessen. Der Strom
ICE ist proportional zum Basisstrom IB.

Abb. 4: Spannungen und Ströme

Der Transistor 1/7 C. Andreoli 2022

 Physiklaborantenausbildung

Der Kollektorstrom IC ist um ein Vielfaches

(20...10'000) grösser als der Basisstrom IB. Der
Transistor ist ein Stromverstärker.

IC
Die Stromverstärkung β = .
IB

Ist die Basis-Emitter-Spannung UBE kleiner als

der Schwellwert von ca. 0.4 V, dann sperrt der
Transistor. Es fliesst ein verschwinden kleiner
Leckstrom IB. Ab einer Spannung UBE von 0.6 V
fliesst ein Strom IB. Der Transistor wird leitend
und es kann ein grosser Strom IC fliessen.

Abb. 5: Illustration Transistor

IE=IC+IB;
da IB sehr klein ist: IE=IC

Ein kleiner Basisstrom IB steuert einen grossen Emitterstrom IE.

Die Transistoren werden in folgenden Anwendungen gebraucht:

• Transistor als Schalter

• Transistor als Pegelwandler

• Transistor als Wechselspannungsverstärker

• Transistor als Konstantstromquelle

NPN-Transistor als Schalter:

In dieser Anwendung wird ein Transistor als Schalter

gebraucht. Ein kleiner Strom IB schaltet ein grosser
Strom IE, z.B. ein Relay. Wichtig ist immer, dass die
beiden Ströme IB und IE mit Widerständen begrenzt
sind. Für das sichere Schalten, wird der Transistor in
der Sättigung betrieben. Der Übersteuerungsfaktor ü ist
in der Praxis zwischen 2...5. Wichtig ist beim Schalten
eines Relay eine Freilaufdiode um den Transistor zu
schützen.

IB = ü *
IC
R1 =
(U
Inp )
− 0.7 * βmin
Abb. 6: Transistor als Schalter
βmin ü * IC

Falls der Eingang (Inp.) nicht immer auf einem definierten Potential liegt, kann man von der
Basis auf GND ein Widerstand R2 legen. Mit diesem Widerstand ist die Basis immer auf einem
definierten Potential.

Der Strom IR 2 = 0.1* IB

Der Transistor als Schalter hat zwei Zustände. Er leitet oder er sperrt.

Der Transistor 2/7 C. Andreoli 2022

 Physiklaborantenausbildung

PNP-Transistor als Schalter:

Der PNP-Transistor funktioniert ganz ähnlich wie der

NPN. Beim PNP schaltet der Transistor, sofern die
Spannung zwischen +Us und Inp. (Spannung UEB)
grösser 0.7 V beträgt. Mit dem PNP-Transistor kann man
sehr einfach ein Signal invertieren. Soll das Relay
eingeschalten werden, falls an der Basis ein 0V-Signal
anliegt, dann wird ein PNP-Transistor genommen.

Abb. 7: PNP als Schalter

Der PNP-Transistor invertiert das Eingangssignal.

Maximale Kenndaten des Transistors:

Die Ströme IB und IE müssen immer durch Widerstände begrenzt werden. UCE und UBE haben
ebenfalls maximale Nennwerte. Diese Werte findet man im jeweiligen Datasheet. Für die
Transistoren, welche im ELL an Lager sind, ist im Anhang eine Tabelle mit den Kennwerten.
Eine gute Internetseite für diverse Datenblätter: http://alldatasheet.com/. Die Verlustleistung PV
eines Transistors wird wie folgt berechnet:

Verlustleistung PV = (IB *UBE ) + (UCE * IC ) = (IB *0.7) + (0.2* IC )

UCE ist typischerweise 0.2V, sofern der Transistor in der Sättigung ist. Da IB sehr klein ist, kann
man den ersten Term weglassen. Somit berechnet sich die

Verlustleistung PV = (UCE * IC ) = (0.2* IC )

Die maximale Verlustleistung PV darf nie überschritten werden. Je nach Verlustleistung muss
der Transistor mit einem Kühlkörper gekühlt werden. Für die Berechnung des Kühlkörpers lese
in der Doku „Der Kühlkörper“ nach.

Schaltet der Transistor, so wechselt sein

Arbeitspunkt im Kennlinienfeld. Kurzzeitig
durchquert er den verbotenen, roten Bereich
PVmax.. Bräuchte der Transistor zulange, so
würde er zerstört.

Abb. 8: Arbeitspunkt beim Schalten

Der Transistor 3/7 C. Andreoli 2022

 Physiklaborantenausbildung

NPN-Transistor als Verstärker:

Der Transistor als Verstärker soll hier nur ganz kurz er-
wähnt werden. Später lernen wir den Operationsverstärker
kennen. Möchte man Wechselspannungssignale (z.B. Für
ein HiFi-Endverstärker) verstärken, so muss man den
Arbeitspunkt verschieben, so dass die Wechselspan-
nungssignale in jedem Fall verstärkt werden. Der Arbeits-
punkt wird mit den Widerständen R1 und R2 fest-gelegt.
Der sogenannte Querstrom IQ durch R2 sollte etwa
3..10 * IB betragen.

IC
Der Basisstrom IB = Abb. 9: Wechselspannungsverstärker
β

Der Ausgang soll in der Hälfte der Versorgungsspannung liegen. Damit ist eine möglichst
grosse Aussteuerbarkeit gegeben.

UR3=UC=1/2*US.
UR4=UE= ca. 1V. IE=IC=1mA.

0.5(US − UE ) 0.5(15 − 1)
R3 = = = ca.6.8k Ω
IE 1mA

IC 1mA
IB = = = 5µA IQ = (3..10)* IB = 40µA
β 200

UE + 0.7 1.7 US − (UE + 0.7) 15 − 1.7

R2 = = = ca.10k Ω R1 = = = ca.82k Ω
IQ 40µA IQ 40µA

Der Kondensator C1 koppelt die Gleichspannung vom Eingang ab. Er bildet mit R2 ein
Hochpass-Filter. Je nach Grenzfrequenz dimensioniert man den Kondensator. Da für uns der
Transistor als Wechselspannungsverstärker nicht so wichtig ist, sei für eine detaillierte Be-
schreibung auf entsprechende Fachliteratur verwiesen.

Der Transistor 4/7 C. Andreoli 2022

 Physiklaborantenausbildung

Der Transistor als Konstantstromquelle:

Für eine einfache Konstantstromquelle eignet sich der

Transistor hervorragend. Zusätzlich braucht man noch
eine Zener-Diode als stabile Referenzspannung.

Die Spannung UE=UZ -0.6=3.3V-0.6V=2.7V

UE 2.7
Strom IRL= IE= = = 10mA
RE 270

Abb. 10: Konstantstromquelle

Der Laststrom IL ist nur von UE und RE abhängig.
US − UZ 15 − 3.3
R1 = = = 1.2k Ω
IZ 10mA

Als RL können LED, Pt100 oder ähnliches sein. Es wird ein konstanter Strom von 10mA
fliessen.

Der Phototransistor:

Der PN-Übergang an der Basis-Kollektor-Schicht ist beim Phototransistor optisch zugänglich.

Durch das Licht kann ein Photostrom fliessen, welcher proportional zur Lichtintensität ist. Der
Photostrom ist von der Wellenlänge abhängig. Die maximale Empfindlichkeit liegt bei
Si-Phototransistoren bei ca. 850 nm.

Referenzen & Links:

Elektrotechnik für berufsbildende Schulen (Horst Spanneberg, Günther Franz)

Elektrotechnik Grundbildung (Klaus Tkotz)

Grundkenntnisse Elektrotechnik (Dieter Baumann, Klaus Beuth)

http://de.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://www.elektronik-kompendium.de/

Der Transistor 5/7 C. Andreoli 2022

 Physiklaborantenausbildung

Aufgaben:

1. Eine Notleuchte soll angehen, sobald am Eingang keine Spannung (0V) ist. Die
Notleuchte benötigt 100mA. Zeichne und dimensioniere eine passende Schaltung.

2. Über einen digitalen Output (5V) möchtest du ein Relay schalten. Zeichne und
dimensioniere eine mögliche Schaltung.

3. Für ein Pt100-Sensor benötigst du einen konstanten Strom von 1mA. Wie würdest du
dies machen? Zeichne und dimensioniere deine Idee.

4. Wie berechnest du die maximale Verlustleistung PV an einem Transistor?

5. Welche maximalen Kenndaten musst du bei einem Transistor beachten?

6. Muss ein Transistor gekühlt werden und falls ja ab wann?

7. Du möchtest ein Pegelwandler herstellen. Folgende Pegel soll die Schaltung erzeugen:

Input Output
0V +12V
+5V 0V

8. Was ist der Unterschied zwischen einem NPN- und PNP-Transistor?

9. Nenne 2 universelle NPN-Transistoren und ihre wichtigsten Kennwerte?

10. Was ist der Arbeitspunkt?

11. Wie sieht ein TO-220 Gehäuse aus?

12. Was ist die Stromverstärkung B und wie kann man sie messen?

13. Du sollst mit einem dünnen Draht eine Alarmanlage bauen. Der Draht wird hinter der
Tür befestigt. Reisst er, soll eine Sirene (max. 1A) losheulen. Wie sieht deine Schaltung
aus?

14. An deinem einstellbaren PowerSupply (5-15V) möchtest du eine LED, welche dir den
Betrieb der Ausgangsspannung anzeigt. Die LED soll bei 5V wie auch bei 15 V gleich
hell leuchten. Was machst du?

15. Was ist ein Phototransistor?

16. Was bedeutet BD237?

Der Transistor 6/7 C. Andreoli 2022

 Physiklaborantenausbildung

Anhang: Kennwerte der Transistoren im PLL

Bezeichnu Anschluss
Typ Gehäuse hFE IC [A] UCE [V] PV [W] Preis
ng 1 2 3
2N3904 N TO-92 100...300 0.1 40 0.5 e b c 0.3
2N3906 P TO-92 100...300 -0.1 -40 0.5 e b c 0.3
BC337-25 N TO-92 160...250 0.8 45 0.625 c b e 0.2
BC327-25 P TO-92 160...250 -0.8 -45 0.625 c b e 0.3
BC-141-16 N TO-39 30...250 1 60 0.65 b c e 0.9
BC-161-16 P TO-39 30...250 -1 -60 0.65 b c e 1.0
BD237 N TO-126 40..250 2 80 25 e c b 1.8
BD238 P TO-126 40..250 -2 -80 25 e c b 1.2
2N5191 N TO-126 25..100 4 60 40 e b c 1.0
2N5194 P TO-126 25..100 -4 -60 40 e b c 1.5
BD899A N TO-220 >750 8 80 70 b c e 1.6
BD900A P TO-220 >750 -8 -80 70 b c e 1.6
BD743B N TO-220 25 15 90 90 b c e
BD744B P TO-220 25 -15 -90 90 b c e
BD182 N TO-220 20 15 60 150 2.0

Der Transistor 7/7 C. Andreoli 2022