Fortgeschrittenen Praktikum

WS 2017/2018

Protokoll zum Versuch:

Hall-Effekt
Versuchsdurchführung:
5. Dezember 2017

Johannes Bilk & Sebastian Hofer

Hall-Effekt Johannes Bilk & Sebastian Hofer

Inhaltsverzeichnis
Einleitung 2
Ziel des Versuchs 2
Bänder Modell 3
Fermionen 3
Elektronen im periodischen Potential 3
Leiter, Halbleiter & Isolatoren 6
Leitfähigkeit 6
Halbleiter 7
Dotierung von Halbleitern 8
Streuprozesse in Festkörpern 9
Hall-Effekt 10
Van-der-Pauw-Methode 11
Elektronentransport im Festkörper 12
Das Drude Modell 12
Sommerfeld Theorie 13
Auswertung Metalle 16
Kupferprobe 16
Fehlerrechnung Kupferprobe 18
Zinkprobe 18
Fehlerrechnung Zinkprobe 20
Auswertung Halbleiter 20
Fehlerrechnung 23
Fazit 24
Abbildungsverzeichnis 25
Literaturangaben 26

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Hall-Effekt Johannes Bilk & Sebastian Hofer

Einleitung
Ziel des Versuchs
In dem Versuch sollten zwei verschieden Metalle untersucht werden, für Kupfer sollten
wir die Ladungträgerdichte bestimmen, bei Zink war diese bekannt, wir sollten die Dicke
der Platte bestimmen. Weiter sollten wir mit der Van-der-Pauw-Methode die Hall-
Spannung eines Halbleiters bestimmen.

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Bänder Modell

Fermionen
Elektronen sind Fermion und damit gehorchen
sie der Fermi-Dirac-Statistik und unterliegen
dem Pauli-Prinzip. Nach diesem Prinzip
können zwei Fermionen nicht den gleichen
Zustand in einem System einnehmen, sie
müssen sich in mindestens einer Quatenzahl
unterscheiden. Mit einem Satz von
Quantenzahlen beschreibt den Zustand eines
Teilchens innerhalb eines Systems. Neben dem
Text sieht man die graphische Darstellung der
Fermi-Dirac-Verteilung:

1
f! (E, T ) =
e (E−μ)/kBT + 1 Abbildung 1: Fermi-Dirac-Verteilung

Sie drückt die Besetzungswahrscheintlichkeit für Zustände aus. Dabei sind E

! und T ! die
Energie eines Teilchens bei gegebener Temperatur. Das chemisches Potential μ
! stellt den
Zusammenhang zwischen der freien Energie und der Teilchenzahl her:

( ∂N )
∂F
! =
μ
T,V

k! B ist die Boltzmann Konstante. In der Skizze ist die Besetzung der Zustände die
Temperaturen T ! = 0 und T
! ≠ 0 dargestellt, letztere ist stark überzeichnet. Wie man
erkennt weicht die Kante mit steigender Temperatur auf. Bei !T = 0 sind sämtliche
Zustände besetzt, man spricht von der Fermi-Energie E ! F bis zu dem Energie-Niveau bis zu
dem alle Zustände lückenlos besetzt sind. Führt man nun eine Energie E ! > μ zu, kann
man ein Elektron dem Fermi-Gas zuführen. Das sind quasi freie Fermionen deren
gegenseitige Wechselwirkung vernachlässigt werden kann.

Elektronen im periodischen Potential

Nimmt man an Elektronen seien quasi freie Teilchen kann man viele Eigenschaften gut
erklären, das führt aber dazu, dass man vielen Materialien, wie Diamant, metallische
Charakteristika zuweist. Dies geht aber nicht auf, da Diamant unter anderem ein äußerst
guter Isolator ist. Weiter treten markante Abweichungen beim Hall-Effekt auf, welchen wir
in diesem Versuch untersuchten.
Die delokalisierten Elektronen bewegen sich einem sich wiederholendem Potential und
sind daher eben nicht vollständig frei. Um zu einer besseren Beschreibung zu gelangen
beschreibt man daher den Festkörper mit einem periodischem Potential, in dem sich die
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Elektronen bewegen. Ein

einfacher Ansatz für das
Potential, mit einem
beliebigen Gittervektor ! R ⃗,
sieht folgendermaßen aus:

Abbildung 2: Zur anschaulichen Erklärung der Bandlücke

! r ⃗ ) = V( r ⃗ + R )⃗
V(

Neben dem Text kann man eine mögliche Darstellung sehen. Anzumerken ist, dass diese
Annahme von einem idealen Gitter und einem unendlich ausgedehntem Festkörper
ausgeht. Die Potentielle Energie nimmt an den Ionenrümpfen ab, die Elektronen befinden
sich in gebundenen Zuständen, d.h. die Energien zu allen möglichen Zuständen sind
quantisiert. Erhöht sich die Energie eines Elektrons geht es in einen ungebundenen
Zustand über und geht in kontinuierliche Energien über.
Ein Lösungsansatz für die zeitunabhängige Schrödingergleichung:

[ 2m ]
ℏ2 2
! − ∇ + V( r ⃗ ) ⋅ ψ ( r ⃗ ) = E ψ ( r ⃗ )

ist die Blochfunktion. Es ist anzunehmen, dass die Lösungsfunktion, zu einem

periodischem Potential, ebenfalls periodisch ist:

⃗
! ( r ⃗ ) = u ( r ⃗ ) ⋅ e −i k r ⃗
ψ

mit u! ( r ⃗ ) = u ( r ⃗ + R )⃗ . Daraus erhalten wir die Dispersionsrelation:

ℏ2 k 2⃗
! k )⃗ =
E(
2m

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Diese Stellt sich folgendermaßen dar:

Abbildung 3: Energieverlauf freier Elektronen

Wie zu erwarten war sehen wir Parabeln, die Energie ist quadratisch vom Wellenvektor
der Elektronen abhängig. Zusehen ist die erste Brillouin Zone und ihre ersten Nachbarn in
erweiterte Form. In den Schnittpunkten der Parabeln haben wir eine Entartung vorliegen,
um diese zu umgehen spalten sie auf und wir erhalten die blauen Kurven. Dies kann man
sich zweierlei verständlich machen. Wie bereits besprochen sind Elektronen Fermionen,
damit können zwei nicht den energetisch gleichen Zustand einnehmen. Daher spalten die
sich schneidenden Parabeln auf und es entstehen Bandlücken. Eine weitere Möglichkeit
dieses Verhalten zu verstehen ist ein rein mathematischer Natur. Stellen wir
Lösungsansätze für die einzelnen Raumbereiche auf:

φ(x,
! n) = A(n)e ik(x−nR) + B(n)e −ik(x−nR)

ergeben sich bestimmte Anschlussbedinungen:

! φ(na + η, n) = φ(na − η, n)

mit η
! → 0 und:

dφ(x, n) φ(x, n− 1)
! =
dx dx
x= na x= na

Diese Anschlussbedingungen bilden ein Gleichungssystem, dessen Lösungen die Energie-

Eigenwerte sind. Stellt man nun die sich ergebene Eigenwertgleichung nach cos(k)
! um,
kann man die Eigenwerte gegen den Kosinus auftragen und erhält diesen Graphen:

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Abbildung 4: Darstellung der Energieeigenwerte

Was wir nun wissen ist, dass der Kosinus zwischen +1 und -1 oszilliert, die Kurve aber
geht darüberhinaus. Diese Stücke sind nun die Bandlücken, mit steigenden Energien
werden sowohl Bänder, wie auch die Lücken, breiter. Wir erhalten damit die oben
skizzierte Dispersionskurve.
Leiter, Halbleiter & Isolatoren

Leitfähigkeit

Abbildung 5: Vereinfachte Darstellung des Bändermodells

Festköper können Leiter, Halbleiter oder Isolatoren sein. Die Leitfähigkeit eines
Festkörpers hängt stark vom Wellenvektor ! k ⃗ und der Besetzung der Zustände ab. Bei
Leitern liegen unbesetzte Valenzbänder und weit ausgedehnte Wellenfunktionen der
Elektronen vor, sodass keine Bandlücke zwischen Leitungs- und Valenzband vorliegt. Ein
Elektron kann leicht übergehen und zur Stromleitung beitragen. Bei Isolatoren und
Halbleitern haben wir vollbesetztes Valenzband, es ist in einem energetisch günstigen
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Zustand. Und es liegt eine Bandlücke zwischen Leitungs- und Valenzband vor, diese muss
überwunden werden, damit Elektronen aus ihrer Schale getrennt werden können um zur
Leitung beizutragen. Der Unterschied zwischen einem Halbleiter und einem Isolator ist
schlicht die Größe der zu überwindenden Energie.
In der Graphik sind Leiter, Halbleiter und Isolatoren dargestellt, die blauen Bereiche geben
die Besetzung der Zustände an, bei Leitern sind sämtliche Zustände bis zum Fermi-
Niveau besetzt, sodass nur wenig Energie zugeführt werden muss um ein Elektron
auszulösen.
Die Zustandsdichte berechnet sich in der freien Elektronengas Näherung mit:

E+ dE

∫E
D(E
! )dE = ϱk d3 k

Daraus erhalten wir die Zustandsdichte pro Volumen:

2π 2 ( ℏ2 )
3/2
1 2m
! D(E )= E

Für die Leitfähigkeit ist nun die Zustandsdichte an der Fermi-Kante interessant, da
lediglich diese zur Stromleitung beitragen:

3 n
D(E
! F) =
2 EF

Halbleiter
Halbleiter bilden die Grundlage der modernen Informationstechnologie und sind damit
zentraler Bestandteil der Gegenwart. Wie bereits erwähnt sind Halbleiter im Grunde
Isolatoren mit einer kleinen Bandlücke:

! G = (EL − EV )
E

Die Größe der Bandlücke ist schwach Temperaturabhängig und Variiert zwischen ~0,2eV
und 5,5eV. Zinkoxit ist ein s.g. direkter Halbleiter mit einer Lücke von 3,44eV bei
Raumtemperatur. Direkter Halbleiter bedeutet, dass Valenzbandmaximum und
Leistungbandminimum beide am Γ-Punkt liegen. Sind diese gegeneinander verschoben
spricht man von einem indirekten Halbleiter.
Die Fermi-Energie berechnet sich mit:

( m* )
1 3 m*
p
! F=
E (EL + EV ) + kBT ⋅ ln
2 4 e

Die beiden Faktoren m*

! p und m*
! n sind die effektiven Massen von Elektronen und Löchern,
bzw. Stellen in die Elektronen hineinspringen können. Jedes Elektron, das in das
Leitungsband springt, hinterlässt eine Lücke an der freiwerdenden Stelle, diese Stelle
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nennt man ein Loch. Löcher verhalten sich wie gewöhnliche Ladungsträger, aber mit einer
positiven Ladung. Unter Einfluss eines äußeren E-Felds ist ein Elektron einer Kraft
! F ⃗ = e E ⃗ ausgesetzt und erfährt damit eine Beschleunigung von ! a ⃗ = F /m
⃗ . Für ein freies
e
Elektron reicht diese einfache Beschreibung, doch ein gebundenes Elektron bewegt sich
noch zusätzlich in einem Potential, damit wird aus:

1 dE
! v ⃗ = a t⃗ ⟹ v ⃗ =
ℏ dk

Daraus können wir nun den Impuls des Teilchens berechnen und dies dann in:

dp
F
! =
dt

einsetzen. Setzt man das in die oben erwähnte Gleichung ein und löst nach m
! e auf,
erhalten wir die effektive Masse des Elektrons, auf diese weise können weiterhin
⃗
! a ⃗ = F /m*
e benutzen.

( dki dkj )
−1
2 d2 E
! m* = ℏ ⋅

Die effektive Masse ist also die inverse Krümmung der Dispersionsrelation und kann
sogar negativ oder null werden.

Dotierung von Halbleitern

Die Leitfähigkeit eines Halbleiters kann stark gesteigert werden, indem man einen reinen
Halbleiter mit Fremdatomen dotiert. Die Fremdatomkonzentration liegt im Allgemeinen
sehr niedrig, etwas zwischen 10 ! −8 und 10! −4 . Eine schematische Darstellung ist im
folgenden Bild zusehen:

Abbildung 6: Dotierung eines Halbleiters

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Dotierung kann auf zwei Weisen vorgenommen werden. Durch Anlagerung eines
Fremdatoms mit einem Überschuss an Elektronen erzeugt einen s.g. n-Leiter, da hier die
negativen Ladungsträger zur Leitung betragen. Oder durch Anlagerung eines
Fremdatoms mit Mangel an Elektronen, damit erhält man einen p-Leiter, hier wird die
Leitung durch Löcher, bzw. positive Ladungsträger realisiert. Links im Bild ist ein n-Leiter
dargestellt, Silizium mit seinen vier Außenelektronen wurde mit Arsen mit seinen fünf
Außenelektronen dotiert, dieses Elektron kann nun von Atom zu Atom Näherungsweise
frei bewegt werden. Man spricht von einem Donator. Rechts im Bild wurde Silizium mit
Bor angereichert. Bor besitzt drei Außenelektronen, sodass nun ein Loch die Leitfähigkeit
bestimmt. In diesem Fall spricht man von einem Akzeptor.
Interessant ist es nun sich die verschobenen Energie-Niveaus anzuschauen:

Abbildung 7: Energieniveaus eines dotierten Halbleiters

In dem Bild sind zwei Halbleiter Typen dargestellt, E

! D und E
! A sind die Dotnator- bzw.
Akzeptor-Niveaus.

Streuprozesse in Festkörpern
Die bisherigen Überlegungen gingen immer von einem idealen Festkörper aus, d.h. ein
hoch symmetrisches und periodisches Gitter. In realen Festkörpern liegen aber
Gitterdefekte, Verunreinigungen und andere Störungen vor, die den Elektronentransport
erschweren. In diesem Fall spricht man von Streuprozessen im Festkörper.
Die einfachste Störungsquelle ist eine einfache Störstelle, wie ein falsches oder fehlendes
Atom im Gitter, sodass Unregelmäßigkeiten im Potential entstehen, woraus eine nicht
periodische Wellenfunktion folgt. Ein Elektron kann ebenso an einer positiven wie
negativen Ladung im Gitter abgelenkt werden, in dem z.B. ein Atom einer anderen
Ladung auftritt.
Weiter können Elektronen an Phononen streuen. Phononen sind virtuelle Teilchen, sie sind
in Anlehnung an Photonen benannt worden, der Name kommt vom griechischem Wort
für Ton. Es sind im Grunde Gitterschwingungen, der sich im Festkörper ausbreitenden
Welle wird über das Phonon ein Impuls zugeordnet. Nun können wir zwischen zwei
Arten der Phononen unterscheiden, die Namen sind ein wenig irreführend. Zum einen
gibt es akkustische Phononen, bei denen die Gitterebenen gegeneinander ausgelenkt

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werden, diese können auch in einatomigen Basen bestehen. Weiter gibt es optische
Phononen, diese sind nur in mindestens zweiatomigen Basen möglich, mit unterschiedlich
geladenen Atomen. Bei diesen schwingen die positiv und negativ geladenen Teile der
Basis gegeneinander, sodass Dipole entstehen.

Hall-Effekt
Um den Hall-Effekt zu erklären wollen wir uns zunächst einen Elektrischen Leiter ansehen
der von einem Strom durchflossen wird. Stellen wir uns dabei vor der Strom fließt von
links nach rechts und der Leiter befindet sich in einem Magnetfeld, welches von oben nach
unten wirkt. Auf die im Magnetfeld bewegten Elektronen wirkt nun eine Lorentzkraft,
welche die Elektronen an den vorderen Rand des Leiter drängt. Es entsteht nun ein
elektrisches-Feld da zwischen den beiden Leiterseiten eine Ladungstrennung stattfindet.
Das kann man sich wie bei einem Plattenkondensator vorstellen. Das elektrische-Feld baut
sich immer weiter auf und wirkt der Lorentzkraft entgegen bis es die Ladungstrennung
stoppt.

Abbildung 8: Skizze des Hall-Versuchs

Man kann nun die elektrische Kraft mit der Lorentzkraft gleichsetzen:

! C = FL
F

! ⋅E = q⋅v⋅B
q

Oft sieht man die Lorentzkraft auch mit einem Kreuzprodukt, wir betrachten hier zur
Herleitung der Hallspannung aber den eindimensionalen Fall.
Wir kürzen nun q raus und multiplizieren auf beide Seiten ein b, die Leiterbreite:

! ⋅E = v⋅B⋅b
b

Für E gilt, wegen der Analogie zum Plattenkondensator, E = U/d und für v können wir

I! = n⋅ e ⋅ v ⋅ A

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verwenden. A ist dabei die Querschnittsfläche des Leiters A=b*d. Setzen wir alle
Gleichungen entsprechend ein und Formen nach U um, erhalten wir die Gesuchte
Hallspannung:

1 B B
U
! H= ⋅ I ⋅ = RH ⋅ I ⋅
ne d d

Wobei 1/ne die Hall-Konstante R ! H darstellt. Für Metalle ist sie eine Materiallkonstante. Bei
Halbleitern hängt sie über die Ladungsträgerkonzentration n von der Temperatur ab.

Van-der-Pauw-Methode

Abbildung 9: Skizze zur Vand-der-Pauw-Methode

Die Van-der-Pauw-Methode ist eine alternative Messmethode für den Hall-Effekt.

Verwendet wird dabei die sogenannte Van-der-Pauw-Geometrie, dabei wird die zu
messende Probe, wie im folgenden Bild zu sehen, mit vier Kontakten versehen:

Auch hier durchsetzt ein Magnetfeld die Probe senkrecht. Durch zwei Kontakte wird
diagonal ein Strom geschickt und zwischen den anderen beiden wird die entstehende
Hall-Spannung abgegriffen. Um den Messfehler zu verkleinern werden die Kontakte
Zyklisch getauscht und die Stromrichtung umgekehrt. Aus den vier Hall-Spannungen die
man erhält kann die Hall-Konstante bestimmt werden:

d 1
! H=
R (ΔU31,42 − ΔU13,42 + ΔU42,13 − ΔU24,13 =
4BI ne

Die ΔU
! Werte sind jeweils die Differenz der Messspannung mit und ohne äußeres
Magnetfeld. Der große Vorteil dieser Messmethode ist, dass sie unabhängig von der
Probengeometrie ist, solange ein paar Anforderungen erfüllt sind.

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• Die Probe ist zusammenhängend, also besitzt eine glatte Oberfläche ohne
eingeschlossene Löcher

• Die Dicke der Probe ist homogen

• Die Kontakte sind an der Umrandung der Probe aufgebracht

• Das Verhätlnis von Kontaktgröße zu Probengröße ist klein

Elektronentransport im Festkörper

Das Drude Modell

Abbildung 10: Darstellung des Drude Modells

Im Drude Modell wird mit einer falschen Annahme das richtige Ergebnis erreicht. Es
erklärt gut DC und AC Leitfähigkeit von Metallen und kann den Hall-Effekt beschreiben.
Seine Annahme war, dass alle Valenzelektronen zum Stromtransport beitragen, was aber
nicht stimmt, lediglich die an der Fermi-Kante bestimmen die Leitfähigkeit. Grundlage ist
die kinetische Gastheorie, die Elektronen werden als Punktteilchen verstanden. Sie
wechselwirken untereinander nicht und die Coulomb-Wechselwirkung wird
vernachlässigt. Ausgangspunkt ist die Bewegungsgleichung:

dv⃗ v⃗
m
! ⋅ = − eE ⃗− m ⋅ d
dt τ

Mit τ! als die Relaxtionszeit, die Zeit zwischen zwei Stößen und ! v d⃗ als die
Driftgeschwindigkeit, die durch ein elektrisches Feld erzeugt wird. Gehen wir nun vom
stationären Fall aus, so können wir d! v ⃗ /dt = 0 setzen und nach ! v d⃗ auflösen, so erhalten
wir für die Driftgeschwindigkeit folgenden Ausdruck:

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⋅ E⃗= −μ⋅ E⃗
e⋅τ
! vd ⃗ = −
m

Fassen wir nur noch ein paar Variablen zusammen μ! = eτ /m und nennen sie die
Beweglichkeit der Elektronen. Setzen wir nun diesen Ausdruck in die Definition der
Stromdichte ein erhalten wir folgendes:

⋅ E ⃗ = neμ E ⃗
ne 2 τ
! j ⃗ = − envd ⃗ =
m

Wenn wir nun noch durch den Betrag des Elektrischen-Felds teilen, können wir uns die
Leitfähigkeit definieren:

j⃗ ne 2 τ
σ! = = = neμ
| E ⃗| m

Das Drude Modell kann lediglich zum Teil das Wiedemann-Franz-Gesetzt erklären. Es gibt
Widersprüche zur Theorie der Bloch-Wellen, unteranderem ändern die Wellenfunktionen
der Elektronen nur leicht ihre Phasen, wenn sie auf einen Atomrumpf treffen, sie prallen
nicht davon ab. Ferner nahm Drude die Masse des Elektrons als konstant an, was der
Effektiven Masse, erzeugt durch die Bandkrümmung, widerspricht.

Sommerfeld Theorie

Abbildung 11: 2D Fermi-Fläche in einem E-Feld

Zunächst können wir die folgende Definition der Stromdichte betrachten:

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v (⃗ k )⃗ ⋅ f ( k )d
⃗ 3k
−e
∫
!j ⃗ =
4π 3

Wir können sogleich festellen, dass die Stromdichte von der Fermi-Verteilung abhängt.
Damit kommen wir zur Sommerfeld-Theorie, es ist eine semi-klassische Näherung und
geht vom Modell des freien Elektrons aus. Arnold Sommerfeld ging nun davon aus, dass
ein Elektrisches Feld den Impuls eines Teilchens ändert:

dk⃗
ℏ
! ⋅ = F ⃗= − eE ⃗
dt

Betrachten wir einmal die Abbildung am Anfang des Abschnitts sehen wir eine Fermi-
Fläche, das angelegte Elektrische Feld weicht diese auf. Mit der Zeit würde nun:

⃗
δ! k ⃗ =
−e E δt
ℏ

linear anwachsen. Ab es entsteht ein dynamisches Gleichgewicht, die Elektronen werden

durch Streuung im k-Raum von der Vorder- auf die Rückseite der Kugel umverteilt, sie
kommt zum Stillstand. Die Fermi-Kugel bewegt sich nur minimal, diese Bewegung ändert
die Energie lediglich geringfügig. Streuung kann aber nur in leere Zustände erfolgen,
daher können an diesem Umverteilungsprozess nur die Elektronen teilnehmen, deren
Wellenvektor bis zur Kante reichen.
Die Energie eines näherungsweise freien Elektrons an der Fermi-Kante ist:

ℏ2 kF2 ℏ2 2me EF
!EF = = (3π 2 n)2/3 ⇔ kF =
2me 2me ℏ2

Damit können wir uns dem Elektronentransport zuwenden und betrachten zunächst den
stationären Fall:

⃗ f ( k )⃗ − f0( k )⃗ ⃗ ⃗ eτ( k )⃗ ⃗ ⃗
E ∇ k f ( k )⃗
e ⃗ ⃗
! E ∇k f ( k ) = − ⇔ f ( k ) = f0( k ) +
ℏ τ( k )⃗ ℏ

Machen wir hier eine lineare Näherung und setzen diese in die, bereits oben erwähnte
Stromdichte ein:

e2 E ⃗ ∂f ( k )⃗ 3
⃗2 τ( k )⃗ 0
4π 3 ∫
!j ⃗ = v d k
∂E

Lösen wir dieses Intetral und setzen das Ergebnis in die Definition der Leitfähigkeit ein
erhalten wir ein bereits bekanntes Ergebnis:

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j⃗ e 2 τ(EF ) 3 ne 2
σ! = = k = τ(EF )
| E ⃗| 3π 2 m* F m*

Nur berücksichtigen wir nun die Fermi-Dirac-Statistik und die effektive Masse der
Elektronen. Andernfalls ist es die gleiche Formel auf die bereits Drude kam.

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Auswertung Metalle
Kupferprobe
Um die Messung durchzuführen, wurden erstmal alle Geräte so verkabelt wie es am
Arbeitsplatz angegeben war. Nun wurde die Hall-Spannung der Kupferprobe außerhalb
des B-Felds gemessen, anschließend wurde das B-Feld hochgefahren und die
Hallspannung der Probe im Feld gemessen. Wir erhielten bei 2,49A ein B-Feld der Stärke
765mT. Bei beiden Messungen wurde ein Steuerstrom von 0-10 Ampere genutzt. Den
Strom erhöhten wir in 1A schritten, am Steuergerät konnten wir zwar immer genau um 1A
hochregeln, ein seperates Messgerät zeigte uns aber Werte, die leicht von den glatten
Zahlen abwichen. Diese Strommessung erschien uns etwas ungenau, da die Anzeige
schwankte und mit der Zeit immer größer wurde. Dennoch verwendeten wir diese Werte.
In folgender Tabelle befinden sich die Messwerte für unsere Kupferprobe, jeweils im und
außerhalb des B-Felds.
Bestimmung der Hallkonstante von Kupfer
Ohne B-Feld Mit B-Feld

Stromstärke [A] Hall-Spannung [mV] Stromstärke [A] Hall-Spannung [mV]

1,000 -0,005 1,006 0,001

2,001 -0,009 1,993 0,002

3,000 -0,014 3,003 0,003

4,052 -0,019 4,044 0,003

5,055 -0,025 5,061 0,003

6,065 -0,031 6,004 0,002

7,100 -0,038 7,130 0,001

8,130 -0,046 8,150 -0,001

9,180 -0,055 9,190 -0,004

10,210 -0,065 10,220 -0,007

Sehen wir uns die Ergebnisse erstmal an stellen wir fest, dass wir beim Kupfer im B-Feld
ein Merkwürdiges verhalten haben. Die Werte steigen erst an und fallen dann wieder.
Allgemein bewegen sich die Werte aber kaum. Nach Rücksprache mit dem Betreuer
wurde uns mitgeteilt, dass dies bei manchen anderen Gruppen auch schon so gewesen ist.
Wir schätzen deshalb, dass es hier irgendwo einen Wackelkontakt gibt, vermutlich an den
Lötstellen.

Die folgende Abbildung zeigt einen Plot unserer Messdaten, dabei wurde mit einer
Geraden gefittet und die Steigung ermittelt.

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Abbildung 12: Auswertung zur Kupferprobe

Aus den Graphen entnehmen wir zwei Steigungen:

! 1 = 0,00643mV/A
S

! 2 = 0,00084mV/A
S

S
! 1 entspricht dabei der Steigung ohne B-Feld. Es handelt sich dabei eigentlich um einen
Widerstand (U/I). S
! 2 erhält man für innerhalb des B-Feldes. Diese beiden Steigungen bzw.
Widerstände sind wichtig, da berücksichtigt werden muss, dass unsere gemessene Hall-
Spannung eine Mischung aus Halleffekt und Ohm’schem Widerstand ist. Wir haben eine
Messung mit und eine ohne B-Feld ausgeführt, um diese Tatsache in der Auswertung
berücksichtigen zu können. Betrachten wir unsere Formel für die Hall-Spannung stellt S
gerade die Differenz von S
! 1 und S
! 2 da.

B B
! = RH ⋅
S ⇔ d = RH
d S

mit S
! = 0,00559mV/A gilt für die Dicke dann:

d
! = 8,6217μm

R
! H ist bekannt und wurde dem Skript entnommen.

Als nächstes soll die Beweglichkeit bestimmt werden, es gilt:

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BI
! H = ρ ⋅ μH ⋅
U
d
d
! H,Cu = S ⋅
μ = 4,065 ⋅ 10−3m 3 /Vs
ρB

Fehlerrechnung Kupferprobe
Wenden wir uns nun dem Fehler der Steigung zu, dieser lässt sich nach einer leichten
Formel berechnen:

ΔS 2 ⋅ Δy 2 ⋅ Δy
! = ⇔ ΔS = ⋅S
S y2 − y1 y2 − y1

Wir Lesen nun die Werte aus den Graphen ab und können so den Fehler für die
Kupferprobe ohne das Magnetfeld bestimmen:

2 ⋅ 0,004541025496420853
! Cu ,0 =
ΔS ⋅ 0,00642645 = 0.000986108
0,0591876

Auf die selbe Weise können wir den Fehler für die Kupferprobe im B-Feld ermitteln:

! Cu + B = 0.000740648
ΔS

Der Fehler für die Steigungen wurde gemittel zu:

! Cu = (ΔSCu ,0 + ΔSCu + B ) / 2 = 0,000863378
ΔS

ΔμH,Cu ΔSCu ΔB
! = + = 19,4 %
μH,Cu SCu B

Δd ΔB ΔSCu
! = + =19,4 %
d B SCu

Für ΔB
! wurden 30mT angenommen.

Damit gilt:

! = (8,6217 ± 1,6697)μm
d

! H,Cu = (4,065 ± 0,7873) ⋅ 10−3m 3 /Vs

μ

Zinkprobe
Bei der Zinkprobe wurde zuerst im Magnetfeld gemessen, da dieses nun bereits an war.
Anschließend wurde das Feld langsam wieder heruntergefahren und die Messung
ausserhalb vorgenommen. Auch hier wurde ein Steuerstrom von 1-10 Ampere verwendet
und in 1A schritten hochgedreht.
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Nachfolgend die Messwerte unserer Zinkprobe:

Bestimmung der Hallkonstante von Zink
Ohne B-Feld Mit B-Feld

Stromstärke [A] Hall-Spannung [mV] Stromstärke [A] Hall-Spannung [mV]

1,013 0,021 1,002 0,020

2,025 0,044 2,020 0,040

3,031 0,065 3,013 0,059

4,051 0,088 4,044 0,079

5,077 0,110 5,057 0,098

6,095 0,132 6,078 0,118

7,130 0,154 7,120 0,137

8,160 0,176 8,160 0,157

9,200 0,197 9,180 0,177

10,23 0,219 10,230 0,197

Abbildung 13: Auswertung zur Zinkprobe

Auch hier wurden die Werte Graphisch aufgetragen und so die Steigung S ermittelt.
Bei der Zinkprobe ist die Dicke bekannt d! = 5 ⋅ 10−5m und es soll die Hall-Konstante
bestimmt werden. Die beiden Steigungen sind:

! 1 = 0,0214566mV/A
S

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! 2 = 0,01913mV/A
S

Für S gilt wieder die Differenz von S

! 1 und S
! 2:

! = 0,0023266mV/A
S

B d
S
! = RH ⋅ ⇔ RH = S ⋅ = 1,5207 ⋅ 10−10 m 3 /C
d B

Für die Beweglichkeit gilt analog zu Kupfer:

BI
U
! H = ρ ⋅ μH ⋅
d
d
μ
! H,Zn = S ⋅ = 2,7902 ⋅ 10−3m 3 /Vs
ρB

Fehlerrechnung Zinkprobe
Analog zur Rechnung der Steigungsfehler der Kupferprobe folgt nun die
Fehlerbestimmung der Zinkprobe:

! Zn = 0.000250185
ΔS

Und der Fehler der Zinkprobe im Magnetfeld:

! Zn+ B = 0.000102342
ΔS

ΔμH,Zn ΔSZn ΔB
! = + = 11,5%
μH,Zn SZn B

ΔUH,Zn ΔμH,Zn ΔB ΔI
! = + + = 11,5% (Den mü Teil mit S ersetzen und I teil entfernen
UH,Zn μH,Zn B I
aus Formel)

Damit gilt:

! H = (1,5207 ± 0,17488) ⋅ 10−10 m 3 /C

R

! H,Zn = (2,7902 ± 0,32087) ⋅ 10−3m 3 /Vs

μ

Auswertung Halbleiter
Hier kam die sogenannte "Van der Pauw-Methode" zum Einsatz, wobei die Messung
automatisiert statt fand. Das heißt, die Umschaltung und Umpolung zwischen den vier
Kontakten auf der Probe erfolgte mechanisch bzw. wurde über ein Computerprogramm

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gesteuert. Die Probe befand sich in einem Kryostaten unter Vakuum. Die Kühlung mittels
Stickstoff bzw. die Widerstandsheizung ermöglichen die Temperatur Variation. Der
gesamte Stab, mit der Probe etc., wurde in den Magneten eingebracht, mit dem ein
Magnetfeld von bis zu 1T erzeugt werden konnte. Die Temperaturen lagen im Bereich von
200K-400K. Die Messwerte sind folgender Tabelle zu entnehmen:
Auswertung des ZnO Halbleiters

Temperature(K) Hall Carrier Concentration (1 / cm^3) Hall Mobility (cm^2 / V s)

Resistivity (Ohm cm)

200 1,11EE+16 159.36 3.5239e+00

220 1,35EE+16 145.72 3.162e+00

240 1,62EE+16 133.98 2.8817e+00

260 1,9EE+16 122.01 2.6955e+00

280 2.3e+16 107.25 2.5314e+00

300 2.54e+16 101.28 2.4263e+00

320 2.93e+16 91.82 2.3239e+00
340 3.38e+16 83.55 2.2135e+00
360 3.89e+16 77 2.0835e+00
380 4.59e+16 70.17 1.9388e+00
400 5.24e+16 66.47 1.7912e+00

Für den ersten Graphen haben wir die Beweglichkeit und die Temperatur aufgetragen, die

Werte wurden mit !f (T ) = a ⋅ T b gefittet.b

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Mathematica berechnete a = 126059 und für b = -1,254. Der Wert für b liegt relativ nahe an
-1,5 was dafür spricht, dass bei steigender Temperatur vor allem akustische
Gitterschwingungen zu Beweglichkeitsabsenkung beitragen.
Für den nächsten Plot wurde der spezifische Widerstand und die Temperatur betrachtet:

Abbildung 15: Auswertung des Widerstands im Halbleiter

Wir können erkennen, dass der Widerstand mit steigender Temperatur abfällt. Der Verlauf
ist dabei ungefähr exponentiell. Bei Halbleitern wissen wir, dass die Bandlücke zwischen
Valenz- und Leitungsband relativ klein ist, die Energielücke ist also gering. Elektronen
können deshalb durch eine Thermische Anregung die Bandlücke überwinden. Daher ist es
nicht weiter verwunderlich, dass unser Graphen einen sinkenden Widerstand bei
steigender Temperatur anzeigt.

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Der letzte Graph ist eine Darstellung von ln(n(T)) gegen 1000/T. Über die
Geradensteigung dieses Graphen kann die ungefähre Tiefe des Donatorniveaus bestimmt
werden:

Abbildung 16: Bestimmung des Donatorniveaus

Die Vorgehensweise hierfür ist in der Versuchsanleitung beschrieben und wird hier
nochmal kurz wiedergegeben:
− kΔET
n(T
! ) = n0 ⋅ e B

ΔE
! ln[n(T )] = ln[n0] −
kBT

! ⟹ ΔE = − kB ⋅ m

Die Steigung ist mit m dargestellt und beträgt bei uns m = -0,6103 . In der Fachliteratur hat
sich die Darstellung gegen 1000/T etabliert, dafür muss noch mit 1000 multipliziert
werden. Damit kann nun die Tiefe des Donatorniveaus folgendermaßen bestimmt werden.

! ΔE = − 1000 ⋅ kB ⋅ m = 0,0526eV

Fehlerrechnung

Als einziger Fehlerbestandteil kann der Steigungsfehler unseres Fits einfließen.

! Δm = 0,103163

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∂ΔE
! Δ(ΔE )= ⋅ ΔS
∂S
Damit ist das Endergebnis bestimmt:

! ΔE = (0,0526 ± 0,0088931)eV

Fazit
Abgesehen von unserem Problem bei der Kupfermessung im Magnetfeld verliefen die
Teilaufgaben eigentlich gut. Unsere Ergebnisse für Kupfer sind jetzt sicher nicht optimal,
da uns ein sinnvoller Vergleich innerhalb und außerhalb des B-Felds fehlt. Da unser
Ergebnis zur Dicke der Kupfer-Platte nicht weit von der gegebenen Größe der Zink-Platte
abweicht, ist es vermutlich dennoch nicht besonders schlecht. Die Kupfer-Platte ist
sicherlich nicht viel dünner oder dicker als die Zink-Platte. Wir hätten erwartet, dass unser
Kupfer-Ergebnis eine sehr unrealistische Größenordnung hat, weil die Messung nicht
richtig funktioniert hat. Der Fehler ist mit 19,4% auch nicht gerade klein, was sicher auf
die Probleme bei der Messung zurück zuführen ist.

Zu Hall-Konstante von Zink kann man sagen das wir einen relativ guten Wert haben,
perfekt ist er aber nicht. Im Internet kann man z.B. auf Wikipedia(https://
de.wikipedia.org/wiki/Hall-Konstante#Einige_typische_Werte) für die Hall-Konstante
von Zink einen Wert in der Größenordnung 10! −11 finden, da sind wir mit 10
! −10 nicht ganz
dran. Der Fehler von 11,5% lässt diese Abweichung aber auch vermuten.

Auch der Halbleiterversuchsteil hat gut funktioniert. Man kann den Graphen das
erwartete Verhalten entnehmen und es traten keine Ergebnisse auf, die die bisherige
Physik in Frage stellen würden. Der Versuch war eine gute Idee um uns zu zeigen, dass
die Verhaltensweise eines Halbleiter leicht beobachtbar ist, bzw. sich ein solches
Experiment gut durchführen lässt.

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Abbildungsverzeichnis
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Literaturangaben
• Demtröder, Wolfgang: Experimentalphysik 2: Elektrizität und Optik; 6. Auflage; Springer
Verlag, 2012
• Demtröder, Wolfgang: Experimentalphysik 3: Atome, Molekühle und Festkörper; 5. Auflage;
Springer Verlag, 2015
• Hunklinger, Siegfried: Festkörperphysik; 4. Auflage; De Gruyter, 2014

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