128 4 Feldeffekttransistor
G B
Raum-
ladungszone
UGB>0
W
WC
-q UGB WF,HL
WF,M
WV
Raum-
ladungszone
Abb. 4.26 Durch Anlegen einer positiven Spannung UGB werden die Löcher von der Oxidschicht
weggedrängt. Es entsteht eine Raumladungszone und die MOS-Struktur gelangt in den Zustand der
Verarmung
Inversionsladung
G B
Raum-
ladungszone
UGB>0
W Inversionsladung
WC
WF
-q UGB
WFM WV
Raum-
ladungszone
Abb. 4.27 MOS-Struktur im Zustand der Inversion. Ist die angelegte positive Spannung groß ge-
nug, wird die Bandverbiegung so stark, dass sich der Halbleiter in der Nähe des Oxids wie ein
n-Halbleiter verhält
4.4 Bänderdiagrammdarstellung des MOSFET 129
Merksatz 4.4
Das Anlegen einer Spannung zwischen Gate und Substrat führt zu einer Verbiegung
der Bänder im Halbleiter. Ist die Spannung groß genug, kommt es zur Inversion,
bei der sich ein leitender Kanal aus Minoritätsträgern an der Grenzschicht zwischen
Oxid und Halbleiter bildet. Die Spannung, bei der die Kanalbildung einsetzt, heißt
Einsatzspannung.
4.4.2 Bänderdiagramm des MOSFET
Wir ergänzen nun die MOS-Struktur durch eine n-dotierte Source- und Drain-Elektrode.
Liegt keine Spannung an der Struktur, liegen die Ferminiveaus zunächst in einer Ebene
und wir erhalten den in Abb. 4.28 gezeigten Verlauf von Leitungs- und Valenzband über
der zweidimensionalen Transistorstruktur.
Legen wir nun eine positive Spannung UDS an die Drain-Elektrode und gleichzeitig
eine positive Spannung an das Gate, erhalten wir das in Abb. 4.29 gezeigte Bänderdia-
WC
WV
p x
n
n
S
G y
D
Abb. 4.28 Darstellung des zweidimensionalen Bänderdiagramms des MOSFET. Source und Drain
sind durch eine Potenzialbarriere voneinander getrennt, die von den Elektronen nicht überwunden
werden kann
S.m.i.L.E 4.4_3D-Bänderdiagramm, FET
130 4 Feldeffekttransistor
gramm. Wir können uns nun die Elektronen als oberhalb des Leitungsbandes in den Poten-
tialtöpfen gefangene Teilchen vorstellen, die sich nach unten bewegen wollen. Wegen der
abgesenkten Barriere entlang der Grenzschicht zwischen Oxid und Halbleiter bei x D 0
können die Elektronen jetzt von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode gelangen.
W
WC
WV
p x
n
n
S 0V
5V
G y
D 5V
Abb. 4.29 Durch Anlegen einer positiven Spannung an das Gate kommt es zur Bandverbiegung
(vgl. Abb. 4.27). Die Elektronen können nun von der Source zur Drain-Elektrode gelangen
4.4.3 Wirkungsweise des Transistors im Bänderdiagramm
Zum Verständnis der Funktion des Transistors genügt es, das eindimensionale Bänderdia-
gramm in der Ebene direkt unterhalb des Oxids, d. h. entlang x D 0, zu betrachten. Für
den Fall, dass an dem Transistor eine Spannung UDS > 0 anliegt, erhält man dann das in
Abb. 4.30, links, dargestellte Diagramm.
UGS=0 UGS>0
W W
WFB
WFB
WC WC
-q UDS
WV WV
Source Bulk Drain Source Bulk Drain
y y
Abb. 4.30 Vereinfachte eindimensionale Darstellung des Bänderdiagramms des MOSFET mit
UGS D 0 V (links) und mit UGS > 0 V (rechts)
S.m.i.L.E 4.4_Bänderdiagramm, FET
4.4 Bänderdiagrammdarstellung des MOSFET 131
Für den Fall UGS D 0 ist die Potenzialbarriere so groß, dass die Elektronen aus
der Source nicht in die Drain-Elektrode gelangen können. Erst durch das Anlegen ei-
ner hinreichend großen Spannung UGS an das Gate verringert sich die Barriere aufgrund
der Bandverbiegung und die Elektronen können in die energiemäßig niedriger gelegene
Drain-Elektrode gelangen (Abb. 4.30, rechts).
Merksatz 4.5
Durch die Bandverbiegung bei Anlegen einer Spannung zwischen Gate und Substrat
kommt es zu einer Absenkung der Potenzialbarriere zwischen Source und Drain,
so dass sich die Ladungsträger entlang des leitenden Kanals von der Source zur
Drainelektrode bewegen können.
4.4.4 Substratsteuereffekt
Wird das Bulk-Potenzial gegenüber dem Source-Potenzial abgesenkt, d. h. USB > 0 V, so
erhöht sich das Ferminiveau im Bereich des Bulk relativ zur Source nach oben. Dies führt
jedoch zu einer Erhöhung der zu überwindenden Energiebarriere. Es muss also eine größe-
re Gate-Source-Spannung angelegt werden, damit der Transistor leitet, als im Fall USB D
0 V. Dies ist gleichbedeutend mit einer Erhöhung der Einsatzspannung (Abb. 4.31).
USB>0
W
WFB
-q USB
-q UDS
WC
WV
Source Bulk Drain
y
Abb. 4.31 Durch Anlegen einer Substratvorspannung erhöht sich die Potenzialbarriere zwischen
Source und Drain, was einer Vergrößerung der Einsatzspannung entspricht
S.m.i.L.E 4.4_Substratsteuereffekt
Die Einsatzspannung UT h des MOSFET steigt also mit zunehmender Source-Bulk-
Spannung an.
132 4 Feldeffekttransistor
4.4.5 Kurzkanaleffekt
Bisher wurden Transistoren mit relativ großer Kanallänge betrachtet. Wird die Kanallän-
ge sehr klein .l < 1 m/, ist eine Abnahme der Einsatzspannung zu beobachten, die
ebenfalls mit dem Bänderdiagramm erklärt werden kann. Abb. 4.32 zeigt dazu die Bän-
derdiagramme zweier MOS-Transistoren mit großer Kanallänge .l1 > 1 m/ und kleiner
Kanallänge .l2 < 1 m/. Da bei sehr kurzer Kanallänge .l2 < 1 m/ Source- und Drain-
Gebiet dicht zusammenliegen, reduziert sich die effektive Barrierenhöhe, die von den
Elektronen überwunden werden muss. Dies führt zu einer Abnahme der Einsatzspannung.
W W
WC WC
-q UDS
WV WV
Source Bulk Drain Source Drain
y y
l1 l2
Abb. 4.32 Bei sehr kurzen Kanallängen kommt es zu einer Verringerung der Barrierenhöhe zwi-
schen Source und Drain, was einer Verkleinerung der Einsatzspannung entspricht
S.m.i.L.E 4.4_Kurzkanaleffekt
Literatur
1. Hoffmann, K (2003) Systemintegration. Oldenbourg Wissenschaftsverlag, München, Wien
2. Reisch, M (2007) Halbleiter-Bauelemente. Springer, Berlin
3. Sze, SM (1981) Physics of Semiconductor Devices. Wiley, New York
4. Tsividis, Y (1999) Operation and Modeling of the MOS Transistor. McGraw-Hill, Boston
Optoelektronische Bauelemente
5
Dieses Kapitel behandelt die Wechselwirkung von Halbleitern mit Licht und beschreibt
die Funktionsweise wichtiger optoelektronischer Bauelemente. Dabei unterscheidet man
zwischen Fotodetektoren, die ein von der Bestrahlungsstärke abhängiges Ausgangssignal
liefern und Licht emittierenden Bauelementen, die Licht aussenden, wenn sie von Strom
durchflossen werden. Nach einer Einführung in die wichtigsten Begriffe der Optoelektro-
nik werden die Bauelemente Fotowiderstand, Fotodiode und Fototransistor vorgestellt, die
als Fotodetektoren eingesetzt werden. Als Beispiel für ein Licht emittierendes Bauelement
betrachten wir die Lumineszenzdiode.
5.1 Grundlegende Begriffe
5.1.1 Kenngrößen optischer Strahlung
Als Licht bezeichnet man die sichtbare elektromagnetische Strahlung. Die Wellenlänge
dieser Strahlung liegt zwischen etwa 380 nm und 780 nm. Zu kürzeren Wellenlängen
hin schließt sich die ultraviolette (UV) Strahlung an, zu längeren Wellenlängen hin die
infrarote (IR) Strahlung. Der Wellenlängenbereich der sichtbaren Strahlung einschließlich
der IR- und UV-Strahlung wird auch als optischer Bereich bezeichnet. In Abb. 5.1 ist
der sichtbare Teil des Spektrums über der Wellenlänge dargestellt. Zusätzlich ist die
Photonenenergie Wph angegeben, die sich aus dem Zusammenhang
hc eV
Wph D hf D 1;24 (5.1)
Πm
ergibt. Dabei ist h das Planck’sche Wirkungsquantum und c die Lichtgeschwindigkeit im
Vakuum.
© Springer-Verlag GmbH Deutschland, ein Teil von Springer Nature 2019 133
H. Göbel, Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik,
https://doi.org/10.1007/978-3-662-56563-6_5
134 5 Optoelektronische Bauelemente
violett
grün
blau
gelb
rot
UV sichtbares Licht IR
λ
400 500 600 700 800 nm
Wph
eV 3 2
2,5 1,5
Abb. 5.1 Der sichtbare Teil des elektromagnetischen Spektrums aufgetragen über der Wellenlänge
bzw. der Photonenenergie Wph
Radiometrische Größen
Optische Strahlung wird durch sog. radiometrische Größen charakterisiert. So gibt z. B.
die Strahlungsleistung ˚e die von einer Quelle ausgesandte Leistung an und die Bestrah-
lungsstärke Ee die Leistung, die pro Fläche auf eine Oberfläche trifft. Der Index e steht
dabei für energetisch.
Bei der Untersuchung der im Halbleiter stattfindenden Vorgänge wird oft mit der sog.
Photonenbestrahlungsstärke Eph gerechnet, welche die Zahl der Photonen angibt, die pro
Zeit- und Flächeneinheit auf einen Halbleiter treffen. Bei gegebener Bestrahlungsstärke
Ee und der Lichtwellenlänge bestimmt sich die Photonenbestrahlungsstärke Eph zu
Ee Ee
Eph D D : (5.2)
hf hc
Multipliziert man diese Größe mit der bestrahlten Fläche A, ergibt sich der Photonenstrom
˚ph D Eph A ; (5.3)
also die Zahl der pro Zeit insgesamt auftreffenden Photonen.
Fotometrische Größen
Da die Empfindlichkeit des menschlichen Auges von der Wellenlänge des Lichts abhängt,
ist es oftmals zweckmäßig, statt radiometrischer Größen sog. fotometrische Größen zu
verwenden, bei denen die Strahlung mit der Empfindlichkeitskurve A. / des menschli-
chen Auges (Abb. 5.2) gewichtet wird.
Eine Übersicht über die wichtigsten Größen, die im Zusammenhang mit optoelektro-
nischen Halbleitern Verwendung finden, ist in Tab. 5.1 angegeben. Die fotometrischen
Größen sind mit v für visuell indiziert.
Als Beispiel für den Zusammenhang der unterschiedlichen fotometrischen Größen soll
hier eine einfache Kerze betrachtet werden. Diese hat typischerweise eine Lichtstärke, al-
so einen pro Raumwinkel abgegebenen Lichtstrom von Iv 1 cd. Unter der Annahme,
