U NIVERSITY OF Z URICHUZH

Festkörperphysik

Z USAMMENFASSUNG

Linus Leo Stöckli

nach der Vorlesung von

Dr. Johan C HANG

4. Juni 2017
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung 3

2 Kristallstruktur 4
2.1 Raumgitter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Die M ILLER’schen Indizes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3 Wigner Seitz-Zone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.4 Reziprokes Gitter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.5 Erste Brillouin-Zone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.6 Fourier-Analysis der Basis (Strukturfaktor) . . . . . . . . . . . . . . 9
2.6.1 Strukturfaktor eines bcc Gitters . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.6.2 Strukturfaktor eines fcc Gitters . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.7 Atomarer Formfaktor/Streufaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3 Kristalle von Inertgasen 11

3.1 VAN DER WAALS -L ONDON Interaktion . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.1.1 Abstossende Interaktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.2 Kohäsionsenergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.3 Ionische Kristalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.4 Kovalente Kristalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.5 Metalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.6 Wasserstoffbindung/-Brücken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.7 Atomarer Radius . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

4 Kristallvibrationen 14
4.1 Vibrationen mit monoatomischer Basis . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
4.2 Zweiatomige primitive Basis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
4.3 Phononen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
4.4 Phononen Wärmekapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
4.4.1 Zustandsdichte in 1D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
4.4.2 Zustandsdichte in 3D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
4.4.3 Das D EBYE Modell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
4.4.4 Das E INSTEIN’sche Modell . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
4.4.5 Allgemeines Resultat für D(ω) . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
4.5 Thermische Leitfähigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

5 Das F ERMI Gas 22

5.1 Freie Elektronengas in 3D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
5.2 Exp. Wärmekapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
5.3 O HM’sches Gesetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
5.4 H ALL Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
5.5 Thermische Leitfähigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
6 Energiebänder 25

7 Bandlücke 26
7.1 Effektive Masse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
7.2 Thermoelectric effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

8 Fermioberflächen 28
 1 EINLEITUNG

1 Einleitung
Potentielle Prfungsfragen:

3
 2 KRISTALLSTRUKTUR

2 Kristallstruktur
Kristalle sind periodische Anordnungen einzelner Atomgruppen, wobei eine einzelne
Atomgruppe als Basis des Kristalls bezeichnet wird.
Die Atome einer Basis können von der selben Sorte oder auch verschieden sein, aber
alle Atomgruppen müssen identisch sein (da sie eine periodische Fortsetzung der Basis
sind).
Wenn man nun jeder Atomgruppe einen Gitterpunkt zu ordnet, so entsteht ein Raum-
gitter.
Ein Kristall ist durch die Struktur des Raumgitters und durch seine Basis definiert.

2.1 Raumgitter
In einem dreidimensionalen Raum ist das Raumgitter durch die drei primitiven Trans-
lationsvektoren a~1 , a~2 und a~3 gegeben:
~ = n1 a~1 + n2 a~2 + n3 a~3
R

wobei n1 , n2 und n3 ganzzahlig sind.

Die Wahl der Translationsvektoren ist nicht eindeutig, wie folgende Abbildung zeigt:

—kommt noch—

Wir bilden nun aus den drei Vektoren die Matrix A:

 
a1x a2x a3x
A = a1y a2y a3y 
 

a1z a2z a3z

Wir haben nun obige Aussage umgeschrieben:

 
n1
~
R = A · n2 
 

n3

Durch die primitiven Translationsvektoren wird die Elementarzelle aufgestellt, deren

Volumen gerade der Determinante der Matrix entspricht:

V = det A

Werden alle Elementarzellen aneinander gereiht, so wird der ganze Kristall ausgefüllt.

Nach AUGUSTE B RAVAIS sind im dreidimensionalen Raum genau 14 verschiedene

4
2.1 Raumgitter 2 KRISTALLSTRUKTUR

Raumgitter möglich. Diese 14 B RAVAIS-Gitter können 7 verschiednen Kristallsyste-

men zugeordnet werden. In der folgenden Abbildung sind die drei Kristallachsen ~a, ~b
und ~c und die Achsenwinkel α, β und γ erklärt. Durch die Vektoren ~a, ~b und ~c wird die
Einheitszelle aufgespannt. Das Volumen der Einheitszelle ist bei allen nichtprimitiven
Raumgittern grösser als das der Elementarzelle. a, b und c werden auch Gitterkonstan-
ten gennant.

—kommt noch—

Und hier die 14 verschiedenen B RAVAIS-Gitter:

—kommt noch—

Wir können das Volumen der primitiven Zelle wiefolgt berechnen:

VEinheitszelle
= Vprimitive
Anzahl Gitterpunkte in der Einheitszelle
Die Packungsdichte (packing density) berechnen wir mit

nearest neighbour distance 3

 
4
3
π 2
=ρ
Vprimitive

5
2.2 Die M ILLER’schen Indizes 2 KRISTALLSTRUKTUR

2.2 Die M ILLER’schen Indizes

Eine Ebene im Kristall, die mit Gitterpunkten besetzt ist wird als Netzebene bezeich-
net. Ihre Orientierung ist durch ihre Schnittpunkte mit den Kristallachsen festgelegt.
Die Achsenschnitte werden in Einheiten der Gitterkonstanten ausgedrückt.
Die Kennzeichnung wird durch die M ILLER’schen Indizes hk` vorgenommen.
hk` erhällt man, wenn man die Kehrwerte der Schnittkoordinaten nimmt und dann die
kleinsten, noch im selben Verhältniss zueinander stehenden, ganzen Zahlen sucht.
Also für die Schnittkoordinaten 6, 2 und 3:
Schritt I:
Kehrwerte bilden:
1 1 1
, ,
6 2 3
Schritt II:
kleinste ganzen Zahlen bilden:
1 1 1
h= ·6=1 k= ·6=3 `= ·6=2
6 2 3
Falls nun eine Schnittkoordinate im unendlichen liegt, so wird der dazugehörige M IL -
LER ’sche Index 0. Falls eine Schnittkoordinate im negativen liegt, so erscheint ein
Minuszeichen über dem betreffenden Index. Für die Schnittkoordinaten 6, −2 und 3
also:
h=1 k=3 `=2
Die M ILLER’schen Indizes beziehen sich immer auf die Kristallachsen und nicht auf
die primitiven Translationen!

Den Abstand zwischen dem Nullpunkt und der N -ten Ebene berechnen wir mit:
 
~
a~1 G 2πN
dhk` =N · · = 
~
h |G| |hb~1 + k b~2 + lb~3 |

Und für kubische Gitter:

a
dhk` = N · √
h2 + k 2 + `2

6
2.3 Wigner Seitz-Zone 2 KRISTALLSTRUKTUR

2.3 Wigner Seitz-Zone

7
2.4 Reziprokes Gitter 2 KRISTALLSTRUKTUR

2.4 Reziprokes Gitter

In der Festkörperphysik beschreibt nicht das eigentliche Kristallgitter sondern das re-
ziproke die Beugung an Kristallen (siehe ⇒ Laue-Bedingung (Seite ??)).
Die primitiven Translationen b~1 , b~2 und b~3 des reziproken Gitter werden wiefolgt defi-
niert:
a~2 × a~3 a~3 × a~1 a~1 × a~2
b~1 = 2π , b~2 = 2π , b~3 = 2π
a~1 · a~2 × a~3 a~1 · a~2 × a~3 a~1 · a~2 × a~3
Wie aus den Definitionen leicht zu erkennen ist, stehen die reziproken Translationen
bi senkrecht zur im Zähler durch ai aufgespannten Ebene.
Es gilt auch:
a~i · b~j = 2πδij
Von jedem Punkt des reziproken Gitters lassen sich analog zum primitiven Raumgitter
die anderen Gitterpunkte herleiten:
~ = h1 b~1 + h2 b~2 + h3 b~3
G

wobei h1 , h2 und h3 ebenfalls ganzzahlig sind.

8
2.5 Erste Brillouin-Zone 2 KRISTALLSTRUKTUR

2.5 Erste Brillouin-Zone

Die Elementarzelle im reziproken Gitter wird nicht durch die primitiven Translationen
b~1 , b~2 und b~3 aufgespannt, sie wird durch die erste B RILLOIN-Zone definiert.
Diese ist das Analog zur W IGNER -S EITZ Zelle, allerdings im reziproken Raum.
Man verbindet also einen Punkt mit all seinen Nachbarspunkten und zieht die Mit-
telsenkrechte durch diese Geraden. Das Polyeder um diesen Punkt mit dem kleinsten
Volumen ist nun die erste B RILLOIN-Zone.
Sie besitzt das gleiche Volumen wie das durch die Vektoren b~1 , b~2 und b~3 aufgespannte
Parallelepiped. In beiden Fällen lässt sich der gesamte Raum des reziproken Gitters
durch aneinanderreihen der Zellen ausfüllen.

2.6 Fourier-Analysis der Basis (Strukturfaktor)

Wenn die Diffraktionsbedingung ∆k = G erfüllt ist, dann kann die Streuungsmplitude
für ein Kristall mit N Zellen geschrieben werden als
Z
~
Fhk` = FG = N n(r)iG·~r dV = N SG
Zelle

Wobei SG Strukturfaktor genannt wird und r = 0 in einer Ecke der Zelle gilt.
Wir wählen als Bezugspunkt das Zentrum eines bestimmten Basisatoms und wir zer-
legen ~r in die beiden Vektoren r~i (Ortsvektor vom Bezugspunkt zu den Zentren der
übrigen Basisatomen) und R̃~ (Ortsvektor von einem solchen Zentrum zu einem Volu-
menelement der Elektronenhülle)
~
~r = r~i + R̃
Dies gibt uns Z
~ ~ )eiG· ~
~ R̃
eiG·~r
X
Fhk` = ni (R̃ dV
i | {z }
fi

~ ) die Elektronenzahldichte des i-ten Basisatoms ist.

wobei ni (R̃
Das Integral fi ist der atomare Streufaktor des i-ten Atoms. Also:
~
fi eiG·~r
X
Fhk` =
i

Wir erhalten dann durch einige Umformung:

fi e−i2π(v1 xi ,v2 yi ,v3 zi )
X
SG (v1 , v2 , v3 ) =
i

Der Strukturfaktor muss nicht real sein, denn die Streuungsintensität hängt von S ∗S ∈
R ab und ist somit real.

9
2.7 Atomarer Formfaktor/Streufaktor 2 KRISTALLSTRUKTUR

2.6.1 Strukturfaktor eines bcc Gitters

Das bcc Gitter bezüglich einer kubischen Zelle hat identische Atome an x1 = y1 =
z1 = 0 und an x2 = y2 = z2 = 21 somit ergibt sich

S(v1 , v2 , v3 ) = f + f · e−iπ(v1 +v2 +v3 )

wobei f der Formfaktor eines Atoms ist. S wird zu 0, wenn immer −iπ · [ ungerader
Integer ] im Exponent steht, also:

0 wenn v1 + v2 + v3 = ungerader Integer
S=
2f wenn v1 + v2 + v3 = gerader Integer

2.6.2 Strukturfaktor eines fcc Gitters

Die Basis einer fcc Struktur im Bezug zur kubischen Zelle hat identische Atome in
000, 0 12 12 , 12 0 12 , 12 21 0, somit wird

S(v1 , v2 , v3 ) = f + f · e−iπ(v2 +v3 ) + f · e−iπ(v1 +v3 ) + f · e−iπ(v1 +v2 )

und genauer

4f

 wenn v1 + v2 + v3 = ungerader Integer
S= 4f wenn v1 + v2 + v3 = gerader Integer



0 wenn einer oder zwei der Integer gerade sind

2.7 Atomarer Formfaktor/Streufaktor

Wie oben bereits erwähnt ist das Integral fi der atomare Streufaktor des i-ten Atoms.
Wenn wir nach Kugelkoordinaten Integrieren mit G ~ · ~r = Gr cos α ergibt dies
Z
eiGr − e−iGr 1
fi = 2π r2 n(r) · dr = sin(Gr)
iGr Gr

Wenn alle Elektronen des i-ten Atoms am Ort R̃ ~ = 0 sässen, dann w der atoma-
re Streufaktor fi gleich der Ordnungszahl Z des betreffenden Atoms. Die räumliche
Ausdehnung der Gitteratome bewirkt eine Herabsetzung des atomaren Streufaktors.
fi wird deshalb auch definiert als das Verhältnis der Amplitude der an einem Atom
gestreuten Welle zur Amplitude einer an einem freien Elektron gestreuten Welle.

10
 3 KRISTALLE VON INERTGASEN

3 Kristalle von Inertgasen

Die Inertgase formen einfache Kristalle, die Elektronenverteilung ist sehr nahe an de-
nen von freien Atomen. Doch was hält Inertgas-Kristalle zusammen?

3.1 VAN DER WAALS -L ONDON Interaktion

Zwischen Molekülen und Atomen mit abgeschlossenen Elektronenschalen sind keine
kovalenten Bindungen möglich, bei Verwendung eines klassischen Models lässt isch
die ANziehung zwischen den Atomen folgendermassen erklären: Die Bewegung der
Elektronen um die Atomkerne stört die Kugelsymmetrie stndig und es entstehen fluk-
tuierende elektrische Dipole.
Das elektrische Feld eines Dipols in einem Atom kann ein elektrisches Dipolmoment
in einem anderen Atom induzieren.
Die Wechselwirkung zwischen den beiden Atomen bewirkt eine Anziehung, diese An-
ziehungskraft wird VAN DER WAALS -Kraft genannt.
Das VAN DER WAALS -Potential hat die Form

U (r) = −const/r6

Diese Bindung ist sehr schwach, die Bindungsenergie liegt bei 0.1 eV, folglich haben
Molekülkristalle niedrige Schmelz- und Siedepunkte.

3.1.1 Abstossende Interaktion

Werden zwei Atome nahe zusammengedrückt, so dass ihre Ladungsverteilung über-
lappt, so tritt eine abstossende Kraft auf. Dies wird PAULI Exklusions Prinzip genannt.
Der Grund ist die Tendenz eines Elektrons des Atoms A in einen Zustand des Atoms
B, der bereits von einem Elektron des Atoms B besetzt ist, zu springen.
Somit wird das totale Potential zu
"  6 #
σ 12 σ
U (r) = 4 ) −
r r

wobei  und σ neue experimentelle parameter sind.

3.2 Kohäsionsenergie
Die Kohäsionsenergie von Inertgasekristallen bei T = 0K und p = 0 pa ist gegeben
bei
Utot (r) = −2.15 · 4N 

11
3.3 Ionische Kristalle 3 KRISTALLE VON INERTGASEN

3.3 Ionische Kristalle

Ionische Kristalle bestehen aus positiv und negativ geladenen Ionen. Die Bindung ent-
steht durch elektrostatische Interaktion der Ionen.
Die Interaktion zwischen Ionen mit der Ladung ±q ist die Interaktion ±q 2 /r anzie-
hend zwischen unterschiedlich geladenen und abstossend zwischen gleich geladenen
Ionen.
Hauptsächlich entsteht die Bindung durch die Madelungenergie.
Sei nun Ui j die Interaktionsenergie zwischen den Ionen i und j, so definieren wir die
Summe Ui als X
Ui = Uij
j

wobei die Summation alle Ionen beinhaltet ausser i = j.

Es gilt
Uij = λe−rij /ρ ± q 2 /rij
Genauer 
λ · e−r/ρ q2
− e
nähchster Nachbar
Uij =  1 q2
± ρij r
sonst
Somit an der Gleichgewichtsposition:
N αq 2 ρ
 
Utot =− 1−
R0 R0
wobei −N αq 2 /R0 die Madelung-Energie ist und α die Madelung Konstante.

3.4 Kovalente Kristalle

Bei Gitteratomen mit abgeschlossenen Elektronenschalen führt eine Überlappung der
Elektronenhüllen zu stark abstossenden Kräften, bei nicht abgeschlossenen Elektro-
nenschalen hingegen zu Anziehung. Diese kovalente Bindung beruht auf der Aus-
tauschwechselwirkung zweier Elektronen benachbarter Gitteratome, wobei die Spins
antiparallel ausgerichtet sind.
Ursache dafür ist das PAULI Prinzip.

3.5 Metalle
Metalle besitzen hohe elektrische Leitfähigkeit als Eigenschaft, denn viele Elektrone
können sich frei bewegen. Diese freien Elektronen werden Leiterelektronen (conduc-
tion electrons) genannt. Die Valenzelektronen der Atome werden zu den Leiterelektro-
nen des Metalls.

12
3.6 Wasserstoffbindung/-Brücken 3 KRISTALLE VON INERTGASEN

3.6 Wasserstoffbindung/-Brücken
Wasserstoffbindungen sind stark ionisch und tauchen nur zwischen stark elektronega-
tiven Atomen wie F, O und N auf.
Hierbei geben Wasserstoffatome ihre Elektronen an stark elektronegative Atome ab
und es bleiben nur Protonen zurück. Diese Bindung tritt nur zwischen zwei Atomen
auf.

3.7 Atomarer Radius

?

13
 4 KRISTALLVIBRATIONEN

4 Kristallvibrationen
4.1 Vibrationen mit monoatomischer Basis
Wir betrachten die elastischen Vibrationen von Kristallen mit einem Atom in der pri-
mitiven Zelle. Wir wollen nun die Frequenz der elastischen Welle finden.
Wir nehmen an, dass die Kraft auf die Ebene s verursacht durch die Verschiebung der
Ebene s + p proportional zur Differenz us+p − us ihrer Verschiebung ist. Zwecks Ein-
fachheit betrachten wir nur nster-Nachbar Interaktionen, also wird die totale Kraft auf
s von den nebenanliegenden Flächen:

d2 us
Fs = M = C1 (us+1 − us ) + C2 (us−1 − us )
dt2
Dieser Ausdruck ist in der Form vom H OOKE’schen Gesetz wobei Ci die Federkon-
stante zwischen den Nachbarn ist.
Es ist nützlich Ci zu einem C zusammenzufassen für ein Atom:

d2 us
M = C(us+1 + us−1 − 2us )
dt2
mit dem Ansatz us = e−iωt folgt

−M ω 2 e−iωt = C(us+1 + us−1 − 2e−iωt )

Mit dem weiteren Ansatz us±1 = ueiska e±ika wobei a der Abstand zwischen den Ebe-
nen und k der Wellenvektor ist, ergibt sich die Dispersionsrelation
C
ω 2 (K) = 2 (1 − cos(ka))
M
Die Grenze der ersten Brillouin Zone liegt bei k = ±π/a somit muss die Steigung von
ω gleich Null sein in k = ±pi/a :

dω 2 C
= 2 sin(ka) = 0
dk 2 M
wir können dank trigonometrischer Identität umschreiben:
s
C 1
 
ω=2 sin ka
M 2

Nur den Bereich der k in der ersten B RILLOUIN Zone ist physikalisch relevant. Da
die Verschiebung ausserhalb dieser Zone immer mit einem Wellenvektor innerhalb der
Zone beschrieben werden kann.

14
4.1 Vibrationen mit monoatomischer Basis 4 KRISTALLVIBRATIONEN

Abbildung 1: Graph von ω gegen k

Falls die Wellenlänge λ viel grösser als der Netzebenenabstand a ist, also ka  1,
dann gilt: s
C
ω=a k
M
Die Ausbreitungsgeschwindigkeit (Gruppengeschwindigkeit) einer longitudinalen Schall-
welle ist gegeben durch s
dω C
vg = =a
dk M
Da die Kreisfrequenz ω ihren Maximalwert an den Rändern der ersten Brillouin-Zone
annimmt gilt:
π
ωmax ≈ vg kmax = vg = 2π · 1013 s−1
a
oder
ωmax
vmax = ≈ 1013 Hz
2π
Ohne obenstehende Bedingung ka  1 ist die Gruppengeschwindigkeit gegeben
durch s
C 1
 
vg = a cos ka
M 2

Die Federkonstante für die p-te Ebene erhalten wir durch das Integral

M a Z π/a 2
Cp = − ω cos(pka)dk
2π −π/a K

15
4.2 Zweiatomige primitive Basis 4 KRISTALLVIBRATIONEN

4.2 Zweiatomige primitive Basis

Die Phonondispersionsrelation zeigt uns neue Eigenschaften in Kristallen mit zwei
oder mehreren Atomen pro primitive Basis. Als Beispiel nehmen wir NaCl, mit zwei-
atomiger Basis. Wir nehmen zunächst an, dass sich die einzelnen Netzebenen in Rich-
tung ihrer Normalen gegeneinander bewegen. Die Ebenen mit Atomen der Masse M1
sollen durch ungerade Indizes und die Ebenen mit Atomen der Masse M2 durch gerade
Indizes gekennzeichnet werden. Der Abstand zwischen zwei Ebenen beträgt a/2, der
Abstand zwischen zwei Ebenen mit gleicher Masse a.
Wir erhalten somit die Bewegungsgleichungen

Abbildung 2: Netzebenen eines Kristallgitters mit zweiatomiger Basis

d2 us
M1 = C(vs + vs−1 − 2us )
dt2
d2 vs
M2 = C(us+1 + us − 2vs )
dt2
woraus wir dann
1 1
 
2
ω = 2C + optisch
M1 M2
C
ω2 = k 2 a2 akustisch
2(M1 + M2 )

16
4.3 Phononen 4 KRISTALLVIBRATIONEN

Die optischen Kurven schneiden den Nullpunkt nie, nur die akustischen Kurven. Bei

Abbildung 3: Dispersionskurve für ein Kristallgitter mit einer zweiatomigen Basis

akustischen Phononen geht die Verschiebung in Richtung der Fortbewegung, wie bei
einer Schallwelle. Bei optischen Phononen bewegen sich die Atome ’out of phase’, sie
heissen optisch, da die Atome bei Ionischen Kristallen durch infrarotes Licht angeregt
werden.
Wenn nun die Basis p Atome enthält, so sind im Phononenspektrum 3p Zweige vor-
handen, 3 Akkustische und 3(p − 1) optische.

4.3 Phononen
Die Energie der Gittervibrationen ist quantisiert. Ein Quantum Energie nennt man Pho-
non. Die Energie einer elastischen Mode der Winkelfrequenz ω beträgt
1
 
= n+ ~ω
2
Ein Phonon interagiert mit Photonen, Neutronen etc als würde es einen Impuls p = ~k
besitzen. Jedoch ist ein Phonon impulslos, da die die Gitterschwingung (abgesehen von
k = 0) keine Schwingung um den Massenschwerpunkt ist (dieser steht fix), sondern
nur eine relativbewegung. Deshalb ist p = ~k ein Quasiimpuls.
Wenn ein Phonon mit Wellenvektor k durch inelastische Streuung eines Neutrons oder
Photons mit Wellenvektor von k zu k 0 entsteht, dann gilt

k = k0 + K + G

wobei G der reziproke Gittervektor ist.

17
4.4 Phononen Wärmekapazität 4 KRISTALLVIBRATIONEN

4.4 Phononen Wärmekapazität

Die Wärmekapazität bei einem konstanten Volumen ist definiert durch
∂U
CV = U = Energie
∂T
Die totale Energie der Phononen kann geschrieben werden als die Summe über alle
Phononenmoden indiziert durch den Wellenvektor k und die Polarisation p
XX XX
Ulat = Uk,p = hnk,p i~ωk,p
k p k p

wobei hnk,p i das thermische Gleichgewichtsbelegung mit Wellenvektor k und Polari-

sation p ist. Sie ist gegeben durch die Planck-Verteilung:
1
hni =
e~ω/kB T − 1
Wir ersetzen die Summe über die Wellenvektoren durch ein Integral. Wir nehmen an,
dass der Kristall Dp (ω)dω Moden der Polarisation p im Frequenzbereich [ω, ω + dω]
besitzt, dies ergibt:
XZ ~ω
U= Dp (ω) ~ω/k T dω
p e B −1
Wir differenzieren nach T , dies ergibt uns mit x = ~ω/kB T :
XZ x2 ex
Clat = kB Dp (ω) dω
p (ex − 1)2

Wir müssen nun die Zustandsdichte Dp (ω) finden.

4.4.1 Zustandsdichte in 1D
Wir betrachten eine eindimensionale Linie mit Länge L die N +1 Teilchen mit Abstand
a trägt.
Wir nehmen an, dass die Teilchen s = 0 und s = N an den Enden fixiert sind. Also
hat jede Vibration die Form einer stehenden Welle.
Die Zustandsdichte ist gegeben durch
L dK L dω
D1 (ω)dω = dω =
π dω π dω/dK
Wir erhalten die Gruppengeschwindigkeit dω/dK von der Dispersionsrelation ω. Es
gibt eine Singularität in D1 (ω) wennimmer die Dispersionrelation ω(k) horizontal ist,
also vg = 0.

18
4.4 Phononen Wärmekapazität 4 KRISTALLVIBRATIONEN

4.4.2 Zustandsdichte in 3D
Wir wenden die periodische Randbedingung über N 3 primitive Zellen in einem Würfel
mit Seitenlänge L an, so dass K bestimmt wird durch die Bedingung:
ei(Kx x+Ky y+Kz z) = ei(Kx (x+L)+Ky (y+L)+Kz (z+L))
somit
2π 4π Nπ
Kx , Ky , Kz = 0; ± ; ± ; ··· ;
L L L
3
Also ist ein erlaubter Wert von k pro Volume (2π/L) im K-Raum (Reziproker Raum).
Die totale Anzahl von Moden mit Wellenvektor kleiner als K beträgt (L/2π)3 mal das
Volumen der Kugel mit Radius K:
4
N = (L/2π)3 πK 3
3
Da dies nun unabhängig von p ist, gilt für jede Polarisation:
dN V K 2 dK
D(ω) = =
dω 2π 2 dω
wobei V = L3 .

4.4.3 Das D EBYE Modell

In der D EBYE-Approximation kann die Schallgeschwindigket als Konstante für jeden
Polarisationstypen genommen werden, wie es für ein klassisch mechanisches Konti-
nuum gilt.
Die Dispersionsrelation ist:
ω = vK
Und die Zustandsdichte wird:
V ω2
D(ω) =
2π 2 v 3
Falls N primitive Zellen existieren, so gibt das N akkustische Phonon Moden. Eine
cutof Frequenz ωD wird bestimmt als
3
ωD = 6π 2 v 3 N/V
Dazu gehört ein cutoff -Wellenvektor kD :
q
3
KD = ωD /v = 6π 2 N/V
Im D EBYE-Modell sind keine Wellenvektoren k > kD erlaubt.
Die thermische Energie ist gegeben durch
! !
XZ XZ ω V ω2 ~ω
U= D(ω)hn(ω)i~ωdω = D dω
p p 0 2π 2 v 3 e~ω/kB T − 1

19
4.4 Phononen Wärmekapazität 4 KRISTALLVIBRATIONEN

für jeden Polarisationstypen.

Also wird (wenn man über p aufsummiert):
4 4 Z xD
3V kB T x3
U= dx
2π 2 v 3 ~3 0 ex − 1
mit x = ~ω/kB T .
Wir können die D EBYE-Temperature θ schreiben als:
s
~v 3 6π 2 N
θ= ·
kB V
somit wird die totale Phononenergie zu
3 Z x
T x3

D
U = 9N kB T dx
θ 0 ex − 1
Und die Wärmekapazität:
T 3 Z xD x4 ex
 
CV = 9N kB T dx
θ 0 (ex − 1)2
Diese nähert sich dem klassischen Wert von 3N kB für T  θ.

Das D EBYE T 3 Gesetz

Bei tiefen Temperaturen können wir die thermische Energie und die Wärmekapazität
approximieren:
3π 4 N kN T 4
U≈
5θ3
4  3  3
12π T T
CV ≈ N kB ≈ 234N kB
5 θ θ

4.4.4 Das E INSTEIN’sche Modell

Wir betrachten N Oszillatoren der selben Frequenz ω0 in einer Dimension.
Die E INSTEIN’sche Zustandsdichte ist
D(ω) = N δ(ω − ω0 )
wobei die Delta Funktion an ω0 zentriert ist.
Die thermische Energie ist
N ~ω
U = N hni~ω =
e~ω/kB T −1
wobei wir ω statt ω0 schreiben.
Die Wärmekapazität wird zu
!2
e~ω/kB T
!
∂U ~ω
CV = = N kB
T V
kB T (e~ω/kB T − 1)2
In 3 Dimensionen wird N durch 3N ersetzt.

20
4.5 Thermische Leitfähigkeit 4 KRISTALLVIBRATIONEN

4.4.5 Allgemeines Resultat für D(ω)

Die Anzahl von erlaubten K für welche die Phononfrequenz im Intervall [ω, ω + dω]
liegt ist
L 3Z 3
 
D(ω)dω = dK
2π V

wobei das Integral über das Volumen der Hülle im K-Raum berechnet wird.
Das wahre Problem ist die Evaluation des Volumens der Hülle.
Wir wählen dSω als ein Element der Fläche im K-Raum der gewählten konstanten
Frequenz ω. Daraus wird:
V Z 1
D(ω) = dSω
(2π)3 vg

Dieses Integral wird über das Gebiet der Oberfläche wo ω konstant ist im K-Raum
berechnet.

4.5 Thermische Leitfähigkeit

Der thermische Leitkoeffizient K eines Feststoffes ist definiert als gleichmässiger Fluss
von Wärme entlang eines Stabes mit Temperaturgradient dT /dx

dT
jv = −K
dx
wobei jv der Fluss von thermischer Energie pro Zeiteinheit ist.
Dies impliziert, dass die Energie nicht einfach rein und raus geht sondern durch das
Objekt diffundiert.
Von der kinetischen Gastheorie können wir folgenden Ausdruck herleiten:
1
K = CV v`
3
wobei v die durchschnittliche Teilchengeschwindigkeit und ` der durchschnittliche
freie Weg des Teilchens zwischen Kollisionen ist.
Wir können schreiben:
dT
jv = −nhv 2 ickB T
dx
wobei c die Wärmekapazität eines Teilchens ist. Falls, wie bei einem Phonon, v kon-
stant ist, so wird
1 dT
jv = − Cv`
3 dx
1
mit ` = vr und C = nc, also K = 3 Cv`.

21
 5 DAS FERMI GAS

5 Das F ERMI Gas

Die F ERMI-Energie F ist definiert als die Energie des obersten gefüllten Niveaus/Or-
bitals im Grundzustand des N Elektronensystems.
2 2
~ nF π ~ Nπ
 
F = =
2m L 2m 2L
wobei 2nF = N der Wert n für das höchste gefüllte Niveau ist.
Im Grundzustand ist die Temperatur T = 0K.
Wenn die Temperatur erhöht wird, dann erhöht sich die kinetische Energie, also werden
gewisse Energieniveaus besetzt, welche am absoluten Nullpunkt noch frei waren, und
umgekehrt.
Die F ERMI -D IRAC-Verteilung gibt uns die Wahrscheinlichkeit, dass ein Orbital bei
der Energie  besetzt ist in einem ideal Elektronengas im thermischen Gleichgewicht:
1
f () =
e(−µ)/kB T +1
wobei µ das chemische Potential ist und so gewählt wird, dass die totale Anzahl an
Teilchen im System N entspricht. Beim absoluten Nullpunkt gilt µ = F .
Für hohe Energien gilt
f () → e(µ−)/kB T
was als B OLTZMANN oder M AXWELL Verteilung bekannt ist.
Die F ERMI-Temperature ist gegeben durch
!2/3
~ 3Ne π 2
TF = F (0)/kB =
2m V

wobei Ne die Anzahl Leitungselektronen im Kristall ist.

5.1 Freie Elektronengas in 3D

Wir wissen, dass bei Elektronen in einem Würfel mit Länge L die Wellenfunktion die
Form einer stehenden Welle hat:
πnx x πny y πnz z
     
ψn (r) = A sin sin sin
L L L
wobei nx , ny und nz positive Integer sind.
Wenn wir nun ψk (r) = eik·r in die Schrödingergleichung für drei Dimensionen einset-
zen, dann erhalten wir für die Energie:

~2 2
k = k
2m

22
5.2 Exp. Wärmekapazität 5 DAS FERMI GAS

Im Grundzustand des Systems können die besetzten Orbitale als Punkte in einer Kugel
im k-Raum reprntiert werden. Die Energie auf der Oberfläche der Kugel ist die Fermi
Energie, wobei die Wellenvektoren an der Fermioberfläche den Betrag kf haben, so
dass
~2 2
F = k
2m F
Durch s
2
3 3π N
kF =
V
kriegen wir
!2/3
~2 3π 2 N
F =
2m V
Dies macht die Fermienergie von der Elektronenkonzentration N/V abhängig.
Die Elektronengeschwindigkeit an der Fermioberfläche beträgt:
!1/3
~kF ~ 3π 2 N
vF = =
m m V

Wir suchen nun einen Ausdruck für die Anzahl Orbitale pro Einheitsenergie, die Zu-
standsdichte D(), auch Orbitalsdichte genannt.
3/2
V 2m

N= 2
3π ~2
ergibt
dN V 2m
 3/2
√ 3N
D() = = 2· · =
d 2π ~2 2

5.2 Exp. Wärmekapazität

Bei Temperaturen T  θ und T  TF kann die Wärmekapazität von Metallen ge-
schrieben werden als die Summe von der Elektronen und den Phononenkontributionen

C = γT + αT 3

wobei γ und α Materialkonstanten sind.

Der elektronische Term ist linear in T und dominant bei kleineren Temperaturen, oft
wird C/T gegen T 2 geplottet:

C/T = γ + αT 2

Was einer Geraden mit Steigung α und y-Achsen offset γ entspricht.

γ wird auch Sommerfeld Parameter genannt.

23
5.3 O HM’sches Gesetz 5 DAS FERMI GAS

5.3 O HM’sches Gesetz

In einem konstanten elektrischen Feld E befinden sich n Elektronen mit Ladung −e
pro Einheitsvolumen und Kollisionszeit t = τ , die elektrische Stromdichte ist also

ne2 τ E
j = nqv =
m
Das ist das O HM’sches Gesetz.
Die elektrische Leitfähigkeit ist gegeben durch

j = σE

mit
ne2 τ
σ=
m
und ρ ist der elektrische Widerstand
m 1
ρ= 2
=
ne τ σ

5.4 H ALL Effekt

Das H ALL Feld Ey ist das elektrische Feld, das sich zwischen zwei Flächen eines
Leiters in die Richtung von j × B bildet wenn ein Strom j durch das magnetische Feld
B fliesst.
Ey 1
RH = =−
jx B ne
ist der Hall Koeffizient.

5.5 Thermische Leitfähigkeit

Die thermische Leitfähigkeit von einem Fermi Gas ist

π 2 nkB
2
Tτ
Kel =
3m

24
 6 ENERGIEBÄNDER

6 Energiebänder
— nicht zusammengefasst —

25
 7 BANDLÜCKE

7 Bandlücke
Die Leitfähigkeit und Trägerkonzentration werden bestimmt durch das Verhältnis
Egap
kB T
wobei Egap die Bandlücke ist.
Wenn dieses Verhältniss klein ist, dann ist auch die Leitfähigkeit klein.
In einem direkten Absorptionsprozess misst man die Bandlücke mit der Grenze einer
stetigen optischen Absorption bei der Frequenz ωg gemäss:

Egap = Eg = ~ωg

Bei einem indirekten Absorptionsprozess beinhaltet die minimale Bandlücke Elektro-

nen und Löcher getrennt durch den Wellenvektor kc . Hier kann keine direkte Photon-
transition bei der Energie der minimalen Bandlücke die Bedingung der Konservation
des Wellenvektors erfüllen, da die Photonenwellenvektoren klein sind im zu betrach-
tenden Bereich klein.
Aber wenn ein Phonon mit Wellenvektor K und Frequenz Ω entsteht, dann gilt

kphoton = kc + K = 0 ~ω = Eg + ~Ω

7.1 Effektive Masse

Wenn wir die Beziehung
~2 2
= k
2m
für freie Elektronen anschauen, sehen wir, dass der Koeffizient k 2 die Krümmung von
 gegen k bestimmt. Also bestimmt die reziproke Masse 1/m die Krümmung.
Für Elektronen in einem Band finden wir Refionen mit unüblich hoher Krümmung
nahe an der Bandlücke.
Wir definieren die effektive Masse m∗ als
1 1 d2 
=
m∗ ~2 dk 2

7.2 Thermoelectric effects

Durch einen Halbleiter bei konstanter Temperature in einem elektrischen Feld fliesst
ein Strom. Wen der Strom nur von Elektronen getragen wird, dann ist der Ladungs-
fluss:
jq = n(−e)(−µe )E = neµe E

26
7.2 Thermoelectric effects 7 BANDLÜCKE

wobei µe die Mobilität des Elektrons ist.

Die durchschnittliche von einem Elektron getragenen Energie am Fermi-level µ ent-
spricht:
3
(Ec − µ) + kB T
2
Wobei Ec die Energie am Rand des Leitungsbandes entspricht.
Verschiedene Leiter haben alle dasselbe Fermilevel, wenn sie verbunden sind.
Der Energiefluss, der dem Ladungsfluss folgt ist:
3
jU = n(Ec − µ + kB T )(−µ )E
2
Der P ELTIER Koeffizient Π ist definiert durch

jU = Πjq

oder; die Energie pro Einheitsladung.

Für Elektronen bedeutet das:
3
Πe = −(Ec − µ + kB T )/e
2
Dies ist negativ, da der Energiefluss in die andere Richtung führt wie der Ladungsfluss.
Für Löcher gilt:
3
jq = peµL E jU = p(µ − Ev + kB T )µL E
2
wo Ev die Energie am Rand des Valenzbandes ist.
3
ΠL = (µ − Ev + kB T )/e
2
Die absolute thermoelektrische Leistung Q ist definiert durch die offene Schaltung des
elektrischen Feldes, welches durch den Temperaturgradient entsteht

E = Q∇T = Q · gradT

Für den Peltierkoeffizient Π gilt

Π = QT

27
 8 FERMIOBERFLÄCHEN

8 Fermioberflächen
Die Fermifläche ist die Fläche konstanter Energie F im k-Raum.
Die Fermifläche separiert die ungefüllten von den gefüllten Orbitalen beim absoluten
Nullpunkt.
Die elektrischen Eigenschaften des Metalls sind gegeben durch das Volumen und die
Form der Fermfläche.

28